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Search: GaN-on-Si技術
高周波光デバイスの変遷と今後の展開
研究 - 首都大学東京
平成24年度事業報告 - 公益財団法人 科学技術交流財団
基板上リン化ホウ素の結晶構造と 電気的特性に関する研究 伊野 裕司
GaN の非輻射性点欠陥と InGaN
第 1 章 序論
プロセスイノベーションによる科学知識の爆発 - R-Cube
著書および学術雑誌等に発表したもの - Institute of Industrial Science
要旨 - 工学院大学図書館
3 - 大阪大学 産業科学研究所 - Osaka University
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