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研究成果報告書概要
（様式１） プロジェクト番号 S0901036 平成２１年度～平成２５年度「私立大学戦略的研究基盤形成支援事業」 研究成果報告書概要 １ 学校法人名 トヨタ学園 ２ 大学名 ３ 研究組織名 局所構造制御研究センター 豊田工業大学 ４ プロジェクト所在地 名古屋市天白区久方２－１２－１ 豊田工業大学内 ５ 研究プロジェクト名 局所構造制御によるスマート材料・素子の研究 ６ 研究観点 研究拠点を形成する研究 ７ 研究代表者 研究代表者名 所属部局名 職名 神谷 格 工学部 教授 ８ プロジェクト参加研究者数 ９ 該当審査区分 １6 名 理工・情報 生物・医歯 人文・社会 １０ 研究プロジェクトに参加する主な研究者 研究者名 神谷 格 吉村 雅満 大下 祥雄 荒川 修一 粟野 博之 山方 啓 元廣 友美 （共同研究機関等） 田中 一郎 所属・職名 大学院 工学研究科 教授 大学院 工学研究科 教授 大学院 工学研究科 教授 大学院 工学研究科 助教 大学院 工学研究科 教授 大学院 工学研究科 准教授 プロジェクトでの研究課題 プロジェクトでの役割 局所構造の作製と電子物性 全体統括、 蛍光・化学素子研究推進 ナノカーボン-電極の操作と 化学センサー統括 素子作製 結晶成長と欠陥・粒界等 局所構造制御 太陽電池関連統括 コ ンポ ジ ッ ト材 料の 合成 と コンポジット合成・計測 改質 局所磁性体材料と素子 局所磁性体研究統括 可視光対応光触媒の開発 光触媒作製・計測 大学院工学研 究科・連携客員 教授 環境・エネルギー材料と 局所構造 環境・エネルギー関連アド バイザー 和歌山大学シス テム工学部・教 授 量子構造表面の電子物性 計測・解析 （様式１） プロジェクト番号 宇野 和行 高橋 正光 佐々木 拓生 鈴木 秀俊 市田 正夫 安藤 弘明 金光 義彦 David M. TEX 和歌山大学シス テム工学部・准 教授 日本原子力研 究開発機構・研 究員 日本原子力研 究開発機構・研 究員 宮崎大学 IR 推 進機構・特任助 教 甲南大学・准 教授 甲南大学・教 授 量子構造表面の電子物性 S0901036 計測・解析 格子不整合材料の MBE 成 計測・解析 長機構 格子不整合材料の MBE 成 計測・解析 長機構 多接合太陽電池材料の欠 III-V-N・格子不整合材料 陥評価 の計測・解析 コロイダルドットの光物性 計測・解析 コロイダルドットの光物性 計測・解析 InAs 量子構造を用いた光波 計測・解析 長変換 京都大学・博 InAs 量子構造を用いた光波 計測・解析 士研究員 長変換 京都大学・教 授 ＜研究者の変更状況（研究代表者を含む）＞ 旧 ﾌﾟﾛｼﾞｪｸﾄでの研究課題 所属・職名 研究者氏名 プロジェクトでの役割 豊田工業大学 ナノカーボンの 化学修 大学院工学研究 大野 正富 飾と応用 科・教授 （変更の時期：平成２２年 ３月３１日） 炭素材料の化学修 飾・ 構造解析・応用の統括 新 変更前の所属・職名 変更（就任）後の所属・職名 豊田工業大学 大学院工学研究科・ 退職 教授 新 変更前の所属・職名 変更（就任）後の所属・職名 豊田工業大学 豊田工業大学 大学院工学研究 大学院工学研究科・教授 科・教授 （変更の時期：平成 22 年 4 月 1 日） 新 変更前の所属・職名 変更（就任）後の所属・職名 北海道大学 触媒 豊田工業大学 化学研究センター 大学院工学研究科・准教授 助教 （変更の時期：平成 22 年 8 月 18 日 研究者氏名 プロジェクトでの役割 大野 正富 炭素材料の化学修 飾・構造解析・応用の 統括 研究者氏名 プロジェクトでの役割 粟野 微視的磁性体研究の 統括 博之 研究者氏名 プロジェクトでの役割 山方 啓 新規光触媒の開拓と 局所反応制御 （様式１） プロジェクト番号 S0901036 １１ 研究の概要（※ 項目全体を１０枚以内で作成 ） （１）研究プロジェクトの目的・意義及び計画の概要 【目的】材料・素子の開発・研究に関する表面・界面、欠陥等の「局所構造」の基礎的な物性 を研究し、この理解と制御を通じ材料・素子開発への基盤を構築する。 特に高性能・新機 能・新材料、等の特徴を持ち、エネルギー・環境・健康維持、等に寄与する「スマート材料・素 子」の実現を目指す。 【意義】「スマート材料・素子」を題材に、これまでの作製法に留まらず、「局所構造制御」とい う切り口で、新規材料や機能を創出する展望を開く処に本プロジェクトの意義がある。 【計画概要】光機能・化学機能を有する「スマート材料・素子」開発とその基盤構築へ向け、① 「局所構造」の作製と基礎物性研究、②デバイスプロトタイプの作製と評価、をスパイラルアッ プで取り進める。 （２）研究組織 神谷を統括として、大きくは光機能材料・素子、化学機能材料・素子の二つのグループを形 成し、その下に個別の研究テーマ責任者をおいた。 下記に組織とその責任者を示す。 各々のテーマには、延べで、 太陽電池（大学院 15 名、PD5 名）、蛍光体（大学院 7 名、PD3 名）、光変換（大学院 4 名、PD1 名）、ナノカーボン（大学院 12 名、PD5 名）、化学作製・評価 （大学院 4 名、PD2 名）、光触媒（大学院 3 名、PD1 名）、が若い研究者の参加があった。 統括の神谷が個別テーマ間の交流を図り、下記の通り、幾つかそのシナジー効果が得られ た。 また、研究支援者として延べ 3 名の補助員の協力を得た。 項目１０記載の共同研究先 とはシンクロトロンの利用、試料作製・計測での協力の他、本プロジェクトで得た成果を異動 の際に異動先に持ち出し、当方と協力して発展をさせている例も複数ある。 なお、メンバーとして登録した元廣友美（豊田中研）氏は勤務の都合、途中よりアドバイザ ーを務められ、また、外部評価委員は青柳克信（立命館大学 総合科学技術研究機構））に お願いし、両者から適宜ご助言頂いている。 （３）研究施設・設備等 In situ 量子表面構造評価装置 ビームトロン社製、特注 パルスレーザー スペクトラフィジクス社製、Tsunami シリコン結晶成長炉 第一機電製、特注 分子線エピタキシー(MBE)装置 アネルバ製、MBE-620 ケミカル・ビーム・エピタキシー(CBE)装置 エピクエスト製、特注 高温加熱観察装置 米倉製作所製、Ir-TP17 特型 顕微フォトルミネッセンス装置 フォトンデザイン製、PLI-100-OST-H 電界放出型走査電子顕微鏡 日本電子製、JSM-7000FOA （様式１） プロジェクト番号 S0901036 高分解能フーリエ変換赤外分光光度計 日本分光製、FT/IR-6300FV Ｘ線光電子分光装置 島津製作所製、AXIS-HS ICTS 測定装置 日本バイオラッド製、DL8000 薄膜材料結晶性解析Ｘ線回折装置 日本フィリップス製、X’PERT-MRD 比抵抗／DC & AC ホール測定装置 東洋テクニカ製、RESITEST8320 太陽電池特性分光感度特性測定装置 分光計器製、100UW/CM2 400-12 顕微ラマン Renishaw 社 inVia Reflex SPM コントローラ SIINT 社 NanoNavi （４）研究成果の概要 ※下記、１３及び１４に対応する成果には下線及び＊を付すこと。 研究プロジェクトの計画や目的・意義と関連づけて、当初の目標をどれだけ達成したか記述するとともに、新た に得られた知見などについても具体的に記述してください。 本プロジェクトで当初掲げた目標は、表面界面・欠陥等の「局所構造」の制御により光機 能、もしくは化学機能を有する材料・素子の改良とブレークスルーをもたらす事であった。 具 体的に挙げた目標としては １）Si、カーボン、ヘテロ接合太陽電池の粒界・不純物制御と性能向上 ２）パッシベーション、フェルミレベルピニングの機構検討と表面準位計測と制御 ３）ヘテロエピタキシーにおける歪計測と制御 ４）新規構造のエピタキシャル成長 ５）ナノカーボンの作製と応用 ６）光触媒の改良と反応機構 ７）新規ナノ粒子の液相合成と素子試作 ８）化学分子認識センサーの試作 等であった。 また、平成 22 年度より新たに着任した粟野教授により、磁性記録媒体に消費 されるエネルギーの大幅削減を目指す局所磁性材料の開拓のため、本プロジェクトに参加し て貰った。 一方ナノカーボンについては当初主にセンサー応用を目指していたが、研究の 進展に従いバイオ応用等に軸足を移した。（そのため、本報告では独立サブテーマとして扱っ てある） 更には、「局所構造」という切り口の下、複数研究室間のシナジーを出し、研究の発 展に加え、人材の育成を目指した。 これらの項目について、計画はほぼ達成し、加えて当初は想定しなかった展開も得られた。 この例としては、 a) 量子井戸島（QWI）構造による光アップコンバージョン、 b) Si 太陽電池-電極界面のナノスケールでのポテンシャルマッピング、 c) 歪格子系のエピタキシャル成長の機構検討、 等がある。 a) は次世代太陽電池の一つ、中間準位型太陽電池に利用できるものだが、従来、InAs 量 子ドット（QD）がその本命とされていたものを、新たに我々が QWI と呼ぶ構造の方が、より可 能性が高く、また従来考えられていたのとは異なる機構で起こる事を示したものである。 b) は化学機能を有する表界面、また化学処理による表面電子状態の変化を観察するた めに、原子間力顕微鏡（AFM）の改良を行いながら進めていたが、この技術は後述の様に太 陽電池の劣化原因の解明に応用された事となった。 c) はタンデム型太陽電池の結晶成長制御検討が発展し、シンクロトロン光を用いた X 線 回折（XRD）による実時間観察で格子緩和過程を観察するに至ったというものである。 がこ れに留まらず、更にこの技術を InAs QD の歪制御に応用し、現在、発光波長 1.53µm 程度の QD を GaAs(001)上で成長を成功するに至っている。 （様式１） プロジェクト番号 S0901036 これらのテーマは当初の予想を超える進展を見せたが、その進展に留まらず、特に b), c) では当初は別のテーマとして始めた研究が上手くシナジーを発揮した良い例である。 そして それらの中心をなしたのは、博士研究員や大学院生である事は特筆に値しよう。 以下、組織図記載の通りのサブテーマ毎に報告する。 “光機能材料・素子： 太陽電池” 本研究の目的は、太陽電池の欠陥・転位・表面界面構造の形成機構理解と制御である。 Si 結晶型、ヘテロ接合型、炭素系材料の各種太陽電池材料について、上記観点から研究を 実施した。 １．Si 結晶型 キャスト法によるシリコン単結晶成長時における欠陥形成過程に与えるシリコン融液中の 炭素、窒素、酸素などの軽元素の影響を、１）独自に開発した成長炉を用いて、２）シリコン単 結晶を種結晶として使用し、得られた結晶を TEM 観察などで調べた。 得られた結果を基に、 ３）成長中の雰囲気（炭素源）を制御し融液中の炭素濃度を減少させ、欠陥密度の少ない結 晶成長技術を実現させた。 評価の結果、結晶中に形成された 欠陥の開始点には炭化ケイ 素（SiC）や窒化ケイ素（SiN）が析出しており、特に融液中の炭素量と欠陥量の間には強い相 関があることが分かった（＊1）。 それら軽元素の析出は、小角粒界の発生原因の一つとな っており、その部分が効率的な少数キャリア再結合場所として働いていることが示された。 本結果を基に、新たな結晶成長方法を考案し、成長時融液中の軽元素量を低減させることに より、通常の成長方法と比較して小角粒界などの欠陥密度が低減できた（1017cm-2 から 1015cm-2 台）。 一方、粒界などの結晶欠陥が鉄やニッケルなどの重金属を捕獲すると、効率 的な少数キャリアの再結合中心として働く。 その結果、本複合欠陥は太陽電池の変換効率 を大幅に低下させる。 そこで金属が集まりやすい欠陥構造、その重金属の種類、両者が与 える電気的特性の関係に関する基礎的な知見が必要である。 そのため、異なる結晶面から なる(100)/(110)界面を欠陥構造として選び、そこに捕獲されたニッケル原子が電気的特性に 与える影響を過渡容量法により調べ、更に放射光を用いた XANES 測定ならびに EBIC 測定 により検討した。 その結果、結晶欠陥とニッケルとの複合欠陥における再結合速度、更には その値を決める 欠陥のエネルギー準位、捕獲断面積（σ）、トラップ密度（NT )を定量的に求 め、加えて、それらの値に与える熱処理温度の影響を明らかにした（＊2）。 加えて、ニッケ ルなどの金属不純物は、ランダム粒界などの対称性の悪い粒界、小角粒界、転位などの結 晶欠陥に優先的に集められ、そこでの電気的特性が大幅に劣化する可能性が示された。 ２．ヘテロ接合型 格子不整合系３接合太陽電池の欠陥密度低減を目的に、格子不整合 InGaAs の転位挙動 解析を行った。 SPring-8、BL11XU の MBE-XRD 装置により、成膜中の InGaAs/GaAs の歪 緩和の様子を X 線回折によりリアルタイム観測し、歪緩和と結晶性変化を実験的に初めて捉 えた（＊3）。 その結果、歪緩和の面内非対称性の発現、消失の起きる膜厚領域の同定と転 位のすべり運動を阻害するブロッキング過程を反映した歪と結晶性の膜厚変化を得た。 ま た、In 組成の異なる第一層、第二層それぞれの歪緩和と結晶性変化を解析し、第一層と第二 層との間で転位が相互作用し、急激な歪緩和を引き起こす現象を観測した（＊4）。 4 接合太陽電池の実現を目指した新材料 InGaAsN における欠陥密度、欠陥構造を明らか にするため、フーリエ変換赤外分光（FT-IR）法により観測した赤外吸収ピークの同定、及び 欠陥構造について検討した。 N 原料として、ジメチルヒドラジン中の水素を重水素で置換し た材料を使用することにより、膜中に存在する N-H(D)結合の局在振動による赤外吸収ピー クの同定を行った。 これまで起源が明らかでなかった吸収ピークについて、本研究で初め （様式１） プロジェクト番号 S0901036 て、N-H(D)結合の局在振動に同定することができた（＊5）。 ３．炭素系材料 太陽電池新材料として C 60 フラーレンへの Mg ドーピングを試み、その電気的特性と構造評 価を行った。 導電率向上のためには、Mg ドープ量だけでなく、膜の結晶性向上が重要であ ること、ドープされた Mg 原子が C 60 分子同士の結合（ポリマー化）を促進していることが示され た（＊6）。 ＜優れた成果があがった点＞ Si 結晶型の研究において、これまで定性的な議論に留まっていた欠陥形成過程に与える Si 融液中の炭素などの軽原子の影響、並びにそれらの析出に伴う欠陥の成長の様子を明ら かにできた。その結果を踏まえ、結晶欠陥密度の低い良質な結晶成長法についての方針を 示す事ができた。 加えて、金属が捕獲されやすい構造の同定、一部の結晶欠陥に関しては 捕獲された金属原子が再結合速度、並びにそれを決定する各因子が定量的に得られた。 ヘテロ接合型の研究において、格子不整合 InGaAs/GaAs の歪緩和の様子を X 線回折に よりリアルタイム観測し、歪緩和と結晶性変化を実験的に初めて捉えた。格子不整合系太陽 電池の欠陥密度低減に向けて、転位挙動に関する基礎的理解が深まった。 ＜問題点＞ Si 結晶型の研究において、欠陥形成過程に与える Si 融液中の軽元素の影響や再結合速 度に与える結晶欠陥に捕獲された金属の影響などを定量的に議論できていないことが、これ までの問題点であった。本研究においては、雰囲気制御やヒーター配置などによる工夫を加 えることにより熱制御が可能な独自開発の結晶成長装置を使用したこと、ならびに初期にお いて金属汚染を無視できる理想的な欠陥構造として張り合わせ基板を用いたこと、XANES 測 定や TEM 観察による局所構造の理解を試みたこと、により従来の問題点を克服した。 ＜研究成果の副次的効果と研究期間終了後の展望＞ 上述のように結晶欠陥形成過程に与える炭素等の軽元素の影響を明らかにできたこと は、キャスト法により成長させた多結晶シリコンの高品質化、さらには同方法をもちいた欠陥 密度の少ない良質なシリコン単結晶の成長を可能とする。一方、結晶欠陥における金属不純 物の挙動の理解は、金属を優先的に捕獲する粒界密度の低減などを通じて少数キャリアの 再結合を抑制する上での重要な知見である。これらは、今後の結晶シリコン太陽電池の高効 率化や低コスト化に大きく貢献することが期待される。 “光機能材料・素子： 蛍光素子” MBE による量子構造並びに液相合成によるコロイダルナノ粒子を蛍光素子とし、その作製 方法、発光波長・強度の制御とその機構検討等を目標として取り進めた。 ＜優れた成果があがった点＞ １．MBE による GaAs(001)上の InAs 量子ドット（QD）の成長機構と電子物性の検討を行ってき た。 特に 24 年度からは 1.55µm 発光を睨み、成長機構の詳細な検討を ①成長条件依存 性、②成長中の実時間観察、を中心に行った（＊7）。 ②はヘテロ接合太陽電池での取組を 発展させたものである。 また QD 形成初期過程の詳細な所見を得、これを発展させた形で 次項に記載の量子井戸島（QWI）の作製等を行っている。 電子線回折（RHEED）、原子間力 顕微鏡（AFM）に加え、シンクロトロン光を用いた X 線回折（XRD）を用いての解析を進め、ドッ （様式１） プロジェクト番号 S0901036 トとマトリクスに生じる歪みと発光波長との関係に関する所見を得ている（＊７）。 加えて、現 在までに 発光波長が約 1.53µm の QD を得る事に成功（＊8）しており、引き続き 1.55µm 越え を目指す。 ２．ナノ粒子合成： 新たな合成法、或いは新たな粒子の合成を試みると共に、得られた粒子 の光・電子物性評価を行った。 InP、CuInS 2 の合成を安定的に可能にする（＊9）と共にその 合成機構を追究し、InP において magic cluster size の存在を示唆する結果を、また、CuInS 2 においては中間準位からの発光を得た（＊9）。 また 水溶系の PbS の合成を可能にし、交互 積層法を利用した異なる大きさのドットが積層された薄膜の作製に成功した（＊１0）。 ３．ナノ粒子薄膜： PbS 粒子含有薄膜素子構造を作製し、電子伝達等の計測を行ない、薄 膜を光励起し、trap 準位を介した粒子間電子伝達が起こっている可能性を見出し、高分子マ トリクスでその粒子間隔依存性を示した（＊11）。 これを発展させて、GaAs 上にリンカー分子 を介し 大きさの異なる PbS ナノ粒子の層を積層させ光励起し、電子伝達が単に小さいドット から大きいドットへと起こるものではない事を示した（＊10）。 ＜問題点＞ １．MBE： RHEED、AFM、XRD を用いているが、特に XRD、RHEED の解釈はまだ十分とは言 えず、引き続き検討が必要である。 構造に工夫を凝らし歪み制御をした結果 InAs QD から の発光波長は既に 1.5µm を超えており、現有の分光器では正確な計測が不可能なので、現 在長波長対応の計測器を手配中である。 ２．粒子合成： 水系 PbS 粒子は凝集・欠陥の抑制が必要。 InP, CuInS 2 粒子に関しては特 に小さい粒子の合成がまだ難しく、その改善と理由の解明が必要。 ３．粒子薄膜： 粒子間電子伝達は、電子状態に影響を与える分子吸着に留意し、配位子置 換を行った系で検討をする必要がある。 粒子層を積層させる方法も工夫を検討している。 これらの結果に基き化学分子認識センサーの試作を加速させる必要がある。 ＜研究成果の副次的効果＞ １．MBE： RHEED をプローブとした real time の QD 密度・大きさの制御に一定の指針を示し た。 歪み制御による band engineering に関する可能性を示した。 ２．粒子合成： 新規粒子の合成を成功させ、特許１件を申請、もう１件を準備中である。 ３．粒子薄膜： 新規粒子、分子修飾、膜構造により機能制御が可能である事が分かり、今後 素子機能の探求が行える土台を作った。 また大気中でも原子・分子吸着による物性制御が 可能である事を示した。 ＜研究期間終了後の展望＞ １．InAs QD/GaAs(001) による 1.55µm 発光の実現の可能性が高く、これを継続検討する。 ２．更に種々の粒子合成を検討すると共に、実用可能な素子への発展を検討する。 特に化 学分子認識センサーについては継続検討・開発を行う。 “光機能材料・素子： 光変換素子” 量子構造による赤外→可視のアップコンバージョンを目指し、実証した。 かなり挑戦的な テーマで実現するか否かも定かではなかったが、実証ができると共にある程度その機構も解 明するに至っている。 加えて、光電流も得られる事が分かってきている。 ＜優れた成果があがった点＞ （様式１） プロジェクト番号 S0901036 MBE で作製した量子井戸島構造（QWI）を中心とした量子構造を用い、QWI を適切に作製 すると赤外→可視への光波長変換（短波長化）が行える事が分かった。 InAs/AlGaAs 系の 構造工夫により、10W/mm2 程度の低励起領域において、QD でなく QWI の準位を介し赤外か ら可視への光アップコンバージョンが起こることを示した（＊12）。 この光変換が Auger 過程 によるものである事を解明すると共に、光起電流も生成しており（＊13）、次世代太陽電池へ の応用の可能性も示した。 ＜問題点＞ 変換効率は現在１％未満なので、より詳細な機構解明と QWI の形状制御を含めた結晶成 長技術の向上が必要であり、現在取り組んでいる。 ＜研究成果の副次的効果＞ 従来、中間バンド型太陽電池には QD の利用が本命と目されていたが、ここに一石を投じ た。 更にその機構についても２光子２段階でないものでもある程度の効率が上がるという結 果を示し、学会での反響を得た。 ＜研究期間終了後の展望＞ 上述の通り、更なる効率向上を目指し、MBE 結晶成長制御を行っており、これを継続発展さ せる。 “化学機能材料・素子： 局所構造の化学的作製と評価” 化学分子認識センサーを念頭に、そのための基礎として半導体・ナノ粒子等の表面界面 改質・分子吸着による表面界面の電子状態の変化を検討した。 また、そのための手法とし て、AFM ベースの手法の開拓を行った。 ＜優れた成果があがった点＞ 半導体基板の化学エッチング・分子吸着、ナノ構造の化学的合成や化学修飾により、電子 物性の制御・新機能の創出を目指し、GaAs 表面の形状が エッチング条件により制御可能で あり、nm レベルで平坦な表面を作製可能である事を示した。 またその表面に分子吸着を行 い、絶縁性もしくは半導体性の界面の作製に成功した（＊14）。 この様に大気中でも初期表 面をきちんと用意すると原子・分子吸着により表面の導電性の制御が可能となった事は分子 センサーへの道を開くものである。 また エッチングで表面に粒子状の Ga 酸化物が形成され る事を見出した（＊15）。 上記と併行してこうした局所構造の計測法の開拓を行い、AFM ベースの新たな手法で、１） 表面内部に埋まって形成される構造の観察手法（＊16）、２）表面仕事関数マップ計測法（＊ 17）、を開発した。 この１）は上記の埋もれた Ga 酸化物の検出に、２）は Si 太陽電池の電極 との界面の計測に応用され、太陽電池電極の作製に関する重要な指標を示すに至ってい る。 また、GaAs 上へのナノ電極形成法と電子物性について検討し、InAs 電極ではオーミックに 近い特性を示すが、In 電極では高い障壁画形成されている事を見出した（＊18）。 ＜問題点＞ 表面への分子吸着により界面の電子物性の変化等の基礎的検討は進み、化学分子認識 センサーのプロトタイピングは出来たので、実用を含んだ素子試作が必要。 （様式１） プロジェクト番号 S0901036 ＜研究成果の副次的効果＞ AFM の改良の結果が、太陽電池の Si-電極界面への応用がなされた。 基礎技術の検討 が応用課題の解決に役立つという極めて良い例ではないかと考えられる。 ＜研究期間終了後の展望＞ 本研究で得た結果を基に、より機能的な界面の設計・作製、また、太陽電池の例に見られ る様に、横展開を図りたい。 “化学機能材料・素子： 機能性コンポジット” 当初計画にはなかったテーマであるが、コンポジット材料を用い化学機能を有する構造作 製に取り組んだ。 ＜優れた成果があがった点＞ １．中空球状アロフェンナノ粒子を基材としたナノコンポジット： 水熱合成により直径約 3.8 nm、比表面積 700 m2/g の中空球状アロフェンナノ粒子を合成 し、その局所構造を FTIR や 27Al/29Si 固体 MAS-NMR を用いて明らかにした。 中空構造は 水熱処理前の前駆体では観察されず、水熱処理によってはじめて形成されることを明らかに した。 白金とのコンポジット作製では、白金源として塩化白金酸カリウムを選択することで還 元処理が不要になり、ナノメーターサイズの白金が分散したコンポジットが得られることを見 出した。 DNA との複合体作製では、アロフェン粒子表面のゼータ電位が重要な制御因子に なることを明らかにし、この結果は MO シミュレーションにより裏付けされた（＊19）。 ２．固体酸-ホスホシリケートゲル複合体のプロトン伝導 固体酸である Cs 2 H 5 (SO 4 ) 2 (PO 4 )とホスホシリケートゲルの in situ 複合体を、従来より広い組 成範囲で合成する事に成功し、1.5 桁程度のプロトン伝導率の向上を達成した。 また、無加 湿条件でも、120℃にて長期間に 渡り ～10-2 S cm-1 程度の高いプロトン伝導性 が 維持できる ことがわかった。プロトン伝導は Cs 2 H 5 (SO 4 ) 2 (PO 4 )相を経由して生じ、ゲルと固体酸との界面 に存在する P-O-P 結合の割合が多いほどプロトン伝導性が高くなる傾向を見出した。すなわ ち、プロトン伝導性と複合界面の局所構造が密接に関係していることを明らかにした（＊20）。 ＜問題点＞ １．高機能なコンポジットの作製の実現には、中空内部のみ、外表面のみなど、サイト選択的 な複合粒子の形成が必要だが、そのための合成手法の開発が課題として残された。また、球 壁に存在する約 0.3～0.5 nm の perforation のサイズが制御できれば、触媒や DDS 等でさら に用途がさらに広がると考えられるが、現段階では制御法は不明である。 ２．Cs 2 H 5 (SO 4 ) 2 (PO 4 )は最近その存在が報告された固体酸だが、結晶構造や相転移に関す る情報は未解明である。 またプロトン伝導機構の真の理解に必要な、様々な温度における 複合構造の直接的観察、及び複合界面 P-O-P 結合割合の制御因子の解明が課題である。 ＜研究成果の副次的効果＞ １．サイト選択性の付与、サイズ制御法の確立など、残された課題に取り組むとともに、種々 のアロフェン基ナノコンポジットを合成し、新奇な機能を有する触媒やドラッグデリバリー（また はジーンデリバリー）等の実現をめざす。 ２．複合構造の直接的観察など残された課題に取り組み、本複合系のプロトン伝導機構を明 （様式１） プロジェクト番号 S0901036 らかにする。 ＜研究期間終了後の展望＞ 上述の新たな材料を実用化すべく、共同研究・開発先を探す努力を続ける。 “化学機能材料・素子： 光触媒” 当初は液相合成した材料での機構検討を行っていたが、山方の着任に伴い、主に可視光 応答光触媒の開発と機構解明に注力した。 エネルギー・環境問題を解決する方法として太陽光を用いて水を水素に分解し、CO 2 を還 元して有機物質を合成する光触媒や光電極などの光化学反応デバイスが注目されている が、これらの反応活性や反応選択性は光励起して生成したキャリアの再結合速度や反応分 子への電荷移動速度、電荷移動を受けた反応分子の構造変化に支配される。 従って、反 応機構を理解し、より高活性・高反応選択制をもつ光化学反応デバイスを開発するために は、これらの光励起キャリアの動的な挙動と反応分子の構造変化を実時間観察する必要が ある。 これには時間分解赤外分光法を用いる事が有効である事を報告してきた。 特に伝 導帯に光励起された電子は赤外域に構造の無いブロードな過渡吸収を与え、反応分子の構 造変化は、赤外振動吸収スペクトルの形状を変化させる事を用い、Pt/TiO 2 や NiO/NaTaO 3 上での水分解反応において、正孔は電子より先に水に消費されること、水素発生助触媒の Pt や NiO にはマイクロ秒領域で電子が移動すること、酸素発生助触媒である CoO x や IrO 2 は非常に効率よく正孔を捕捉し再結合を抑制すること、などを実時間観察することに成功して いる。 本研究では、時間分解赤外分光法を用いて、光触媒の反応機構を解明することでさ らに高い反応活性を有する光触媒を開発することを目的とした。 ＜優れた成果があがった点と副次的効果＞ チタン酸ストロンチウムはバンドギャップが 3.2 eV で紫外光に応答する光触媒である。 紫 外光型光触媒に Ni や Cr などの遷移金属をドープすると可視光応答性を示す事が知られて いる。 しかし光触媒に不純物をドープすると、その不純物が再結合中心になり、一般には再 結合速度は速くなると考えられている。 そこで、本研究では、遷移金属をドープすることによ る光励起キャリアの再結合速度の変化を時間分解赤外吸収分光法で調べた。 その結果、 Ni や Cr をドープすると、光励起電子の再結合速度は、予想と反してドープ前よりも遅くなっ た。 更 に、電荷を補償するために Ta を共ドープすると、再結合速度はさらに遅くなった。 ま た、触媒調製法を工夫して欠陥の少ない結晶を作製すると、光励起電子の寿命を“数秒”と 極めて長くすることができた。 そして 、長い再結合速度を有する光触媒は、メタノール水溶 液中での水素発生も高い効率を示した。 しかし、量子効率は１％にも達しなかった。 そこ で、反応分子への電荷移動速度を調べたところ、ドープするとドープする前に比べて、正孔の 反応活性は変化しないが、電子の反応活性が低下することが分かった（＊21）。 従って、定 常反応活性を一層向上させるためには、電子の反応活性向上が必要であることが分かっ た。 一方、遷移金属をドープして調製した光触媒における光励起キャリアの再結合速度には励 起波長依存性があることが分かった。 Cr と Ta を共ドープした触媒を紫外光や可視光で励起 した光励起電子の再結合速度には励起波長依存性はみられないが、Ni と Ta を共ドープした 触媒では紫外光より可視光で励起した方が再結合速度が遅くなることがわかった。 （様式１） プロジェクト番号 S0901036 ＜問題点と研究期間終了後の展望＞ 現在所有する時間分解赤外分光装置の時間分解能は 50 ナノ秒程度であり、ピコ秒領域で 起こる高速な電子移動過程や再結合過程を追跡することができない。そこで、現在、波長可 変中赤外フェムト秒レーザーを用いた時間分解測定装置を立ち上げているところで、光励起 初期過程のメカニズムの解明に威力を発揮することが期待される。 “カーボンナノ構造の形成制御” ナノカーボン構造の作製方法とこれら材料の応用を探索した。 特に化学気相成長法 (CVD)により、カーボンナノチューブ（CNT）、カーボンナノウォール(CNW)を、また新規開発し た Ni 析出法でグラフェンの局所的な合成に成功した。 CNT とグラフェンの複合体のアルコー ルを原料ガスとした合成の条件をラマン分光法、TEM 観察より明らかにし、プラズマ CVD によ る CNW の成長機構、及び加熱による高品質化に関する微視的知見を得た（＊22）。 更に Pd を触媒として、Pd 内包 CNT を局所的に成長し、伝導性プローブとして機能することを確認し、 更に Fe を触媒とする高分解能磁気センサーの開発を行った（＊23）。 これらカーボンナノ構 造の一部を応用しセンサーの開発研究を行った。 ＜優れた成果があがった点＞ １．新規触媒調整法及び 触媒金属を局所的に塗布するＣＶＤ局所成長技術の確立（＊23）に より、プローブ顕微鏡用の金属内包カーボンナノチューブ探針を開発した。 ２．シリコンに代わる次世代デバイス素子であるグラフェンの簡易成長法を提案し、さまざま なカーボン材料からグラフェンの合成を行うことを明らかにした。 ＜問題点＞ １．ＣＮＴ探針の合成法は確立したが、非常に素材が繊細なため、測定技術の開発が必要。 ２．簡易グラフェン合成法では、場所の制御は可能であるが、層数の制御が偏析を用いてい るためやや困難であり、一様な膜合成制御が今後の課題となる。 ３．FET 素子についてはまだ検討を要する。 ＜研究期間終了後の展望＞ 問題点に記した課題を克服し、より良い材料開発を行うため、継続して研究を行う。 ＜研究成果の副次的効果＞ １．ＣＮＴ探針については、特許申請中（先端部にメッキを形成）。 ２．針状部材の製造方法：特願 2013-97092 で、今後企業への技術移転と製品化を進める。 ３．CNT とグラフェンからなる複合材料は、低摩耗性を活かした人工股関節等への応用が考 えられ、企業との共同研究を経済産業省のプログラムで開始した。 “局所磁性構造” 局所磁性材料として、磁性ナノワイヤーメモリにおける磁壁駆動電流密度低減を目指した。 ビッグデータ、クラウドコンピューティングなどの応用からデータ量が急増、また新興国の台頭 に伴いデータ量は更に増え続けている。 主たる保存先は HDD であり、これはアクセスがな い状態でも磁気ヘッドの安定浮上要求からスピンドルモーターを安定回転し続ける必要があ （様式１） プロジェクト番号 S0901036 り、大きな電力問題を引き起こしている。 これを抜本改革するためスピンドルモータを使わな い全固体磁気メモリの候補として磁性ナノワイヤーメモリの研究が行われている。 これは細 線上の記録磁壁を伝導電子で移動させるもので、ＩＢＭやＮＥＣなどの先行研究では FeNi や Co/Ni 多層膜など結晶材料で細線を作製しており、磁壁駆動に必要な電流密度は 3 x 107 A/cm2 と大きく、この低減が求められていた。 我々は、結晶質の局所構造に問題があると考 え、TbFeCo アモルファス合金で磁性細線を作製した。 その結果電流密度を一桁低減するこ とに成功した。 これは室温動作では世界一小さな値であり、磁壁移動速度も数 100m/s と高 速である （＊24）。また、記録膜の厚さを薄くすると磁壁の移動方向が逆になる現象も見出 し、更に磁壁が示す磁気抵抗効果も大きいことを示した（＊25）。 これはラッシュバあるいは スピンホール効果など磁性膜界面現象に起因していると考えられ、この特性を使った新しい デバイス出現も期待できる。 また、同一メカニズムを使ったスピンロジックの原理実験にも成 功した。 ＜優れた成果があがった点＞ 上述のように、アモルファス TbFeCo 磁性細線ナノワイヤを用いることで磁壁駆動に必要な 電流密度を世界一小さな値（0.3 x 107 A/cm2 ）に低減できた（＊24）。 この磁性細線ナノワイ ヤ上にマルチパルスを打ち込んで繰り返し記録磁区を形成し、同様のマルチパルスでこれら を同時に同じ長さだけ細線上をシフト駆動が可能で、しかも複数本作成した磁性ナノワイヤに 同時にパルス電流を印加することで記録磁区をすべて同時にシフト駆動することもできた。 これらの結果は、磁性細線メモリとしての基本動作が確認できたものである。 更に、磁性膜 界面効果を利用することで磁壁駆動力を制御、すなわち磁壁移動速度も制御可能であること を明らかにした。 ＜問題点＞ 実用を考えるとマージン確保のために磁性細線の局所構造制御および界面制御を極める ことで更に一桁電流密度を低減したい。この局所構造や界面構造は磁壁移動速度のバラツ キや均一性にも起因すると考えられ、この基本的評価が足りない点も残課題である。更に、メ モリ動作のデモンストレーションを行うためには記録再生手段も同一デバイスに盛り込んで行 う必要があり、この点も未達である。 ＜研究成果の副次的効果と研究期間終了後の展望＞ 本研究成果は同一動作原理を使ったスピンロジックにも適応可能であり、メモリ＆ロジック を同一基板に同一プロセスで作製できるものであり、今後応用を探索したいと考える。 ＜評価体制（全体を通じ）＞ 青柳克信立命館大学に外部評価委員を依頼し、シンポジウム資料を送付しコメントを求め る他、適宜アドバイスを求め、研究内容についての助言などを得た。 研究内容・進捗がオープンになる様に、初年度を除き毎年シンポジウムを開催し、討議の 他、参加者からの感想を伺う事にした。 また、当然の事ながら全てのサブテーマにおいて学会発表や論文投稿を積極的に行い、 研究結果への評価・批判が受けられる様に心掛けた。 このプロジェクトで行われた多くの研究が一流ジャーナルの論文となっている他、進められ た多くの探索的なテーマが、他のテーマ提案や共同研究に発展している事実に照らして、概 （様式１） プロジェクト番号 S0901036 ね適正な資源の運用がなされたものと考えている。 １２ キーワード（当該研究内容をよく表していると思われるものを８項目以内で記載してくださ い。） （１） 局所構造評価 （２） 量子ドット （３） 結晶成長 （４） ナノカーボン （５） 化学的作製 （６） 太陽電池 （７） 光触媒 （８） エネルギー変換 １３ 研究発表の状況（研究論文等公表状況。印刷中も含む。） 上記、１１(４)に記載した研究成果に対応するものには＊を付すこと。 ＜雑誌論文＞ 論文名、著者名、掲載誌名、査読の有無、巻、最初と最後の頁、発表年（西暦）について記入してください（左記 の各項目が網羅されていれば、項目の順序を入れ替えても可）。また、現在から発表年次順に遡り、通し番号を 付してください。 査読有 “光機能素子・材料： 太陽電池” 1. “Effect of electron and proton irradiation on recombination centers in GaAsN grown by chemical beam epitaxy," Boussairi Bouzazi, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Current Applied Physics 13(7), 1269-1274 (2013). 2. “III-V-N Materials for Super High Efficiency Multi-junction Solar Cells," Kazuma Ikeda, Masafumi Yamaguchi, Boussairi Bouzazi, Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Japanese Journal of Applied Physics 52(8), 08JH11 (2013). 3. “Analysis of Current Transport Mechanisms in GaAsN Homojunction Solar Cell Grown by Chemical Beam Epitaxy," Boussairi Bouzazi, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, IEEE Journal of Photovoltaics 3(2), 909-915 (2013). 4. “Capacitance-voltage and current-voltage characteristics for the study of high background doping and conduction mechanisms in GaAsN grown by chemical beam epitaxy," Boussairi Bouzazi, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Journal of Alloys and Compounds 552, 469-474 (2013). 5. “Structural and Molecular Changes of C60 Thin Films with Incorporated Magnesium Atoms," Crisoforo Morales, Nobuaki Kojima, Seiji Nishi, Masafumi Yamaguchi, Japanese Journal of Applied Physics 51(4), 04DK08 (2012). (*6) 6. “Effect of Thermal Stress on a N-Related Recombination Center in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy," Boussairi Bouzazi, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Japanese Journal of Applied Physics 51(2), 02BP02 (2012). 7. “Observation of In-Plane Asymmetric Strain Relaxation during Crystal Growth and Growth Interruption in InGaAs/GaAs(001)," Takuo Sasaki, Kenichi Shimomura, Hidetoshi Suzuki, Masamitu Takahasi, Itaru Kamiya, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Japanese Journal of Applied Physics 51(2), 02BP01 (2012). (*3) 8. “Growth orientation dependent photoluminescence of GaAsN alloys," Xiuxun Han, Tomohiro Tanaka, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Shinichiro Sato, （様式１） S0901036 プロジェクト番号 Applied Physics Letters 100(3), 032108 (2012). 9. “Real-Time Structural Analysis of Compositionally Graded InGaAs/GaAs(001) Layers," Takuo Sasaki, Hidetoshi Suzuki, Makoto Inagaki, Kazuma Ikeda, Kenichi Shimomura, Masamitu Takahasi, Miwa Kozu, Wen Hu, Itaru Kamiya, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, IEEE Journal of Photovoltaics 2(1), 35-40 (2012). (*3,4) 10. “X-ray reciprocal space mapping of dislocation-mediated strain relaxation during InGaAs/GaAs(001) epitaxial growth," Takuo Sasaki, Hidetoshi Suzuki, Masamitu Takahashi, Yoshio Ohshita, Itaru Kamiya, Masafumi Yamaguchi , Journal of Applied Physics 110(11), 113502 (2011). (*3,4) 11. “Growth temperature dependence of strain relaxation during InGaAs/GaAs(001) heteroepitaxy,” Takuo Sasaki, Hidetoshi Suzuki, Akihisa Sai, Masamitu Takahasi, Seiji Fujikawa, Itaru Kamiya, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, J. Cryst. Growth 323, 13-16 (2011). (*4) 12. "Relation between N-H complexes and electrical properties of GaAsN determined by H implantation," Jong-Han Lee, Hidetoshi Suzuki, Xiuxun Han, Takahiko Honda, Tomohiro Tanaka, Jong-Ha Hwang, Boussairi Bouzazi, Makoto Inagaki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Current Applied Physics 10(3), S431-S434 (2010). (*5) 13. “Effect of Low Growth Rate in Chemical Beam Epitaxy on Carrier Mobility and Lifetime of p-GaAsN Films,” Takahiko Honda, Kazuma Ikeda, Makoto Inagaki, Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Japanese Journal of Applied Physics 50(8), 08KD06 (2011). (*5) 14. “Origin Investigation of a Nitrogen-Related Recombination Center in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy,” Boussairi Bouzazi, Jong-Han Lee, Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Japanese Journal of Applied Physics 50(1), 051001 (2011). 15. “Shallow Carrier Trap Levels in GaAsN Investigated by Photoluminescence,” Makoto Inagaki, Hidetoshi Suzuki, Kazumasa Mutaguchi, Atsuhiko Fukuyama, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Japanese Journal of Applied Physics 50(4), 04DP14 (2011). (*5) 16. "Relationship between a nitrogen-related hole trap and ionized acceptors density in p-type GaAsN grown by chemical beam epitaxy," Boussairi Bouzazi, Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Physica Status Solidi C 8(2), 616-618 (2011). 17. "Novel material for super high efficiency multi-junction solar cells," Yoshio Ohshita, Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kojima, Tomohiro Tanaka, Takahiko Honda, Makoto Inagaki, Masafumi Yamaguchi, Journal of Crystal Growth 318(1), 328-331 (2011). 18. "N incorporation and optical properties of GaAsN epilayers on (311)A/B GaAs substrates," Xiuxun Han, Hidetoshi Suzuki, Jong-Han Lee, Nobuaki Kojima,Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Journal of Physics D: Applied Physics 44(1), 015402 (2011). 19. "A recombination center in p-type GaAsN grown by chemical beam epitaxy," Boussairi Bouzazi, Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Solar Energy Materials & Solar Cells 95(1), 281-283 (2011). （様式１） プロジェクト番号 S0901036 20. "Properties of a Nitrogen-Related Hole Trap Acceptor-Like State in p-Type GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy," Boussairi Bouzazi, Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Japanese Journal of Applied Physics 49(12), 121001 (2010). 21. "Nitrogen-Related Recombination Center in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy," Boussairi Bouzazi, Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Japanese Journal of Applied Physics, 49(5), 051001 (2010). 22. "Improvements in Optoelectrical Properties of GaAsN by Controlling Step Density during Chemical Beam Epitaxy Growth," Hidetoshi Suzuki, Makoto Inagaki, Takahiko Honda, Yoshio Ohshita, Nobuaki Kojima, Masafumi Yamaguchi, Japanese Journal of Applied Physics, 49(4), 04DP08 (2010). 23. "Nitrogen Related Electron Trap with High Capture Cross Section in n-Type GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy," Boussairi Bouzazi, Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Applied Physics Express 3(5), 051002 (2010). 24. "Properties of Chemical Beam Epitaxy grown GaAs 0.995 N 0.005 homo-junction solar cell," Boussairi Bouzazi, Kenichi Nishimura, Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Current Applied Physics 10, S188–S190 (2010). 25. “Real-time observation of anisotropic strain relaxation by three-dimensional reciprocal space mapping during InGaAs/GaAs (001) growth,” Hidetoshi Suzuki, Takuo Sasaki, Akihisa Sai, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Itaru Kamiya, Masamitsu Takahasi, and Seiji Fujikawa, Appl. Phys. Lett. 97(4), 041906 (2010). (*3) 26. "Local Vibration Modes of N-H Related Complexes in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy," Hidetoshi Suzuki, Tomohiro Tanaka, Yoshio Ohshita, Nobuaki Kojima and Masafumi Yamaguchi, ECS Transactions 25(12), 123-127 (2009). (*5) 27. "Growth and characterization of n-type polycrystalline silicon ingots、" K. Arafune, M. Nohara, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, Solar Energy Materials & Solar Cells 93(6-7), 1047-1050 (2009). 28. "Flow modulation effect on N incorporation into GaAs (1−x) N x films during chemical beam epitaxy growth," H. Suzuki, K.Nishimura, K.Saito, Y.Ohshita, N.Kojima, M.Yamaguchi, Journal of Crystal Growth 311, 2821-2824 (2009). 29. "Structural characterization of Mg-doped C 60 thin films," N. Kojima, M. Natori, H. Suzuki and M. Yamaguchi, Journal of Physics: Conference Series 159, 012018 (2009). (*6) 30. "In situ Real-Time X-ray Reciprocal Space Mapping during InGaAs/GaAs Growthfor Understanding Strain Relaxation Mechanisms," Takuo Sasaki, Hidetoshi Suzuki, Akihisa Sai, Jong-Han Lee, Masamitu Takahasi, Seiji Fujikawa, Koji Arafune, Itaru Kamiya, Yoshio Ohshita, and Masafumi Yamaguchi,Applied Physics Express 2(8), 085501 (2009). 31. "Characterization of carrier recombination in lattice-mismatched InGaAs solar cells on GaAs substrates," T. Sasaki, K. Arafune, W. Metzger, M.J. Romero, K. Jones, M. Al-Jassim, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, Solar Energy Materials & Solar Cells 93(6-7), 936–940 (2009). （様式１） プロジェクト番号 S0901036 “光機能材料・素子： 蛍光素子” 1. “As flux dependence on RHEED transients during InAs quantum dot growth,” K. Shimomura, T. Shirasaka, D. M. Tex, and I. Kamiya, J. Cryst. Growth, 378, 41-43 (2013). (*7) 2. “Electronically cross-linked PbS quantum dot networks using polymers as surface ligands,” Wei Lü, Yue Yang, Akira Yamakata, and Itaru Kamiya, NANO 8 (2), 1350013 (2013). (*10) 3. “RHEED transients during InAs quantum dot growth by MBE,” K. Shimomura, T. Shirasaka, D. M. Tex, F. Yamada, and I. Kamiya, J. Vac. Sci. Technol. B 30, 02B128 (2012). (*7) 4. “The influence of interlayer molecules in luminescence of self-assembled PbS quantum dot films,” Wei Lü and Itaru Kamiya, J. Nanosci. Nanotech. 12, 410-415 (2012). (*10) 5. “Influence of In and As fluxes on growth of self-assembled InAs quantum dots on GaAs(001),” Itaru Kamiya, Takeo Shirasaka, Kenichi Shimomura, David M. Tex, J. Cryst. Growth 323, 219-222 (2011). (*7) 6. “Self-assembled colloidal PbS quantum dots on GaAs surfaces,” Wei Lü, Fumihiko Yamada, and Itaru Kamiya, J. Phys.: Conf. Ser. 245, 012069 (2010). (*10) 7. “Fabrication and coupling investigation of films of PbS quantum dots,” Wei Lü, Fumihiko Yamada, and Itaru Kamiya, J. Vac. Sci. Technol. B 28 (4), C5E8-12 (2010). (*11) 8. “Temperature dependence of electronic energy transfer in PbS quantum dot films,” Wei Lü, Itaru Kamiya, Masao Ichida, and Hiroaki Ando, Appl. Phys. Lett. 95 (8), 083102 (2009). (*11) “光機能材料・素子： 光変換素子” 1. “InAs Quantum Well Islands – A Novel Structure For Photon Up-conversion From the Near IR To the Visible,” Itaru Kamiya, David M. Tex, Kenichi Shimomura, Fumihiko Yamada, Ko Takabayashi, and Yoshihiko Kanemitsu, Proceedings of the 39th IEEE Photovoltaics Specialists Conference (2013), in press. (*12) 2. “Efficient upconverted photocurrent through an Auger process in disklike InAs quantum structures for intermediate-band solar cells,” David M. Tex, Itaru Kamiya, and Yoshihiko Kanemitsu, Phys. Rev. B 87, 245305 (2013). (*13) 3. “Shallow defect states in GaAs responsible for GaAs bandgap upconversion induced by electron beam during MBE growth,” David M. Tex and I. Kamiya, J. Vac. Sci. Technol. B 30, 02B128 (2012). (*12) 4. “Influence of high-energy electron beam on upconversion from the GaAs bandgap,” David M. Tex and Itaru Kamiya, Appl. Phys. Exp. 4, 065501 (2011). 5. (*12) “Upconversion of infrared photons to visible luminescence using InAs based quantum structures,” David M. Tex and Itaru Kamiya, Phys. Rev. B 83, 081309(R) (2011). (*12) （様式１） プロジェクト番号 S0901036 “化学機能材料・素子と局所構造の化学的作製： 電子物性と評価” 1. “Subsurface measurement of nanostructures on GaAs by electrostatic force microscopy,” Fumihiko Yamada and Itaru Kamiya, Applied Surface Science 271, 131-135 (2013). (*15,16) 2. “Structure and electronics of buried and unburied semiconductor interfaces,” Itaru Kamiya, IOP Conf. Ser.: Mat. Sci. Eng. 24, 012066 (2011). 3. “Electron Transport Properties of Si Nanosheets: Transition from Direct Tunneling to Fowler-Nordheim Tunneling,” Takashi Ikuno, Hirotaka Okamoto, Yusuke Sugiyama, Hideyuki Nakano, Fumihiko Yamada, and Itaru Kamiya, Appl. Phys. Lett. 99, 023107 (2011). 4. “Control of surface morphology and electronic properties of III-V semiconductors using molecular modification,” Fumihiko Yamada, Shuichi Arakawa, and Itaru Kamiya, J. Vac. Sci. Technol. B 28 (4), C5F28-32 (2010). (*14) 5. “Surface state control of III-V semiconductors using molecular modification,” Fumihiko Yamada, Takeo Shirasaka, Kosei Fukui, and Itaru Kamiya, Physica E 42 (10), 2841-2845 (2010). (*14) 6. “Resonant Tunneling of Electrons through single Self-Assembled Quantum Dot studied by Conductive Probe Atomic Force Microscopy,” Ichiro Tanaka, Y. Tada, S. Nakatani, K. Uno, I. Kamiya, and H. Sakaki, Physica E 42 (10), 2606-2609 (2010). “化学機能材料・素子と局所構造の化学的作製： 機能性コンポジット” 1. “Synthesis and adsorption characteristics of hollow spherical allophen nano-particles,” F. Iyoda, S. Hayashi, S. Arakawa, B. John, M. Okamoto, H. Hayashi, and G. Yuan, Appl. Clay Sci. 56 77-83 (2012). (*19) 2. “Proton conduction of in-situ formed Cs 2 H 5 (SO 4 ) 2 (PO 4 ) within phosphosilicate gel,” S. Arakawa and M. Matsuzawa, Solid State Ionics 211 20-25 (2012). (*20) “化学機能材料・素子と局所構造の化学的作製： 光触媒” 1. “Photocatalytic activity of titania particles calcined at high temperature: Investigating deactivation”, Fumiaki Amano , Masashi Nakata , Kenji Asami , A Yamakata, Chem. Phys. Lett. 579, 111-113 (2013). 3. “Structural Changes of the KcsA Potassium Channel Upon Application of the Electrode Potential Studied by Surface-Enhanced IR Absorption Spectroscopy,” A. Yamakata, Hirofumi Shimizu, Masatoshi Osawa, Shigetoshi Oiki, Chem. Phys. 419, 224-228 (2013). 4*. “Cobalt-Modified Porous Single-Crystalline LaTiO 2 N for Highly Efficient Water Oxidation （様式１） プロジェクト番号 S0901036 under Visible Light”, F. Zhang, A. Yamakata, K. Maeda, Y. Moriya, T. Takata, J. Kubota, K. Teshima, S. Oishi, and K. Domen, J. Am. Chem. Soc. 134, 8348-8351 (2012). 5. “Infrared Spectroscopic Study of the Potential Change at Cocatalyst Particles on Oxynitride Photocatalysts for Water Splitting by Visible Light Irradiation,” Xuwang Lu, Athula Bandara, Masao Katayama, A.Yamakata, Jun Kubota, Kazunari Domen, J. Phys. Chem. C 115, 23902-23907 (2011). 6. ”Effect of Photoexcited Electron Dynamics on Photocatalytic Efficiency of Bismuth Tungstate”, Fumiaki Amano, A. Yamakata, Kohei Nogami, Masatoshi Osawa, Bunsho Ohtani, J. Phys. Chem. C 115, 16598-16605 (2011). 7*. ”Potential-Dependent Recombination Kinetics of Photogenerated Electrons in n- and p-Type GaN Photoelectrodes Studied by Time-Resolved IR Absorption Spectroscopy,” A. Yamakata, Masaaki Yoshida, Jun Kubota, Masatoshi Osawa, Kazunari Domen, J. Am. Chem. Soc. 133, 11351-11357 (2011). “カーボンナノ構造の形成制御” 1. ”Study of MgAl 2 O 4 (111) Spinel Surface Using Noncontact Atomic Force Microscopy,” A. Okada, S. Go, M. Yoshimura, and Y. Ishikawa, Jpn. J. Appl. Phys. 51(8), 08KB04-08KB04-4 (2012). 2. “Theoretical Considerations on Resolution of Magnetic Force Microscopy Using Carbon Nanotube Probe,” K. Tanaka, K. Ishikawa, and M. Yoshimura, J. Magn. Soc. Jpn. 36, 293-296 (2012). (*23) 3. “Synthesis of Patterned Nanographene on Insulators from Focused Ion Beam Induced Deposition of Carbon,” G. Rius, N. Mestres, and M. Yoshimura, J. Vac. Sci. Technol. B 30(3), 03D113 (2012). 4. “Interfacing resistances in conducting probe AFM with CNTs functionalized tips. Conduction mechanism in current measurements,” G. Rius and M. Yoshimura, Micro & Nano Lett. 7(4), 343–347 (2012). (*23) 5. “Cooperative Multiwalled Carbon Nanotubes for Enhanced Force Spectroscopy,” G. Rius and M. Yoshimura, e-J. Surf. Sci. Nanotech. 10, 341-345 (2012). (*23) 6. “Synthesis Control for Carbon Nanowalls on Copper Supports pro Development of Green Energy Applications,” G. Rius and M. Yoshimura, e-J. Surf. Sci. Nanotech. 10, 305-309 (2012). 7. *“Transformation of polymer to graphene films at partially low temperature,” Rajanish N. Tiwari, M. Ishihara, Jitendra N. Tiwari and Masamichi Yoshimura, Polym. Chem. 3, 2712-2715 (2012). 8. “Flame-annealing assisted synthesis of graphene films from adamantine,” Rajanish N. Tiwari, M. Ishihara, Jitendra N. Tiwari and Masamichi Yoshimura, J. Mater. Chem. 22, 15031-15036 (2012). 9. "Growth mechanism of multilayer-graphene-capped, vertically aligned multiwalled carbon nanotube arrays," Yuki Matsuoka, Ian T. Clark, and Masamichi Yoshimura, J. Vac. Sci. （様式１） プロジェクト番号 S0901036 Technol. B 29, 061801 (2011). 10. “Effect of Hydrogen on Carbon Nanowall Growth by Microwave Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,” Seiya Suzuki, Anindita Chatterjee1, Chia-Liang Cheng1, and Masamichi Yoshimura, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 01AF08 (2011). (*20) 11. “Enhanced Nucleation and Growth of Diamond Film on Si by CVD Using a Chemical Precursor,” Rajanish N. Tiwari, Jitendra N. Tiwari, Li Chang, and M. Yoshimura, J. Phys. Chem. C 115 (32), 16063–16073 (2011). 12. "Regrowth of Carbon Nanotubes Array on Al Layer Coated Substrate," Chien-Chao Chiu, Masamichi Yoshimura, Kazuyuki Ueda, Yuya Kamizono, Hisanori Shinohara, Yutaka Ohira, and Takayoshi Tanji, J. Nanomat. 2010, 906204 (2010). 13. “A simple alcohol-chemical vapor deposition synthesis of single-layer graphenes using flash cooling,” Yasumitsu Miyata, Keiichi Kamon, Kazunori Ohashi, Ryo Kitaura, Masamichi Yoshimura, and Hisanori Shinohara, Appl. Phys. Lett. 96, 263105 (2010). 14. "Mechanical and electronic characteristics of scanning probe microscopy probes based on coaxial palladium nanowire/carbon nanotube hybrid structures," Ian Thomas Clark, Gemma Rius, Yuki Matsuoka, and Masamichi Yoshimura, J. Vac. Sci. Tech. B 28, 1148 (2010). (*23) 15. "Patterned growth of carbon nanotubes through AFM nano-oxidation," Chien-Chao Chiu, Masamichi Yoshimura, and Kazuyuki Ueda, Diamond Rel. Mat. 18, 355-359 (2009). 16. *"High Resolution Magnetic Force Microscopy Using Carbon Nanotube Probes Fabricated Directly by Microwave Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition," Kei Tanaka, Masamichi Yoshimura, and Kazuyuki Ueda, J. Nanomat. 2009, 147204 (2009). 17. *"Growth of Pd-filled Carbon Nanotubes on the Tip of Scanning Probe Microscopy," Tomokazu Sakamoto, Chien-Chao Chiu, Kei Tanaka, M. Yoshimura, and K. Ueda, J. Nanomat. 2009, 851290 (2009). (*23) 18. *"Direct Fabrication of Carbon Nanotubes STM Tips by Liquid Catalyst-Assisted Microwave Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition," Fa-Kuei Tung, M. Yoshimura, and K. Ueda, J. Nanomat. 2009, 612549 (2009). “局所磁性構造： 局所磁性” 1. *“Reversal Domain Wall Motion in Perpendicular Magnetized Tb-Fe-Co nanowires, Do Bang, and Hiroyuki Awano, IEEE Transactions on Magnetics 49, 4390 (2013). (*25) 2. *“Current-Induced Domain Wall Motion in Perpendicular Magnetized Tb-Fe-Co Wire with Different Interface Structures, Do Bang, and Hiroyuki Awano, Applied Physics Express 5, 125201 (2012). (*25) 3. *“Size effect of domain wall magnetoresistance in ultrathin TbFeCo wires” Do Bang, and Hiroyuki Awano, Korean Physics Society 62, 1933 (2013). 4. (*25) “CoB/Ni-Based Multilayer Nanowire with High-Speed Domain Wall Motion under Low Current Control” D-T. Ngo, N. Watanabe, and H. Awano, J. Journal of Applied Physics 51, 093002 (2012). (*24) （様式１） プロジェクト番号 5. S0901036 “Modulation of domain wall dynamics in TbFeCo single layer nanowire” Duc-The Ngo, Kotaro Ikeda, and Hiroyuki Awano, Journal of Applied Physics. 111, 083921 (2012). (*24) 6. “Formation of magnetic structure by domain wall confinement in nanoconstriction,” D. Ngo, M. C. Hickey, S. McVitie, D. McGrouther, C.H. Marrows, J. N. Chapman, and H. Awano, IEEE Trans. Magn. 47(10), 2511 (2011). (*24) 7. *“Direct Observation of Domain Wall Motion Induced by Low-Current Density in TbFeCo Wires,” Duc-The Ngo, Kotaro Ikeda, and Hiroyuki Awano, Appl. Phys. Exp. 4, 093002 (2011). (*24) 査読なし 1. ｢光励起キャリアーの動きとエネルギー制御 ｣ 山方啓 他（分担執筆）、化学経済、12 月号、p.75 (2012). 2. 「半導体量子構造と光エネルギー変換の最前線」 山方啓、触媒、53, 201 (2011). 3. 「プローブ顕微鏡(SPM)による表面分析」 吉村雅満、応用物理 79(4), (2010). ＜図書＞ 図書名、著者名、出版社名、総ページ数、発行年（西暦）について記入してください（左記の項目が網羅されて いれば、項目の順序を入れ替えても可）。また、現在から発表年次順に遡り、通し番号を付してください。 1. 山方啓 他（分担執筆）、 第 8 節タイトル「赤外分光法を用いた光触媒・光電極反応の解析」、書名 「触媒の設計・反応制御 事例集－高活性、長寿命、低コスト化の実現－」、(株)技術情報協会、 761-769(9)、(2013). 2. 山方啓 他（分担執筆）、 第 6 章 3 節タイトル「光励起キャリアーの動きから見る水分解光触媒と水素 貯蔵」、書名「人工光合成 実用化に向けた最新技術～水素利用・有機物合成・エネルギー・CO₂還 元～」、(株)情報機構、235-246(12)、（2013） 3. “Laser-combined STM and related techniques for the analysis of nanoparticles/ clusters,” H. Shigekawa, S. Yoshida, M. Yoshimura and Y. Mera, Chapter 12 (pp.269-286) in Smart Nanoparticles Technology, Ed. A. Hashim, INTECH (2012). 4. * "Fabrication of Carbon Nanotubes for High-Performance Scanning Probe Microscopy," Ian Thomas Clark and Masamichi Yoshimura, Chapter 6, Electronic Properties of Carbon Nanotubes, ISBN 978-953-307-499-3, Ed. Jose Mauricio Marulanda, INTECH, July 2011. 5. 「走査プローブ顕微鏡－正しい実験とデータ解析のために必要なこと－」 重川秀実、吉村雅満、河 津璋 （責任編集、共著）、共立出版 (2009.3). 6. 「ナノ構造の科学とナノテクノロジー」 吉村雅満 、目良 裕、重川美咲子、重川秀実 訳、共立 出版、2011 年 1 月刊. 7. “Fabrication of Carbon Nanotubes for High-Performance Scanning Probe Microscopy,” Ian Thomas Clark and Masamichi Yoshimura, Chapter 6 (p.91-104), Electronic Properties of Carbon Nanotubes, Edited by Jose Mauricio Marulanda, Publisher InTech, July 2011. （様式１） S0901036 プロジェクト番号 ＜学会発表＞ 学会名、発表者名、発表標題名、開催地、発表年月（西暦）について記入してください（左記の項目が網羅され ていれば、項目の順序を入れ替えても可）。また、現在から発表年次順に遡り、通し番号を付してください。 国内 “光機能素子・材料： 太陽電池” 1. 「Relationship between ionized acceptors density and hole traps in p-type GaAsN grown by chemical beam epitaxy」Elleuch Omar、 ブザイリ ブザジ、 幸脇広幸、 池田和磨、 小島 信晃、 大下祥雄、 山口真史、第 74 回応用物理学会秋季学術講演会（2013 秋季）、同志社大 学京田辺キャンパス（2013 年 9 月 19 日) 2. 「CBE 法で作製した GaAsN 中の正孔捕獲準位を介した再結合過程の解析」幸脇広幸、 ブザ イリ ブザジ、 池田和磨、 小島信晃、 大下祥雄、 山口真史、第 74 回応用物理学会秋季学術 講演会（2013 秋季） 、同志社大学京田辺キャンパス（2013 年 9 月 19 日) 3. (*5) 「メタモルフィック InGaAs/GaAs 成長中の急激歪緩和観測」佐々木拓生、 高橋正光、 鈴木 秀俊、 大下祥雄、 山口真史、第 74 回応用物理学会秋季学術講演会（2013 秋季）、同志社大 学京田辺キャンパス（2013 年 9 月 19 日) 4. (*4) 「超高効率多接合太陽電池の実現に向けた GaAsN 太陽電池の高効率化」池田和磨、 小島信晃、 大下祥雄、 山口真史、電子情報通信学会 電子部品・材料研究会（CPM） 、 釧路生涯学習セ ンターまなぼっと幣舞 （2013 年 8 月 1 日) 5. 「格子整合型太陽電池の新材料：(In)GaAsN 中の欠陥評価」出水孝志郎、 池田和磨、 小島信 晃、 大下祥雄、 山口真史、豊田工業大学スマートエネルギー技術研究センター第２回シンポ ジウム、豊田工業大学（2013 年 7 月 18 日) 6. 「Si 基板上 GaAs 太陽電池への応用を目指した(InGa)2Se3 新規バッファ層」中村紘也、 小島 信晃、 大下祥雄、 山口真史、豊田工業大学スマートエネルギー技術研究センター第２回シン ポジウム、豊田工業大学（2013 年 7 月 18 日) 7. 「アモルファス水素化窒化シリコン膜/結晶シリコン界面の表面再結合速度評価」高井大輔、 小 島拓人、 小島信晃、 大下祥雄、 山口真史、豊田工業大学スマートエネルギー技術研究セン ター第２回シンポジウム、豊田工業大学（2013 年 7 月 18 日) 8. 「格子不整合 AlInGaAs/GaAs の歪緩和の面内異方性」小寺大介、 佐々木拓生、 小島信晃、 大 下祥雄、 山口真史、豊田工業大学スマートエネルギー技術研究センター第２回シンポジウム、 豊田工業大学（2013 年 7 月 18 日) 9. 「GaAs/Si 用新規バッファ層への応用を目指した(InxGa1-x)2Se3 の GaAs(111)面上 MBE 成 長」中村紘也、 小島信晃、 大下祥雄、 山口真史、第 10 回次世代の太陽光発電システムシン ポジウム、石川県立音楽堂（2013 年 5 月 23 日) 10. 「GaAsN 中の同一 N-H 複合欠陥起因の変角・伸縮振動モード」出水孝志郎、 池田和磨、 稲 垣充、 小島信晃、 大下祥雄、 山口真史、第 10 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、 石川県立音楽堂（2013 年 5 月 23 日) 11. 「格子不整合 AlInGaAs/GaAs 歪緩和の面内異方性」小寺大介、 佐々木拓生、 小島信晃、 大 下祥雄、 山口真史、第 10 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、石川県立音楽堂（2013 年 5 月 23 日) 12. 「化学ビームエピタキシー法で作製した GaAsN 中の再結合中心の解析」幸脇広幸、 ブザイリ （様式１） プロジェクト番号 S0901036 ブザジ、 池田和磨、 小島信晃、 大下祥雄、 山口真史、第 10 回次世代の太陽光発電システ ムシンポジウム、石川県立音楽堂（2013 年 5 月 23 日) (*5) 13. 「GaAsN 太陽電池材料における N-H 複合欠陥の配向特性」池田和磨、 小島信晃、 大下祥雄、 山口真史、第 10 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、石川県立音楽堂（2013 年 5 月 23 日) (*5) 14. 「Modeling of the improvement of the external quantum efficiency in GaAsN solar cell grown by chemical beam epitaxy」ブザイリ ブザジ、 小島信晃、 大下祥雄、 山口真史、第 10 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、石川県立音楽堂（2013 年 5 月 23 日) 15. 「表面再結合速度の光照射時間依存性と暗状態放置による劣化」高井大輔、 小島拓人、 小島 信晃、 大下祥雄、 山口真史、第 10 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、石川県立 音楽堂（2013 年 5 月 23 日) 16. 「多結晶シリコン中の不純物分布とキャリア再結合に対する熱処理の影響」小島拓人、 立花 福久、 小島信晃、 大下祥雄、 山口真史、第 10 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、 石川県立音楽堂（2013 年 5 月 23 日) (*2) 17. 「透過型電子顕微鏡を用いた傾斜組成 InGaAs 層の欠陥評価」佐々木拓生、 西 俊明、 高橋 正光、 小島信晃、 大下祥雄、 山口真史、第 60 回応用物理学会春季学術講演会（2013 春季）、 神奈川工科大学（2013 年 3 月 29 日) 18. 「結晶系太陽電池の課題と今後の展望（シンポジウム講演）」大下祥雄、第 60 回応用物理学会 春季学術講演会（2013 春季） 、神奈川工科大学（2013 年 3 月 29 日) 19. 「太陽電池用化合物半導体結晶成長のその場放射光Ｘ線回折観察（セミナー講演）」大下祥雄、 放射光実験設備利用講習会･放射光利用研究セミナー、大阪大学中之島センター（2013 年 3 月 22 日) 20. 「放射光を用いた太陽電池用半導体材料の評価技術（招待講演）」大下祥雄、第 17 回結晶工学 セミナー（2012） 「物理・化学分析の最先端技術を基礎から理解する」‐グリーンデバイス材 料を中心に‐、学習院創立百周年記念会館、東京（2012 年 12 月 5 日) 21. 「SiNx:H 膜の p 型単結晶シリコンに対するパッシベーション性能への高速熱処理の影響」小 島拓人、 小田裕貴、 高井大輔、 小島信晃、 大下祥雄、 山口真史、第 73 回応用物理学会学 術講演会（2012 秋季） 、愛媛大学城北地区、松山大学文京キャンパス（2012 年 9 月 13 日) 22. 「GaAsN 中の N-H 欠陥形成に対する各原料の寄与」池田和磨、 和田卓、 稲垣充、 小島信 晃、 大下祥雄、 山口真史、第 73 回応用物理学会学術講演会（2012 秋季）、愛媛大学城北地 区、松山大学文京キャンパス（2012 年 9 月 12 日) (*5) 23. 「III-V 族薄膜の歪み評価」佐々木拓生、 大下祥雄、 山口真史、第 5 回半導体若手ワークシ ョップ－太陽電池材料開発の現在と未来－、東北大学金属材料研究所 2 号館講堂（2012 年 7 月 31 日) (*3,4) 24. 「CBE 成長した GaAsN における N-H 結合の方位分布」池田和磨、 稲垣充、 小島信晃、 大 下祥雄、 山口真史、第 9 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、京都テルサ（2012 年 5 月 31 日) (*5) 25. 「C-V-T and I-V-T characteristics for the Characterization of Electrical Properties of Undoped GaAsN Schottky Diodes Grown by Chemical Beam Epitaxy」Boussairi Bouzazi、 Nobuaki Kojima、 Yoshio Ohshita、 Masafumi Yamaguchi、第 9 回次世代の太陽光発電シ ステムシンポジウム、京都テルサ（2012 年 5 月 31 日) 26. 「GaAsN 中の再結合中心に熱処理が与える影響」幸脇広幸、 稲垣充、 池田和磨、 小島信晃、 （様式１） S0901036 プロジェクト番号 大下祥雄、 山口真史、第 9 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、京都テルサ（2012 年 5 月 31 日) 27. 「CBE における原料ガス流量比が GaAsN の電気的特性に与える影響」稲垣充、 相坂真樹、 池 田和磨、 小島信晃、 大下祥雄、 山口真史、第 9 回次世代の太陽光発電システムシンポジウ ム、京都テルサ（2012 年 5 月 31 日) 28. 「透過型電子顕微鏡を用いた歪 InGaAs 層の欠陥評価」佐々木拓生、 小島信晃、 大下祥雄、 山口真史、第 9 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、京都テルサ（2012 年 5 月 31 日) 29. 「X 線逆格子マッピングによる格子不整合 InGaAs 系の歪緩和過程の研究」西俊明、 岩崎拓 海、 佐々木拓生、 池田和磨、 鈴木秀俊、 小島信晃、 大下祥雄、 山口真史、第 9 回次世代 の太陽光発電システムシンポジウム、京都テルサ（2012 年 5 月 31 日) (*3,4) 30. 「GaAsN における支配的な電子散乱機構に関する研究」稲垣充、 池田和磨、 幸脇広幸、 小 島信晃、 大下祥雄、 山口真史、第 59 回応用物理学関係連合講演会（2012 春季）、早稲田大 学 早稲田キャンパス（2012 年 3 月 17 日) 31. 「GaAsN における同一 N-H 結合起因の伸縮・偏角モードの検討」池田和磨、 稲垣充、 和 田卓、 小島信晃、 大下祥雄、 山口真史、第 59 回応用物理学関係連合講演会（2012 春季）、 早稲田大学 早稲田キャンパス（2012 年 3 月 17 日) (*5) 32. 「高効率多接合太陽電池の開発動向（招待講演）」大下祥雄、平成 23 年度第 20 回宮崎大学太 陽光発電プロジェクト講演会、ホテルメリージュ 宮崎（2012 年 3 月 13 日) 33. 「結晶シリコン太陽電池の現状と課題（招待講演）」大下祥雄、応用電子物性分科会研究例会 結晶シリコン太陽電池の最前線、大阪大学 銀杏会館（2012 年 1 月 26 日) 34. 「多層膜系太陽電池開発の現状と課題（招待講演） 」大下祥雄、第 1 回 CROSS・JASRI 研究 会 ～中性子・放射光を利用した太陽電池解析の可能性～、研究社英語センタービル地下 1 階 中会議室（東京・飯田橋） （2012 年 1 月 16 日) 35. 「その場Ｘ線回折法による太陽電池用材料 InGaAs/GaAs の歪緩和素過程に関する研究」佐々 木拓生、 鈴木秀俊、 池田和磨、 高橋正光、 大下祥雄、 山口真史、ナノテクノロジー放射 光利用研究の最前線 2010/2011、品川ホテル ゆうぽうと（2011 年 12 月 20 日) (*3,4) 36. 「太陽電池材料開発の現状と課題（基調講演）」大下祥雄、SPrig-8 コンファレンス 2011、東 京ステーションコンファレンス（2011 年 11 月 2 日) 37. 「太陽電池材料開発の現状と課題（超高効率 III-V 系多接合太陽電池材料の評価解析）」池田和 磨、 稲垣充、 小島信晃、 大下祥雄、 山口真史、SPring-8 コンファレンス 2011、東京ステ ーションコンファレンス（2011 年 11 月 1 日) 38. 「太陽電池材料開発の現状と課題（多結晶シリコン・キャスト単結晶シリコン）」小島拓人、 大 下祥雄、 青木真理、 小島信晃、 山口真史、SPring-8 コンファレンス 2011、東京ステーショ ンコンファレンス（2011 年 11 月 1 日) 39. 「シリコン直接接合界面の電気的特性に対する Ni 汚染の影響（２）」 小島拓人、 青木真理、 小島信晃、 大下祥雄、 山口真史 第 72 回応用物理学会学術講演会（2011 年秋季）、16-059 頁 1p-ZH-6、山形大学 小白川キャンパス（2011 年 8 月 29 日～9 月 2 日） (*2) 40. 「ドーピング不純物や金属不純物が少数キャリア寿命に与える影響（招待講演）」 大下祥雄 、 第 72 回応用物理学会学術講演会（2011 年秋季）、4 頁 29a-ZR-4、山形大学 小白川キャンパ ス（2011 年 8 月 29 日～9 月 2 日） 41. 「超高効率 III-V 化合物太陽電池応用,傾斜組成バッファ層のリアルタイム構造解析」 佐々木 拓生、 鈴木秀俊、 大下祥雄、 山口真史、第 8 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、 （様式１） プロジェクト番号 192-193 頁、じゅうろくプラザ（岐阜市）（2011 年 6 月 30 日～7 月 1 日） S0901036 (*4) 42. 「(110)/(100)シリコン直接接合界面 のキャリア再結合に対する金属不純物の影響」 小島拓人、 青木真理、 小島信晃、 大下祥雄、 山口真史、第 8 回次世代の太陽光発電システムシンポジ ウム、288-289 頁、じゅうろくプラザ（岐阜市）（2011 年 6 月 30 日～7 月 1 日） (*2) 43. 「多結晶シリコン中の結晶粒界構造に対する遷移金属不純物の影響」 上甲朋広、 小島拓人、 小島信晃、 大下祥雄、 山口真史、第 8 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、286-287 頁、じゅうろくプラザ（岐阜市） （2011 年 6 月 30 日～7 月 1 日） (*2) 44. 「Mg ドープによる C 60 の構造変化に関する研究」 尾形直紀、 西誠治、 小島信晃 、 クリソ フォロ モラーレス、山口真史、第 8 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、262-263 頁、じゅうろくプラザ（岐阜市） （2011 年 6 月 30 日～7 月 1 日） 45. 「Study of the degradation of crystalline quality by magnesium atoms in C 60 thin films epitaxially grown 」 Crisoforo Morales, Nobuaki Kojima, Seiji Nishi, Naoki Ogata, Masafumi Yamaguchi、第 8 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、260-261 頁、じゅ うろくプラザ（岐阜市） （2011 年 6 月 30 日～7 月 1 日） 46. 「Midgap Overlapping of Two Opposite Carrier Traps in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy」 Boussairi Bouzazi, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi、第 8 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、204-205 頁、じゅうろくプラザ（岐阜市） （2011 年 6 月 30 日～7 月 1 日） 47. 「GaAsN の電子移動度 の自由キャリア濃度依存性」 稲垣充、池田和磨、小島信晃 、大下 祥雄 、山口真史、第 8 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、198-199 頁、じゅうろく プラザ（岐阜市） （2011 年 6 月 30 日～7 月 1 日） 48. 「GaAsN における N-H 局在振動モードの測定温度依存性」 池田和磨、稲垣充、和田卓、 小島信晃 、大下祥雄 、山口真史、第 8 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、196-197 頁、じゅうろくプラザ（岐阜市） （2011 年 6 月 30 日～7 月 1 日） 49. 「Achieving efficient Si doping in GaAsN with (311)B growth orientation」 Xiuxun Han, Makoto Inagaki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi、第 8 回次世代の 太陽光発電システムシンポジウム、194-195 頁、じゅうろくプラザ（岐阜市） （2011 年 6 月 30 日～7 月 1 日） 50. 「GaAsN 中の N-H 結合を形成する H の混入起源」 和田卓、 田中友博、 稲垣充、 小島信晃 、 大下祥雄 、 山口真史、第 8 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、188-189 頁、じゅうろくプラザ（岐阜市） （2011 年 6 月 30 日～7 月 1 日） 51. 「The advanced properties of (In)GaAsN based solar cells」 Jong-Ha Hwang, Takuo Sasaki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi、第 8 回次世代の太陽光発電 システムシンポジウム、93-94 頁、じゅうろくプラザ（岐阜市） （2011 年 6 月 30 日～7 月 1 日） 52. 「Crystal growth for super high-efficiency multi-juction solar cells（招待講演）」 Yoshio Ohshita, Takuo Sasaki, Hidetoshi Suzuki, Masamitu Takahasi, Masafumi Yamaguchi、第 30 回電子材料シンポジウム (EMS-30)、41-44 頁、ラフォーレ琵琶湖（June 29- July 1, 2011） 53. 「傾斜組成 InxGa1-xAs/GaAs(001)層のリアルタイム構造解析」 佐々木拓生,、鈴木秀俊、 高 橋正光、 藤川誠司、 大下祥雄、 山口真史、第 58 回応用物理学関連連合講演会（2011 年春 季）、p.15-102、神奈川工科大学 （2011 年 3 月 24 日～27 日） (*4) 54. 「(110)/(100)シリコン直接接合界面の再結合特性に対する Ni および Cu の影響」 小島拓人、 青木真理、 大下祥雄、 小島信晃、 山口真史、第 58 回応用物理学関連連合講演会（2011 年 （様式１） プロジェクト番号 春季）、p.16-091、神奈川工科大学 （2011 年 3 月 24 日～27 日） S0901036 (*2) 55. 「GaAsN の電子移動度低減の起源に関する研究」 稲垣充、 木村駿介、 池田和磨、 小島信 晃、 大下祥雄、 山口真史、第 58 回応用物理学関連連合講演会（2011 年春季）、p.15-100、 神奈川工科大学 （2011 年 3 月 24 日～27 日） (*3) 56. 「重水素置換原料による GaAsN 中 N-H 結合起源の検討」 和田卓、 田中友博、 稲垣充、 池 田和磨、 小島信晃、 大下祥雄、 山口真史、第 58 回応用物理学関連連合講演会（2011 年春 季）、p.15-099、神奈川工科大学 （2011 年 3 月 24 日～27 日） (*3) 57. 「理想的 GaAsN における Ga-N 結合の切断と原子位置の変位」 池田和磨, 小島信晃, 大下祥 雄, 山口真史、第 58 回応用物理学関連連合講演会（2011 年春季）、p.15-096、神奈川工科大 学 （2011 年 3 月 24 日～27 日） 58. 「ドーピング不純物や金属不純物が少数キャリア寿命に与える影響（招待講演）」 大下祥雄、 第 58 回応用物理学関連連合講演会（2011 年春季）、シンポジウム「不純物機能活性型半導体 の物性制御とデバイス応用：21 世紀型シリコンテクノロジー：低炭素化の促進に向けて」、 p.416、 神奈川工科大学 (2011 年 3 月 24 日～27 日) (*2) 59. 「超高効率多接合太陽電池に向けた III-V ヘテロエピタキシーの歪緩和過程に関する研究」 佐々木拓生、 大下祥雄、 山口真史、第 2 回半導体デバイス若手ワークショップ in 宮崎、ホ テルメリージュ（2011 年 1 月 22 日） 60. 「その場 X 線逆格子マッピングによる傾斜組成 Inx Ga 1-x As/GaAs(001)バッファ層の構造解析」 佐々木拓生、鈴木秀俊、 高橋正光、 藤川誠司、 大下祥雄、 山口真史、第 71 回応用物理学 会学術講演会（2010 年秋季）、p.15-034、長崎大学文教キャンパス （2010 年 9 月 14 日～17 日） (*4) 61. 「シリコン直接接合界面の電気的特性に対する Ni 汚染の影響」 小島拓人、 大下祥雄、 小 島信晃、 山口真史、第 71 回応用物理学会学術講演会（2014 年秋季）、p.16-086、長崎大学 文教キャンパス （2010 年 9 月 14 日～17 日） (*1) 62. 「基板傾斜角が CBE 成長 GaAsN の正孔移動度へ与える影響」 稲垣充、 鈴木秀俊、 本多 貴彦、 田中友博、 池田和磨、 和田卓、 小島信晃 、 大下祥雄 、 山口真史、第 71 回応用物 理学会学術講演会（2010 年秋季）、p.15-053、長崎大学文教キャンパス （2010 年 9 月 14 日 ～17 日） 63. 「GaAsN 結晶中における N の安定位置の基板拘束による影響」 池田和磨、 小島信晃、 寒 川義裕、 柿本浩一、 大下祥雄、 山口真史、第 71 回応用物理学会学術講演会（2011 年秋季）、 p.15-052、長崎大学文教キャンパス （2010 年 9 月 14 日～17 日） 64. 「Structural change of C 60 Films by Mg doping」 Seiji Nishi, Nobuaki Kojima, Crisoforo Morales, Masafumi Yamaguchi、第 39 回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム、p.156、 京都大学百周年記念ホール （2010 年 9 月 5 日～7 日） 65. 「Improvement of electrical properties in GaAsN by controlling step density chemical beam epitaxy growth」 during Hidetoshi Suzuki, Makoto Inagaki , Yoshio Ohshita, Nobuaki Kojima, Atsuhiko Fukuyama, Masafumi Yamaguchi、第 29 回電子材料シンポジウ ム、Th3-11、ラフォーレ修善寺 （2010 年 7 月 14 日～16 日） 66. 「III-V 太陽電池応用,傾斜組成 InXGa1-XAs/GaAs(001)バッファ層のリアルタイム構造解析」 佐々木拓生、 鈴木秀俊、崔炳久、 大下祥雄、 山口真史、第 7 回次世代の太陽光発電システ ムシンポジウム、pp.290-293、北九州国際会議場 （2010 年 7 月 8 日～9 日） (*4) 67. 「InGaAsN/GaAs における歪緩和過程の In 組成依存性」 崔炳久、 佐々木拓生、 鈴木秀俊、 （様式１） S0901036 プロジェクト番号 神谷格、 大下祥雄、山口真史、第 7 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、pp.282-285、 九州国際会議場 （2010 年 7 月 8 日～9 日） (*3) 68. 「多結晶シリコンの光干渉断層法による析出物分布観察と電気的特性評価」 小島拓人、 大 下祥雄、 小島信晃、 山口真史、第 7 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、pp.385-388、 北九州国際会議場 （2010 年 7 月 8 日～9 日） 69. 「MBE 成長 Mg ドープ C60 薄膜の構造評価」 (*1) 西誠治、 クリソフォロ モラーレス、 小島 信晃、 山口真史、第 7 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、pp.362-365、北九州国 際会議場 （2010 年 7 月 8 日～9 日）(*6) 70. 「Effect of crystalline quality on electrical properties in undoped and Mg-doped C 60 films」 Crisoforo Morales, Nobuaki Kojima, Seiji Nishi, Naoki Ogata, Masafumi Yamaguchi、第 7 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、pp.358-361、北九州国際会議場 （2010 年 7 月 8 日～9 日） 71. 「GaAsN on (311)A/B GaAs substrates: nitrogen incorporation and effects of electron irradiation」 Xiuxun Han, Tomohiro Tanaka, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi、第 7 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、pp.274-277、北九州国際会議 場 （2010 年 7 月 8 日～9 日） 72. 「GaAsN の N-H 結合が関与する欠陥の起源」 田中友博、 鈴木秀俊、 小島信晃、 大下祥 雄、 山口真史、第 7 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、pp.270-273、北九州国際 会議場 （2010 年 7 月 8 日～9 日） 73. 「Ge 基板上にコヒーレント成長した GaAsN 薄膜の構造安定性」 池田和磨、 小島信晃、 寒 川義裕、 柿本浩一、 大下祥雄、 山口真史、第 7 回次世代の太陽光発電システムシンポジウ ム、pp.258-261、北九州国際会議場 （2010 年 7 月 8 日～9 日） 74. 「Properties and numerical analysis of CBE-grown GaAsN solar cells」 Jong-Ha Hwang, Hidetoshi Suzuki, Takahiko Honda, Makoto Inagaki, Dalia Elfiky, Takuo Sasaki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi、第 7 回次世代の太陽光発電システムシンポ ジウム、pp.254-257、北九州国際会議場 （2010 年 7 月 8 日～9 日） 75. 「CBE 法により作製した GaAsN 薄膜の X 線逆格子マッピング解析」 鈴木秀俊、 稲垣充、 佐々木拓生、 小島信晃、 大下祥雄、 山口真史、第 7 回次世代の太陽光発電システムシンポ ジウム、pp.250-253、北九州国際会議場 （2010 年 7 月 8 日～9 日） 76. 「Characterization of Electron-Hole Recombination Process in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy 」 Boussairi Bouzazi, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi、第 7 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、pp.246-249、北九州国際会議 場 （2010 年 7 月 8 日～9 日） 77. 「時間分解フォトルミネッセンス法を用いた GaAsN のバンド端近傍のキャリア捕獲過程の観 察」 稲垣充、 鈴木秀俊、 小島信晃、 大下祥雄、 鈴木章生、 牟田口和真、 福山敦彦、 山口真史、第 7 回次世代の太陽光発電システムシンポジウム、pp.242-245、北九州国際会議場 （2010 年 7 月 8 日～9 日） 78. 「化学ビームエピタキシー（CBE）成長 GaAsN における少数キャリア寿命の改善」 本多貴 彦、稲垣充、 鈴木秀俊、小島信晃、 大下祥雄、 山口真史、第 7 回次世代の太陽光発電シス テムシンポジウム、pp.94-97、北九州国際会議場 （2010 年 7 月 8 日～9 日） 79. 「InGaAs/GaAs(001)の歪緩和における In 組成依存性」 崔 炳久、佐々木 拓生、鈴木 秀俊、 神谷格、大下 祥雄、山口 真史、第 57 回応用物理学関係連合講演会予稿集、 pp.15-080、 東 （様式１） プロジェクト番号 海大学湘南キャンパス (2010 年 3 月 17 日～20 日) S0901036 (*3) 80. 「その場 X 線回折の三次元逆格子空間マップを用いた格子不整合 InGaAs/GaAs(001)の歪緩和 非対称性観測」 佐々木 拓生、鈴木 秀俊、崔 炳久、高橋 正光、藤川 誠司、新船 幸二、神 谷格、大下 祥雄、山口 真史、第 57 回応用物理学関係連合講演会予稿集、 pp.15-079、 東海 大学湘南キャンパス (2010 年 3 月 17 日～20 日) (*3) 81. 「GaAsN 中の N-H 複合欠陥形成過程の重水素置換 N 原料を用いた検討」 田中 友博、 鈴 木 秀俊、小島 信晃、 大下 祥雄、 山口 真史、第 57 回応用物理学関係連合講演会予稿集、 pp.15-089、東海大学湘南キャンパス (2010 年 3 月 17 日～20 日) 82. 「化学ビームエピタキシー法による p-GaAsN の少数キャリア寿命の改善」 本多貴彦、稲垣 充、鈴木秀俊、小島信晃、大下祥雄、山口真史、第 57 回応用物理学関係連合講演会予稿集、 pp.15-088、東海大学湘南キャンパス (2010 年 3 月 17 日～20 日) 83. 「フォトルミネッセンスを用いた GaAsN のバンド端近傍のエネルギー帯構造に関する研究」 稲垣 充、鈴木 秀俊、大下 祥雄、小島 信晃、山口 真史、第 57 回応用物理学関係連合講演会 予稿集、 pp.15-087、東海大学湘南キャンパス (2010 年 3 月 17 日～20 日) 84. 「マイカ基板上 Mg ドープ C 60 膜の高温成長による構造変化」 西誠治、名取雅人、小島信晃、 山口真史、第 57 回応用物理学関係連合講演会予稿集、pp.12-027、東海大学湘南キャンパス (2010 年 3 月 17 日～20 日) 85. 「Structural Change of Mg-Doped C 60 Films Along with Growth Temperature Increasing」 S. Nishi, M. Natori, N. Kojima, M. Yamaguchi 第 38 回フラーレン・ナノチューブ総合シンポ ジウム要旨集、pp.107、名城大学 (2010 年 3 月 2 日～4 日) 86. 「その場Ｘ線逆格子空間マッピングによる格子不整合 InGaAs/GaAs の歪緩和観測」 佐々木 拓生、鈴木秀俊、崔炳久、高橋正光、藤川誠司、大下祥雄、山口真史、第 39 回結晶成長国内 会議 NCCG-39 予稿集、pp.202、名古屋大学東山キャンパス (2009 年 11 月 12 日～14 日) (*3) 87. 「超高効率タンデム型太陽電池とエピタキシャル成長技術」 大下祥雄、鈴木秀俊、佐々木拓 生、山口真史、第 39 回結晶成長国内会議 NCCG-39 予稿集、 pp.80-81、 名古屋大学東山キ ャンパス (2009 年 11 月 12 日～14 日) 88. 「GaAsN 結晶成長において基板傾斜角が電気特性に及ぼす影響」 本多貴彦、橋口大樹、鈴 木秀俊、小島信晃、大下祥雄、山口真史、第 39 回結晶成長国内会議 NCCG-39 予稿集、pp.214、 名古屋大学東山キャンパス (2009 年 11 月 12 日～14 日) 89. 「キャスト法により成長した多結晶シリコンの粒界特性」 小島拓人、大下祥雄、山口真史、 第 39 回結晶成長国内会議 NCCG-39 予稿集、pp.209、名古屋大学東山キャンパス (2009 年 11 月 12 日～14 日) (*2) 90. 「その場Ⅹ線回折の三次元逆格子空間マップを用いた InGaAs/GaAs の歪緩和非対称性観測」 佐々木拓生、鈴木秀俊、崔炳久、高橋正光、藤川誠司、新船幸二、神谷格、大下祥雄、山口真 史、第 70 回応用物理学会学術講演会予稿集、 pp.317、 富山大学五福キャンパス (2009 年 9 月 8 日～11 日) (*3) 91. 「GaAsN 薄膜中における N-H 局在振動の重水素置換 N 原料を用いた同定」 鈴木秀俊、田中 友博、小島信晃、大下祥雄、山口真史、第 70 回応用物理学会学術講演会予稿集、pp.303、富 山大学五福キャンパス (2009 年 9 月 8 日～11 日) 92. 「GaAsN の発光過程の温度依存性に関する研究」 稲垣充、鈴木秀俊、小島信晃、大下祥雄、 山口真史、第 70 回応用物理学会学術講演会予稿集、pp.302、富山大学五福キャンパス (2009 年 9 月 8 日～11 日) （様式１） S0901036 プロジェクト番号 93. 「Behavior of the Photocurrent on Mg-Doped C60 Films」 C. Morales, N. Kojima, M. Natori, S. Nishi, M. Yamaguchi、第 37 回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム要旨集、pp.160、 つくば国際会議場 (2009 年 9 月 1 日～3 日) (*6) 94. 「エピタキシャル成長 Mg ドープ C60 膜の導電率 Mg 濃度依存」 名取雅人、西誠治、小島信 晃、山口真史、第 37 回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム要旨集、pp.24、つくば国 際会議場 (2009 年 9 月 1 日～3 日) (*6) 95. 「多結晶シリコン中の欠陥・不純物の評価」 大下祥雄、結晶加工と評価技術第 145 委員会第 118 研究会資料、pp.38-41、九州大学筑紫キャンパス (2009 年 7 月 30 日～31 日) (*2) 96. 「InGaAs/GaAs における歪緩和過程の In 組成依存性」 崔炳久、佐々木拓生、鈴木秀俊、神 谷格、大下祥雄、山口真史、第 6 回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム予稿集、 pp.317-319、 朱鷺メッセ (2009 年 7 月 2 日～3 日) (*4) 97. 「その場 X 線逆格子空間マッピングによる格子不整合 InGaAs/GaAs(100)の歪緩和観測」 佐々 木拓生、鈴木秀俊、崔炳久、大下祥雄、山口真史、第 6 回「次世代の太陽光発電システム」シ ンポジウム予稿集、pp.147-150、朱鷺メッセ (2009 年 7 月 2 日～3 日) (*3) 98. 「Possible applications of quantum dots-in-a-well structure in solar cells: more freedom in band engineering」 X. Han, H. Suzuki, N. Kojima, Y. Ohshita, M. Yamaguchi、第 6 回「次 世代の太陽光発電システム」シンポジウム予稿集、pp.359-362、朱鷺メッセ (2009 年 7 月 2 日～3 日) 99. 「Mg ドープ C 60 エピタキシャル膜の導電率における Mg 濃度依存」 名取雅人、小島信晃、 山口真史、第 6 回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム予稿集、pp.347-350、朱鷺メ ッセ (2009 年 7 月 2 日～3 日) 100. 「Effects of H-related structures on the electrical properties of H-implanted GaAsN」 Jong-Han Lee, Hidetoshi Suzuki, Yoshio Ohshita and Masafumi Yamaguchi、第 6 回「次世 代の太陽光発電システム」シンポジウム予稿集、pp.324-327、朱鷺メッセ (2009 年 7 月 2 日 ～3 日) 101.「重水素置換原料を用いた GaAsN 中 N-H 複合欠陥の構造評価」 田中友博、鈴木秀俊、小島 信晃、大下祥雄、山口真史、第 6 回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム予稿集、 pp.320-323、朱鷺メッセ (2009 年 7 月 2 日～3 日) (*5) 102. 「微傾斜基板を用いた結晶成長による GaAsN の電気的特性の改善」 本多貴彦、鈴木秀俊、 橋口大樹、小島信晃、大下祥雄、山口真史、第 6 回「次世代の太陽光発電システム」シンポジ ウム予稿集、 pp.313-316、朱鷺メッセ (2009 年 7 月 2 日～3 日) 103. 「GaAsN における N 起因の正孔散乱に関する研究」 鈴木秀俊、橋口大樹、小島信晃、大下 祥雄、山口真史、第 6 回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム予稿集、 pp.309-312、 朱鷺メッセ (2009 年 7 月 2 日～3 日) 104. 「 Recombination center in p-type GaAsN grown by Chemical beam Epitaxy 」 B. Boussairi, H. Suzuki, J.H. Lee, M. Inagaki, J.H. Hwang, N. Kojima, Y. Ohshita, and M. Yamaguchi、第 6 回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム予稿集、pp.305-308、 朱 鷺メッセ (2009 年 7 月 2 日～3 日) 105. 「The effect of surface steps during crystal growth on (In)GaAsN based solar cells」 minority carrier life time of J.H. Hwang, H. Suzuki, N. Kojima, Y. Ohshita and M.Yamaguchi，第 6 回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム予稿集、pp.301-304、 朱 鷺メッセ (2009 年 7 月 2 日～3 日) （様式１） プロジェクト番号 S0901036 106. 「GaAsN の伝導帯近傍の電子構造に関する研究」 稲垣充、鈴木秀俊、大下祥雄、小島信晃、 牟田口和真、福山敦彦、山口真史、第 6 回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム予稿 集、 pp.289-292、、朱鷺メッセ (2009 年 7 月 2 日～3 日) 107. 「多結晶シリコンにおける結晶粒界構造と電気特性」 小島拓人、福田晃司、大下祥雄、山口 真史、第 6 回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム予稿集、pp.49-52、朱鷺メッセ (2009 年 7 月 2 日～3 日) 108.「その場 X 線回折による格子不整合 InGaAs スラッシュ GaAs のひずみ緩和過程に関する研究」 佐々木拓生、鈴木秀俊、崔炳久、高橋正光、藤川誠司、神谷格、大下祥雄、山口真史、ナノテ クノロジー放射光利用研究の最前線 2008 要旨集, pp.19-20、物質・材料研究機構千現地区 (2009 年 5 月 8 日) (*3) “光機能材料・素子： 蛍光素子” 1. 「XRD による InAs 量子ドット上のキャップ層成長のその場観察」 下村憲一、鈴木秀俊、佐々木拓 生、高橋正光、大下祥雄、神谷格、2013 年第 74 回応用物理学会秋季学術講演会 19p-D3-12、同 志社大学京田辺キャンパス、2013 年 9 月 19 日 （9/16-20）. 2. (*7) 「InGaAs キャップ層の膜厚制御による InAs 量子ドット発光波長の変化」 下村憲一、神谷格、2013 年春季第 60 回応用物理学関係連合講演会 28a-G20-5、神奈川工科大学、2013 年 3 月 28 日 （3/27-30）. 3. (*8) 「キャップ層による歪制御における量子ドットサイズの依存性」 下村憲一、David Tex、神谷格、 2012 年秋季第 73 回応用物理学会学術講演会 12a-J-10、愛媛大学、2012 年 9 月 12 日 （9/11-14）. 4. (*7) 「GaAs 上 InAs 量子ドット形成における RHEED 強度変化の As 流量依存性」 下村憲一、白坂健 生、David Tex、神谷格、2012 年春季第５９回応用物理学関係連合講演会 16p-A8-10、早稲田大 学、2012 年 3 月 16 日 （3/15-18）. (*7) 5. 「InAs 量子ドット形成における RHEED パターンの観察」 下村憲一、白坂健生、David Tex、神谷 格、2011 年秋季第７２回応用物理学会学術講演会 31p-ZA-13、山形大学、2011 年 8 月 31 日 （8/29-9/2）. 6. (*7) 「InAs 量子ドット形成における RHEED 強度変化の観察」 下村憲一、白坂健生、David Tex、神谷 格、２０１１年春季第５８回応用物理学関係連合講演会 24p-BQ-15、神奈川工科大学、2011 年 3 月 24 日 （3/24-27） ：見做し開催 (*7) 7. 「水溶液法による PbS ナノ粒子の合成」 荒川修一、松尾菜実子、Wei Lü、神谷格、日本セラミックス 協会 2011 年年会 2P175 (p.223)、静岡大学、2011 年 3 月 17 日 （3/16-18）. 8. (*10) 「GaAs(001)上 InAs 量子ドット核形成に対する MBE 成長時の As4 流量の影響」 白坂健生、下村 憲一、神谷格、2010 年秋季第７１回応用物理学会学術講演会 15p-ZV-5、長崎大学、2010 年 9 月 9. 15 日 （9/14-17）. (*7) 「石英や GaAs 基板上に作製した PbS 量子ドット薄膜の蛍光計測」 呂威、山田郁彦、神谷格、2010 年秋季第７１回応用物理学会学術講演会 14p-NC-17、長崎大学、2010 年 9 月 14 日 （9/14-17）. (*10) 10. 「GaAs 基板上に作製した PbS 量子ドット単層膜」 呂威、山田郁彦、神谷格、2010 年春季第５７回応 用物理学関係連合講演会 18a-TM-3、東海大学湘南キャンパス、2010 年 3 月 18 日 （3/17-20）. （様式１） プロジェクト番号 S0901036 (*11) 11. 「GaAs(001)上の InAs 量子ドットの密度の MBE 成長時の As 4 流量依存性」 白坂健生、（下村憲 一）、神谷格、2010 年春季第５７回応用物理学関係連合講演会 17p-TW-1、東海大学湘南キャンパ ス、2010 年 3 月 17 日 （3/17-20）. (*7) 12. 「アニール温度に依存した PbS ナノクリスタル薄膜の発光特性」 呂威、神谷格、2009 年秋季第７０ 回応用物理学会学術講演会（予稿集 p.1341）、富山大学、2009 年 9 月 10 日 （9/8-11）. (*11) “光機能材料・素子： 光変換素子” 1. 「フェムト秒励起光伝導相関法による InAs 量子構造の光キャリアダイナミクス」 山田泰裕、David M. Tex、神谷格、金光義彦、日本物理学会 2013 年秋季大会、徳島大学常三島キャンパス、2013 年 9 月 26 日 （9/25-28）. 2. (*12) 「Relative strength of upconversion through Auger, thermal and two-step two-photon absorption processes in InAs quantum structures」 David Tex、神谷格、金光義彦、2013 年春 季第 60 回応用物理学関係連合講演会 28p-G20-15、神奈川工科大学、2013 年 3 月 28 日 （3/27-30）. 3. (*12) 「Upconverted photocurrent for efficient intermediate state solar cells through Auger processes in InAs quantum structures」 David Tex、神谷格、金光義彦、2012 年秋季第 73 回 応用物理学会学術講演会 11a-F-7、愛媛大学、2012 年 9 月 11 日 （9/11-14）. 4. (*13) 「Photon upconversion through spatial overlap of excitons in InAs quantum well islands」 David Tex、神谷格、2012 年春季第５９回応用物理学関係連合講演会 17a-E1-9、早稲田大学、 2012 年 3 月 17 日 （3/15-18）. (*12) 5. 「InAs 量子構造による赤外から可視光へのアップコンバーションの InAs 膜厚依存性 (Thickness dependence of InAs quantum structures for upconversion of infrared to the visible regime)」 David Tex、神谷格、2011 年秋季第７２回応用物理学会学術講演会 1a-K-14、山形大学、2011 年 9 月 1 日 （8/29-9/2）. (*12) 6. 「Life time measurement on upconversion from GaAs band gap」 David Tex、神谷格、2011 年春季第５８回応用物理学関係連合講演会 25a-BW-11、神奈川工科大学、2011 年 3 月 25 日 （3/24-27） ：見做し開催. (*12) “化学機能材料・素子： 局所構造の化学的作製と評価” 1. 「KFM を用いた Si-電極界面のナノスケールにおける仕事関数測定」 山田郁彦、吉田学、徳久英 雄、青木真理、伊東宇一、住田勲勇、関根重信、神谷格、大下祥雄、2013 年第 74 回応用物理学会 秋季学術講演会 17a-A4-6、同志社大学京田辺キャンパス、2013 年 9 月 17 日 （9/16-20）. (*17) 2. 「Electron Transport Properties of Single-layer Si Nanosheets Fabricated by Soft Chemical Synthetic Method （単層 Si ナノシートの作製と電子輸送特性評価）」 Takashi Ikuno, Fumihiko Yamada, Hirotaka Okamoto, Yusuke Sugiyama, Itaru Kamiya, Hideyuki Nakano, 2013 年 春季第 60 回応用物理学関係連合講演会 29a-F1-6、神奈川工科大学、2013 年 3 月 29 日 （様式１） プロジェクト番号 S0901036 （3/27-30）. 3. 「AFM を用いた Si-金属ペースト電極（銀及び銅）界面のポテンシャル測定」 山田郁彦、吉田学、青 木真理、伊東宇一、住田勲勇、神谷格、大下祥雄、2013 年春季第 60 回応用物理学関係連合講演 会 29a-A4-3、神奈川工科大学、2013 年 3 月 29 日 （3/27-30）. (*17) 4. 「InAs ドットを用いた EFM による膜厚測定における定量性の検討」 山田郁彦、下村憲一、神谷格 2012 年秋季第 73 回応用物理学会学術講演会 12a-E-11 愛媛大学、2012 年 9 月 12 日 （9/11-14）. (*18) 5. 「EFM を用いた半導体表面上酸化物ナノ構造の厚み分布測定の検討」 山田郁彦、神谷格 2012 年春季第５９回応用物理学関係連合講演会 16a-F5-3 早稲田大学、2012 年 3 月 16 日 （3/15-18）. (*15,16) 6. 「GaAs 表面上に生成した酸化物ナノ構造の EFM を用いた厚み分析手法の検討」 山田郁彦、神谷 格、2011 年秋季第７２回応用物理学会学術講演会 31a-A-2、山形大学、2011 年 8 月 31 日 （8/29-9/2）. (*15,16) 7. 「AFM を用いた GaAs 表面上酸化物ナノ粒子の厚み分布解析」 山田郁彦、神谷格、2011 年春季第 ５８回応用物理学関係連合講演会 24a-KS-9、神奈川工科大学、2011 年 3 月 24 日 （3/24-27） ： 見做し開催. (*15,16) 8. 「Droplet epitaxy による In ナノ電極の形成とその導電性」 賀数広海、神谷格、田中一郎、2011 年 春季第 58 回応用物理学関係連合講演会 24p-BQ-16、神奈川工科大学、2011 年 3 月 24 日 （3/24-27） ：見做し開催 9. 「湿潤プロセスで生成した GaAs 表面上酸化ガリウム粒子のキャパシタンス測定」 山田郁彦、神谷 格、2010 年秋季第７１回応用物理学会学術講演会 17a-P13-13、長崎大学、2010 年 9 月 17 日 （9/14-17）. (*14) 10. 「キャップ層のドナー濃度による III-V 半導体表面フェルミレベルピニングの制御」 賀数広海、山田 郁 彦 、 David Tex 、 田 中 一 郎 、 神 谷 格 、 2010 年 秋 季 第 ７ １ 回 応 用 物 理 学 会 学 術 講 演 会 14p-NC-13、長崎大学、2010 年 9 月 14 日 （9/14-17） 11. 「Structures and electronics of buried and unburied semiconductor interfaces （埋もれ た・埋もれていない半導体界面の構造と電子物性： 招待講演）」 神谷格、埋もれた界面の X 線・中 性子解析に関するワークショップ 2010、名古屋大学、 2010 年 7 月 26 日 （7/25-27） 12. 「湿潤プロセスによる GaAs の表面状態制御」 山田郁彦、伊藤英輔、原正彦、神谷格、2010 年春季 第５７回応用物理学関係連合講演会 19a-TS-8、東海大学湘南キャンパス、2010 年 3 月 19 日 （3/17-20）. (*14) 13. 「湿潤プロセスにより生成した GaAs 基板表面上粒子構造の電流電圧特性評価」 山田郁彦、佐々木 拓生、荒川修一、神谷格、2009 年秋季第７０回応用物理学会学術講演会（予稿集 p.1295）、富山大 学、2009 年 9 月 10 日 （9/8-11）. (*14) “化学機能材料・素子： 機能性コンポジット” 1. 「白金担持アロフェンナノ粒子の合成」 荒川修一、松浦洋航、伊與田文俊、林修平、岡本正巳、林秀 共、日本セラミックス協会２０１３年年会、東京工業大学、２０１３年３月１７日 （3/17-19）. (*19) “化学機能材料・素子： 光触媒” 1. 「光触媒を利用した化学反応 (Invited)」 山方啓、名工大オープンキャンパス４大学合同アフタヌー ンセミナー、名古屋工業大学 （2013.6）. （様式１） プロジェクト番号 2. S0901036 「水の光接触酸化反応に及ぼす光励起電子寿命の影響」 天野史章、中田真嗣、山崎晋平、朝見賢 二、山方啓、第１１１回 触媒討論会、関西大学千里山キャンパス （2013.3）. 3. 「種々の遷移金属をドープした SrTiO3 の光触媒特性」 大川真弘、犬飼学、神谷格、山方啓、日本 化学会第９３春季年会、立命館大学びわこ・くさつキャンパス （2013.3）. 4. 「光析出反応による光触媒表面修飾」 高木将樹、犬飼学、神谷格、山方啓、日本化学会第９３春季 年会、立命館大学びわこ・くさつキャンパス （2013.3）. 5. 「光触媒の光励起ダイナミクス」 山方啓、先端フォトンテクノロジー研究センター第１３回シンポジウ ム、豊田工業大学 （2013.3）. 6. 「接合型光触媒のキャリアダイナミクス」 奥山竜太、犬飼学、神谷格、山方啓、先端フォトンテクノロ ジー研究センター第１３回シンポジウム、豊田工業大学 （2013.3）. 7. 「WO 3 光触媒への酸化銅担持の影響と活性評価」 高木将樹、犬飼学、神谷格、山方啓、先端フォト ンテクノロジー研究センター第１３回シンポジウム、豊田工業大学 （2013.3）. 8. 「遷移金属ドーピング系可視光応答型光触媒の光励起キャリアーの挙動と活性評価」 大川真弘、犬 飼学、神谷格、山方啓、先端フォトンテクノロジー研究センター第１３回シンポジウム、豊田工業大学 （2013.3）. (*21) 9. 「遷移金属をドープした複合型光触媒の反応活性」 犬飼学、奥山竜太、神谷格、山方啓、第１２回日 本表面科学会中部支部学術講演会、名城大学名駅サテライト （2012.12）. (*21) 10. 「時間分解赤外分光法を用いた助触媒への電荷移動観察」 山方啓、西村直之、嶺岸耕、久保田 純、堂免一成、第２回フォーラム「人工光合成」、東京工業大学大岡山キャンパス 東工大蔵前会館 （2012.12）. 11. 「時間分解赤外分光法でみた光触媒から助触媒への電荷移動過程」 山方啓、西村直之、嶺岸耕、 久保田純、堂免一成、表面・界面スペクトロスコピー２０１２、ホテル阪急エキスポパーク （2012.12）. 12. 「接合光触媒の光励起キャリアダイナミクス」 奥山竜太、犬飼学、神谷格、山方啓、表面・界面スペク トロスコピー２０１２、ホテル阪急エキスポパーク （2012.12）. (*21) 13. 「光触媒反応の時間分解赤外分光観察」 山方啓、第４３回中部化学関係学協会支部連合秋季大 会、名古屋工業大学 （2012.11）. 14. 「赤外分光法を用いた光触媒反応の解析 (Invited)」 山方啓、第２２回キャラクタリゼーション講習 会－触媒および表面のキャラクタリゼーションの原理と実例－、大阪大学基礎工学研究科国際棟 （2012.10）. 15. 「電極界面におけるイオンの水和構造ダイナミクス」 山方啓、特定領域研究「分子高次系機能解明 のための分子科学－先端計測法の開拓による素過程的理解」成果公開シンポジウム、東工大すず かけキャンパス （2012.5）. 16. “Control of behavior and energy state of photogenerated charge carriers,” A. Yamakata、ＪＳ Ｔさきがけ研究領域合同国際シンポジウム、慶応大学 （2012.3）. 17. 「光励起キャリアーの動きとエネルギー制御」 山方啓、第１回「フォーラム：人工光合成」、科学技術 振興機構東京本部地階ホール （2012.1）. 18. 「電極表面に固定した KcsA の♂構造変化 (Invited)」 山方啓、清水啓史、大澤雅俊、老木成稔、 第１５回 ミニ公開シンポジウム「イオンチャネル研究の現状とこれからについて考える」、大阪大学会 館会議室 （2012.1）. 19. 「遷移金属をドープしたチタン酸ストロンチウムの光励起過程」 山方啓、大川真弘、犬飼学、神谷 格、表面界面スペクトロスコピー２０１１、マホロバ・ツインズ三浦 （2011.12）. 20. 「遷移金属をドープした SrTiO3 のキャリアダイナミクス」 山方啓、大川真弘、神谷格、第１０８回触媒 （様式１） プロジェクト番号 S0901036 討論会、北見工業大学 （2011.9）. 21. 「SrTiO3 の構造とキャリアダイナミクス」 大川真弘、山方啓、神谷格、第１０８回触媒討論会、北見 工業大学 （2011.9）. “カーボンナノ構造の形成制御” 1. “Effect of High Pressure Pre-Annealing on Graphene Growth on Copper by Chemical Vapor Deposition,” Seiya Suzuki, Takashi Nagamori, Yuki Matsuoka, Masamichi Yoshimura, 第 45 回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム、2013 年 8 月 6 日. 2. “Effect of Catalytic Elements to the Growth of Nano-Carbon Composite Films,” Yuki Matsuoka, Masamichi Yoshimura, 第 45 回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シ ンポジウム、2013 年 8 月 5 日. (*23) 3. 「STM と DFT 計算を用いた MoO 2 (010)/Mo(110)櫛状構造の形成に関する考察」 岡田有史， 原紳介，吉村雅満，石川洋一、日本物理学会第 68 回年次大会、2013.3.26. 4. 「In-situ STM による Au 上の分子ナノ構造の作製と観察」 河端 健，岡田有史，吉村雅満， 石川洋一、第 59 回 応用物理学関係連合講演会、March 17, 2012. 5. 「グラフェン転写した HOPG 上のモアレ構造の STM 観察」 石原雅大、吉村雅満、第 42 回 フ ラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム March 8, 2012. 6. 「カーボンナノチューブ柱の傾きへの触媒パターン形状の影響」 松岡佑樹、吉村雅満、サマ ッハタウフィック、ジョンハート、第 42 回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シン ポジウム March 6, 2012. 7. “Efficient Production of Nanostructured Carbon by Nickel Oxide Nanoparticles,” Gemma Rius, Luong Xuan Dien, and Masamichi Yoshimura, 第 42 回 フラーレン・ナノチューブ・ グラフェン総合シンポジウム、March 6, 2012. 8. “Study of carbon nanowalls formation by plasma-enhanced chemical vapor deposition on copper supports,” G. Rius and M. Yoshimura, 第 41 回 フラーレン・ナノチューブ・グラフ ェン総合シンポジウム 2011 年 9 月 7 日. 9. 「表面原子ステップが及ぼす電気特性評価」 龍 田中弥生，神田隆生，永利一幸，吉村雅満，江 修、第 72 回 応用物理学会学術講演会、2011 年 8 月 30 日. 10. 「真空中加熱によるカーボンナノウォールの構造変化」 鈴木誠也、吉村雅満 、第 58 回応用 物理学関係連合講演会、神奈川大学、2011 年 3 月 25 日 11. 「大気中加熱によるカーボンナノウォールの構造変化」 鈴木誠也、吉村雅満 、第 39 回フラ ーレン・ナノチューブ総合シンポジウム、京都大学、2010 年 9 月 5 日～7 日 12. 「エタノールを用いたナノカーボン複合体合成」 松岡佑樹、吉村雅満 、第 71 回応用物理学 会学術講演会、長崎大学、2010 年 9 月 14 日～17 日 13. 「大気中加熱によるカーボンナノウォールの高品質化」 鈴木誠也、吉村雅満 、第 71 回応用 物理学会学術講演会、長崎大学、2010 年 9 月 14 日～17 日 14. 「プラズマ CVD による Pd ナノワイヤー/CNT 複合構造の作製機構」 吉村雅満、第 71 回応用 物理学会学術講演会、長崎大学、2010 年 9 月 14 日～17 日. (*23) 15. 「Carbon nanotubes integrated on commercial atomic force microscopy tips for optimal electrical and mechanical characterization」 ジェマ リウス、イアン・トーマス・クラーク、 （様式１） プロジェクト番号 S0901036 松岡佑樹、鈴木誠也、吉村雅満、第 71 回応用物理学会学術講演会、長崎大学、2010 年 9 月 14 日～17 日 16. 「瞬間冷却を用いた高品質グラフェンの CVD 合成」 加門慶一、宮田耕充、大橋一範、北浦 良、埜口富士男、吉村雅満、篠原久典、第 39 回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム、 京都大学、2010 年 9 月 5 日～7 日 17. 「エタノールからのナノカーボン複合体合成」 松岡佑樹、吉村雅満、第 39 回フラーレン・ ナノチューブ総合シンポジウム、京都大学、2010 年 9 月 5 日～7 日 18. 「TiO 2 （110）表面上サイズ選別 Pt クラスタの STM 観察」 渡邊佳英、磯村典武、平田裕人、吉村雅 満、名古屋国際会議場日本顕微鏡学会第 66 回学術講演会、2010 年 5 月 23～26 日 19. 「STM を用いたカーボンナノチューブの光吸収分光測定」 駒口哲也、成瀬延康、佐藤弘紹、目良 裕、吉村雅満、前田康二、2009 年秋季 第 70 回応用物理学会学術講演会、富山大学、2009 年 9 月 8 日～11 日 20. 「プローブ顕微鏡用カーボンナノチューブ探針（招待講演）」 吉村雅満、邱 建超、田仲 圭、Clark Ian、2010 年春季第 57 回応用物理学関係連合講演会、東海大学、2010 年 3 月 17 日～20 日. (*23) 21. 「マイクロ波プラズマ化学気相成長カーボンナノウォールの水素エッチング効果」 鈴木誠也、吉村雅 満。 2010 年春季第 57 回応用物理学関係連合講演会、東海大学、2010 年 3 月 17 日～20 日. (*22) 22. 「アルコール化学気相成長法によるカーボンナノチューブ合成におけるバッファー層の影響」 松岡佑 樹、吉村雅満。2010 年春季第 57 回応用物理学関係連合講演会、東海大学、2010 年 3 月 17 日～ 20 日 23. 「MoO 2 方形断面ナノチューブの I-V 特性評価」 櫻井琢武、半田浩之、石川 誠、吹留博一、吉村雅 満、阿部俊三、末光眞希、2010 年春季第 57 回応用物理学関係連合講演会、東海大学、2010 年 3 月 17 日～20 日 24. 「Al/Si(110)再構成表面の STM 観察」 松岡大貴、吉村雅満、2010 年春季第 57 回応用物理学関係 連合講演会、東海大学、2010 年 3 月 17 日～20 日 25. 「Pd/Ni(111)初期成長過程」 梅澤憲司、大平 豊、原 紳介、吉村雅満、福田常男、2010 年春季第 57 回応用物理学関係連合講演会、東海大学、2010 年 3 月 17 日～20 日 26. 「真空中加熱によるカーボンナノウォールの高品質化」 鈴木誠也、吉村雅満、第 40 回フラ ーレン・ナノチューブ総合シンポジウム、名城大学、2010 年 3 月 8 日～10 日 27. 「アルコール化学気相成長法によるカーボンナノチューブ合成におけるバッファー層の影響」 松岡佑 樹、吉村雅満、第 38 回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム、名城大学、2010 年 3 月 2 日～4 日 28. 「マイクロ波プラズマ化学気相成長カーボンナノウォールの水素エッチング効果」 鈴木誠也、吉村雅 満、第 38 回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム、名城大学、2010 年 3 月 2 日～4 日 (*22) 29. 「SPM カンチレバー先端での Co, Ni, Pd 粒子内包 CNT の作製」 クラーク・イアン・トーマス、吉村雅 満、第 38 回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム、名城大学、2010 年 3 月 2 日～4 日 (*23) 30. 「STM による水素被覆シリコン表面の構造変化（招待講演）」 日本表面科学会・真空協会合同研究 会「水素関連研究の最先端」、名城大学名駅サテライト（SIA ビル 13 階）会議室, 2010 年 2 月 5 日 31. 「Growth and Characterization of Co-, Ni-, and Pd-Nanoparticle-Containing CNTs on SPM Probe Apices」 Ian Thomas Clark、吉村雅満、第９回 日本表面科学会中部支部 学術講演会、 名工大、2009 年 12 月 19 日. (*23) （様式１） S0901036 プロジェクト番号 32. 「マイクロ波プラズマ化学気相成長法で合成されたカーボンナノウォールの水素エッチング効果」 鈴 木誠也、吉村雅満、第９回 日本表面科学会中部支部 学術講演会、名工大、2009 年 12 月 19 日 33. 「アルコール化学気相成長法による単層カーボンナノチューブ合成に関する研究」 松岡佑樹、吉村 雅満、第９回 日本表面科学会中部支部 学術講演会、名工大、2009 年 12 月 19 日 34. 「TiO 2 (110)表面上サイズ選別 Pt クラスタの STM 観察」 磯村典武、呉行陽、渡邊佳英、吉村雅 満、第 29 回表面科学学術講演会、東京、2009 年 10 月 27-29 日 35. 「Carbon nanotube tips for high-resolution SPM （招待講演）」 吉村雅満、東北大学・電気通信 研究所・共同プロジェクト研究会「次世代デバイス応用を企図したグラフェン形成機構の解明及び制 御の研究」、東北大学電気通信研究所 2009 年 10 月 6 日 36. 「電極間に架橋したカーボンナノチューブの高速・高分解能ラマンイメージング」 内山知也、太田泰 輔、小林実、吉村雅満、第 3 回分子科学討論会 2009 名古屋、名古屋大学 2009 年 9 月 21 日～24 日 37. 「プローブ顕微鏡の基礎と応用（招待講演）」 吉村雅満、応用物理学会東海支部セミナー「薄膜の評 価技術」、名古屋大学 2009 年 9 月 14 日 38. 「電極間に架橋したカーボンナノチューブの高速・高分解能ラマンイメージング」 内山知也、小林実、 太田泰輔、吉村雅満、第 37 回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム、つくば国際会議場（エポカ ルつくば） 2009 年 9 月 1 日～3 日 39. 「SPM の新技術動向とロードマップ点検（招待講演）」 吉村雅満、日本学術振興会・産学協力委員 会 ナノプローブテクノロジー第 167 委員会 第 55 回研究会桐生地域地場産業振興センター2009 年 7 月 23 日 “局所磁性構造： 局所磁性” 1. 「CoB/Ni 磁性細線における電流磁壁駆動」 粟野博之、Duc The Ngo, 電子情報通信学会磁 気記録・情報ストレージ研究会, 名古屋大学（2013）. (*24) 2. 「熱アシスト磁気記録用ライトワンス反強磁性媒体の加熱による磁化状態変化」 大野紘明、 寺崎慎也、渡辺祝仁、粟野博之, 第 35 回日本応用磁気学会学術講演会, 新潟コンベンション センター、2011 年 9 月 3. 「ポリカーボネイト基盤を用いた磁性細線の研究」 江口亮、粂田一洋、宮本淳、 粟野博之, 第 35 回日本応用磁気学会学術講演会, 新潟コンベンションセンター、2011 年 9 月 4. 「磁性ナノパターン形状における磁壁の電流駆動観察」 ドク 兼平冬馬、高橋良彰、池田浩太郎、 テンゴ, 粟野博之, 第 35 回日本応用磁気学会学術講演会, 新潟コンベンションセンタ ー、2011 年 9 月 5. 「磁性ナノワイヤにおけるマルチパルス磁壁駆動の観察」 池田浩太郎、ドク 博之, テンゴ, 粟野 第 35 回日本応用磁気学会学術講演会, 新潟コンベンションセンター、2011 年 9 月. (*25) 6. 「CoB/Ni 磁性細線における磁壁電流駆動の非対称 Hall 信号」 粟野博之、池田浩太郎、Duc The Ngo、２０11 年秋季第７2 回応用物理学会学術講演会（31a-ZS-21）、山形大学、2011 年 8 7. 8. 月 31 日 （8/29-9/2）. (*24) 「溝形状パターン媒体の磁化反転解析」 粟野博之、池田浩太郎、野村祐浩、第 71 回日本応 用物理学会学術講演会、長崎大学、2010 年 9 月. (*25) 「強磁性-反強磁性型パターンドメディアの基礎検討」 粟野博之、寺崎慎也、宮本淳、渡辺祝 仁、第 34 回日本磁気学会学術講演会、筑波国際会議場、2010 年 9 月 8 日. (*25) （様式１） プロジェクト番号 S0901036 国際会議 “光機能素子・材料： 太陽電池” 1. “Bond orientation of N-H Complex in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy,” Kazuma Ikeda, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Kyotanabe Campus, Doshisha University, Kyoto, Japan (September 18, 2013). (*5) 2. “Relation between Increase of Surface Recombination Velocity by Light Irradiation and Dangling Bonds,” Daisuke Takai, Takuto Kojima, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Kyotanabe Campus, Doshisha University, Kyoto, Japan (September 18, 2013). 3. “III-V-N Materials for Super High Efficiency Multi-Junction Solar Cells,” Kazuma Ikeda, Masafumi Yamaguchi, Boussairi Bouzazi, Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, 10th International Conference on Nitride Semiconductors（ICNS-10), Gaylord National Hotel and Convention Center, WashingtonDC, USA (August 26, 2013). 4. “Crystalline silicon solar cell project for higher conversion efficiency and lower cost(Invited),” Yoshio Ohshita, Crystalline silicon solar cells workshop 2013, Korea University, Seoul, Korea (September 3, 2013). 5. “III-V-N Materials for Super High Efficiency Multi-Junction Solar Cells,” Kazuma Ikeda, Masafumi Yamaguchi, Boussairi Bouzazi, Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, 10th International Conference on Nitride Semiconductors（ICNS-10), Gaylord National Hotel and Convention Center, Washington DC, USA (August 26, 2013). 6. “Arsenic Source Flow Rate Dependence of Minority Carrier Lifetime in GaAsN grown by Chemical Beam Epitaxy,“ Boussairi Bouzazi, Maki Aisaka, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC39), Tampa Convention Center, Florida, USA (June 19, 2013). 7. “Preferential N-H Bond Orientation in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy,” Kazuma Ikeda, Makoto Inagaki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC39), Tampa Convention Center, Florida, USA (June 19, 2013). 8. “Crystal growth for super high-efficiency multi-junction Solar cells (Invited),” Yoshio Ohshita, The Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG 2013), Westin Resort & Spa, Cancun, Mexico (June 10, 2013). 9. “Real-Time Study of Strain Relaxation in Lattice-Mismatched InGaAs/GaAs by X-ray Diffraction (invited),” Yoshio Ohshita, Takuo Sasaki, Kazuma Ikeda, Compound Semiconductor Week 2013 (ISCS & IPRM), Kobe Convention Center, Kobe, Japan (May 20, 2013). (*3) 10. “Effect of Arsenic source Flow Rate on Lattice Defects in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy,” Boussairi Bouzazi, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Compound Semiconductor Week 2013 (ISCS & IPRM), Kobe Convention Center, Kobe, Japan (May 20, 2013). （様式１） プロジェクト番号 S0901036 11. “Preferential N-H Bond Direction in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy,” Kazuma Ikeda, Makoto Inagaki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Compound Semiconductor Week 2013 (ISCS & IPRM), Kobe Convention Center, Kobe, Japan (May 20, 2013), 12. “Optical DLTS for the Study of deep-level defects in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy,” Hiroyuki Kowaki, Kan Hua Lee, Takuto Kojima, Makoto Inagaki, Kazuma Ikeda, Boussairi Bouzazi, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, N. J. Ekins-Daukes, Compound Semiconductor Week 2013 (ISCS & IPRM), Kobe Convention Center, Kobe, Japan (May 20, 2013). 13. “Characteristics of GaAsN Solar Cell Fabricated by Chemical Beam Epitaxy,” M. Inagaki, Boussairi Bouzazi, K. Demizu, O. Elleuch, Kazuma Ikeda, Nobuaki Kojima, T. Kojima, Yoshio Ohshita, H. Kowaki, Masafumi Yamaguchi, 9th International Conference on Concentrator Photovoltaic Systems (CPV-9), Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan (April 16, 2013). 14. “Analysis of Defects in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy on High Index GaAs Substrates,” Boussairi Bouzazi, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 9th International Conference on Concentrator Photovoltaic Systems (CPV-9), Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan (April 16, 2013). 15. “Optical DLTS for the Study of Recombination Centers in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy,” H. Kowaki, Boussairi Bouzazi, N. Ekin-Daukes, Kazuma Ikeda, M. Inagaki, T. Kojima, Nobuaki Kojima, K. Lee, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 9th International Conference on Concentrator Photovoltaic Systems (CPV-9), Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan (April 15, 2013). 16. “Ga2Se3 and (InGa)2Se3 as Novel Buffer Layers in the GaAs on Si System,” Nobuaki Kojima, C. Morales, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 9th International Conference on Concentrator Photovoltaic Systems (CPV-9), Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan (April 15, 2013). 17. “N-H Peak Shift in GaAsN by Band Gap Exitation,” Kazuma Ikeda, M. Inagaki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Yamakata Akira, 9th International Conference on Concentrator Photovoltaic Systems (CPV-9), Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan (April 15, 2013). 18. “Dominance of multi－phonon emission in the electron－capture cross section of gap states in GaAsN grown by chemical beam epitaxy,” Boussairi Bouzazi, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, The 22nd Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-22), The Dragon Hotel, Hangzhou, China (November 8, 2012). 19. “III-VI compounds as novel buffer layer structure in the GaAs on Si system,” Crisoforo Morales, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, The 22nd Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-22), The Dragon Hotel, Hangzhou, China (November 8, 2012). 20. “Contribution of As source gas to N-H defect formation in GaAsN grown by chemical beam epitaxy,” Kazuma Ikeda, Makoto Inagaki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi,The 22nd Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-22), The （様式１） プロジェクト番号 S0901036 Dragon Hotel, Hangzhou, China (November 8, 2012). 21. “III-V-N Materials for Super High Efficiency Multijunction Solar Cells,” Masafumi Yamaguchi, Boussairi Bouzazi, Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan (October 18, 2012). 22. “Defects in Electron-Irradiated and Hydrogenated GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy,” Boussairi Bouzazi, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012), Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan (September 25, 2012). 23. “N-H Defect Formation Mechanism in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy,” Kazuma Ikeda, Suguru Wada, Makoto Inagaki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012), Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan (September 25, 2012). 24. “Evolution of lattice tilting in MBE-grown InGaAs layers on GaAs(001) substrates,” Takuo Sasaki, Kazuma Ikeda, H. Suzuki, M. Takahasi, M. Inagaki, K. Shimomura, W. Hu, M. Kozu, Itaru Kamiya, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012), Nara Prefectural New Public Hall, Nara, Japan (September 25, 2012) . (*3,4) 25. “Characterization of Lattice Strains during III-V Heteroepitaxial Growth,” Takuo Sasaki, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi,Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2012 (Top-PV2012), Korea University, Seoul, Korea (August 3, 2012) . (*3,4) 26. “Energy States in Chemical Beam Epitaxy grown GaAsN: What We’ve Learned So Far,” Boussairi Bouzazi, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2012 (Top-PV2012), Korea University, Seoul, Korea (August 3, 2012). (*5) 27. “Distribution of N-H Bond Direction in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy,” Kazuma Ikeda, Makoto Inagaki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2012 (Top-PV2012), Korea University, Seoul, Korea (August 3, 2012) . (*5) 28. “Annealing Effects on Recombination Centers in GaAsN,” Hiroyuki Kowaki, Makoto Inagaki, Kazuma Ikeda, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2012 (Top-PV2012), Korea University, Seoul, Korea (August 3, 2012). 29. “Ga2Se3 and (InGa)2Se3 as Lattice Mismatch/Thermal Expansion Mismatch Buffer Layers in the GaAs on Si System,” Crisoforo Morales , Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2012 (Top-PV2012), Korea University, Seoul, Korea (August 3, 2012). 30. “Study Of Strain Relaxation Processes in Lattice-Mismatched InGaAs by X-ray Reciprocal Space Mapping,” Toshiaki Nishi, Takuo Sasaki, Kazuma Ikeda, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2012 (Top-PV2012), Korea University, Seoul, Korea (August 3, 2012) . (*3,4) 31. “Annealing Effects on Ni and Cu at (110)/ (100) DSB Interface”Takuto Kojima, Nobuaki （様式１） プロジェクト番号 S0901036 Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi,Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2012(Top-PV2012), Korea University, Seoul, Korea (August 2, 2012). 32. “Electron Beam Induced Current Analysis of Recombination Velocity at Grain Boundaries in Multicrystalline Silicon,” Takuto Kojima, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 22nd Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells & Modules: Materials and Processes, Lodge at Vail (Vail,Co.,USA) (July 24, 2012). 33. “Analysis of Current Transport Mechanisms in GaAsN Homojunction Solar Cell Grown by Chemical Beam Epitaxy (Invited),” Boussairi Bouzazi, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC38), Austin Convention Center, Texas, USA (June 8, 2012). 34. “Fabrication of GaAsN Solar Cell by Chemical Beam Epitaxy with Improved Minority-Carrier Lifetime,” Kazuma Ikeda, Makoto Inagaki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC38), Austin Convention Center, Texas, USA (June 7, 2012). 35. “(In)GaAsN Materials and Solar Cells for Super-High-Effiency Multijunction Solar Cells,” Masafumi Yamaguchi, Boussairi Bouzazi, Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC38), Austin Convention Center, Texas, USA (June 5, 2012). 36. “Study on low electron mobility in GaAsN,” Makoto Inagaki, Kazuma Ikeda, Hiroyuki Kowaki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, E-MRS 2012 Spring Meeting, Congress Center, Strasbourg, France (May 15, 2012). 37. “Correspondence between N-H Stretch and Wagging Mode in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy,” Kazuma Ikeda, Makoto Inagaki, Suguru Wada, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, E-MRS 2012 Spring Meeting, Congress Center, Strasbourg, France (May 15, 2012) . (*5) 38. “III-V-N Materials for Super High-Efficiency Multijunction Solar Cells,” Masafumi Yamaguchi, Boussairi Bouzazi, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Hidetoshi Suzuki, 8th International Conference on Concentrating Photovoltaic Systems(CPV-8), Hotel Beatriz, Toreldo, Spain (April 16, 2012). 39. “Crystalline Silicon Solar Cell R&D in Japan (Invited),”Yoshio Ohshita, Solar Cells Research Workshop 2012, Korea Institute of Energy Research(KIER), Daejon, Korea (February 29, 2012). 40. “Reduction of Recombination Centers and Improvement of Minority Carrier Lifetime in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy,” Boussairi Bouzazi, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21), Hilton Fukuoka Sea Hawk, Japan (December 1, 2011). 41. “Effects of A Key Deep Level and Interface States on GaAsN Based Solar Cells: A Simulation Analysis,” Xiuxun Han, Jong-Ha Hwang, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21), Hilton Fukuoka Sea Hawk, Japan (December 1, 2011) . (*5) 42. “Improved Photoluminescence Characteristics of GaAsN by Optimising Growth Rate and （様式１） プロジェクト番号 S0901036 Temperature in Chemical Beam Epitaxy,” Makoto Inagaki, Kazuma Ikeda, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21), Hilton Fukuoka Sea Hawk, Japan (December 1, 2011). 43. “Properties of GaAsN Based Solar Cells by Chemical Beam Epitaxy,” Jong-Ha Hwang, Takuo Sasaki, Makoto Inagaki, Boussairi Bouzazi, Xiuxun Han, Kazuma Ikeda, Suguru Wada, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21), Hilton Fukuoka Sea Hawk, Japan (December 1, 2011). 44. “N-H Local Vibration Mode Coupling with Single Phonon in GaAsN,” Kazuma Ikeda, Makoto Inagaki, Suguru Wada, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21), Hilton Fukuoka Sea Hawk, Japan (December 1, 2011). 45. “Infrared Spectra of Undoped and Mg-Doped C60 Films,” Crisoforo Morales, Nobuaki Kojima, Masafumi Yamaguchi, 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21), Hilton Fukuoka Sea Hawk, Japan (December 1, 2011). 46. “Cross-Linking of C60 in Mg-Doped C60 Films,” Nobuaki Kojima, Crisoforo Morales, Masafumi Yamaguchi, 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21), Hilton Fukuoka Sea Hawk, Japan (December 1, 2011). 47. “Identification of Precursors Originating N-H Defects in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy,” Suguru Wada, Makoto Inagaki, Kazuma Ikeda, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21), Hilton Fukuoka Sea Hawk, Japan (November 29, 2011). 48. “Annealing Effects on Recombination Activity of Nickel and Copper at (110)/(100) Direct Silicon Bonded Interface,” Takuto Kojima, Mari Aoki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21), Hilton Fukuoka Sea Hawk, Japan (November 29, 2011) . (*1) 49. “Novel Materials for Super High Efficiency Multi-Junction Solar Cells (Invited),”Nobuaki Kojima, Boussairi Bouzazi, Kazuma Ikeda, Xiuxun Han, Makoto Inagaki, Jong-Ha Hwang, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Low Carbon Earth Summit 2011 (LCES-2011), Dalian World Expo Center, China (October 22, 2011). 50. “Temperature Dependence of N-H Local Vibration Modes in GaAsN,” Kazuma Ikeda, Tomohiro Tanaka, Suguru Wada, Makoto Inagaki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 220th ECS Meeting and Electrochemical Energy Summit, Westin Boston Waterfront and the Boston Convention and Exhibition Center, USA (October 12, 2011). 51. “Kinetics of strain relaxation in lattice-mismatched III-V heteroepitaxy,” T. Sasaki, K. Shimomura, H. Suzuki, M. Takahasi, I. Kamiya, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), L-1-3, Aichi Industry & Labor Center(WINC AICHI), Nagoya, Japan (Sep 28-30, 2011). (*4) 52. “Thermally Activated Electron Transport in GaAsN,” M. Inagaki, K. Ikeda, N. Kojima, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, 2011 International Conference on Solid State Devices and （様式１） プロジェクト番号 S0901036 Materials (SSDM 2011), Aichi Industry & Labor Center(WINC AICHI), Nagoya, Japan (Sep 28-30, 2011) P-14-12. (*5) 53. “N-H structure in GaAsN and interaction between N-H local vibration mode and lowerfrequency phonon,” K. Ikeda, M. Inagaki, S. Wada, N. Kojima, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), Aichi Industry & Labor Center(WINC AICHI), Nagoya, Japan (Sep 28-30, 2011) P-14-11. (*5) 54. “Crystalline quality variations in epitaxial-grown C 60 thin films by magnesium atoms doping,” C. Morales, N. Kojima, S. Nishi, N. Ogata, M. Yamaguchi, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), Aichi Industry & Labor Center(WINC AICHI), Nagoya, Japan (Sep 28-30, 2011) P-10-8. 55. “Improving Si Doping Efficiency in GaAsN Epilayers by Using (211)B and (311)B GaAs Substrates,” X. Han, M. Inagaki, N. Kojima, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), Aichi Industry & Labor Center(WINC AICHI), Nagoya, Japan (Sep 28-30, 2011) P-8-17. 56. “Effect of Thermal Stress on a N-related Recombination Center in GaAsN Grown byChemical Beam Epitaxy,” B. Bouzazi, N. Kojima, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), Aichi Industry & Labor Center(WINC AICHI), Nagoya, Japan (Sep 28-30, 2011) L-1-5. 57. “Impact of Metal Impurities on Recombination Activity of (110)/(100) Direct Silicon Bonded Interface,” T. Kojima, M. Aoki, N. Kojima, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, 14th International Conference on Defects - Recognition Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP-XIV), Miyazaki Kanko Hotel, Miyazaki, Japan (Sep 25-29, 2011). (*9) 58. “Influence of chemical beam epitaxy growth conditions on electron mobility of n-GaAsN," M. Inagaki, K. Ikeda, N. Kojima, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, 14th International Conference on Defects - Recognition Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP-XIV), Miyazaki Kanko Hotel, Miyazaki, Japan (Sep 25-29, 2011). 59. “Structural properties of N-H in GaAsN deduced from temperature dependence of local vibration mode frequencies,” K. Ikeda, M. Inagaki, S. Wada, N. Kojima, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, 14th International Conference on Defects - Recognition Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP-XIV), Miyazaki Kanko Hotel, Miyazaki, Japan (Sep 25-29, 2011). (*5) 60. “Effects of impurities on electrical properties of Si solar cells (Invited),” Yoshio Ohshita, 14th International Conference on Defects - Recognition Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP-XIV), Miyazaki Kanko Hotel, Miyazaki, Japan (Sep 25-29, 2011). (*2) 61. “Effects of Ni and Cu on Recombination Activity of (110)/(100) DSB Interface,” T. Kojima, M. Aoki, N. Kojima, Y. Ohshita and M. Yamaguchi, The 26th European Photovoltaic Solar Energy Conference(EUPVSEC26), CCH Congress Centre, Hamburg, Germany (Sep 5-9, 2011) 2BV.2.28. (*2) 62. “Photoluminescence Study of Electron-Irradiated GaAsN Layers on (311)A/B GaAs Substrates,” X. Han, T. Tanaka, N. Kojima, Y. Ohshita M. Yamaguchi, and S. Sato, The （様式１） プロジェクト番号 S0901036 26th European Photovoltaic Solar Energy Conference(EUPVSEC26), CCH Congress Centre, Hamburg, Germany (Sep 5-9, 2011) 1BO.9.3. 63. “Defect Analysis of III-V-N Materials for Super High-Efficiency Multijunction Solar Cells,” M. Yamaguchi, B. Bouzazi, H. Suzuki, Y. Ohshita and N. Kojima, T. Takamoto, The 26th European Photovoltaic Solar Energy Conference(EUPVSEC26), CCH Congress Centre, Hamburg, Germany (Sep 5-9, 2011) 1AO.8.2. 64. “Annealing Effects on Recombination Activity of Nickel at (110)/(100) Direct Silicon Bonded Interface,” Takuto Kojima, Mari Aoki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 21st Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells & Modules: Materials and Processes, pp.182-184, Beaver Run Resort, Breckenridge, Co., USA (July 31- August 3, 2011). (*1) 65. “Real-Time Structural Analysis of Compositionally Graded In x Ga 1-x As/GaAs(001) Layers,” Takuo Sasaki, Hidetoshi Suzuki, Makoto Inagaki, Kazuma Ikeda, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, The 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC37), Washington State Convention Center, Seattle, USA (June 19-24, 2011) 982. (*4) 66. “Polymer Formation in Conductive Mg-doped C 60 Films,” Nobuaki Kojima, Seiji Nishi, Crisoforo Morales, Masafumi Yamaguchi, The 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC37), Washington State Convention Center, Seattle, USA (June 19-24, 2011) M8 215. 67. “Identification of Hydrogen Incorporation into GaAsN by Growth with Deuterated Precursors,” Suguru Wada, Tomohiro Tanaka, Makoto Inagaki, Kazuma Ikeda, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, The 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC37), Washington State Convention Center, Seattle, USA (June 19-24, 2011) G37 165. (*5) 68. “Effect of N-Induced Scattering Centers on Electron Mobility in CBE Grown GaAsN Films,” Makoto Inagaki, Shunsuke Kimura, Kazuma Ikeda, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, The 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC37), Washington State Convention Center, Seattle, USA (June 19-24, 2011) G9 147. (*5) 69. “Lowering Symmetry Around N-Cluster by Breaking Ga-N Bond in GaAsN,” Kazuma Ikeda, Makoto Inagaki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, The 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC37), Washington State Convention Center, Seattle, USA (June 19-24, 2011) G7 149. 70. “Nitrogen-Related Defects and Their Effect on the Electrical Properties of GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy,” Boussairi Bouzazi, Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kijima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, The 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC37), Washington State Convention Center, Seattle, USA (June 19-24, 2011) F33 137. 71. “Studies on New III-V Materials for Super High-Efficiency Multi-Junction Solar Cells(Invited),” Yoshio Ohshita, Makoto Inagaki, Nobuaki Kojima, Masafumi Yamaguchi, E-MRS 2011 Spring Meeting, Acropolis Congress Center, Nice, France (May 9-13, 2011). 72. “Novel III-V-N Materials for Super High-Efficiency Multi-Junction Solar Cells (Invited),” Nobuaki Kojima, Hidetoshi Suzuki, Boussairi Bouzazi, Makoto Inagaki, Yoshio Ohshita, （様式１） プロジェクト番号 S0901036 Masafumi Yamaguchi, The 2011 Villa Conference on Energy and Environmental Research (VCEER 2011), p.148, Red Rock Casino, Resort and Spa, Las Vegas, USA (April 21-25, 2011). 73. "Conductivity and cristallie quality variations by magnesium atoms doping in epitaxial-grown C60 thin films," Crisoforo Morales, Nobuaki Kojima, Seiji Nishi, Naoki Ogata, Masafumi Yamaguchi, 2010 International Chemical Congress of Pacific Basin Societies (PACIFICHEM2010), #687, Hawaii Convention Center, Honolulu, USA (December 15-20, 2010) . (*6) 74. "Effects of Ni contamination of Electrical Properties of (110)/(100) Si Bonded Interface," Takuto Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010, pp.370-372, Okayama University, Japan (November 14-17, 2010). (*2) 75. "Structural Analysis of GaAsN Thin Films Grown By Chemical Beam Epitaxy Using X-Ray Reciprocal Space Map," Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Proceedings of International Symposium on Dry Process（DPS2010), pp.39-40, Tokyo, Japan (November 11-12, 2010). 76. "Improvement of Minority-Carrier Lifetime in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy," Takahiko Honda, Makoto Inagaki, Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Proceedings of International Symposium on Dry Process（DPS2011), pp.37-38, Tokyo, Japan (November 11-12, 2010). 77. "Kinetics of strain relaxation in lattice-mismatched In x Ga 1-x As/GaAs heteroepitaxy," Takuo Sasaki, Hidetoshi Suzuki, Masamitu Takahasi, Seiji Fujikawa, Itaru Kamiya, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2010), pp.924-925, University of Tokyo, Japan (September 22-24, 2010). (*4) 78. "Shallow Carrier Trap Levels in GaAsN Investigated by Photoluminescence," Makoto Inagaki, Hidetoshi Suzuki, Akio Suzuki, Kazuma Mutaguchi, Atsuhiko Fukuyama, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2010), pp.629-630, University of Tokyo, Japan (September 22-24, 2010). 79. "Effect of Doping with Magnesium on Structural, Optical and Electrical Properties of Epitaxial-Grown Mg-Doped C 60 Thin Films," Crisoforo Morales, Nobuaki Kojima, Masato Natori, Naoki Ogata, Seiji Nishi, Masafumi Yamaguchi, Proceedings of the 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition / 5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, pp.781-783, Valencia, Spain (September 6-10, 2010). 80. "Removal of a Possible Split Interstitial (N-As) As Recombination Center in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy Using Proton Implantation," Boussairi Bouzazi, Jong-Han Lee, Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Proceedings of the 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition / 5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, pp.69-72, Valencia, Spain (September 6-10, 2010). 81. "Conductivity Control of C 60 Films by Mg-doping for Solar Cell Applications (Invited)," （様式１） プロジェクト番号 S0901036 Nobuaki Kojima, International Union of Materials Research Societies-International Conference on E1ectronic Materials 2010 (lUMRS-ICEM2010), G-I-15, KINTEX, Seoul, Korea (August 22-27, 2010). 82. "Growth temperature dependence of strain relaxation during InGaAs/GaAs(001) heteroepitaxy," Takuo Sasaki, Hidetoshi Suzuki, Akihisa Sai, Masamitu Takahasi, Seiji Fujikawa, Itaru Kamiya, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010), Thu A1.3, bcc Berlin Congress Center, Germany (August 22-27, 2010). (*4) 83. "Novel materials for super high efficiency multi-junction solar cells (Invited)," Yoshio Ohshita, Makoto Inagaki, Nobuaki Kojima, Masafumi Yamaguchi, The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16) / The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy(ICVGE-14), BICC, Beijing, China (August 8-13, 2010). 84. "Indium composition effect on strain relaxation process in (001) InGaAs/GaAs," Akihisa Sai, Takuo Sasaki, Hidetoshi Suzuki, Itaru Kamiya, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2010 (Top-PV2010), pp.25-26, KAIST, Daejeon, Korea (August 1-2, 2010). (*4) 85. "In Situ Study of Strain Relaxation Mechanisms During Lattice-mismatched InGaAs/GaAs Growth by X-ray Reciprocal Space Mapping," Takuo Sasaki, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2010 (Top-PV2010), pp.17-18, KAIST, Daejeon, Korea (August 1-2, 2010). (*4) 86. "Structural Characterization of Mg-doped C60 for Solar Cell Applications," Seiji Nishi, Crisoforo Morales, Nobuaki Kojima, Masafumi Yamaguchi, Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2010 (Top-PV2010), pp.89-90, KAIST, Daejeon, Korea (August 1-2, 2010) . (*6) 87. "Precipitation in Polycrystalline Silicon observed by Optical Coherence Topography," Takuto Kojima, Yoshio Ohshita, Nobuaki Kojima, Masafumi Yamaguchi, Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2010 (Top-PV2010), pp.87-88, KAIST, Daejeon, Korea (August 1-2, 2010). (*1) 88. "N-H related defect in GaAsN grown by Chemical beam epitaxy," Tomohiro Tanaka, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Hidetoshi Suzuki, Masafumi Yamaguchi, Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2010 (Top-PV2010), pp.85-86, KAIST, Daejeon, Korea (August 1-2, 2010). 89. "Improvement of Carrier Mobility and Lifetime in GaAsN Films Grown by Chemical Beam Epitaxy," Takahiko Honda, Makoto Inagaki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2010 (Top-PV2010), pp.83-84, KAIST, Daejeon, Korea (August 1-2, 2010). 90. "Shallow Carrier Trap Levels in GaAsN," Makoto Inagaki, Hidetoshi Suzuki, K. Mutaguchi, A. Fukuyama, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2010 (Top-PV2010), pp.71-72, KAIST, Daejeon, Korea (August 1-2, 2010). 91. "Nitrogen-Related Electron-Hole Recombination Process in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy," Boussairi Bouzazi, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi （様式１） プロジェクト番号 S0901036 Yamaguchi, Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2010 (Top-PV2010), pp.35-36, KAIST, Daejeon, Korea (August 1-2, 2010) . (*5) 92. "Ab-initio analysis of stable positions of N in GaAsN coherently grown on Ge," Kazuma Ikeda, Nobuaki Kojima, Koichi Kakimoto, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2010 (Top-PV2010), pp.19-20, KAIST, Daejeon, Korea (August 1-2, 2010). 93. "Fabrication of GaAsN based solar cells by chemical beam epiaxy for multi-junction solar cell," Hidetoshi Suzuki, Jong-Han Lee, Xiuxun Han, Jong-Ha Hwang, Boussairi Bouzazi, Makoto Inagaki, Tamohiro Tanaka,Takahiko Honda, Yoshio Ohshita, Nobuaki Kojima, Masafumi Yamaguchi, RENEWABLE ENERGY 2010, O-Pv-5-2, Pacifico Yokohama, Japan (June 27-July 2, 2010). 94. "Comfirmation of split interstitial(N-As) AS recombination center in chemical beam epitaxy grown GaAsN using proton implantation," Boussairi Bouzazi, Jong-Han Lee, Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, RENEWABLE ENERGY 2010, O-Pv-5-1, Pacifico Yokohama, Japan (June 27-July 2, 2010). (*5) 95. "Identification of N-H Related Defects in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy," Tomohiro Tanaka, Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Proceedings of the 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC35), pp.002120-002124, Honolulu, USA (June 20-25, 2010). (*5) 96. "Study of GaAsN Thin Film Structures by X-ray Reciprocal Space Mapping for Multi-Junction Solar Cell Application," Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Proceedings of the 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC35), pp.0027-002119, Honolulu, USA (June 20-25, 2010). 97. "Low Temperature Growth GaAs on Ge by Chemical Beam Epitaxy," Jong-Han Lee, Hidetoshi Suzuki, Xiuxun Han, Makoto Inagaki, Kazuma Ikeda, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Proceedings of the 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC35), pp.002070-002073, Honolulu, USA (June 20-25, 2010). 98. "Origin of Near-Band-Edge Luminescence of GaAsN," Makoto Inagaki, Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Proceedings of the 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC35), pp.002062-002065, Honolulu, USA (June 20-25, 2010). (*5) 99. "Enhanced N Incorporation and Improved Optical Properties in GaAsN Epilayers by using High-Index GaAs Substrates," Xiuxun Han, Hidetoshi Suzuki, Jong-Han Lee, Makoto Inagaki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Proceedings of the 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC35), pp.002050-002052, Honolulu, USA (June 20-25, 2010). 100. "Growth Temperature Dependence of Structure in Mg-doped C 60 Films," Seiji Nishi, Masato Natori, Nobuaki Kojima, Crisoforo Morales, Masafumi Yamaguchi, Proceedings of the 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC35), pp.001653-001656, Honolulu, USA (June 20-25, 2010). 101. "Electrical Conduction Properties of Mg-doped C60 Films," Nobuaki Kojima, Masato Natori, Crisoforo Morales, Seiji Nishi, Masafumi Yamaguchi, Proceedings of the 35th IEEE （様式１） プロジェクト番号 S0901036 Photovoltaic Specialists Conference (PVSC35), pp.001650-001652, Honolulu, USA (June 20-25, 2010) . (*6) 102. "Electrical Properties and Boundary Structures in Cast-Grown Polycrystalline Silicon," Takuto Kojima, Yoshio Ohshita, Tomihisa Tachibana, Atsushi Ogura, Masafumi Yamaguchi, Proceedings of the 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC35), pp.001419-001422, Honolulu, USA (June 20-25, 2010). (*2) 103. "In-situ 3D X-ray Reciprocal Space Mapping During Lattice-mismatched InGaAs/GaAs Growth," Takuo Sasaki, Hidetoshi Suzuki, Akihisa Sai, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, Proceedings of the 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC35), pp.000695-000698, Honolulu, USA (June 20-25, 2010). (*3) 104. "Relationship between a nitrogen-related defect and high net charge density in unintentionally doped p-type GaAsN grown by Chemical Beam Epitaxy," Boussairi Bouzazi, Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (iscs2010), p.221, Takamatsu Symbol Tower, Japan (May 31- June 4, 2010). 105. "In situ Study of Strain Relaxation Mechanisms During Lattice-mismatched InGaAs/GaAs Growth by X-ray Reciprocal Space Mapping," Takuo Sasaki, Akihisa Sai, Masamitu Takahasi, Seiji Fujikawa, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi, 2010 MRS Spring Meeting, EE6.2, Moscone West & San Francisco Marriott, USA (April 5-9, 2010). 106. "Grain Boundary Structure and Electrical Properties in Polycrystalline Silicon," T. Kojima, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, Proc. 6th Workshop on the Future Direction of Photovoltaics, pp.59-64, Tokyo, Japan (Mar 1-2, 2010). (*2) 107. "In Situ Observation of In-Plane Asymmetrical Strain Relaxation by Three-Dimensional X-Ray Reciprocal Space Mapping," T. Sasaki, H. Suzuki, A. Sai, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, Abstract of 2nd International Symposium on Innovative Solar Cells 2009, pp.300, Tsukuba, Japan (Dec 7-8, 2009). (*3) 108. "Improvement of (In)GaAsN Properties by Chemical Beam Epitaxy," H. Suzuki, J.-H. Lee, X. Han, M. Inagaki, T. Honda, T. Tanaka, J.-H. Hwang, N. Kojima, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, Abstract of 2nd International Symposium on Innovative Solar Cells 2009, pp.298-299, Tsukuba, Japan (Dec 7-8, 2009). 109. "Degradation of Solar Cells-optical Degradation and Radiation Damage (Invited)," Y. Ohshita, M. Yamaguchi, Extended Abstract of International Symposium on the Physics of Excitation-assisted Nano-processes, pp.23-26, Wakayama, Japan (Nov 20-21, 2009). 110. "Indium Composition Dependence on Strain Relaxation Mechanisms in InGaAs/GaAs(001)," A. Sai, T. Sasaki, H. Suzuki, I. Kamiya, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, Abstract of 19th International Photovolatics Science and Engineering Conference and Exhibition, pp.233, Jeju, Korea (Nov 9-13, 2009). (*3) 111. "Electrical Properties of GaAsN Grown on GaAs Substrate with Different Step-Edge Atoms," T. Honda, T. Hashiguchi, H. Suzuki, N. Kojima, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, Abstract of 19th International Photovolatics Science and Engineering Conference and Exhibition, pp.239-240, Jeju, Korea (Nov 9-13, 2009). 112. "The Relation of Between N-H Complexes and Electrical Properties of GaAsN by Using H （様式１） S0901036 プロジェクト番号 Implantation," J.-H. Lee, H. Suzuki, T. Honda, T. Tanaka, J.-H. Hwang, N. Kojima, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, Abstract of 19th International Photovolatics Science and Engineering Conference and Exhibition, pp.238, Jeju, Korea (Nov 9-13, 2009). 113. "The Origin of N Induced Scattering Center in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy," H. Suzuki, N. Kojima, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, Abstract of 19th International Photovolatics Science and Engineering Conference and Exhibition, pp.237, Jeju, Korea (Nov 9-13, 2009) . (*5) 114. "Recombination Center in p-Type GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy," B. Bouzazi, H. Suzuki, J.-H. Lee, J-H. Hwang, N. Kojima, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, Abstract of 19th International Photovolatics Science and Engineering Conference and Exhibition, pp.233-234, Jeju, Korea (Nov 9-13, 2009). 115. "The Effect of Surface Steps During Crystal Growth on Minority Carrier Diffusion Length of (In)GaAsN Based Solar Cells," J-H. Hwang, H. Suzuki, N. Kojima, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, Abstract of 19th International Photovolatics Science and Engineering Conference and Exhibition, pp.232-233, Jeju, Korea (Nov 9-13, 2009). 116. "Influence of Substrate Orientation on the N Incorporation and Optical Behavior of GaAsN Epilayers," X. Han, H. Suzuki, T. Honda, M. Inagaki, N. Kojima, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, Abstract of 19th International Photovolatics Science and Engineering Conference and Exhibition, pp.231-232, Jeju, Korea (Nov 9-13, 2009). 117. "Conductivity Enhancement of Mg-doped C 60 Thin Films by Crystal Quality Improvement," M. Natori, N. Kojima, M. Yamaguchi, Abstract of 19th International Photovolatics Science and Engineering Conference and Exhibition, pp.214, Jeju, Korea (Nov 9-13, 2009). 118. "Evaluation of Fixed Charge Area Density in a-SiNx:H Films for Crystalline Silicon," S. Ishikawa, K. Fukuda, K. Arafune, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, Abstract of 19th International Photovolatics Science and Engineering Conference and Exhibition, pp.175-176, Jeju, Korea (Nov 9-13, 2009). 119. "Recombination Velocities at Grain Boundaries in Cast-Grown Polycrystalline Silicon," Y. Ohshita, T. Kojima, N. Kojima, M. Yamaguchi, Abstract of 19th International Photovolatics Science and Engineering Conference and Exhibition, pp.121-122, Jeju, Korea (Nov 9-13, 2009). (*2) 120. "Origin of H in N-H Complex Defects in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy," T. Tanaka, H. Suzuki, N. Kojima, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, Abstract of 19th International Photovolatics Science and Engineering Conference and Exhibition, pp.65, Jeju, Korea (Nov 9-13, 2009). 121. "Evaluation of Minority Carrier Life Time on p-GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy," M. Inagaki, H. Suzuki, N. Kojima, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, Abstract of 19th International Photovolatics Science and Engineering Conference and Exhibition, pp.65, Jeju, Korea (Nov 9-13, 2009). 122. "Improvement of Opt-Electrical Properties in GaAsN by Controlling Step Density During Chemical Beam Epitaxy Growth," H. Suzuki, M. Inagaki, T. Honda, Y. Ohshita, N. Kojima, and M. Yamaguchi, Extended Abstract of 2009 International Conference on Solid State （様式１） プロジェクト番号 S0901036 Devices and Materials(SSDM2009), pp.753-754, Miyagi, Japan (Oct 7-8, 2009). 123. "Annealing Effects on Recombination Velocities at Grain Boundaries in Polycrystalline Si," Y. Ohshita, K. Fukuda, M. Yamaguchi, 216th ECS Meeting, Vienna, Austria (Oct 4-9, 2009). (*2) 124. "Local Vibration Modes of N-H Related Complexes in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy," H. Suzuki, T. Tanaka, Y. Ohshita, N. Kojima, M. Yamaguchi, 216th ECS Meeting, Vienna, Austria (Oct 4-9, 2009). 125. "Electrical and Structural Characterization of Epitaxial-Grown Mg-Doped C 60 Thin Films," N. Kojima, M. Natori, M. Yamaguchi, 216th ECS Meeting, Vienna, Austria (Oct 4-9, 2009). 126. "In situ Real-Time X-Ray Reciprocal Space Mapping in InGaAs/GaAs(001) for Understanding Strain Relaxation Mechanisms," T. Sasaki, H. Suzuki, A. Sai, Y. Ohshita, M. Yamaguchi, Abstract of 19th International Photovolatics Science and Engineering Conference and Exhibition, pp.232, Jeju, Korea (Nov 9-13, 2009). (*3) 127. "A High Capture Cross Section's Recombination Center in p-Type GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy," Boussairi Bouzazi, Hidetoshi Suzuki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, and Masafumi Yamaguchi, Proc. 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference(EUPVSEC24), pp.68-71, Hamburg, Germany (Sep 21-25, 2009). 128. "Novel Materials and Structures for Super High Efficiency Multi-junction Solar Cells (Invited),” Y. Ohshita, H. Suzuki, N. Kojima, M. Yamaguchi, Abstract of 11th International Conference on Advanced Materials(ICAM2009), Rio de Janeiro, Brazil (Sep 20-25, 2009). 129. "Recombination Velocities at Grain Boundaries in Polycrystalline Silicon," Y. Ohshita, T. Kojima, T. Tachibana, A. Ogura, M. Yamaguchi, Proc. 19th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells & Modules: Materials and Processes, pp.60-64, Vail, USA (Aug 9-12, 2009). (*2) 130. "Novel Materials for High-Efficiency Solar Cells (Invited)," Nobuaki Kojima, Masato Natori, Hidetoshi Suzuki, Makoto Inagaki, Yoshio Ohshita and Masafumi Yamaguchi, Proceedings of SPIE, pp.75180P, Wuhan, China (Aug 8-10, 2009). 131. "Real-Time Study of Strain Relaxation in Lattice-Mismatched InGaAs/GaAs by X-Ray Diffraction," Takuo Sasaki, Hidetoshi Suzuki, Akihisa Sai, Jong-Han Lee, Masamitu Takahasi, Seiji Fujikawa, Koji Arafune, Itaru Kamiya, Yoshio Ohshita and Masafumi Yamaguchi, Proc. 34th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC34), pp.000999-001002, Philadelphia, USA (Jun 7-12, 2009). (*3) 132. "Conductivity Improvement of Epitaxial-Grown Mg-Doped C 60 Thin Films," Nobuaki Kojima, Masato Natori, Hidetoshi Suzuki, and Masafumi Yamaguchi, Proc. 34th IEEE Photovoltaic Specialists Conference(PVSC34), pp.000725-000728, Philadelphia, USA (Jun 7-12, 2009). 133. "Hole Mobility of GaAs 1-X N X Grown by Chemical Beam Epitaxy," Hidetoshi Suzuki, Taiki Hashiguchi, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, and Masafumi Yamaguchi, Proc. 34th IEEE Photovoltaic Specialists Conference(PVSC34), pp.000848-000851, Philadelphia, USA (Jun 7-12, 2009). 134. "Analysis of Defects and Impurities in New (In)GaAsN Materials for Concentrator Multi-Junction Solar Cells," Masafumi Yamaguchi, Yoshio Ohshita, Nobuaki Kojima, （様式１） S0901036 プロジェクト番号 Hidetoshi Suzuki and Boussairi Bouzazi, Proc. 34th IEEE Photovoltaic Specialists Conference(PVSC34), pp.002332-002335, Philadelphia, USA (Jun 7-12, 2009). 135. "Fundamental Aspects High-Efficiency III-V Compound Multi-Junction Solar Cells (Invited)," Y. Ohshita, H. Suzuki, M. Yamaguchi, E-MRS 2009 Spring Meeting, Strasbourg, France (Jun 8-12, 2009). “光機能材料・素子： 蛍光素子” 1. “Synthesis of CuInS 2 nanocrystals and their luminescence,” Hokuto Kodate, Hiroyuki Suto, and Itaru Kamiya, 2013 Japan Society of Applied Physics – Materials Research Society Joint Symposia, September 16-20, 2013, Kyoto, Japan, 18p-PM5-20 (September 18, 2013) . (*9) 2. “The Thickness of InGaAs Capping Layer Dependence on the PL Emission Wavelength of InAs Quantum Dots,” Kenichi Shimomura and Itaru Kamiya, The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, May 19-23, 2013, Kobe, Japan, MoPC-05-06 (May 20, 2013). (*7) 3. “As flux dependence on RHEED transients during InAs quantum dot growth,” K. Shimomura, T. Shirasaka, D. M. Tex, and I. Kamiya, The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012), September 23-28, 2012, Nara, Japan, TuP-4 (September 25, 2012). (*7) 4. “Control of Size and Density of InAs Islands: Toward High Conversion Efficiency,” Kenichi Shimomura, D. M. Tex, and Itaru Kamiya, Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2012 (Top-PV 2012), August 1-4, 2012, Korea University, Seoul, Korea, P41 (August 3, 2012). (*7) 5. “RHEED Transient During InAs Quantum Dot Growth by MBE,” K. Shimomura, T. Shirasaka, D. M. Tex, F. Yamada, and I. Kamiya, The 28th North American Molecular Beam Epitaxy Conference (NAMBE 2011), August 14-17, 2011, UCSD, La Jolla, CA, USA, P27 (August 16, 2011). (*7) 6. “Influence of As4 flux on the formation mechanisms of InAs quantum dots on GaAs(001) during MBE growth,” Takeo Shirasaka, Kenichi Shimomura, David M. Tex, and Itaru Kamiya, 38th Conference on Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces, January 16-20, 2011, San Diego, CA, USA (Jan. 19, 2011). (*7) 7. “Analysis of InAs quantum dot growth by RHEED,” K. Shimomura, T. Shirasaka, D. M. Tex, and I. Kamiya, 38th Conference on Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces, January 16-20, 2011, San Diego, CA, USA (Jan. 19, 2011). (*7) 8. “Luminescence of self-assembled PbS quantum dots on GaAs and quartz substrates,” Wei Lü, Itaru Kamiya, Asian Conference on on Nanoscience and Nanotechnology (AsiaNANO 2010), November 1-3, 2010, Tokyo, Japan, PA118 (Nov. 2, 2010). (*10) 9. “Influence of In and As fluxes on growth of self-assembled InAs quantum dots on GaAs(001),” Itaru Kamiya, Takeo Shirasaka, Kenichi Shimomura, David M. Tex, The 16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010), August 22-27, 2010, （様式１） プロジェクト番号 S0901036 Berlin, Germany, P2.05 (August 24, 2010). (*7) 10. “Self-assembled colloidal PbS quantum dots on GaAs substrates,” Wei Lü and Itaru Kamiya, 6th International Conference on Quantum Dots (QD2010), April 26-30, 2010, Nottingham, U.K. (Apr. 27, 2010). (*10) 11. “Fabrication and coupling investigation of films of PbS quantum dots,” Wei Lü, Fumihiko Yamada, and Itaru Kamiya, 37th Conference on Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces, January 10-14, 2010, Santa Fe, NM, USA (Jan. 14, 2010). (*11) 12. “Thermally activated electron energy transfer in close-packed PbS quantum dot films,” W. Lü and I. Kamiya, 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14), Kobe, Japan (July 19-24, 2009), Mo-mP49 (Jul. 20). (*11) 13. “Luminescence from InAs/GaAs surface related states,” K. Fukui and I. Kamiya, 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14), Kobe, Japan (July 19-24, 2009), Mo-mP69 (Jul. 20). “光機能材料・素子： 光変換素子” 1. “Controlling shapes of InAs two-dimensional structures on AlGaAs,” Ko Takabayashi, David M. Tex, Kenichi Shimomura, Fumihiko Yamada, and Itaru Kamiya, 2013 Japan Society of Applied Physics – Materials Research Society Joint Symposia, September 16-20, 2013, Kyoto, Japan, 17a-M2-2 (September 17, 2013). (*12) 2. “Temperature dependence of highly efficient photocurrent generation in shallow InAs quantum structures,” David M. Tex, Toshiyuki Ihara, Itaru Kamiya, and Yoshihiko Kanemitsu, 2013 Japan Society of Applied Physics – Materials Research Society Joint Symposia, September 16-20, 2013, Kyoto, Japan, 17a-M2-1 (September 17, 2013). (*13) 3. “InAs Quantum Well Islands – a Novel Structure For Photon Up-conversion From the Near IR To the Visible,” Itaru Kamiya, David M. Tex, Kenichi Shimomura, Fumihiko Yamada, Ko Takabayashi, and Yoshihiko Kanemitsu, June 16-21, 2013, Tampa, FL, U.S.A. (June 20, 2013). (*12) 4. “Design concept for efficient intermediate band solar cells based on multicarrier Auger processes,” David M. Tex, Itaru Kamiya, and Yoshihiko Kanemitsu, European Materials Science Society 2013 Spring Meeting, May 27-31, 2013, Strasbourg, France, D.I.3 (May 27, 2013). (*12) 5. “Efficient Upconversion in InAs/AlGaAs Quantum Well Islands for Intermediate State Solar Cells (Invited),” David M. Tex, Itaru Kamiya, and Yoshihiko Kanemitsu, 4th International Workshop on Quantum Nanostructure Solar Cells, Kobe University, Japan Dec. 4 – 5, 2012 (December 5, 2012). (*12) 6. “Quantum Dots and Quantum Well Islands for Energy Conversion (Invited),” Itaru Kamiya, 2012 Energy Materials Nanotechnology (EMN 2012), Las Vegas, NV, U.S.A. (Nov. 29 – Dec. 2, 2012), A19 (November 30, 2012). (*12) 7. “The Quantum Well Island – A New Candidate for Intermediate State Solar Cell Quantum Structures,” David M. Tex, Itaru Kamiya, and Yoshihiko Kanemitsu, 2012 Fall Mat. Res. （様式１） プロジェクト番号 S0901036 Soc. Symposium, November 25-30, 2012, Boston, MA, U.S.A., E10.06 (November 28, 2012). (*12) 8. “Molecular Beam Epitaxial Growth of Quantum Well Islands for Photon Upconversion,” Itaru Kamiya, David M. Tex, Kenichi Shimomura, Fumihiko Yamada, and Ko Takabayashi, 2012 Fall Mat. Res. Soc. Symposium, November 25-30, 2012, Boston, MA, U.S.A., E5.16 (November 26, 2012). (*12) 9. “Photon upconversion through apatial overlap of excitons in InAs quantum well islands,” David M. Tex and Itaru Kamiya, The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012), September 23-28, 2012, Nara, Japan, ThP-54 (September 27, 2012). (*12) 10. “Shallow Defect States in GaAs Responsible for GaAs Bandgap Upconversion Induced by Electron Diffraction Beam During MBE Growth,” David M. Tex and Itaru Kamiya, The 28th North American Molecular Beam Epitaxy Conference (NAMBE 2011), August 14-17, 2011, UCSD, La Jolla, CA, USA, P3 (August 15, 2011). (*12) 11. “Influence of Reflection High-Energy Electron Diffraction Beam on Anti-Stokes Photoluminescence,” David M. Tex, Itaru Kamiya, The 16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010), August 22-27, 2010, Berlin, Germany, P2.10 (August 24, 2010). (*12) “化学機能材料・素子： 局所構造の化学的作製と評価” 1. “Workfunction mapping of Si-metal paste interface on an atomic scale using KFM,” Fumihiko Yamada, Manabu Yoshida, Mari Aoki, Hideo Tokuhisa, Uichi Itoh, Isao Sumita, Itaru Kamiya and Yoshio Ohshita, 4th Metallization Workshop on Contacting Silicon Solar Cells, May 7, 8, 2013, Konstanz, Deutschland (May 7, 2013). (*17) 2. “Electronic Characterization of Interface between Si Substrate and Cu-Based Metal Paste on an Atomic Scale using KFM,” Fumihiko Yamada, Manabu Yoshida, Uichi Itoh, Isao Sumita, Itaru Kamiya and Yoshio Ohshita, 20th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, December 17-19, 2012, 沖縄かりゆしアーバンリゾート・ナハ、S3-58 (Dec. 17, 2012). (*17) 3. “Reduction of Fermi level pinning beneath nano-scale electrodes on GaAs(001) by donors,” H. Kakazu, S. Nakatani, F. Yamada, T. Shirasaka, D. M. Tex, I. Kamiya, and Ichiro Tanaka, The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012), September 23-28, 2012, Nara, Japan, TuP-47 (September 25, 2012). 4. “Electrical Property Analysis of the Interface between the Si Solar Cell and the Metal Electrode using AFM,” Fumihiko Yamada and Itaru Kamiya, Korea-Japan Top University League Workshop on Photovoltaics 2012 (Top-PV 2012), August 1-4, 2012, Korea University, Seoul, Korea, P11 (August 2, 2012). (*17) 5. “Thickness measurement of oxide nanostructures buried in a semiconductor surface,” Fumihiko Yamada and Itaru Kamiya, 14th International Scanning Probe Microscopy Conference, June 15-18, 2012, Westin Harbour Castle Hotel, Toronto, Canada. (*16) （様式１） プロジェクト番号 6. S0901036 “Thickness mapping of subsurface nanostructures using FM-EFM,” Fumihiko Yamada and Itaru Kamiya, 19th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, December 19-21, 2011, 北海道、洞爺湖万世閣、ホテルレイクサイドテラス, S4-5 (Dec. 19, 2011). (*16) 7. “The thickness measurement of buried surface structures in GaAs surface,” Fumihiko Yamada and Itaru Kamiya, 38th Conference on Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces, January 16-20, 2010, San Diego, CA, USA (Jan. 20, 2011). (*15,16) 8. “The Size Measurement of Nanoparticles buried in GaAs Surface,” Fumihiko Yamada and Itaru Kamiya, Asian Conference on on Nanoscience and Nanotechnology (AsiaNANO 2010), November 1-3, 2010, Tokyo, Japan, C01 (Nov. 2, 2010). (*15,16) 9. “Control of surface topography and electronic properties of III-V semiconductors using molecular modification,” Fumihiko Yamada, Shuichi Arakawa, and Itaru Kamiya, 37th Conference on Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces, January 10-14, 2010, Santa Fe, NM, USA (Jan. 12, 2010). (*14) 10. “Surface State Control of III-V Semiconductors using Molecular Modification,” F. Yamada, T. Shiraka, K. Fukui, and I. Kamiya, 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14), Kobe, Japan (July 19-24, 2009), Th-mP47 (Jul. 23). (*14) 11. “Resonant tunneling of electrons through single self-assembled InAs quantum dot studied by conductive atomic force microscopy,” I. Tanaka, Y. Tada, S. Nakatani, K. Uno, I. Kamiya, and H. Sakaki, 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14), Kobe, Japan (July 19-24, 2009), Th-mP66 (Jul. 23). “化学機能材料・素子： 機能性コンポジット” 1. “Hydrothermal synthesis of Pt-loaded allophane nanoparticles,” S. Arakawa, Y. Matsuura, F. Iyoda, S. Hayashi, M. Okamoto, and H. Hayashi, 12th International Conference on Ceramic Processing Science, Portland, USA (August 4-7, 2013). (*19) 2. “Nanostructure and adsorption behavior of natural/synthetic allophanes,” F. Iyoda, S. Hayashi, S. Arakawa, and M. Okamoto, 27th World Congress of the Polymer Processing Society, Marrakech, Morocco (May 10-14, 2011). (*19) “化学機能材料・素子： 光触媒” 1. A. Yamakata，“(Invited) Real-time observation of destruction of hydration shells around several cations at electrochemical interface” Seventh International Conference on Advanced Vibrational Spectroscopy（ICAVS-7），Kobe, Japan，（2013.8） 2. A. Yamakata，“(Invited) Real-time observation of destruction processes of hydrophobic hydration shells at the electrified hydrophobic interface” The 15th Asian Chemical Congress, Resorts World Sentosa, Singapore，（2013.8） 3. A. Yamakata, M. Ohkawa, I. Kamiya ， “Photodynamics on transition metal doped visible-light responsive SrTiO3 photocatalysts” The 14th Japan-Korea Symposium on （様式１） S0901036 プロジェクト番号 Catalysis， Nagoya, Japan，（2013.7）. (*21) 4. A. Yamakata , Masatoshi Osawa，“Real-time observation of destruction of hydration shells” ， The XVIth International Conference on Time-Resolved Vibrational Spectroscopy(TRVS 2013)，Oita, Japan，（2013.5） 5. A. Yamakata, M. Yoshida, J. Kubota, M. Osawa and K. Domen，“(Invited) Dynamics of photogenerated electrons in GaN photoelectrochemical systems” ， 17th Malaysian Chemical Congress(17 MCC)， Kuala Lumpur, Malaysia，（2012.10） 6. A. Yamakata, M. Yoshida, J. Kubota, M. Osawa and K. Domen，“(Invited) Time-resolved IR absorption study on water-splitting photoelectrodes” ， CAMBODIAN MALAYSIAN CHEMICAL CONFERENCE (CMCC) 2012，Siem Reap, Cambodia，（2012.10） 7. A. Yamakata, M. Yoshida, J. Kubota, M. Osawa, K. Domen ， “Potential-dependent Recombination Kinetics Photoelectrodes” ， of Photogenerated Electrons in N- and P-type GaN The 63rd Annual Meeting of the International Society of Electrochemistry，Prague, Czech Republic，（2012.8） 8. A. Yamakata，“(Invited) Development and Mechanism of Water Splitting Photocatalysts”， Seminar at Department of Electrical Engineering, National Chung Hsing University， Taichung, Taiwan，（2012.6） 9. A. Yamakata，“(Invited) Real-time Observation of Destruction of Hydration Shells at Electrified Interfaces”， Workshop on Exploring the Structures and Dynamics of Water at Interfaces，Taipei, Taiwan，（2012.6） 10. A. Yamakata, M. Osawa，“(Invited) Surface-enhanced IR study on the dynamics of hydration shells around several cations at the electrochemical interface”， The 14th Asian Chemical Congress 2011，Bangkok, Thailand，（2011.9） 11. A. Yamakata, M. Osawa，“(Invited) Time-resolved IR absorption study on the destruction processes of hydration shells at electrode surfaces”， The 14th Asian Chemical Congress 2011–Cambodia Satellite Meeting，Siem Reap, Cambodia，（2011.9） “カーボンナノ構造の形成制御” 1. “Nondegradative Dielectric Coating of Graphene using Thermal Evaporation of SiO,” S. Suzuki, C. Lee, T Nagamori, T. Schibli, M. Yoshimura, APS March Meeting 2013, Baltimore, USA (March 21, 2013). 2. “Functional carbon nanowalls by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition. The case for templates for bismuth nanoparticles growth,” G. Rius, P. Jagdale, M. Yoshiura, O. Eryu, A. Tagliaferro, ISPlasma2013, Nagoya, Japan (Feb. 1, 2013). 3. “Synthesis of ultrananocrystalline diamond film by CVD using a chemical precursor,” R. Tiwari, S. Sahoo, L. Chang, M. Yoshimura, ISPlasma2013, Nagoya, Japan (Jan 30, 2013). 4. “Transfer Free Graphene Films from Polymer at Relatively Low Temperatures,” R.N. Tiwari, G. Rius and M. Yoshimura, 20th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, Okinawa, Japan (December 17, 2012). 5. “Transformation of carbon black to grapheme,” Rajanish N. Tiwari, M. Ishihara, and （様式１） S0901036 プロジェクト番号 Masamichi Yoshimura, 20th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, Okinawa, Japan (December 17, 2012). 6. “Thermal transformation of carbon hybrid materials to graphene films,” Rajanish N. Tiwari, M. Ishihara, and Masamichi Yoshimura, 20th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, Okinawa, Japan (December 17, 2012). 7. “Moiré Structure of Transferred Graphene on HOPG,” M. Ishihara and M. Yoshimura, 20th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, Okinawa, Japan (December 17, 2012). 8. “Synthesis of Carbon Nanostructures from Size-selected Platinum Clusters,” Y. Matsuoka and M. Yoshimura, 20th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, Okinawa, Japan (December 17, 2012). 9. “Comblike Structure of MoO 2 /Mo(110) Surface: STM and DFT Study,” A. Okada, S. Hara, M. Yoshimura and Y. Ishikawa20th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, Okinawa, Japan (December 17, 2012). 10. “Frictional Study of Carbon Nanotube Arrays Grown on Artificial Hip Joint Metal Surfaces,” M. Yoshimura and K. Sumiya, AVS 59th International Symposium, Tampa, Florida, USA (November 2, 2012). 11. “Thermal transformation of polymer to graphene films at partially low temperature,” Rajanish N. Tiwari, M. Ishihara, and Masamichi Yoshimura, The 10th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces University of Tokyo, Hongo, Tokyo (September 26, 2012). 12. “A green approach to the synthesis of graphene from different carbon sources,” R. Tiwari and M. Yoshimura, International Conference on Nanoscience + Technology (ICN+T2012) , Paris (July 23-27, 2012). 13. “High-Resolution Observation of MgAl 2 O 4 (111) Spinel Surface Using Noncontact Atomic Force Microscopy,” A. Okada, S. Go, M. Yoshimura and Y. Ishikawa, 19th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, Hokkaido (Dec. 19, 2011). 14. “Electrical Properties of Individual MoO 2 Nanotube with Rectangular Cross Sections Measured by a Nanoprobe System Mounted in a SEM,” T. Sakurai, H. Handa, M. Ishikawa, H. Fukidome, M. Yoshimura, T. Abe and M. Suemitsu, 19th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, Hokkaido (Dec. 19, 2011). 15. “Aluminum Adsorption on Si(110): STM and First-principles Study of “4×6” Superstructure,” M. Yoshimura, D. Matsuoka and S. Hara, 19th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, Hokkaido (Dec. 19, 2011). 16. “Graphene Precipitation on Nickel Foil,” M. Yoshimura and H. Obokata, 19th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy, Hokkaido (Dec. 19, 2011). 17. “Supercapacitor performance of carbon nanowalls on copper foils,” G. Rius, P. Hiralal, P. Andrew, M. Yoshimura, G. Amaratunga, International Symposium on Surface Science – Towards Nano-, Bio-, and Green Innovation -, Tokyo (Dec. 14, 2011). (*23) 18. “Growth of Carbon Nanostructures from Size-selected Platinum Clusters,” Y. Matsuoka, Y. Watanabe, N. Isomura, H. Hirata, M. Yoshimura, International Symposium on Surface Science – Towards Nano-, Bio-, and Green Innovation -, Tokyo (Dec. 13, 2011). （様式１） プロジェクト番号 S0901036 19. “Engineered hybrid metal nanoparticle – 3D nanostructured carbon,” G. Rius, X. D. Luong, M. Yoshimura, International Symposium on Surface Science – Towards Nano-, Bio-, and Green Innovation -, Tokyo (Dec. 12, 2011). 20. “Synthesis control for carbon nanowalls on copper supports pro development of green energy applications,” G. Rius, M. Yoshimura, International Symposium on Surface Science – Towards Nano-, Bio-, and Green Innovation -, Tokyo (Dec. 12, 2011). 21. “Controlling the characteristics of platinum particles by means of site-specific carbon templates,” G. Rius, M. Yoshimura, International Symposium on Surface Science – Towards Nano-, Bio-, and Green Innovation -, Tokyo (Dec. 12, 2011). 22. “Cooperative Multiwalled Carbon Nanotubes for Enhanced Force Spectroscopy,” G. Rius, M. Yoshimura, International Symposium on Surface Science – Towards Nano-, Bio-, and Green Innovation -, Tokyo (Dec. 12, 2011). 23. “Synthesis of graphene films from adamantane by flame-annealing method,” R. N. Tiwari, M. Yoshimura, International Symposium on Surface Science – Towards Nano-, Bio-, and Green Innovation -, Tokyo (Dec. 12, 2011). 24. “Robust Operation and Performance of Integrated Carbon Nanotubes Atomic Force Microscopy Probes,” G. Rius, I.T. Clark, M. Yoshimura, 15th International Conference on Thin Films, Osaka (Nov. 11, 2011). 25. “Structured Nanocarbon on Various Metal Foils by Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,” G. Rius, S. Suzuki, M. Yoshimura, 15th International Conference on Thin Films, Osaka (Nov. 8, 2011). (*22) 26. “Thermal Transformation of Fullerene to Graphene Film by Nickel Foil Catalysis,” R. Tiwari, M. Yoshimura, 15th International Conference on Thin Films, Osaka (Nov.8, 2011). 27. “Hydrogen Ething Effect of CNW Prepared in Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,” S. Suzuki and M. Yoshimura, 2nd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, 名城大学 (Mar. 7-10, 2010). (*22) 28. “Chemical and electrical microanalyses for piezoresistive effect of RuO2-glass thick film resistors on modeled interfaces and equivalent thin films to the functional interface (Invited),” M. Totokawa, M. Yoshimura, T. Nonaka, H. Azuma, A. Takeichi, R. Asahi, T. Tani, Electronic Materials and Applications 2010, FL, U.S.A. (January 20-22, 2010). 29. “Growth and Characterization of Co-, Ni-, and Pd-nanoparticle-containing CNTs on SPM probe apices,” Ian Thomas Clark, Symposium on Surface and Nano Science 2010, Shizukuishi (January 15–18, 2010). 30. “STM Study of Hydrogenation of Si(110) Surface in UHV Conditions,” A. Visikovskiy, M. Yoshimura and K. Ueda, 17th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM17), Atagawa (Dec.10-12, 2009). 31. “Fabrication of Graphene Sheets by Liquid-Phase Exfoliation, S. Suzuki and M. Yoshimura, 17th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM17) , Atagawa (Dec.10-12, 2009). 32. “Coadsorption of Ni and Sn on Si(111) Studied by STM,” M. Yoshimura and M. Sakimoto, 17th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM17) , Atagawa （様式１） プロジェクト番号 S0901036 (Dec.10-12, 2009). 33. “Growth and Characterization of Fe-, Co-, and Ni-Nanoparticle-Containing CNTs on SPM Probe Apices,” I.T. Clark, C.-C Chiu and M. Yoshimura, 17th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM17) , Atagawa (Dec.10-12, 2009). (*17) 34. “Synthesis of carbon nanotubes on the atomic force microscope tip by liquid Co catalyst,” C. Chiu, M. Yoshimura, and K. Ueda, 20th European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides, Athens, Greece (Sep.6-10, 2009). (*17) 35. “The Fastest High Definition Raman Imaging of Carbon Nanotubes Bridged Between Electrodes,” Tomoya Uchiyama, Taisuke Ota, Minoru Kobayashi, and Masamichi Yoshimura, 2009 MRS Fall Meeting, Boston, MA, USA (Nov. 30 – Dec. 4, 2009). 36. “The Fastest High Definition Raman Imaging of Carbon Nanotubes Bridged Between Electrodes,” Tomoya Uchiyama, Taisuke Ota, Minoru Kobayashi, and Masamichi Yoshimura, PITTCON 2010, Orlando, FL, USA (Feb. 28 – Mar 5, 2010). 37. “First-principles Study of Hydrogenated Si(110) Surface: Atomic Hydrogen Induced 2x3 Structure,” M. Yoshimura, S. Hara and A. Visikovskiy, 18th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy Dec 9-11, 2010, Atagawa. 38. “Fabrication of Carbon Nanotubes for High Performance Scanning Probe Microscopy,” M. Yoshimura, I.T. Clark and G. Rius, 18th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy Dec 9-11, 2010, Atagawa. 39. “Hydrogen termination and metal epitaxy on Si(110),” M. Yoshimura, A. Visikovskiy, and I. T. Clark, 9th Russia Japan Seminar on Semiconductor Surfaces (RJSSS-9), Sep. 26-30, 2010, Russia. 40. “SPM-Probe-Mounted Pd-Catalyzed CNTs: Growth and Characterization,” Ian Thomas Clark, Masamichi Yoshimura, 18th International Vacuum Congress, Aug. 23-27, 2010, China. (*23) 41. “Development of Carbon Nanotube-based Scanning Tunneling Microscopy tips,” Gemma Rius, Ian Thomas Clark, Yuki Matsuoka, and Masamichi Yoshimura, Spin-Polarized Scanning Tunneling Microscopy (SPSTM-3) Aug. 19-20, 2010, Korea. 42. “Tuning of Carbon Nanowalls Structure through hydrogen-methane flow rate ratio,” Seiya Suzuki, Masamichi Yoshimura, Spin-Polarized Scanning Tunneling Microscopy (SPSTM-3) Aug. 19-20, 2010, Korea. 43. “Effect of Buffer Layers on the Synthesis of Carbon Nanotubes by Alcohol Catalytic Chemical Vapor Deposition,” Ian Thomas Clark, Masamichi Yoshimura, Spin-Polarized Scanning Tunneling Microscopy (SPSTM-3) Aug. 19-20, 2010, Korea. 44. “Novel Co-Axial Pd-Nanowire/Carbon Nanotube Heterostructures Grown by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition: Growth Mechanism and Applications,” Ian Thomas Clark, Gemma Rius, Yuki Matsuoka, Masamichi Yoshimura, SSSJ-A3 Foresight Joint Symposium on Nanomaterials and Nanostructures July 5-7, 2010, Tokyo. (*12) 45. “Hydrogen Ething Effect of CNW Prepared in Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,” S. Suzuki and M. Yoshimura, 2nd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 2010.3.7-10, 名城大学. (*22) （様式１） S0901036 プロジェクト番号 46. “The Fastest High Definition Raman Imaging of Carbon Nanotubes Bridged Between Electrodes,” Tomoya Uchiyama, Taisuke Ota, Minoru Kobayashi, and Masamichi Yoshimura PITTCON 2010, 2010 年 2 月 28 日～3 月 5 日, Orlando, FL, USA. 47. “Chemical and electrical microanalyses for piezoresistive effect of RuO2-glass thick film resistors on modeled interfaces and equivalent thin films to the functional interface (Invited),” M. Totokawa, M. Yoshimura, T. Nonaka, H. Azuma, A. Takeichi, R. Asahi, T. Tani, Electronic Materials and Applications 2010, January 20-22, 2010, FL, USA. 48. “Growth and Characterization of Co-, Ni-, and Pd-nanoparticle-containing CNTs on SPM probe apices,” Ian Thomas CLARK, Symposium on Surface and Nano Science 2010, Shizukuishi, January 15–18, 2010. (*23) 49. “Growth and Characterization of Fe-, Co-, and Ni-Nanoparticle-Containing CNTs on SPM Probe Apices,” I.T. Clark, C.-C Chiu and M. Yoshimura, 17th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM17), Dec.10-12, 2009, Atagawa. (*23) 50. “Coadsorption of Ni and Sn on Si(111) Studied by STM,” M. Yoshimura and M. Sakimoto, 17th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM17), Dec.10-12, 2009, Atagawa. 51. “Fabrication of Graphene Sheets by Liquid-Phase Exfoliation,” S. Suzuki and M. Yoshimura, 17th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM17), Dec.10-12, 2009, Atagawa. 52. “STM Study of Hydrogenation of Si(110) Surface in UHV Conditions,” A. Visikovskiy, M. Yoshimura and K. Ueda, 17th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM17), Dec.10-12, 2009, Atagawa. 53. “The Fastest High Definition Raman Imaging of Carbon Nanotubes Bridged Between Electrodes,” Tomoya Uchiyama, Taisuke Ota, Minoru Kobayashi, and Masamichi Yoshimura, 2009 MRS Fall Meeting, Nov. 30 – Dec. 4, 2009, Boston, MA, USA. 54. “Synthesis of carbon nanotubes on the atomic force microscope tip by liquid Co catalyst,” C. Chiu, M. Yoshimura, and K. Ueda, 20th European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides, Sep. 6-10, 2009, Athens, Greece. “局所磁性構造： 局所磁性” 1. “Reversal of Domain Wall Motion in Perpendicularly Magnetized TbFeCo Wires : Size Dependence. (RB-02)” D. Bang, and H. Awano, The 3rd International Symposium on Advanced Magnetic Materials and Applications 2013, Taichung, Taiwan(2013)). (*25) 2. “Study on Pt buffer-improved perpendicular magnetic anisotropy of TbFeCo nanowires by extraodinary Hall effect. (BQ-13)” H. Awano, and D. Bang, Joint MMM-INTERMAG 2013, Chicago, USA (2013). (*25) 3. “Current-induced domain wall motion in perpendicular magnetized Tb-Fe-Co wire in presence of Rashba field. (DC-01)” D. Bang, and H. Awano, Joint MMM-INTERMAG 2013, Chicago, USA (2013)). (*25) 4. “Basic Research for drastic power saving memory & logic using TbFeCo nanowire (B8)” H. （様式１） プロジェクト番号 S0901036 Awano, Energy Materials Nanotechnology Fall 2012, Las Vegas, USA (2012). 5. “Study of low current driven spin logic in PMA TbFeCo wire (4aD-9)” T. Kanehira and H. Awano, The 2nd International Conference of Asian Union of Magneics Societies , Nara, JAPAN (2012)). (*24) 6. “TbFeCo/Rh/TbFeCo planer patterned media with ferromagnetic transition from antimagnetic media by Kr ion irradiation (4aA-4)” H. Ono and H. Awano, The 2nd International Conference of Asian Union of Magneics Societies , Nara, JAPAN (2012)). (*24) 7. “Contribution of Rashba field of domain wall creap in TbFeCo nanowires” D. Bang and H. Awano, The 2nd International Conference of Asian Union of Magneics Societies , Nara, JAPAN (2012)). 8. “External magnetic field dependence of the magnetic wall drive current density in a TbFeCo magnetic nanowire (JE-04)” H. Ono and H. Awano, ICM 2012 , Busan, KOREA (2012)). 9. “A new planer patterned media with anti-ferro/ferro transformation (QP-20)” T. Kanehira and H. Awano, ICM 2012 , Busan, KOREA (2012)). 10. “Proposal of new type of low current driven spin logic in PMA TbFeCo wire (GE-04)” D. Bang and H. Awano, ICM 2012 , Busan, KOREA (2012)). (*24) 11. “Contribution of domain walls on large magnetoresistance effect in ultra thin TbFeCo wires (PJ-09)” D. Bang and H. Awano, ICM 2012 , Busan, KOREA (2012)). (*24) 12. “Current and magnetic field driven domain wall motion study for amorphous TbFeCo magnetic nanowire (HD-03)” H. Awano, INTERMAG 2012 , Vancouver, CANADA (2012)). (*24) 13. “Multi-level of magneto-resistance in sputtered TbFeCo nanowires (EF-03)” D. Bang, and H. Awano, INTERMAG 2012 , Vancouver, CANADA (2012)). (*24) 14. “Investigation of lower current (4.2 x 106 A/cm2) driven domain walls in TbFeCo nanowires” H. Awano, Ngo, and K. Ikeda, 56th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials 2011 , Scottsdale, USA (2011)). 15. “Basic research of terabits planer patterned media (FM/AFM) using a near field heat assisted magnetic recording head,” H. Awano, S. Terasaki, N. Watanabe, and D-T. Ngo, 13th Magnetics and Optics Research International Symposium, MORIS2011 (P70), Nijmegen, The Netherlands (2011). (*24) 16. “Low-current induced domain wall motion in CoB/Ni-based nanowire,” D-T. Ngo, N. Watanabe, K. Kato, S. Iwata, and H. Awano, 13th Magnetics and Optics Research International Symposium, MORIS2011 (P4), Nijmegen, The Netherlands (2011). (*25) 17. “Formation of magnetic structure by domain wall confinement in nanoconnstriction,” D. Ngo, M. C. Hickey, S. McVitie, D. McGrouther, C.H. Marrows, J. N. Chapman, and H. Awano, Intermag 2011 (AR-10), Taipei, Taiwan (2011)). 18. “CoB/(Pt, Ni) multilayer films for low-current nanowire magnetic memory,” D. Ngo, N. Watanabe, S. Terasaki, J. Miyamoto, and H. Awano, Intermag 2011 (GC-03-), Taipei, Taiwan (2011). (*24,25) （様式１） プロジェクト番号 S0901036 ＜研究成果の公開状況＞（上記以外） シンポジウム・学会等の実施状況、インターネットでの公開状況等 ※ホームページで公開している場合には、URL を記載してください。 ＜既に実施しているもの＞ 第１回局所構造制御研究センターシンポジウム （2010.10.15） 第２回局所構造制御研究センターシンポジウム （2011.10.7） 第３回局所構造制御研究センターシンポジウム （2012.10.5） ホームページ： http://www.toyota-ti.ac.jp/kenkyu/ken09.html ＜これから実施する予定のもの＞ 最終年度局所構造制御研究センターシンポジウム （2013.11.15） １４ その他の研究成果等 「１３ 研究発表の状況」で記述した論文、学会発表等以外の研究成果、企業との連携実績があれば具体的に 記入してください。また、上記、１１(４)に記載した研究成果に対応するものには下線及び＊を付してください。 ※ 論文や学会発表等になじまない研究である場合は、本欄を充実させること 1. 経済産業省 H23 年度「民間企業の研究開発力強化および実用化支援事業」 ○採択時期：H23 年 8 月 ○事業主体及び内容：(株)ハマダ、(学)トヨタ学園豊田工業大学 金属製人工股関節の耐摩耗性向上のための窒化処理技術と表面加工技術の開発 2. 「中空球状アロフェンナノ粒子を基材としたナノコンポジットの開発」 荒川修一 、岡本正 巳、イノベーション・ジャパン２０１３-大学見本市、東京ビッグサイト、2013 年 8 月 29-30 日 3. 特許 願 2012-154658 「InP 半導体微粒子の製造方法」 須藤裕之、神谷格 （様式１） プロジェクト番号 S0901036 １５ 「選定時」及び「中間評価時」に付された留意事項とそれへの対応 ＜「選定時」に付された留意事項＞ 留意事項が付されていない場合は「該当なし」と記載してください。 該当なし ＜「選定時」に付された留意事項への対応＞ 付された留意事項に対し、どのような対応策を講じ、また、それにより、どのような成果があがったか等につい て、詳細に記載してください。 ＜「中間評価時」に付された留意事項＞ 留意事項が付されていない場合は「該当なし」と記載してください。 評価体制について、外部評価者の不在が指摘された。 ＜「中間評価時」に付された留意事項への対応＞ 付された留意事項に対し、どのような対応策を講じ、また、それにより、どのような成果があがったか等につい て、詳細に記載してください。 指摘後、この分野を良く知る、立命館大学 総合科学技術研究機構 上席研究員 青柳克 信氏に外部評価委員を依頼した。 青柳委員にはシンポジウム資料を送付しコメントを求める他、アドバイスを求め、研究内容 についての助言などを得た。 一方、XRD による結晶成長観察など一部研究内容については 疑義も指摘されたが、逆に当方で得ている結果を説明する事で理解を得る等のやり取りがあ った。