Comments
Transcript
Datasheet: 64-kb I 2 C CMOS Serial EEPROM
LE2464C 64 kb I2C CMOS Serial EEPROM 概要 LE2464Cは2線式シリアルインターフェース(I2C Bus*タイプ) EEPROMである。本製品は、当社CMOS EEPROM技術を採用するこ とにより、高速動作、高信頼性を実現している。 また、本製品のインターフェースはI2C Bus互換プロトコルである ため、小規模なパラメータ格納用不揮発性メモリとして最適である。 www.onsemi.jp 特長 容量 単一電源 動作温度範囲 インターフェース : 64k bits (8k ×8 bits) : 1.7 V ~ 3.6 V : -40ºC ~ +85ºC : 2ワイヤ シリアル インターフェース WLCSP6, 0.80x1.20 (I2C Bus) 動作周波数 : 400 kHz 低消費電流 : スタンバイ時 : 2 A (max.) : 読み出し時 : 0.5 mA (max.) ページライト機能 : 32 Bytes リード機能 : シーケンシャルリード、ランダムリード スレーブアドレス : B3 (TEST) ピンによりスレーブアドレスS2設定可能 書き換え回数 : 106 回 (ページライト) データ保持 : 20 年 高信頼性 : 独自のシンメトリーメモリアレイ構成 (USP6947325) を採用 ハードウェアライトプロテクト機能 SCL, SDA端子にノイズフィルター搭載 低電源電圧時の書き込み禁止機能搭載 パッケージ : WLP6(1.200.80) 0.33 mm height 電気的仕様 絶対最大定格 / Ta = 25C 項目 記号 条件 定格値 電源電圧 DC 端子電圧 端子に対する瞬時電圧 保存温度 Tstg 単位 0.5 ~ +4.6 V 0.5 ~ VCC+0.5 1.0 ~ VCC+1.0 V 65 ~ +150 C V 最大 定格を超え るストレ スは、デ バイスに ダメージ を与える 危険性が あります。 これらの 定格値を 超えた場 合は、デ バイスの 機能性を 損ない、ダ メージが 生じ 、信頼性に 影響を及 ぼす危険 性があり ます。 この製品は米国 SST 社(Silicon Storage Technology, Inc.)のライセンスを受けています。 ORDERING INFORMATION See detailed ordering and shipping information on page 16 of this data sheet. © Semiconductor Components Industries, LLC, 2016 August 2016 - Rev. 3 1 Publication Order Number : LE2464CJP/D LE2464C 推奨動作範囲 項目 記号 定格値 条件 min typ 単位 max 動作電源電圧 1.7 3.6 V 動作周囲温度 40 +85 C 推奨動作範囲を超えるストレスでは推奨動作機能を得られません。推奨動作範囲を超えるストレスの印加は、デバイスの信頼性に影響を与える危険性があります。 DC 電気的特性 項目 記号 定格値 条件 min typ 単位 max ICC1 f = 400 kHz, VCC = VCC max 0.5 mA 書き込み時消費電流 ICC2 f = 400 kHz, tWC = 5ms, VCC = VCC max 3 mA 待機時消費電流 ISB VIN = VCC or GND 2 µA 2.0 +2.0 µA 2.0 +2.0 µA VCC 0.3 V 読み出し時消費電流 入力リーク電圧 ILI 出力リーク電圧 ILO 入力「L 」レベル電圧 VIL 入力「H 」レベル電圧 VIH レベル出力電圧 VIN = GND to VCC, VCC = VCC max VIN = GND to VCC, VCC = VCC Max VCC 0.7 VOL V IOL = 0.7 mA, VCC = 1.7 V 0.2 V IOL = 1.0 mA, VCC = 1.7 V 0.4 V IOL = 2.0 mA, VCC = 2.5 V 0.4 V 端子容量 / Ta = 25C, f = 1 MHz 項目 記号 max 条件 単位 入出力端子容量 CI/O VI/O = 0 V (SDA) 10 pF 入力端子容量 CI VIN = 0 V 10 pF AC電気的特性 VCC 入力パルス電圧 0.1 × VCC ~ 0.9 × VCC 入力パルス 立ち上がり・立下り時間 20 ns 出力判定電圧 0.5 × VCC 出力負荷 50 pF + プルアップ抵抗 3.0 kΩ R=3.0kΩ SDA C=50pF Output Load Circuit 製品パラメータは、特別な記述が無い限り、記載されたテスト条件に対する電気的特性で示しています。異なる条件下で製品動作を行った時には、電気的特性で 示している特性を得られない場合があります。 www.onsemi.jp 2 LE2464C Fast Mode 項目 記号 定格値 min typ 単位 max スレーブ時 SCL クロック周波数 fSCLS 0 SCL クロック“L”時間 tLOW 1200 400 kHz SCL クロック“H”時間 tHIGH 600 SDA 出力遅延時間 tAA 100 SDA 出力保持時間 tDH 100 ns スタートコンディションセットアップ時間 tSU.STA 600 ns スタートコンディションホールド時間 tHD.STA 600 ns データ入力セットアップ時間 tSU.DAT 100 ns データ入力ホールド時間 tHD.DAT 0 ns ストップコンディションセットアップ時間 tSU.STO 600 SCL・SDA 立ち上がり時間 tR 300 ns SCL・SDA 立ち下がり時間 tF 300 ns バス解放時間 tBUF ノイズサプレッション時間 tSP 100 ns 書き込み時間 tWC 5 ms ns ns 900 ns ns 1200 ns Standard Mode 項目 記号 定格値 min typ 単位 max スレーブ時 SCL クロック周波数 fSCLS 0 SCL クロック“L”時間 tLOW 4700 SCL クロック“H”時間 tHIGH 4000 SDA 出力遅延時間 tAA 100 SDA 出力保持時間 tDH 100 ns スタートコンディションセットアップ時間 tSU.STA 4700 ns スタートコンディションホールド時間 tHD.STA 4000 ns データ入力セットアップ時間 tSU.DAT 250 ns データ入力ホールド時間 tHD.DAT 0 ns ストップコンディションセットアップ時間 tSU.STO 4000 SCL・SDA 立ち上がり時間 tR 1000 ns SCL・SDA 立ち下がり時間 tF 300 ns バス解放時間 tBUF ノイズサプレッション時間 tSP 100 ns 書き込み時間 tWC 5 ms www.onsemi.jp 3 100 kHz ns ns 3500 ns ns 4700 ns LE2464C 外形図 unit : mm WLP6(1.20.8) 0.33mm height TOP VIEW BOTTOM VIEW SIDE VIEW 1.2±0.05 A B 0.4 0.8±0.05 B 0.2 A 3 6 X φ0.20±0.05 φ0.05 M SIDE VIEW S 1 2 0.4 AB 0.2 0.08 S 0.33 MAX 0.08±0.05 S WLCSP6, 0.80x1.20 CASE 567HM ISSUE O NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M, 1994. 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS. 3. COPLANARITY APPLIES TO SPHERICAL CROWNS OF SOLDER BALLS. A B E PIN A1 REFERENCE D 0.05 C 2X 0.05 C 2X DIM A A1 b D E e TOP VIEW A 0.05 C A1 RECOMMENDED SOLDERING FOOTPRINT* 0.08 C NOTE 3 6X C SIDE VIEW SEATING PLANE 0.40 PITCH A1 PACKAGE OUTLINE e b 0.05 C A B 0.03 C MILLIMETERS MIN MAX --0.33 0.03 0.13 0.15 0.25 0.80 BSC 1.20 BSC 0.40 BSC 6X e B 0.40 PITCH A 1 2 3 BOTTOM VIEW 0.20 DIMENSIONS: MILLIMETERS *For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D. www.onsemi.jp 4 LE2464C ピン配置図 Top View Ball side View A SCL WP VCC SDA GND TEST B B SDA GND TEST SCL WP VCC A 1 2 3 1 2 3 ピン名称 A1 SCL Serial clock input A2 WP Write protect A3 VCC Power supply B1 SDA Serial data in/output B2 GND Ground B3 TEST Slave Device Address 2 ブロック図 SDA X decoder Address generator Serial controller High voltage generator EEPROM Array Y decoder & Sense AMP I/O Buffer SCL Condition detector Write controller Input Buffer TEST WP Serial-Parallel converter www.onsemi.jp 5 LE2464C バスタイミング tF tHIGH tLOW tR tSP SCL tSU.STA tHD.STA tHD.DAT tSU.DAT tSU.STO tSP SDA/IN tAA tBUF tDH SDA/OUT ライトサイクルタイミング tWC SCL SDA D0 書き込みデータ アクノリッジ ストップ コンディション スタート コンディション 各端子の機能説明 SCL (シリアルクロック入力) SCL端子はシリアルクロック入力端子であり、SCLクロック信号の立ち上がり、立ち下がりエッジで信号処理を 行う。 抵抗でVCC電位にプルアップし、他のオープンドレイン(あるいはオープンコレクタ)出力のデバイスとワイヤー ドオア接続して使用する。 SDA (シリアルデータ入出力) SDA端子は入出力にシリアルデータ転送を行うためのもので、信号入力端子と、Nch型トランジスタオープンド レイン出力端子から構成される。 SDAラインもSCLライン同様、抵抗でVCC電位にプルアップし、他のオープンドレイン(あるいはオープンコレク タ)出力のデバイスとワイヤードオア接続して使用する。 TEST (スレーブアドレス) TEST 端子は S2 の機能を持つ。 TEST 端子が”H”の時は、7bit のデバイスアドレス値は 054 となる。 TEST 端子が”L”の時は同様にして 050 となる。TEST 端子は VCC 又は GND に接続して使用する。 WP (ライトプロテクト) WP端子が”H”の時は、ライトプロテクトがイネーブルとなり、すべてのメモリー領域への書き込みが禁止され る。”L”の時には、すべてのメモリー領域へのライト動作が可能となる。リード動作については、WP端子に関 係なく動作可能である。 www.onsemi.jp 6 LE2464C 動作説明 1) スタートコンディション SCLラインが“H”レベルのときに、SDAラインを“H”から“L”へ変化させることで、スタートコンディショ ンとなる。EEPROMとしてのスレーブ動作はスタートコンディションで始まる。 2) ストップコンディション SCLラインが“H”レベルの時に、SDAラインを“L”から“H”へ変化させることで、ストップコンディション となる。 読み出しシーケンスの際、ストップコンディションを受け取ると、読み出し動作は中断され、デバイスはス タンバイモードとなる。書き込みシーケンスの際、ストップコンディションを受け取ると、書き込みデータ の取り込みを終了し、EEPROM の書き換え動作を開始する。 tSU.STA tSU.STO tHD.STA SCL SDA ストップ コンディション スタート コンディション 3) データ転送 SCLラインが“L”である期間にSDAラインを変化させることで、データ転送を行う。SCLラインが“H”である 期間にSDAラインが変化すると、スタートあるいはストップコンディションとして認識される。 tSU.DAT tHD.DAT SCL SDA www.onsemi.jp 7 LE2464C 4) アクノリッジ データ転送は、8ビット単位で送受信される。アクノリッジ信号は、この8ビットのデータが送信または受信 されたことを示す信号であり、続く9番目のクロック目に受信側がSDAラインを“L”を出力する。 送信側は、 この9番目のクロックでアクノリッジ信号を受信するためにSDAラインを解放する必要がある。 EEPROM の書き換え動作中は、アクノリッジ信号は返さない。 SCL (EEPROM 入力) 8 1 9 SDA (マスター出力) SDA (EEPROM 出力) アクノリッジ 出力 スタート コンディション tAA tDH 5) デバイスアドレッシング 通信を行うために、システム上のマスターデバイスは、スレーブデバイス(EEPROM)に対して、スタートコン ディションを発生させる。引き続き、7ビット長のデバイスアドレスと1ビット長のリード/ライト命令コード を、SDAバス上に送ることで固有のスレーブデバイスと通信することができる。 デバイスアドレスの上位4ビットはデバイスコードと呼び、本製品は“1010”に固定されている。本製品は、 デバイスコードに続く3ビットのスレーブアドレスS0、S1、S2を有し、S0、S1は内部で固定である。S0,S1は 出荷時S0=0、S1=0に設定されている。このデバイスはS2の値により同一バスに2個まで接続して通信すること ができる。 SDAから入力されたデバイスコード+スレーブアドレスと本製品のデバイスコード+設定されたスレーブアド レスを比較し一致した場合には、9番目のクロックサイクル期間において本製品がアクノリッジを返し、リー ド/ライト命令コードに従いリードまたはライト動作を行う。もし一致しなければスタンバイモードとなる。 Slave Address Device Code 1 0 1 0 S2 S1 S0 R/W LSB MSB Device address word www.onsemi.jp 8 LE2464C 6) EEPROM書き込み動作 6)-1.バイトライト EEPROM が、スタートコンディションに続き、7 ビット長のデバイスアドレスと、ライト命令コードの“0”を 受け取ると、アクノリッジを出力する。続けて、ワードアドレス(A15~A8)を受け取り、アクノリッジを出力。 ワードアドレス(A7~A0)を受け取り、アクノリッジを出力する。さらに 8 ビットの書き込みデータを受け取 り、アクノリッジを出力した後、ストップコンディションを受け取ることで、指定したメモリアドレスの EEPROM の書き換え動作が開始される。書き換え時間はストップコンディション後、tWC 期間で終了する。 EEPROM の書き換え動作中は、入力が無効となり、アクノリッジ信号は出力しない。 Word Address 1 0 1 0 S2 A A A A A A 15 14 13 12 11 10 A9 A8 S1 S0 W ACK R/W D7 D A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 ACK Stop Start SDA Data D D D D D D ACK ACK A15 ~ A13: Don’t Care Access from master device 6)-2. ページライト 本製品は、最大32バイトのページ書き込みが可能である。基本的なデータ転送手順は、バイトライトと同様 に、スタートコンディションに続き、7ビット長のデバイスアドレスと、ライト命令コード“0”、ワードアド レス(n)、データ(n)の順に、9ビットごとのアクノリッジの出力を確認しながら入力する。データ(n)入力後 にストップコンディションを入力しないで書き込みデータ(n+1)を入力するとページライトモードに入る。以 降、連続的に8ビットの書き込みデータの受け取りと、アクノリッジの出力を繰り返し、最大ページサイズ分 の書き込みデータを受け取ることができる。 書き込みデータ(n+1)を入力した時点で、ワードアドレスの下位 7 ビット(A0~A5)は自動的にインクリメント され(n+1)番地になる。このように書き込みデータを次々と入力することができ、書き込みデータ入力ごとに ページ内のワードアドレスがインクリメントされる。もし、書き込みデータが 32 バイトを越える場合やペー ジの最終アドレスを越える場合は、ページ内ワードアドレスがロールオーバーする。また、同一アドレスに 書き込みデータが 2 度以上入力されることになるが、その場合は最後に入力された書き込みデータが有効に なる。最後に、ストップコンディションを受け取ることで、書き込みデータを受け取ったページサイズに相 当する EEPROM の書き換え動作が、指定したメモリアドレスから始まる。書き換え時間はストップコンディシ ョン後、tWC 期間で終了する。 1 A A A A A A 15 14 13 12 11 10 0 1 0 S2 S1 S0 W A9 A8 ACK Data(n) A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D7 ACK ACK D D D D D D D ACK R/W Data(n+x) Data(n+1) D7 D ACK ~ D D ····· ACK D7 D ~ D D ACK D7 D~ D D D7 D~ D D ACK Stop SDA Start Word Address(n) ACK A15 ~ A13: Don’t Care Access from master device www.onsemi.jp 9 LE2464C 6)-3. アクノリッジポーリング アクノリッジポーリングは、EEPROMの書き換え動作の終了を知るために用いる。ストップコンディションを 受け取り、いったんEEPROMが書き換えを開始すると、全ての動作は禁止され、マスターデバイスの送出する 信号に応答することはできない。従って、EEPROMの書き換え動作の終了を知るためには、マスターデバイス からEEPROM(スレーブデバイス)に対してスタートコンディション・デバイスアドレス・ライト命令コード を送出し、スレーブデバイスの応答を検出する。 すなわち、スレーブデバイスがアクノリッジを出力しなければ、書き換え動作中であることを示し、アクノ リッジを出力すれば、書き換え動作が終了したということを知ることができる。 アクノリッジポーリングの際にマスターデバイスが送出するコードは、引き続きライトまたはランダムリー ドを行う場合はライト命令の“0”を、引き続きカレントリード、シーケンシャルリードを行う場合はリード 命令の“1”を実行すること。また、ライト命令の“0”を実行し ACK="L"を確認した後、スタートコンディシ ョン・ストップコンディション入力することでコマンドがキャンセルされ、スタンバイモードに移行する。 0 1 0 S2 S1 S0 W ライト中 1 0 1 0 S2 S1 S0 W NO ACK NO ACK R/W ライト終了 Start 1 Start SDA Start ライト中 R/W 1 0 1 0 S2 S1 S0 W ······ ACK R/W マスター側からのアクセス www.onsemi.jp 10 LE2464C 7) EEPROMリード動作 7)-1. カレントアドレスリード EEPROMの内部アドレスは、書き込み*・読み出し動作とも、最後にアクセスしたメモリアドレスの+1番地を 保持する。従って、マスターデバイスがEEPROMのアドレス・ポインターの位置を認識しているのであれば、 ワードアドレスを指定することなしに、現在のアドレス・ポインターのメモリアドレスより、データを読み 出すことができる。 カレントアドレスリードではライトと同様に、スタートコンディションに続き、7ビット長のデバイスアド レスと、リード命令コードの“1”を受け取ると、EEPROMがアクノリッジを出力する。この後、(n+1)番地の データ8ビットが上位からシリアルに出力される。8ビット出力された後、アクノリッジを出力せず、ストッ プコンディションを入力することでEEPROMはリード動作を終了しスタンバイ状態となる。 もし、前回の読み出しアドレスが最終番地の場合、カレントアドレスリードのアドレスは、ロールオーバー し0番地となる。 *: ページ書き込み後のカレントアドレスは、書き込むデータが1バイト以上32バイト未満の場合は、指定 したワードアドレスに書き込むバイト数+1番地となり、書き込むデータが32バイト以上の場合は、指定し たワードアドレスとなる。 また、バイトライトでページ内の最終番地(A5~A0=111111b)をワードアド レスとして指定した場合、書き込み後の内部アドレスは同一ページ内の最初の番地(A5~A0=000000b)となる。 Start SDA 0 1 1 0 S2 S1 S0 D7 R Stop Data (n+1) Device Address D D D D D D D NO ACK ACK R/W マスター側からのアクセス 7)-2. ランダムリード ランダムリードは、任意のメモリアドレスを指定しデータを読み出すモードである。アドレスの指定は、ダ ミーのライト入力により行う。 まずEEPROMが、スタートコンディションに続き、7ビット長のデバイスアドレスと、ライト命令コードの “0”を受け取るとアクノリッジを出力する。続けてワードアドレス(A15~A8)を受け取り、アクノリッジを 出力。 ワードアドレス(A7~A0)を受け取り、アクノリッジを出力する。ここまでの動作で、EEPROM内のア ドレスカウンタにワードアドレスがロードされる。 次に再度スタートコンディションを入力しカレントリードを行う。これによりダミーライト入力で入力され たワードアドレスのデータが出力される。データ出力後、アクノリッジの入力なしに、ストップコンディシ ョンが入力されるとリードを終了しスタンバイ状態となる。 Word Address(n) 0 1 0 S2 S1 S0 W A A A A A A 15 14 13 12 11 10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 ACK ACK ACK R/W Dummy Write Device Address 1 ACK 0 1 Data(n) 0 S2 S1 S0 R D7 D ACK ~ D D Stop 1 Start SDA Start Device Address NO ACK R/W Current Read A15 ~ A13: Don’t Care Access from master device www.onsemi.jp 11 LE2464C 7)-3. シーケンシャルリード データを連続してリードするモードで、カレントアドレスリード,ランダムリードともに動作が可能である。 8ビットのデータが出力された後、アクノリッジ“0”を入力しストップコンディションを発行せずリードを 続けると、アドレスがインクリメントされ、次のアドレスのデータが出力される。このようにデータ出力後 にアクノリッジ“0”を入力し続けると、アドレスインクリメントしながら次々とデータが出力される。ア ドレスが最終番地になった場合は、0番地にロールオーバーして連続リードされる。動作の終了はカレント アドレスリード,ランダムリードと同様にアクノリッジの入力なしに、ストップコンディションを入力する ことで終了する。 Start SDA D7 1 0 1 0 S2 S1 S0 R ACK Data(n+1) D6 ~ D1 D0 D7 D6 ~ D1 D0 ACK Data(n+2) D7 ACK Data(n+x) D6 ~ D1 D0 D7 D6 ~ D1 D0 ACK R/W マスター側からのアクセス www.onsemi.jp 12 Stop Data(n) Device Address NO ACK LE2464C アプリケーションノート 1) ソフトウェアリセット 電源立ち上がり後の誤動作の回避及びコマンド入力中のリセットを行うために下図のソフトウェアリセット (スタートコンディション+ダミークロック9回+スタートコンディション)を実行すること。ダミークロック 入力期間中はSDAバスを開放(プルアップによるH)すること。ダミークロック期間中ではEEPROMよりACK出力 ならびにリードデータが出力されることが考えられるので強制的にHを入力すると過電流が流れてしまう。 また、このソフトウェアリセット機能は EEPROM への書き込み期間中(tWC)働かないので注意すること。 ダミークロック×9 1 SCL 8 2 9 SDA スタート コンディション スタート コンディション 2) SDA端子のプルアップ抵抗 SDA端子はI2C BUSプロトコルの機能上、必ずプルアップ抵抗(数k ~ 数10k)を接続すること。この抵 抗値(RPU)は本製品を制御するマイコン等のVIL、IIL及び本製品のVOL-IOL特性より適切な値を選択すること。 一般に抵抗値が大きいと動作周波数が制限され、小さいと動作消費電流が増加する。 RPUの最大値 SDAバスに接続されるデバイスの入力リークの総和(IL)とRPUで決まるバスの電位がマイコン及びEEPROMの入 力Hレベル(VIH min)を十分満足できるよう設定すること。ただしSDA立ち上がり時間tR、立下り時間tFを満 足する抵抗値に設定する必要がある。 RPU最大値 = (VCC VIH) / IL 例えば VCC = 3.0 V, IL = 2 A の場合 RPU最大値 = (3.0 V 3.0 V×0.8) / 2 A = 300 k RPUの最小値 弊社EEPROMの低レベル出力電圧(VOL max)に応じた 抵抗値を設定すること。 RPU最小値 = (VCC VOL) / IOL RPU マスター デバイス IL EEPROM SDA CBUS IL 例えば VCC = 3.0 V, VOL = 0.4 V, IOL =1 mA の場合 RPU最小値 = (3.0 V 0.4) / 1 mA = 2.6 k RPUの推奨設定値 RPUは動作周波数の要求と消費電力の兼ね合いで設定されることになる。仮にSDAの負荷容量を50 pF、SDA 出力データの取り込みを500 nsとした場合、RPUは RPU = 500 ns / 50 pF = 10 k程度となる。 www.onsemi.jp 13 LE2464C 3) 電源投入時の注意 本製品は電源投入時の不用意な書き込みを防止するためのパワーオンリセット回路を搭載している。 パワーオンリセット回路を安定に動作させるため以下の条件を守ること。また、書き込み期間中の電源の 瞬断に対してはそのデータは保証しない。 記号 tRISE tOFF Vbot 項目 定格値 typ – – – min – 10 – 電源立ち上げ時間 電源立ち下げ時間 電源立ち下げ電圧 max 100 – 0.2 単位 ms ms V tRISE VCC tOFF Vbot 0V 注 1) 注 2) SDA=H かつ SCL=L または H にすること。 SDA, SCLがHi-Zにならないようにすること。 A. 上記 注 1 が守れない場合及び電源立ち上がり時に SDA が L になってしまう場合 電源安定後、以下のようにSCL, SDAをコントロールし、SCL,SDAを共にHとする。 VCC VCC tLOW SCL SCL SDA SDA tDH tSU.DAT tSU.DAT B. 上記 注 2 が守れない場合 電源安定後、ソフトウェアリセットを実行すること。 C. 上記 注 1, 2 共に守れない場合 電源安定後、上記Aを実行後、ソフトウェアリセットを実行すること。 4) SCL, SDA端子のノイズフィルタ 本製品にはSCL及びSDA端子にノイズを除去するためのフィルタ回路を搭載している。この機能により100 ns以下のパルスは認識されない。 5) 低電源電圧時の書き込み禁止機能 本製品には電源電圧監視回路を搭載し、動作電源電圧範囲の保証以下での不用意な誤書込みを禁止してい る。Typ. 1.3 V以下では書き込み動作が開始されないことでデータを保護する。 www.onsemi.jp 14 LE2464C 6) ライトプロテクト動作の注意 本製品はWP=Hの時にすべてのメモリ領域への書込みを禁止している。ライトプロテクトを確実に機能させ るためスタートコンディションからストップコンディションの全期間においてWP=Hを保持し、下記条件を 守ること。 WP 記号 項目 tSU.WP tHD.WP WPセットアップ時間 WPホールド時間 min 600 600 定格値 typ – – max – – 単位 ns ns tHD.WP tSU.WP SCL SDA Stop Condition Start Condition 7) スレーブアドレス設定 本製品にはスレーブアドレス端子は無いが、スレーブアドレスS0, S1, S2の情報を内部的に保持している。 本製品のスレーブアドレスは出荷時S0 = 0, S1 = 0, S2 = 0に設定している。デバイスアドレッシング時、デ バイスコードに引き続き、このスレーブアドレスコードの実行を行うこと。 www.onsemi.jp 15 LE2464C MARKING INFORMATION LE2464CXA WLP6(1.20x0.80) 66C Part ID : 66C Lot Number : 3digits Lot ORDERING INFORMATION Device LE2464CXATBG Package Shipping (Qty / Packing) WLCSP6, 0.80x1.20 (Pb-Free / Halogen Free) 5000 / Tape &Reel † テープ&リール仕様(製品配置方向, テープサイズ含む)に関する情報については、Tape and Reel Packaging Specifications パンフレット(BRD8011/D)をご参照ください。http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/BRD8011-D.PDF *:I2C バスはフィリップス社の商標です。 ON Semiconductor and the ON Semiconductor logo are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries. ON Semiconductor owns the rights to a number of patents, trademarks, copyrights, trade secrets, and other intellectual property. A listing of ON Semiconductor’s product/patent coverage may be accessed at www.onsemi.com/site/pdf/Patent-Marking.pdf. ON Semiconductor reserves the right to make changes without further notice to any products herein. ON Semiconductor makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does ON Semiconductor assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. Buyer is responsible for its products and applications using ON Semiconductor products, including compliance with all laws, regulations and safety requirements or standards, regardless of any support or applications information provided by ON Semiconductor. “Typical” parameters which may be provided in ON Semiconductor data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. ON Semiconductor does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. ON Semiconductor products are not designed, intended, or authorized for use as a critical component in life support systems or any FDA Class 3 medical devices or medical devices with a same or similar classification in a foreign jurisdiction or any devices intended for implantation in the human body. Should Buyer purchase or use ON Semiconductor products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold ON Semiconductor and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that ON Semiconductor was negligent regarding the design or manufacture of the part. ON Semiconductor is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner. (参考訳) ON Semiconductor 及び ON Semiconductor のロゴはON Semiconductor という商号を使う Semiconductor Components Industries, LLC 若しくはその子会社の米国及び / または他の国における商標です 。ON Semiconductorは特許、商標、著作権、トレードシークレット (営業秘密)と他の知的所有権に対する権利を保有します。 ON Semiconductor の製品/特許の適用対象リストについては、以下のリンクからご覧いただけます。www.onsemi.com/site/pdf/Patent-Marking.pdf. ON Semiconductor は通告なしで、 本書記載の製品の変更を行うことがあります。ON Semiconductor は、いかなる特定の目的での製品の適合性について保証しておらず、また、お客様の製品において回路 の応用や使用から生じた責任、特に、直接的、間接的、偶発的な損害など一切の損害に対して、いかなる責任も負うことはできません。お客様は、ON Semiconductor に よって提供されたサポートやアプリケーション情報の如何にかかわらず、すべての法令、規制、安全性の要求あるいは標準の遵守を含む、ON Semiconductor 製品を使用 したお客様の製品とアプリケーションについて一切の責任を負うものとします。 ON Semiconductor データシートや仕様書に示される可能性のある「標準的」パラメータ は、アプリケーションによっては異なることもあり、実際の性能も時間の経過により変化する可能性があります。 「標準的」パラメータを含むすべての動作パラメータは、 ご使用になるアプリケーションに応じて、お客様の専門技術者において十分検証されるようお願い致します。ON Semiconductor は、その特許権やその他の権利の下、い かなるライセンスも許諾しません。 ON Semiconductor 製品は、生命維持装置や、いかなる FDA(米国食品医薬品局)クラス3の医療機器、FDAが管轄しない地域におい て同一もしくは類似のものと分類される医療機器、あるいは、人体への移植を対象とした機器における重要部品などへの使用を意図した設計はされておらず、また、これ らを使用対象としておりません。お客様が、このような意図されたものではない、許可されていないアプリケーション用にON Semiconductor 製品を購入または使用した 場合、たとえ、 ON Semiconductor がその部品の設計または製造に関して過失があったと主張されたとしても、そのような意図せぬ使用、また未許可の使用に関連した死 傷等から、直接、又は間接的に生じるすべてのクレー ム、費用、損害、経費、および弁護士料など を、お客様の責任において補償をお願いいたしま す。また、ON Semiconductor とその役員、 従業員、 子会社、 関連会社、 代理店に対して、 いかなる損害も与えないものとします。 ON Semiconductor は雇用機会均等 / 差別撤廃雇用主です。 この資料は適用されるあらゆる著作権法の対象となっており、いかなる方法によっても再販することはできません。 www.onsemi.jp 16