...

超高温特異環境トランジスタの開発基礎研究 E

by user

on
Category: Documents
16

views

Report

Comments

Transcript

超高温特異環境トランジスタの開発基礎研究 E
愛総研・研究報告
4
1
第 3号平成 13年
超高温特異環境トランジスタの開発基礎研究 E
新宮博康 T,鷲見哲雄 i 内田悦行 TT,梅野正義 TTT,安井利定 I
Developmento
faDiodei
nt
h
eC
o
n
d
i
t
i
o
no
fHighT
e
m
p
e
r
a
t
u
r
e
H
i
r
o
y
a
s
uS
h
i
n
g
u,
T
e
t
s
u
oSumi,
Y
o
s
h
i
y
u
k
iU
c
h
i
d
a,M
a
s
a
y
o
s
h
iUmeno*a
n
dT
o
s
h
i
s
a
d
aY
a
s
u
i
*
*
(
A
i
c
h
iI
ns
t
i
t
u
t
巴o
fT
e
c
h
n
o
l
o
g
y
),(*NagoyaI
n
s
t
i
t
u
t
巴o
fT
e
c
h
n
o
l
o
g
y
),(**Neo'XL
a
b
.,
I
n
c
.
)
:T
h
i
sp
a
p
e
rr
e
p
o
r
t
sona
na
p
p
l
i
c
a
t
i
o
no
ft
h
eh
o
t
z
o
n
ephenom
巴n
onc
a
u
s
巴db
yt
h
e巴l
e
c
t
r
i
c
a
lc
o
n
n
e
c
t
i
o
no
fc
o
p
p
e
rw
i
r
e
s
.Th
巴
A
b
s
t
r
a
ct
t
巴m
p
e
r
a
t
u
r
eo
ft
h
ec
o
p
p
e
rp
a
r
to
ft
h
ee
l
e
c
t
r
i
c
a
lc
o
n
n
巴c
t
i
o
nr
i
s
e
sa
n
dc
u
p
r
o
u
so
x
i
d
ei
sf
o
r
m
e
di
nt
h
巴c
onn
巴c
t
i
o
n
.Wh
e
nc
u
p
r
o
u
so
x
i
d
ei
s
formed,t
h
ec
o
n
d
i
t
i
o
no
ft
h
巴b
o
u
n
d
a
r
ybetwe
巴nt
h
ec
o
p
p
e
randt
h
ec
u
p
r
o
u
so
x
i
d
ei
ss
i
m
i
l
a
ri
ne
l
e
c
t
r
i
c
a
lc
h
a
r
a
c
t
e
rt
oad
i
o
d
巴.T
he
r
e
s
i
s
t
i
v
i
t
yo
ft
h
ec
u
p
r
o
u
so
x
i
d
ec
h
a
n
g
e
sov
巴r
awid
巴t
巴m
p
e
r
a
t
u
r
巴r
叩 g
巴Th
eexp
巴r
i
m
e
n
t
sw
e
r
ec
a
r
r
i
e
do
u
tbymakingad
i
o
d
er
e
p
e
a
t
e
d
l
y
onat
r
i
a
lb
a
s
i
sa
n
do
b
s
e
r
v
i
n
gt
h
ee
l
e
c
t
r
i
c
a
lc
h
a
r
a
c
t
e
ro
ft
h
et
h
e
r
m
o
e
l
e
c
t
r
o
m
o
t
i
v
ef
o
r
c
e
.I
nc
o
n
c
l
u
s
i
o
nwep
r
o
p
o
s
et
h
a
tanewd
i
o
d
ei
s
madei
nt
h
巴b
o
u
n
d
a
r
yl
a
y
e
ro
fc
o
p
p
e
ra
n
dc
u
p
r
o
u
so
x
i
d
ew
i
t
ht
h
ea
p
p
l
i
c
a
t
i
o
no
f
h
o
t
z
o
n
巴p
henomenon.
o
r
d
s
:巴l
e
c
t
r
i
c
a
lc
o
n
n
e
c
t
i
o
n,
h
e
a
tg
e
n
e
r
a
t
i
o
n,
h
o
t
z
o
n
e,c
u
p
r
o
u
so
x
i
d
e,
t
h
巴r
m
o
e
l
e
c
t
r
o
m
o
t
i
v
ef
o
r
c
e,
d
i
o
d
e
K巴yw
1.はじめに
銅を含む境界層部分は 1
0
0
0
'
Cの温度にも耐える電対を
0
0
0
'
C程度の温度環境に
形成している。このことから 1
針接触形ダイオードからトランジスタを作り出して
耐えうる制御素子の可能性を追求している。制御素子
半世紀にならんとしている。この問、接合形トランジ
の基本特性として整流特性、熱起電力特性から素子と
ス夕、 FET、 1Cと半導体技術は高度な発展をして
しての可能性を知ることが重要で、あることから、その
きた。
第一歩としてホットゾーン現象で生成された境界層と
現在、 トランジスタの使用可能温度は限定されたもの
亜酸化銅の電対について、ホットゾーン生成電圧と境
であることから高温環境では使用不可能で、あり、現在
界の構造を観察し、整流特性、熱起電力について測定
のシリコンを基本とする素子を使用するとすれば特別
した O 中間段階ではあるが現段階の速報をする。
な対策を必要とする。
一時的には高温環境下の制御には純流体素子が有望
2.ホ ッ ト ゾ ー ン 現 象 と ダ イ オ ー ド 素 子
視されたが日の目を見ることはなかった。それは大き
さや応答速度に致命的な弱点、があったからに他ならな
銅系材料の電気接続部に電流が流れると、条件に
い。現在でも、各分野において高温環境で動作可能な
よっては、局部的高温を発生しながら亜酸化銅を生成
制御素子の開発が求められていることには変わりはな
して、この亜酸化銅部分が成長する現象がある。この
現象をホットゾーン現象と名付けている 1)。この現象
し
、
。
そこで、我々はこれまで銅系金属を代表とする特異
が起きている時、生成される亜酸化銅は比較的大きな
現象として導体接続部に発生するホットゾーン現象の
抵抗率を持っている。しかし、この時の亜酸化銅は高
研究をおこなってきた。この研究過程でホットゾーン
温の溶融部を部分的に構成しているためこの溶融部が
現象で生成される境界層に着目して表記のテーマにつ
低い抵抗率を呈し、導電路となる。このようにしてで
いて基礎的研究プロジェクトを発足させた。ホット
きる銅金属と亜酸化銅との境には何らかの境界層がで
ゾーン現象は約 IOOO'Cの高温環境で発生する現象であ
0~数 100V の
きる。この境界層は生成条件により数 1
る。この現象では錦系金属の突き合わせ部に電圧を印
耐力をもっ半導体の性質を示す。生成される亜酸化銅
加した際に突き合わせ部に電流が流れ、同時に高温の
は抵抗の温度係数が負であること、また、 P形半導体
局部的電流路を形成して、この部分に亜酸化銅が生成
であることは古くから知られている。亜酸化銅がホッ
される。突き合わせ部では亜酸化銅だけではなく境界
トゾーン現象により生成されると境界層との組み合わ
層と呼んでいる層が形成されると考えている。亜酸化
せによりカップルができる。このカップルがダイオー
ドの性質を示すことがこれまでの研究から分かつてき
T
愛知工業大学工学部電気工学科
た。このカップルの生成条件として電圧、電流を変え
tt
愛知工業大学工学部情報通信工学科
る事により、生成される層が異なってくる。今回の実
ttt 名 古 屋 工 業 大 学 電 気 情 報 工 学 科
主
株式会社ネオックスラボ
験で用いた試料は比較的ホットゾーン現象が発生しや
すい条件でカッフ。ルを作った。
愛知工業大学総合技術研究所研究報告,第 3号,平成 13年
, Vol.3,
Mar,2001
4
2
3.実 験 方 法
に印可した時の電流を測定した。前項と異なり逆電圧
を印可することから、ホットゾーンが発生する直前ま
前述のホットゾーン現象により、生成されたダイオー
で電圧を上昇できるあるが 70Vまでとした。
ドの基礎データを測定するため、試料は 1mm併の電線
用銅線を突き合わせに配置して、 2つの銅線の突き合わ
3-3.破壊電圧
せ部に亜酸化銅が生成された時、この亜酸化銅は溶融状
生成された試料を用いて、室温における破壊電圧を
測定するため、 I
}
頂方向および逆方向の電圧を 10 K n
態であるので、この溶融部にタングステンの細線を挿入
する。細線は顕微鏡下目視によって、亜酸化銅の端部す
の抵抗器を直列に挿入して電圧を上昇させダイオード
なわち境界部近傍に挿入した。
生成された試料の亜酸化銅と境界との部分は接合力が
の破壊電圧を確定した。基礎的データであることから
脆弱であるため試料生成時の状態を維持したままで特性
本来パルス状電圧を印加すべきところであるが直流電
実験ができるようにした。すなわち、試料生成と測定実
圧を手動により急上昇させて破壊時の電圧を測定した。
また、参考のため熱起電力測定用の試料についても起
験は同ーの試料保持装置を用いた。図-1に試料保持装置
電力測定後の破壊電圧を測定した。
の写真を示す。
図- 1は左右両側に銅線を保持、手前と向う側に細線保持
の電極をもっ。下部基台はベークライトの絶縁台である。
3-4.熱起電力特性
ホットゾーン現象を発生させるには一定の技術的経験を
とから 3-1項から 3-3項までの実験とはことなった
熱起電力を測定するためには温度の確定が必要なこ
要するので、経験的に最も発生し易い条件として交流お
試料生成方と試料保持装置を用いた。試料の生成には
よび直流を用い、電圧 30~lOOV 、電流 lA および
銅リング(銅板)と電線用銅線により、電線をマイク
2Aとした。
ロメータによる微調整可能な保持具を作りホットゾー
ホットゾーン現象により生成し、出来た
ダイオードは境界層側がアノード、亜酸化銅側がカソー
ン現象により亜酸化銅を作った。図-2に亜酸化銅生
ドとなる。また、交流でのホットゾーンは電線の両端に
成時の写真を示す。銅リング上に 3ケ所の亜酸化銅を
境界層をつくる。直流でのホットゾーンは正極側に境界
成長させて境界層をリング側になるように試料を作っ
層をつくる。生成した試料について、直流電圧を与え、
た
。
その電流を測定する。今回は基礎的段階であるので温度
生電圧は直流 100V、 lAを用いた。
特性は設備の都合上実験は行なっていない。
製作したリング状電極(亜酸化銅)試料の写真を図-
次'の特性について実験した。
1) I
}
買方向、電流 電圧特性
グの直径は 30mmφ 、亜酸化銅の長さは 1mmとし
h
亜酸化銅および境界層生成時のホットゾーン発
3に示す。 3ケ所の黒い粒状が亜酸化銅である。リン
2) 逆方向、電流ー電圧特性
た。この電極を用い一方を電熱器により加熱、他方を
3) 破壊電圧
水道水の流量を調整して温度一定にした。亜酸化銅側
4)熱起電力測定
を過熱した時を順方向起電力とした。境界層側を過熱
した時を逆方向起電力とした。
3-1.順方向
電圧ー電流特性
生成された試料を用いて、室温における電圧電流特性
を測定した。試料に直流安定化電源を接続して電圧を上
昇してそれぞれの点で電流を測定した。電流電圧はデジ
タル電圧計、電流計を用いた。今回は直接電源を接続す
ることから、電圧はホットゾーン現象が起きない程度の
低電圧という条件であった。
3
刷
2 .逆方向電流回電圧特性
前項と同様に、試作した試料について前項の電圧を逆
図-2 亜酸化鋼生成装置
図
l 試料保持装置
園田 3 リング状電極/亜酸化銅
超高温特異環境トランジスタの開発基礎研究 E
4
3
図-4aに加熱および冷却装置の全体写真を示す。図4bにリング状電極を組み立てた状態の写真を示す。
られているが順方向、逆方向それぞれの電流ー電圧特性は
同等でも破壊電圧については大きく変動した。 最も低い
図-4aの上部に流水部、中央黒い帯状が電極部、下の
電圧では 55Vで破壊した。最も高い電圧では 120Vを
円筒部が電熱器の均熱部である。温度測定は K 熱電対
で測定した。
出力特性を実験し
制
したときの電流・電圧から温度差
︿自
ダイオードの熱起電力は無負荷起電力と負荷抵抗を接続
た。実験した負荷抵抗は 100[
2
と lK[2を用いた。
爆岨刷症 代
h墜
。
1
0
順方向電圧
z
o
(V)
図 5 }
@
i方 向 電 庄 一 電 流 特 性
図-4a リング状電極と過熱・冷却装置
信脚宿}嶋一割
IO
。
畢
。
逆方向電圧
1
0
0
(V)
図-4b 電極部
図 6 逆方向
電庄一電流特性
4.実 験 結 果
示した。 70V~lOOV の破壊電圧が頻度大であった。
実験に使用した試料は全て手作りよる物であることか
らホットゾーン発生時の電気的条件を厳密、に管理しでも
熱起電力実験用試料の破壊電圧はばらつきが少なくほぼ
100V近傍に集中した、平均 114Vであった。
試料のばらつきは必ず発生する。しかし、すべての実験
破壊した状態はクレータ状の陥没が観察された。図ー 7に
に於いて比較的安定した結果を得ることが出来た。
破壊痕の写真を示す。左側が亜酸化鋼、右側が境界層であ
る
。
4-1.順方向
4-4.熱起電力特性
電圧国電流特性
図-5に順方向電庄一電流特性を示す。
導通電圧開始電圧約 1Vである。室温 (
20'
C
) におけ
る抵抗値がおよそlOK [2である。
図-8に無負荷時の熱起電力特性を示す。図-9に負荷
時の熱起電力特性を示す。図-9に負荷時の熱起電力特性
4 -2 .逆方向電流ー電圧特性
図-6に逆方向電流ー電圧特性を示す。
逆方向電圧は 70vまでとした。
4 -3 .破壊電圧
1mmφ 銅線による試料は外見上どれも同じように作
図-7 破壊痕
愛知工業大学総合技術研究所研究報告,第 3号,平成 13年
, Vol.3,
Mar,2001
4
4
は 3個の電極によるものである。このことから他の熱電対
5.考
察
等と比較するために電対の断面積当たりの電力を示した。
また、亜酸化銅が負性抵抗特性を持つことから内部抵抗に
言式作した試キヰのダイオードはゲルマニュームやシリコ
ついて調べた。図-10に温度差と内部抵抗特性を示す。
ンダイオードとはあらゆる面で違いを見せた。傾向とし
てはシリコンダイオードなどと同様に正方向特性、逆方
向特性が現れたが不感帯域がプラス方向 1V程度、マイ
一一逆方向
ナス方向 4V程度であり、内部抵抗が正逆両方向約 10
ノ
主150
ノ
K D程度を示した。逆方向特性は極端なツェナー特性は
〆
/
、-'
〆
〆
〆
一願方向
量
現われず緩やかなカーブとなっている。
破壊実験では境界層側に破壊痕ができ、時にはクレー
100
タ状の陥没が観察されゆっくりと破壊につながるのでは
R
召
なく、破壊が急激に起こることを示唆している。破壊時
~
50
<
!
I
l
l
(
の電圧はダイオードを作るための亜酸化銅生成電圧に依
廉
存しているようである。
熱起電力特性では無負荷状態ではおよそ
~
。
星 度
j
℃の起電力を発生させた。これは比較的起電力の大きい
200
100
K熱電対や T熱電対のおよそ 10倍の起電力を発生する
(O
C)
差
0.75mV/
ことが分かつた。
また断面積当たりの電力の取り出しでは内部抵抗の影響
図-8 無負荷・熱起電力特性
を直接受けるため温度の低い範囲では電力を取り出すこ
1
0に示すように温度差が 10O"C以
とは困難である。図 上、実際の高温側温度は 12O"C以上で内部抵抗が降下
N
している。
150I
ー
ε
υ
今回の一連の実験から正方向、逆方向のダイオードとし
言1001-
成されるダイオードはおよそ 1OO"C以上の温度環境で
¥
ての特性と熱起電力特性からホットゾーン現象により生
用いることが可能で、あることを示した。
4
ミ
501-
6.おわりに
噛
ホットゾーン現象の研究から派生した今回の実験は亜
。
200
100
j
畠
麗
酸化銅の生成過程とホットゾーン波形の解明にも関連す
るものであると考えている。内部抵抗が 100Dオーダ
("
c)
差
であることが制御素子としての可能性はそれなりの使用
可能条件が限定されるものであろうと考える。例えば低
図-9 負荷・熱起電力特性
電圧の電源では仕様困難であろうし、温度変動が内部抵
抗を変化させる等制御素子としての実現については周辺
回路技術の開発研究が必要である。
今後、ダイオード関連に残された基本特性として光電変
換特性等が残るものの素子構造や材料の性質から多くの
解決しなければならない問題を残している。
本研究は、本学総合技術研究所平成 1
0年度一 1
2年度プ
2
.
0
ロジェクト研究の助成を受けた研究である。関係者各位
陪腕唖段
1
.
0
。
向向
方方
、
、
、
(臼¥)揺同朝日覇軍
3
。
目
に感謝の表す。
参考文献
1)新宮、鷲見、高橋、「導体接続部におけるホットゾー
100
ご冨
/
.
l
1
l
i
.
麗
200
l
. 106A,
N 0 .61ン成長現象」、電気学会論文誌、 Vo
A63,PP519-524,1896.
差 (O
C)
(受理 平成 13年 3月19日)
園田 1
0 i
昆度差ー内部抵抗特性
Fly UP