半導体デバイスの基礎

「いわきものづくり塾」シラバス（講義概要）
科
目
名
半導体デバイスの基礎
担当教員
豊島
晋（福島工業高等専門学校・電気工学科・助教）
講義の目標
新たな半導体デバイスを開発するためには、既存のデバイスについて
十分理解する必要がある。本講義ではトランジスタ、MOSFETについ
て動作原理、特性などの基礎知識を理解することを目的とする。
講義概要
以下の項目について講義する。
１．半導体の物理
（共有結合，真性半導体，不純物半導体，キャリア）
２．ｐｎ接合とダイオード
（空乏層，順逆バイアス，降伏現象，ダイオード特性）
３．バイポーラトランジスタ
（トランジスタ構造，動作原理，静特性）
４．MOSFET
（MOS構造，動作原理，反転状態，静特性）
履修上の注意 受講前に、各項目について簡単に学習しておくことが望ましい。
（準備する用具、前
提となる知識など）
参考図書
小林敏志，金子双男，加藤景三／共著, 基礎半導体工学, コロナ社
松波弘之，吉本昌広／著，半導体デバイス，共立出版
キーワード
（講義概要に示す通り）