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高信頼InP-HBT集積回路製造技術

原子拡散接合を用いて高放熱のSiC基板上 に作製したInP-DHBT

951KB - JEITA半導体部会

1171KB - JEITA半導体部会

NEWS LETTER

14 半導体 B（探索的材料・物性・デバイス）

超高速光エッジノード技術の研究開発

参考資料 - TOKYO TECH OCW

両平面回路を用いたマイクロ波発振器の研究

ミリ波帯無線装置の高能率化技術の 研究開発
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