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寄稿 - 電子情報通信学会
半導体デバイスの基礎
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フォトカプラ・フォトリレー - Toshiba America Electronic Components
2009年11月
フォトカプラ・フォトリレー - Toshiba America Electronic Components
FinFET の高周波回路用の素子特性評価と E 級電力増幅器設計への応用
ナノドットを電荷保持ノードとする 薄膜トランジスタ型不揮発性メモリの
SiCアプリケーションノート :SiCパワーデバイス
事業原簿 - 新エネルギー・産業技術総合開発機構
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