ハリウッド48時間ダイエット

小田・水田研の歴史
２００６年１１月１１日
１９８６年
• １２月 小田研誕生
ケンブリッジ大学 Dr. Bill Milne と台湾で再会
１９８７年
初めての卒研生
• 清水 和裕
• 安達 尚季
１９８８年
•
•
•
•
•
•
•
大塚 友彦
中北 英明
木原 広己
杉山 和久
坂口（大塚） 真弓
野田 潤一郎
座間 秀昭
高温超伝導MOCVD
VHF Plasma CVD
１９８９年
•
•
•
•
•
•
辻 直樹
打木 達也
高橋 馨
桝田 孝一郎
松浦 功
袁 凌文
原子層MOCVD
１９９０年
•
•
•
•
•
•
•
•
•
乙部 雅則
藤井 孝治
山口 秀策
三宅 貴之
安斎 亮一
安川 昌宏
広城 幸吉
今井 麻里
Ying-Chung Chen
デジタルCVD
原子層MOCVD
１９９１年
•
•
•
•
•
坂井 健児
野間 賢二
津久井 哲也
斉藤 賢一
五十嵐（内藤）祐子
光学的結晶成長モニター
Si量子細線デバイス
１９９２年
• 野中 俊男
• 柿沼 司
• 弘海 賢吾
ナノ結晶シリコンの粒径制御
ナノ結晶シリコンの粒径制御
SiO2
Si (111)
VHFプラズマセルでSiドット形成
低温プロセス
10nm
M. Otobe
(a)
30
SiH4 100%
20
10
0
25
50
75
100
PARTICLE SIZE (nm)
(b)
30
PULSED-H2 SUPPLY
SiH 4
20
0.5s
H2
0.5s
10
0
25
50
PARTICLE SIZE (nm)
75
100
AFMによる単一ドットの粒径と電気特性の同時測定
AFMによる単一ドットの粒径と電気特性の同時測定
Otobe and Oda, Appl. Phys. Lett. 72, 1089 (1998)
１９９３年
•
•
•
•
•
•
山本
木村
小林
嵯峨
川原
吉井
修一郎
匡雄
正伸
純
潤
あさ
高品質高温超伝導超薄膜
１９９４年
•
•
•
•
•
•
本地 秀考
金井 友範
川口 篤史
鈴木 秀明
王 在陽
島 ゆう子
強誘電体歪超格子薄膜の作製と評価
強誘電体歪超格子薄膜の作製と評価
Zayyang Wang
SrT iO 3(002)
・
Period
・
Intensity (arb. unit)
(002)
(001)SrTiO3
substrate
BaTiO
・
・ SrTiO 3
3
(c)
(b)
(a)
42
42
44
44
46
46
2θ (degree)
48
48
50
50
１９９５年
•
•
•
•
•
•
•
大西 満
矢島 弘士
渡辺 智隆
長田 浩二
伊福 徹
鈴木 茂
Amit Dutta
ナノ結晶シリコン単電子トランジスタ
ナノ結晶シリコン単電子トランジスタ
A. Dutta et al, Jpn. J. Appl. Phys. 39, 4647 (2000)
Amit Dutta
0.04
0.02
-8
0
-9
Current (A) (Log Scale)
Source-Drain Voltage (V)
-7
SOI
20 Kでクーロン振動
を観測
-0.02
-10
-0.04
3
3.5
4
4.5
Gate Voltage (V)
5
波模様は１個１個の
電子の注入に伴う電
流の振幅
１９９６年
•
•
•
•
•
•
•
本田
高田
川上
永嶋
絹笠
鳶坂
伊藤
充輝
学
智之
亮徳
幸久
浩志
明
• Vyshenski, Sergei
• 大畠 昭子
• 加藤 智子
ケンブリッジ大学でのワークショップ
１９９７年
•
•
•
•
•
•
•
•
西口 克彦
須貝 聡
鈴木 武史
鶴崎 伸弥
李 紹平
原 聡二
早舩 嘉典
云 峰
Si縦型トランジスタにおける量子化コンダクタンス
Si縦型トランジスタにおける量子化コンダクタンス
Nishiguchi and Oda, ICPS-25, Osaka, (2000): Young Author Best Paper Awards
Conductance [4e2/h]
3.0
2.5
K. Nishiguchi
Bias : 1mV
Temp. : 5K
Channel
0T
2.0
SiO2
Gate
6T
1.5
1.0
9T
Bias :100mV
0.5
0
-0.12
-0.08
Gate Voltage [V]
-0.04
0
5 Kで明瞭な量子化
コンダクタンスを観測
•シリコンでは初めて
シリコン量子ドット積層構造からの電子放出
シリコン量子ドット積層構造からの電子放出
Nishiguchi & Oda, MRS Meeting, Boston (2000): Graduate Student Silver Awards
(b)
(a)
10-2
2
100
10-4
4
10-1
10-6
6
10-2
10-8
8
10-3
10-10 0
10-4
100V
A
10-6torr
A
Au (20nm)
nc-Si
n-Si
10
nm
(c)
Current [A]
5mm
Diode
Emission
nc-Si dots
10-12 2
Efficiency
Si substrate
50nm
10-14 4
0
5
10
15
20
25
Voltage [V]
• Electron emission from layered nc-Si dots at 10V.
• Emission efficiency of 0.8% was obtained.
30
35
10-5
10-6
40
Efficiency [%]
10-6Torr
１９９８年
•
•
•
•
•
•
•
天野 建
仙石 暁生
高柳 ルミ子
松川 康成
安田 智彦
Bruce Hinds
畑谷 成郎
Schematic
Schematic of
of Short
Short Channel
Channel Memory
Memory Device
Device
Hinds, Yamanaka, Oda, J. Appl. Phys. 90, 6402 (2001)
50-55 nm gate oxide
~2 nm tunnel
oxide
G
nc-Si dots
S
50nm
D
25 nm
Silicon
50 nm
SOI
Buried oxide
(400nm)
Bruce Hinds
25
T=295K
Drain Current (nA)
20
15
Vth = 90mv
10
5
Erase
55
5.0
0.35
Ve=-2.25V
Ve=-1.75V
0.3
Ve=-1.25V
Ve=-0.75V
Ve=-0.25V
4.5
0.25
0.2
0
13.5
time (s)
14.5
240
11.5
Time (s)
18 0
6.5
120
7.5
60
3.5
4.5
5.5
0
12.5
5
9.5
4
10.5
3
Gate Bias (V)
0.1
0.05
8.5
2
0.5
4.0
1.5
0.15
0
1
T=295K
2.5
Drain Current (nA)
60
Write
１９９９年
•
•
•
•
•
•
•
佐久間 健
中村 亮
山中 崇行
下里 圭司
吉田 征一郎
高橋 咲子
趙 新為
• Willander, Magnus
２０００年
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
伊藤 誠悟
小澤 治
中村 暦
黒澤 正敏
遠藤 真人
大町 純一
黄 少云
新井 健太
小島 幸
内山（高柳）智子
金 豪振
表面窒化ナノクリスタルSiドットメモリ
表面窒化ナノクリスタルSiドットメモリ
S-Y Huang et al, IEEE Trans. Nanotechnology, 3, 210 (2004)
S-Y Huang et al, J. Appl. Phys., 93, 576 (2003)
S-Y Huang
•Structure
Electrode
SiNx
Si Substrate
Metal
nc-Si Dot
SiO2
3.4 eV
nc-Si dots
Tunnel Oxide
50 nm
2.1 eV
(b)
Nitride
SiO2
SiNx
(c)
SEM plane-view image
Upper Oxide
(a)
Channel
Traps
C-V
Capacitance (pF)
10
Decay
A
@ Room temperature
8
Sample B: nc-Si dots
covered by nitride films
6
A
4
Sample C: nitridation
with no nc-Si dots
C
2
-6
B
-5
-4
-3
-2
-1
Gate Voltage (V)
0
Sample A (with dots, with no nitridation)
Sample B (with dots, with nitridation)
Write at 2 V
Sample A: read at –1.6 V
Sample B: read at –2.4 V
0.85
0.80
0.75
0.70
0.60
Curve I
Sample A
0.55
0.50
0.40
discharged
state
Curve II
Sample B
0.65
0.45
1
p
0.90
Sample A: nc-Si dots
B
g
1.00
0.95
Frequency @ 1 MHz
C
Stored Charge/Initial Charge
Electrode
read-voltage
Temperature: 295 K
Frequency 1 MHz
1
10
メモリ保持時間の飛躍的向上
2
10
3
10
4
10
5
10
Time (s)
6
10
7
10
8
10
表面酸化ナノクリスタルSiの可視光発光
表面酸化ナノクリスタルSiの可視光発光
Arai, Omachi, Oda, Electrochemical Society, Philadelphia (2002)
K. Arai
強い閉じ込め効果で擬直接遷移発光
２００１年
• 高居 康介
• 森 智彦
• ヘンドリアンシャー・サウッディン
•
•
•
•
•
平野 貴裕
Mohamed Ali Salem
土屋 良重
宇佐美 浩一
SOURI BANERJEE
ＫＦＭ法によるシリコン量子ドットの単一電荷測定
ＫＦＭ法によるシリコン量子ドットの単一電荷測定
M.A. Salem et al, Appl. Phys. Lett., 85, 3262 (2004)
X
X
Y
Y
Z
Z
30 Sec
M. A. Salem
5V
Initial KFM imaging
Contact mode AFM Charging
Before
charging
Final KFM imaging
• 微細表面電荷と寸法の同時
測定
• ドットに蓄積された少数電荷
の測定
After
charging
Topography
Potential
5 minutes after charging
７5 minutes after charging
２００２年
•
•
•
•
•
•
•
籐 亮太郎
岩佐 達也
星出 裕亮
吉岡 健一
Matt Kelley
鄭 仰東
中務 琢也
２００３年
•
•
•
•
•
•
佐藤
百々
藤田
川田
池澤
田中
大典
信幸
啓嗣
善之
健太
敦之
• Akhmadi Surawijaya
• Manuel Esteban Ruidiaz
２００４年
•
•
•
•
•
•
•
黒川
永見
山端
東島
須藤
長山
筆宝
康良
佑
元音
賢
貴也
喜正
大平
•
•
Hea-Jeong Cheong
Benjamin Pruvost
• 小木 純
• Mohamed Khalafalla
• Wei Chen
２００５年
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
稲葉 直樹
澤井 俊一郎
松田 真之介
向井 崇
古川 亮介
新倉 浩樹
小林 正幸
Akhtar Saeed
Muruganathan Manoharan
山口久美子
２００５年同窓会
２００５年度卒業式
ナノ量子構造半導体デバイスの研究 小田・水田研究室
１ ナノ結晶シリコン構造形成・制御技術の開発
シリコンナノドット シリコンナノロッド
教員室 S9-805
S9-804
学生室 S9-806
ナノシリコンドット
ドットサイズ
を揃える
（ケンブリッジ大との共同研究）
トンネル膜厚
を揃える
基板
超高真空
チャンバ
（室温）
ターボ分子
ポンプへ
開口部
10nm
ナノ結晶シリコンドット
(φ ∼5 mm)
位置を揃える
ナノシリコン構造制御
蒸発
溶液
SiH4 ガス
H2 or
Ar ガス PC制御
VHFプラ
ズマセル
ナノ結晶シリコン形成装置
（VHFプラズマCVD)
ＬＢ膜
ナノテン
プレート
100n
m
ナノシリコン集積化技術の開発
ナノ量子構造半導体デバイスの研究 小田・水田研究室
教員室 S9-805
S9-804
学生室 S9-806
２ ナノ結晶シリコンを利用した機能デバイスの作製
加速電圧
100V
SiO2
SiNx
金電極
SiNx
Electrode
(a)
コレクター
電子
50 nm
nc-Si dots
ナノ結晶シリコン層
50nm
SiO2
Si Substrate
シリコン基板
アルミ電極
Electrode
1
10-5
10-2
10-7
10-4
効率
0.85
0.80
0.75
10
20
Curve I
Sample A
0.55
0.45
30
0.40
引出電圧 (V)
read-voltage
Temperature: 295 K
Frequency 1 MHz
1
10
平面型ﾊﾞﾘｽﾃｨｯｸ電子放出素子
2
10
3
10
4
10
S
e
-
e
-
e-
MOSFETチャネル
6
10
ナノドットメモリ
G
e-
5
10
Time (s)
ネオシリコン内包SiO2曲がり梁 ネオシリコン
ドット
エアー
ギャップ
discharged
state
Curve II
Sample B
0.60
10-6
0.50
0
Write at 2 V
Sample A: read at –1.6 V
Sample B: read at –2.4 V
0.90
0.65
放出電子
p
Sample A (with dots, with no nitridation)
Sample B (with dots, with nitridation)
0.95
0.70
ダイオード
10-9
g
1.00
効率 (%)
電流 (A /c m2 )
10-3
Stored Charge/Initial Charge
引出電圧
D
ナノエレクトロ・メカニカル＆ナノ３Dデバイス
7
10
8
10
ナノ量子構造半導体デバイスの研究 小田・水田研究室
Vg2(V)
３ ナノ結晶シリコンを用いた量子情報デバイスの探索
15nm
ソース電極
Vg2
0.4
meV
反結合状態
結合状態
2
ﾄﾞﾚｲﾝ電極
教員室 S9-805
S9-804
学生室 S9-806
1
Vg1
0
ナノ結晶シリコン
-1
20 nm
10 nm
30 nm
-2
-3
-4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
15 nm
Vg1(V)
0.04
T = 20K
２個のナノシリコン間の量子力学的相互作用の観測
（英国ケンブリッジ大学との共同研究）
Vsd (V)
-8
0
-9
-0.02
-10
-0.04
3
3.5
4
4.5
5
Gate Voltage (V)
電子１個で動く単電子トランジスタ
Current (A) (Log
Scale)
-7
0.02
Vg1 (V)
初期化
30nm
読み出し
伝達
（ビット間制御）
固体量子コンピュータに向けたナノシリコン量子
情報デバイスの設計と作製
ナノ量子構造半導体デバイスの研究 小田・水田研究室
４ ﾅﾉｼﾘｺﾝ材料・ﾃﾞﾊﾞｲｽのﾏﾙﾁｽｹｰﾙｼﾐｭﾚｰｼｮﾝ技術
教員室 S9-805
S9-804
学生室 S9-806
擬ポテンシャル法
アトムスケール
ナノ構造
シミュレーション
密度汎関数法
（ＬＣＡＯ基底）
H i, j = i −
h2 2
∇ + V eff ( ρ ) j
2m
HOMO
LUMO
Icosahedral構造SND (d=1.56nm)
H
ナノスケール
量子輸送
シミュレーション
D
量子輸送特性計算
[
G( E ) = E − H − ∑ ( E )
]
−1
平衡状態物理量分布・
線型応答パラメータ抽出
マクロケール
デバイス・回路
シミュレーション
ナノ電極・SNR融合系での量子輸送特性
量子補正デバイス
シミュレーション
（密度傾斜法）
ハイブリッド回路
シミュレーション
Ids (A)
Density
(cm-2 )
2.0D11
1.0D11
Vg2 (V)
0.0D
0
.5
20
X (nm)
-.5
40
60
-1.0
1.0
0
k (nm -1)
電子の量子力学的分布関数
Vg1 (V)
量子等価回路とI-V特性
ナノ量子構造半導体デバイスの研究 小田・水田研究室
教員室 S9-805
S9-804
学生室 S9-806
５ 高誘電率薄膜の作製・評価と次世代ULSI素子応用
•HfO2
•
Pr-oxide/silicate
HfO2
3.2 nm
界面層
0.8 nm
5 nm
Normalized Intensity[a.u.]
Si-O-Si/H-O-H
SiO2
換算膜厚
~ 1.2 nm
Si基板
Pr-O-Pr
3.5 nm
Prシリケート
の形成を
確認
TOA
90°
52°
30°
15°
537
535
533
531
529
527
Binding Energy [eV]
断面電子顕微鏡写真
X線光電子分光（武蔵工業大学との共同研究)
高誘電率ゲート絶縁膜材料の探索、作製、特性評価
パージガス
酸素
原料ガス
試料
ヒーター
エリプソメータ
HfO2/Si
成膜中の原子
スケールの変化を
直接観察
約 1.1Å
1度
エリプソメトリ角Δの変化
1 サイクル
原料 3秒
パージ
酸素
20秒
40秒
排気
時間
100 秒
•堆積メカニズム解明
•制御技術の確立
分光エリプソメータによる極薄膜成長のその場観察
小田・水田研究室の海外研究ネットワーク（主なもの）
小田・水田研究室の海外研究ネットワーク（主なもの）
その他も色々交流があります。
教授
助教授
助手
技官
秘書
小田・水田研
小田・水田研 メンバー
メンバー
小田 俊理
水田 博
土屋 良重
宇佐美 浩一
小島 幸
山口久美子
石木ゆかり
非常勤研究員 黄 少云
JSPS研究員
Mohamed Khalafalla
JSPS研究員
Chuanbo Li
博士課程学生
筆宝 大平
Hea-Jeong Cheong
川田 善之
田中 敦之
鄭 仰東
Akhmadi Surawijaya
Akhtar Saeed
Muruganathan Manoharan
Benjamin Pruvost
Xin Zhou
Jiumin Wang
２００６
２００６
修士課程学生
学部学生
津久井 正人
永見 佑
東島 賢
山端 元音
須藤 貴也
小木 純
小林 正幸
栗原 智之
米澤 英徳
増渕 和典
中峯 嘉文
千代田 正規
Sverre Hamre
Nanhao Quan
稲葉 直樹
澤井 俊一郎
松田 真之介
向井 崇
古川 亮介
新倉 浩樹
柴村 純平
Ian C. Robertson
Visitors
Kunji Chen
Songphol K
Thuat Nguyen
Alexander
Zawadzki
小田・水田研
小田・水田研 メンバー紹介
メンバー紹介
応用物理学会（武蔵工業大学）の運営（３月）
ケンブリッジ大学など長期訪問（４−６月）
教授
教授 小田俊理
小田俊理
助教授
助教授 水田博
水田博
水田です。今年は学内・学外共に役割が増えてとても忙しい年でした。
■国際学会委員
・SNW2006 ・SSDM2006
・ICCS2006 ・ICSICT2006
・AMN-3 2007
・SNW2007 (Program Chair)
・SSDM2007 (Secretary)
■学外団体役員
・MacDiarmid Institute (NZ)
国際諮問委員
・半導体ロードマップ委員会
ERD-WGサブリーダ
・ＪＥＩＴＡナノスケールデバイス
専門委員会幹事
■学内業務
・国際室国際企画員（兼務）
・工学系国際交流委員
・電気・情報系留学生相談員
・電気電子工学科幹事
・デバイスグループ幹事, etc
３月、ケンブリッジで
の恩師Ahmed先生、
Ｃｌｅａｖｅｒ先生と。なお、
右は私の家内が描い
た絵です。
小田・水田研
小田・水田研 メンバー紹介
メンバー紹介
助手
助手 土屋
土屋 良重
良重
日々の仕事
•小田・水田研の主に実験研究に関する
事項の推進、補助
•半導体学生実験補助(学部3年、前・後期)
最近の出来事
•NEMS memory 研究成果をSNW06(Hawaii)で発表
“Fabrication and Characterization of Nanoscale Suspended Floating Gates for NEMS Memory”
N. Momo T. Nagami, S. Matsuda, Y. Tsuchiya, et al., IEEE 2006 Silicon Nanoelectronics Workshop, pp 105-106.
•NEMS memoryの論文がJAPに掲載
“Nanoelectromechanical nonvolatile memory device incorporating nanocrystalline Si dots”
Y. Tsuchiya, K. Takai, N. Momo, T.Nagami, et al., J. Appl. Phys. 100, 094306 (2006). (6pages)
• Pr silicate の研究成果をIWDTF06(川崎)で発表
“Effect of Post-Deposition Annealing on the Electrical Properties of MOCVD-grown Praseodymium Silicate MIS Diode”
Y. Tsuchiya, R. Furukawa, T. Suto, et al., Ext. Abst. IWDTF 2006, pp. 103-104
趣味
•大岡山辛いもの巡り
•奈良観光
小田・水田研
小田・水田研 メンバー紹介
メンバー紹介 JSPS研究員
JSPS研究員 Mohammed
MohammedKhalafalla
Khalafalla
Education: PhD in 2004, Cambridge University, U.K. Bsc
(Physics), Khartoum university, Sudan
Research Interest at Oda-Mizuta Lab: Physics of Electron
Transport in Atomic Scale Devices in Nanocrystalline
Silicon
Khalafalla et al:
“Identifying single-electron charging islands in a twodimensional network of nanocrystalline silicon grains
using Coulomb oscillation fingerprints” PRB 74, 035316
(2006)
Gate 2
V
g2
“Floating Dot Silicon Single Electron Transistor” to be
submitted to APL
Gate 4
V
g1
小田・水田研究室
小田・水田研究室
Chuanbo
ChuanboLi
Li (China)
(China)
The fabrication of the vertical coupled SiGe double quantum dots
Vg1
Source
Vds
Drain
Using the process to fabricate SET to form the
vertical coupled SiGe double quantum dots
National University of Ireland (Cork)
Vg2
This picture was taken after my PhD degree defense
小田・水田研
小田・水田研 D3
D3 筆宝
筆宝大平
大平
シリコンでレーザ！？
Relative PL Intensity
1.25
1.20
今年度の活動内容
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
600
800
1000
Wavelength (nm)
2005年12月
2006年 5月
2006年 8月
2006年12月
Tokyo Student Workshop主催
CLEO/QELS(Long Beach, CA) 発表
応用物理学会(立命館大学・京都) 発表
特許公開（予定）「周期構造体およよびその製造方法」
もと生徒（ワークショップ受付）
CLEOポスター発表
0.5 μm
Universal Studio（ハリウッド）
Santa Monica のビーチ
旧友（中央が土屋さんの後輩）
小田・水田研 メンバー紹介
D3 Cheong, Hea Jeong
SiQDs(167nm)
p-type substrate(30-60Ωcm)
Al ohmic contact
Tip
Light
EL Intensity (A.U.)
Al
n+poly-Si(50nm)
650
700
750
800
850
900
Wavelength (nm)
2006年5月20日‐27日アメリカでCLEO学会発表
2006年８月29日‐9月1日秋応用物理発表
950
PL Intensity (A.U.)
32V
30V
28V
26V
24V
22V
20V
18V
16V
14V
12V
10V
8V
6V
4V
2V
EL Intensity (A.U.)
Visible electroluminescence from silicon quantum dots
600
650
700
750
800
Wavelength (nm)
850
900
小田・水田研
小田・水田研 メンバー紹介
メンバー紹介
Ｄ２
Ｄ２ 川田善之
川田善之
川田
小田・水田研究室
博士2年 田中敦之
ドットでLB膜を作ります
小田・水田研
小田・水田研
アマヂイ
アマヂイ スラウィジャヤ
スラウィジャヤ (D2)
(D2)
Research topic:
Resonant tunneling device by using single nanocrystalline
Si quantum dot
1.0E-07
10-7
1.0E-08
10-8
300 K
Current (A)
1.0E-09
10-9
1.0E-10
10-10
77 K
1.0E-11
10-11
17 K
1.0E-12
10-12
1.0E-13
10-13
1.0E-14
10-14
0
My hobby: 3D Computer
Generated Image (CGI)
0.1 0.2
0.3
0.4 0.5 0.6
Voltage (V)
0.7
0.8 0.9
1
My 8 month son
I came from Bandung,
Indonesia
Saeed Akhtar (D2)
小田・水田研 メンバー紹介
PhD Research Plan:::
•Synthesis of Si nanowires and device application:
ナノスケールシリコン細線構造の作製とその素子応用に関
する研究
Recent results:::
e-beam
evaporated Au
dots results into
Si nanowires
Beautiful View of Gothenburg, Sweden
Nice and bright evening in the ever dark
Gothenburg is really very pleasant
Beautiful in the sense 2 months brightness
In a year
M. Manoharan
Study of Silicon single Electron devices
operation
in high frequency regime
小田・水田研
小田・水田研 メンバー紹介
メンバー紹介
Benjamin Pruvost
With friends and profs!
Benjamin
Benjamin Pruvost
Pruvost
SET-NEMS Concept and Simulation
•IIIE Silicon Nano Workshop 2006
•JSAP 67th Fall Meeting, 2006
Source
Hinges
Movable Gate
tgap
Drain
With my band!
Quantum Dot
Switching!
Actuation
Electrode
小田 水田研究室
D1 周昕（Zhou Xin）
Research topics: Mott transition field effect transistor
(MTFET) and electron transportation
I came from Nanjing university, P. R. China
My hobby: pingpong
Main building
A part of library
Archives building
seal cutting
小田·水田研究室
D1 王久敏 (Wang jiumin)
Doctor Project：
Electron Emission From Nano-Si
小田・水田研メンバー紹介∼津久井 正人
研究テーマ
KFMによるナノブリッジ
トランジスタ特性評価
余暇
自転車乗り
博物館
政治の考察
M2 永見 佑
小田・水田研 メンバー紹介
研究テーマ
有限要素シミュレーションによるNEMSメモリの動作解析
最近は機械的スイッチング特性に加えて
電気的特性も解析
機械的特性
変位量 Z [nm]
20
電気的特性
チャネルができる
1μm
1μm
104
-10
下側に曲がった状態（”1”状態）
チャネルができない
電子密度 [cm-3]
0
-20
108
1012
1016
ドレイン電流 Id [A/m]
上側に曲がった状態（”0”状態）
10
100
10-1
10-2
10-3
10-4
10-5
10-6
10-7
10-8
10-9
-5
0
5
ゲート電圧 Vg [V]
10
下側に曲がった状態の電流
上側に曲がった状態の電流
0
0.5
1
1.5
ドレイン電圧 Vd [V]
2
小田・水田研究室
M2 東島 賢
研究テーマ
QIPを目指した多重量子ドットの電子状態解析
|Anti Bonding>
2006 7∼10月
|L>
|R>
|Bonding>
趣味 ： 遠出
日立ケンブリッジにインターン
M2 山端元音
研究テーマ Si量子ビットの相互作用に関する研究
学会発表
2005春季応用物理学会 @埼玉
2005Silicon Nanoelectronics Workshop @京都
2006秋季応用物理学会@滋賀
Gate1
Source1
Drain1
Source2
Drain2
Gate2
趣味：ピアノ
（音量を大きくしてください）
200nm
小田・水田研
小田・水田研 メンバー紹介
メンバー紹介
研究テーマ
分光エリプソメトリを用いたPr
酸化物薄膜の評価
趣味
・最近筋トレ始めました
・ここ1年で中国に2回行きました
M2
M2 須藤
須藤 貴也
貴也
小田・水田研
小田・水田研 メンバー紹介
メンバー紹介
シリコンナノブリッジトランジスタ
M2
M2 小木
小木 純
純
学会発表
2006春期応用物理学会
Si Nanoelectronics Workshop 2006
2006秋期応用物理学会
現在デバイス作成と、主に測定
をしています。
趣味
Vds
Source Drain Current Ids [nA]
20
50mV
10
0
-10
-20
-50mV
-30
1
1.5
2
2.5
3
Sidegate Volatage Vgs [V]
3.5
4
スキー
ドライブ
etc．．．
小田・水田研
•
•
研究テーマ
nc-Siの形成，不純物ドーピング
と物性
現状
堆積速度が激遅 ○¦￣¦＿
M1 稲葉 直樹
•
•
趣味
鉄道(旅行)，サイクリング，
うどん，水門
就活中です…
小田・水田研
小田・水田研 メンバー紹介
メンバー紹介
M1
M1 向井
向井 崇
崇
研究テーマ
シリコン量子ドットの配列制御に向けた
単分子膜による表面修飾
nc-Siドット
有機ナノテンプレート
結合
COOH
NH2
COOH
NH2
学会発表
2006秋期応用物理学会（29a-ZR-2）
NH2
COOH
NH2
趣味
テニス
mixiのコミュ探し
あと最近は漫画
小田･水田研
M1
古川亮介
‡研究テーマ：界面制御を考慮したPrシリケー
トゲート絶縁膜の作製条件の検討
‡好きな物：飲み会・バーベキュー等の騒ぐ系
イベント☆
‡趣味：読書＆危険なドライブ＆スノボ＆飲み
100
30
52
80
1
80
70
0.8
60
0.6
50
0
40
0.4
30
20
0.2
電特
り、
た
っ
測
10
0
0
怪しい施設での、
怪しいデータの解析
PDA in N
とかやってます!！
1847
1845
1843 1841 1839
Binding Energy [eV]
1E+24
H
Si–>
C
O–>
1837
F
Pr–>
537
1835
1E+06
Cl
1E+23
H,C,F,Cl CONCENTRATION (atoms/cc)
断面・ 3.37nm
表面見
たり、
1E+04
1E+21
2
1E+20
1E+03
1E+19
1E+02
1E+18
1E+01
1E+17
1E+16
1E+00
0
5
10
15
Depth (nm)
2nm
PDA in N2
PDA in N2
20
25
30
Si,O,Pr SECONDARY ION INTENSITY (cts/sec)
1E+05
1E+22
3.74nm
30
52
80
90
N o rm a liz e d In te n s ity [a rb . u n its ]
普段は・・・、
N o rm a liz e d In te n s ity [a rb . u n its ]
1.2
535
533
531
Binding Energy [eV]
529
527
M1
新倉
浩樹
◆ 研究テーマ
SiO2/HfO2/SiO2積層構造を
利用したメモリデバイスの研究
◆ 趣味
9バスケ
9ガッツリ寝ること
◆ 最近気になる言葉
ダイエット!!
修士1年 柴村純平
卒論： 東京農工大学 上野研究室
「MOCVD法を用いたhigh-k膜の作製と評価」
研究テーマ 「SG-MOSFETの作製」
MEMS構造により従来のものより
センシティブなトランジスタ
小田・水田研
小田・水田研 メンバー紹介
メンバー紹介
RESEARCH: Biosensor
Neural Sensor, Si Nanowire and
application for neurology
趣味:
•劇場
•芸術: 落書き
•コンピュータ
•snowboarding
M1
M1 Ian
Ian C
C Robertson
Robertson
小田・水田研
小田・水田研 メンバー紹介
メンバー紹介
学部四年
学部四年 栗原智之
栗原智之
研究テーマ：スタック型二重フローティングゲート
不揮発性分極メモリに関する研究
昭和60年2月22日生まれ、うお座、A型
趣味はテニスとか。決して研究が趣味ではありません。
渋谷でボーリング
免許は持ってません。。。
応用物理学会＠立命館大学（８月）
ここは日本？
最近やってません・・・