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Datasheet: 64-kb I 2 C CMOS Serial EEPROM

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Datasheet: 64-kb I 2 C CMOS Serial EEPROM
LE2464C
64 kb I2C CMOS Serial EEPROM
概要
LE2464Cは2線式シリアルインターフェース(I2C Bus*タイプ)
EEPROMである。本製品は、当社CMOS EEPROM技術を採用するこ
とにより、高速動作、高信頼性を実現している。
また、本製品のインターフェースはI2C Bus互換プロトコルである
ため、小規模なパラメータ格納用不揮発性メモリとして最適である。
www.onsemi.jp
特長
 容量
 単一電源
 動作温度範囲
 インターフェース
: 64k bits (8k ×8 bits)
: 1.7 V ~ 3.6 V
: -40ºC ~ +85ºC
: 2ワイヤ シリアル インターフェース
WLCSP6, 0.80x1.20
(I2C Bus)
 動作周波数
: 400 kHz
 低消費電流
: スタンバイ時 : 2 A (max.)
: 読み出し時
: 0.5 mA (max.)
 ページライト機能 : 32 Bytes
 リード機能
: シーケンシャルリード、ランダムリード
 スレーブアドレス : B3 (TEST) ピンによりスレーブアドレスS2設定可能
 書き換え回数
: 106 回 (ページライト)
 データ保持
: 20 年
 高信頼性
: 独自のシンメトリーメモリアレイ構成 (USP6947325) を採用
ハードウェアライトプロテクト機能
SCL, SDA端子にノイズフィルター搭載
低電源電圧時の書き込み禁止機能搭載
 パッケージ
: WLP6(1.200.80) 0.33 mm height
電気的仕様
絶対最大定格 / Ta = 25C
項目
記号
条件
定格値
電源電圧
DC 端子電圧
端子に対する瞬時電圧
保存温度
Tstg
単位
0.5 ~ +4.6
V
0.5 ~ VCC+0.5
1.0 ~ VCC+1.0
V
65 ~ +150
C
V
最大 定格を超え るストレ スは、デ バイスに ダメージ を与える 危険性が あります。 これらの 定格値を 超えた場 合は、デ バイスの 機能性を 損ない、ダ メージが
生じ 、信頼性に 影響を及 ぼす危険 性があり ます。
この製品は米国 SST 社(Silicon Storage Technology, Inc.)のライセンスを受けています。
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information on page 16 of this data sheet.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016
August 2016 - Rev. 3
1
Publication Order Number :
LE2464CJP/D
LE2464C
推奨動作範囲
項目
記号
定格値
条件
min
typ
単位
max
動作電源電圧
1.7
3.6
V
動作周囲温度
40
+85
C
推奨動作範囲を超えるストレスでは推奨動作機能を得られません。推奨動作範囲を超えるストレスの印加は、デバイスの信頼性に影響を与える危険性があります。
DC 電気的特性
項目
記号
定格値
条件
min
typ
単位
max
ICC1
f = 400 kHz, VCC = VCC max
0.5
mA
書き込み時消費電流
ICC2
f = 400 kHz, tWC = 5ms,
VCC = VCC max
3
mA
待機時消費電流
ISB
VIN = VCC or GND
2
µA
2.0
+2.0
µA
2.0
+2.0
µA
VCC  0.3
V
読み出し時消費電流
入力リーク電圧
ILI
出力リーク電圧
ILO
入力「L 」レベル電圧
VIL
入力「H 」レベル電圧
VIH
レベル出力電圧
VIN = GND to VCC,
VCC = VCC max
VIN = GND to VCC,
VCC = VCC Max
VCC  0.7
VOL
V
IOL = 0.7 mA, VCC = 1.7 V
0.2
V
IOL = 1.0 mA, VCC = 1.7 V
0.4
V
IOL = 2.0 mA, VCC = 2.5 V
0.4
V
端子容量 / Ta = 25C, f = 1 MHz
項目
記号
max
条件
単位
入出力端子容量
CI/O
VI/O = 0 V (SDA)
10
pF
入力端子容量
CI
VIN = 0 V
10
pF
AC電気的特性
VCC
入力パルス電圧
0.1 × VCC ~ 0.9 × VCC
入力パルス
立ち上がり・立下り時間
20 ns
出力判定電圧
0.5 × VCC
出力負荷
50 pF + プルアップ抵抗 3.0 kΩ
R=3.0kΩ
SDA
C=50pF
Output Load Circuit
製品パラメータは、特別な記述が無い限り、記載されたテスト条件に対する電気的特性で示しています。異なる条件下で製品動作を行った時には、電気的特性で
示している特性を得られない場合があります。
www.onsemi.jp
2
LE2464C
Fast Mode
項目
記号
定格値
min
typ
単位
max
スレーブ時 SCL クロック周波数
fSCLS
0
SCL クロック“L”時間
tLOW
1200
400
kHz
SCL クロック“H”時間
tHIGH
600
SDA 出力遅延時間
tAA
100
SDA 出力保持時間
tDH
100
ns
スタートコンディションセットアップ時間
tSU.STA
600
ns
スタートコンディションホールド時間
tHD.STA
600
ns
データ入力セットアップ時間
tSU.DAT
100
ns
データ入力ホールド時間
tHD.DAT
0
ns
ストップコンディションセットアップ時間
tSU.STO
600
SCL・SDA 立ち上がり時間
tR
300
ns
SCL・SDA 立ち下がり時間
tF
300
ns
バス解放時間
tBUF
ノイズサプレッション時間
tSP
100
ns
書き込み時間
tWC
5
ms
ns
ns
900
ns
ns
1200
ns
Standard Mode
項目
記号
定格値
min
typ
単位
max
スレーブ時 SCL クロック周波数
fSCLS
0
SCL クロック“L”時間
tLOW
4700
SCL クロック“H”時間
tHIGH
4000
SDA 出力遅延時間
tAA
100
SDA 出力保持時間
tDH
100
ns
スタートコンディションセットアップ時間
tSU.STA
4700
ns
スタートコンディションホールド時間
tHD.STA
4000
ns
データ入力セットアップ時間
tSU.DAT
250
ns
データ入力ホールド時間
tHD.DAT
0
ns
ストップコンディションセットアップ時間
tSU.STO
4000
SCL・SDA 立ち上がり時間
tR
1000
ns
SCL・SDA 立ち下がり時間
tF
300
ns
バス解放時間
tBUF
ノイズサプレッション時間
tSP
100
ns
書き込み時間
tWC
5
ms
www.onsemi.jp
3
100
kHz
ns
ns
3500
ns
ns
4700
ns
LE2464C
外形図
unit : mm
WLP6(1.20.8) 0.33mm height
TOP VIEW
BOTTOM VIEW
SIDE VIEW
1.2±0.05
A
B
0.4
0.8±0.05
B
0.2
A
3
6 X φ0.20±0.05
φ0.05 M
SIDE VIEW
S
1
2
0.4
AB
0.2
0.08 S
0.33 MAX
0.08±0.05
S
WLCSP6, 0.80x1.20
CASE 567HM
ISSUE O
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ASME Y14.5M, 1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.
3. COPLANARITY APPLIES TO SPHERICAL
CROWNS OF SOLDER BALLS.
A B
E
PIN A1
REFERENCE
D
0.05 C
2X
0.05 C
2X
DIM
A
A1
b
D
E
e
TOP VIEW
A
0.05 C
A1
RECOMMENDED
SOLDERING FOOTPRINT*
0.08 C
NOTE 3
6X
C
SIDE VIEW
SEATING
PLANE
0.40
PITCH
A1
PACKAGE
OUTLINE
e
b
0.05 C A B
0.03 C
MILLIMETERS
MIN
MAX
--0.33
0.03
0.13
0.15
0.25
0.80 BSC
1.20 BSC
0.40 BSC
6X
e
B
0.40
PITCH
A
1
2
3
BOTTOM VIEW
0.20
DIMENSIONS: MILLIMETERS
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
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4
LE2464C
ピン配置図
Top View
Ball side View
A
SCL
WP
VCC
SDA
GND
TEST
B
B
SDA
GND
TEST
SCL
WP
VCC
A
1
2
3
1
2
3
ピン名称
A1
SCL
Serial clock input
A2
WP
Write protect
A3
VCC
Power supply
B1
SDA
Serial data in/output
B2
GND
Ground
B3
TEST
Slave Device Address 2
ブロック図
SDA
X decoder
Address generator
Serial controller
High voltage generator
EEPROM Array
Y decoder & Sense AMP
I/O Buffer
SCL
Condition detector
Write controller
Input Buffer
TEST
WP
Serial-Parallel converter
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5
LE2464C
バスタイミング
tF
tHIGH
tLOW
tR
tSP
SCL
tSU.STA
tHD.STA
tHD.DAT
tSU.DAT
tSU.STO
tSP
SDA/IN
tAA
tBUF
tDH
SDA/OUT
ライトサイクルタイミング
tWC
SCL
SDA
D0
書き込みデータ
アクノリッジ
ストップ
コンディション
スタート
コンディション
各端子の機能説明
SCL (シリアルクロック入力)
SCL端子はシリアルクロック入力端子であり、SCLクロック信号の立ち上がり、立ち下がりエッジで信号処理を
行う。
抵抗でVCC電位にプルアップし、他のオープンドレイン(あるいはオープンコレクタ)出力のデバイスとワイヤー
ドオア接続して使用する。
SDA (シリアルデータ入出力)
SDA端子は入出力にシリアルデータ転送を行うためのもので、信号入力端子と、Nch型トランジスタオープンド
レイン出力端子から構成される。
SDAラインもSCLライン同様、抵抗でVCC電位にプルアップし、他のオープンドレイン(あるいはオープンコレク
タ)出力のデバイスとワイヤードオア接続して使用する。
TEST (スレーブアドレス)
TEST 端子は S2 の機能を持つ。 TEST 端子が”H”の時は、7bit のデバイスアドレス値は 054 となる。 TEST
端子が”L”の時は同様にして 050 となる。TEST 端子は VCC 又は GND に接続して使用する。
WP (ライトプロテクト)
WP端子が”H”の時は、ライトプロテクトがイネーブルとなり、すべてのメモリー領域への書き込みが禁止され
る。”L”の時には、すべてのメモリー領域へのライト動作が可能となる。リード動作については、WP端子に関
係なく動作可能である。
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6
LE2464C
動作説明
1) スタートコンディション
SCLラインが“H”レベルのときに、SDAラインを“H”から“L”へ変化させることで、スタートコンディショ
ンとなる。EEPROMとしてのスレーブ動作はスタートコンディションで始まる。
2) ストップコンディション
SCLラインが“H”レベルの時に、SDAラインを“L”から“H”へ変化させることで、ストップコンディション
となる。
読み出しシーケンスの際、ストップコンディションを受け取ると、読み出し動作は中断され、デバイスはス
タンバイモードとなる。書き込みシーケンスの際、ストップコンディションを受け取ると、書き込みデータ
の取り込みを終了し、EEPROM の書き換え動作を開始する。
tSU.STA
tSU.STO
tHD.STA
SCL
SDA
ストップ
コンディション
スタート
コンディション
3) データ転送
SCLラインが“L”である期間にSDAラインを変化させることで、データ転送を行う。SCLラインが“H”である
期間にSDAラインが変化すると、スタートあるいはストップコンディションとして認識される。
tSU.DAT
tHD.DAT
SCL
SDA
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7
LE2464C
4) アクノリッジ
データ転送は、8ビット単位で送受信される。アクノリッジ信号は、この8ビットのデータが送信または受信
されたことを示す信号であり、続く9番目のクロック目に受信側がSDAラインを“L”を出力する。 送信側は、
この9番目のクロックでアクノリッジ信号を受信するためにSDAラインを解放する必要がある。
EEPROM の書き換え動作中は、アクノリッジ信号は返さない。
SCL
(EEPROM 入力)
8
1
9
SDA
(マスター出力)
SDA
(EEPROM 出力)
アクノリッジ
出力
スタート
コンディション
tAA
tDH
5) デバイスアドレッシング
通信を行うために、システム上のマスターデバイスは、スレーブデバイス(EEPROM)に対して、スタートコン
ディションを発生させる。引き続き、7ビット長のデバイスアドレスと1ビット長のリード/ライト命令コード
を、SDAバス上に送ることで固有のスレーブデバイスと通信することができる。
デバイスアドレスの上位4ビットはデバイスコードと呼び、本製品は“1010”に固定されている。本製品は、
デバイスコードに続く3ビットのスレーブアドレスS0、S1、S2を有し、S0、S1は内部で固定である。S0,S1は
出荷時S0=0、S1=0に設定されている。このデバイスはS2の値により同一バスに2個まで接続して通信すること
ができる。
SDAから入力されたデバイスコード+スレーブアドレスと本製品のデバイスコード+設定されたスレーブアド
レスを比較し一致した場合には、9番目のクロックサイクル期間において本製品がアクノリッジを返し、リー
ド/ライト命令コードに従いリードまたはライト動作を行う。もし一致しなければスタンバイモードとなる。
Slave
Address
Device Code
1
0
1
0
S2
S1
S0
R/W
LSB
MSB
Device address word
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8
LE2464C
6) EEPROM書き込み動作
6)-1.バイトライト
EEPROM が、スタートコンディションに続き、7 ビット長のデバイスアドレスと、ライト命令コードの“0”を
受け取ると、アクノリッジを出力する。続けて、ワードアドレス(A15~A8)を受け取り、アクノリッジを出力。
ワードアドレス(A7~A0)を受け取り、アクノリッジを出力する。さらに 8 ビットの書き込みデータを受け取
り、アクノリッジを出力した後、ストップコンディションを受け取ることで、指定したメモリアドレスの
EEPROM の書き換え動作が開始される。書き換え時間はストップコンディション後、tWC 期間で終了する。
EEPROM の書き換え動作中は、入力が無効となり、アクノリッジ信号は出力しない。
Word Address
1 0 1 0 S2
A A A A A A
15 14 13 12 11 10 A9 A8
S1 S0 W
ACK
R/W
D7 D
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
ACK
Stop
Start
SDA
Data
D D D D D D
ACK
ACK
A15 ~ A13: Don’t Care
Access from master device
6)-2. ページライト
本製品は、最大32バイトのページ書き込みが可能である。基本的なデータ転送手順は、バイトライトと同様
に、スタートコンディションに続き、7ビット長のデバイスアドレスと、ライト命令コード“0”、ワードアド
レス(n)、データ(n)の順に、9ビットごとのアクノリッジの出力を確認しながら入力する。データ(n)入力後
にストップコンディションを入力しないで書き込みデータ(n+1)を入力するとページライトモードに入る。以
降、連続的に8ビットの書き込みデータの受け取りと、アクノリッジの出力を繰り返し、最大ページサイズ分
の書き込みデータを受け取ることができる。
書き込みデータ(n+1)を入力した時点で、ワードアドレスの下位 7 ビット(A0~A5)は自動的にインクリメント
され(n+1)番地になる。このように書き込みデータを次々と入力することができ、書き込みデータ入力ごとに
ページ内のワードアドレスがインクリメントされる。もし、書き込みデータが 32 バイトを越える場合やペー
ジの最終アドレスを越える場合は、ページ内ワードアドレスがロールオーバーする。また、同一アドレスに
書き込みデータが 2 度以上入力されることになるが、その場合は最後に入力された書き込みデータが有効に
なる。最後に、ストップコンディションを受け取ることで、書き込みデータを受け取ったページサイズに相
当する EEPROM の書き換え動作が、指定したメモリアドレスから始まる。書き換え時間はストップコンディシ
ョン後、tWC 期間で終了する。
1
A A A A A A
15 14 13 12 11 10
0 1 0 S2 S1 S0 W
A9 A8
ACK
Data(n)
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
D7
ACK
ACK
D D D D D D D
ACK
R/W
Data(n+x)
Data(n+1)
D7 D
ACK
~ D D
·····
ACK
D7 D
~ D D
ACK
D7
D~ D D
D7
D~ D D
ACK
Stop
SDA
Start
Word Address(n)
ACK
A15 ~ A13: Don’t Care
Access from master device
www.onsemi.jp
9
LE2464C
6)-3. アクノリッジポーリング
アクノリッジポーリングは、EEPROMの書き換え動作の終了を知るために用いる。ストップコンディションを
受け取り、いったんEEPROMが書き換えを開始すると、全ての動作は禁止され、マスターデバイスの送出する
信号に応答することはできない。従って、EEPROMの書き換え動作の終了を知るためには、マスターデバイス
からEEPROM(スレーブデバイス)に対してスタートコンディション・デバイスアドレス・ライト命令コード
を送出し、スレーブデバイスの応答を検出する。
すなわち、スレーブデバイスがアクノリッジを出力しなければ、書き換え動作中であることを示し、アクノ
リッジを出力すれば、書き換え動作が終了したということを知ることができる。
アクノリッジポーリングの際にマスターデバイスが送出するコードは、引き続きライトまたはランダムリー
ドを行う場合はライト命令の“0”を、引き続きカレントリード、シーケンシャルリードを行う場合はリード
命令の“1”を実行すること。また、ライト命令の“0”を実行し ACK="L"を確認した後、スタートコンディシ
ョン・ストップコンディション入力することでコマンドがキャンセルされ、スタンバイモードに移行する。
0 1 0 S2 S1 S0 W
ライト中
1
0 1 0 S2 S1 S0 W
NO ACK
NO ACK
R/W
ライト終了
Start
1
Start
SDA
Start
ライト中
R/W
1
0 1 0 S2 S1 S0 W
······
ACK
R/W
マスター側からのアクセス
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10
LE2464C
7) EEPROMリード動作
7)-1. カレントアドレスリード
EEPROMの内部アドレスは、書き込み*・読み出し動作とも、最後にアクセスしたメモリアドレスの+1番地を
保持する。従って、マスターデバイスがEEPROMのアドレス・ポインターの位置を認識しているのであれば、
ワードアドレスを指定することなしに、現在のアドレス・ポインターのメモリアドレスより、データを読み
出すことができる。
カレントアドレスリードではライトと同様に、スタートコンディションに続き、7ビット長のデバイスアド
レスと、リード命令コードの“1”を受け取ると、EEPROMがアクノリッジを出力する。この後、(n+1)番地の
データ8ビットが上位からシリアルに出力される。8ビット出力された後、アクノリッジを出力せず、ストッ
プコンディションを入力することでEEPROMはリード動作を終了しスタンバイ状態となる。
もし、前回の読み出しアドレスが最終番地の場合、カレントアドレスリードのアドレスは、ロールオーバー
し0番地となる。
*: ページ書き込み後のカレントアドレスは、書き込むデータが1バイト以上32バイト未満の場合は、指定
したワードアドレスに書き込むバイト数+1番地となり、書き込むデータが32バイト以上の場合は、指定し
たワードアドレスとなる。
また、バイトライトでページ内の最終番地(A5~A0=111111b)をワードアド
レスとして指定した場合、書き込み後の内部アドレスは同一ページ内の最初の番地(A5~A0=000000b)となる。
Start
SDA
0
1
1
0 S2 S1 S0
D7
R
Stop
Data (n+1)
Device Address
D D D D D D D
NO ACK
ACK
R/W
マスター側からのアクセス
7)-2. ランダムリード
ランダムリードは、任意のメモリアドレスを指定しデータを読み出すモードである。アドレスの指定は、ダ
ミーのライト入力により行う。
まずEEPROMが、スタートコンディションに続き、7ビット長のデバイスアドレスと、ライト命令コードの
“0”を受け取るとアクノリッジを出力する。続けてワードアドレス(A15~A8)を受け取り、アクノリッジを
出力。 ワードアドレス(A7~A0)を受け取り、アクノリッジを出力する。ここまでの動作で、EEPROM内のア
ドレスカウンタにワードアドレスがロードされる。
次に再度スタートコンディションを入力しカレントリードを行う。これによりダミーライト入力で入力され
たワードアドレスのデータが出力される。データ出力後、アクノリッジの入力なしに、ストップコンディシ
ョンが入力されるとリードを終了しスタンバイ状態となる。
Word Address(n)
0 1 0 S2 S1 S0
W
A A A A A A
15 14 13 12 11 10 A9 A8
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
ACK
ACK
ACK
R/W
Dummy Write
Device Address
1
ACK
0 1
Data(n)
0 S2 S1 S0
R
D7 D
ACK
~ D D
Stop
1
Start
SDA
Start
Device Address
NO ACK
R/W
Current Read
A15 ~ A13: Don’t Care
Access from master device
www.onsemi.jp
11
LE2464C
7)-3. シーケンシャルリード
データを連続してリードするモードで、カレントアドレスリード,ランダムリードともに動作が可能である。
8ビットのデータが出力された後、アクノリッジ“0”を入力しストップコンディションを発行せずリードを
続けると、アドレスがインクリメントされ、次のアドレスのデータが出力される。このようにデータ出力後
にアクノリッジ“0”を入力し続けると、アドレスインクリメントしながら次々とデータが出力される。ア
ドレスが最終番地になった場合は、0番地にロールオーバーして連続リードされる。動作の終了はカレント
アドレスリード,ランダムリードと同様にアクノリッジの入力なしに、ストップコンディションを入力する
ことで終了する。
Start
SDA
D7
1 0 1 0 S2 S1 S0 R
ACK
Data(n+1)
D6 ~ D1 D0
D7
D6 ~ D1 D0
ACK
Data(n+2)
D7
ACK
Data(n+x)
D6 ~ D1 D0
D7
D6 ~ D1 D0
ACK
R/W
マスター側からのアクセス
www.onsemi.jp
12
Stop
Data(n)
Device Address
NO ACK
LE2464C
アプリケーションノート
1) ソフトウェアリセット
電源立ち上がり後の誤動作の回避及びコマンド入力中のリセットを行うために下図のソフトウェアリセット
(スタートコンディション+ダミークロック9回+スタートコンディション)を実行すること。ダミークロック
入力期間中はSDAバスを開放(プルアップによるH)すること。ダミークロック期間中ではEEPROMよりACK出力
ならびにリードデータが出力されることが考えられるので強制的にHを入力すると過電流が流れてしまう。
また、このソフトウェアリセット機能は EEPROM への書き込み期間中(tWC)働かないので注意すること。
ダミークロック×9
1
SCL
8
2
9
SDA
スタート
コンディション
スタート
コンディション
2) SDA端子のプルアップ抵抗
SDA端子はI2C BUSプロトコルの機能上、必ずプルアップ抵抗(数k ~ 数10k)を接続すること。この抵
抗値(RPU)は本製品を制御するマイコン等のVIL、IIL及び本製品のVOL-IOL特性より適切な値を選択すること。
一般に抵抗値が大きいと動作周波数が制限され、小さいと動作消費電流が増加する。
RPUの最大値
SDAバスに接続されるデバイスの入力リークの総和(IL)とRPUで決まるバスの電位がマイコン及びEEPROMの入
力Hレベル(VIH min)を十分満足できるよう設定すること。ただしSDA立ち上がり時間tR、立下り時間tFを満
足する抵抗値に設定する必要がある。
RPU最大値 = (VCC  VIH) / IL
例えば
VCC = 3.0 V, IL = 2 A の場合
RPU最大値 = (3.0 V  3.0 V×0.8) / 2 A = 300 k
RPUの最小値
弊社EEPROMの低レベル出力電圧(VOL max)に応じた
抵抗値を設定すること。
RPU最小値 = (VCC  VOL) / IOL
RPU
マスター
デバイス
IL
EEPROM
SDA
CBUS
IL
例えば
VCC = 3.0 V, VOL = 0.4 V, IOL =1 mA の場合
RPU最小値 = (3.0 V  0.4) / 1 mA = 2.6 k
RPUの推奨設定値
RPUは動作周波数の要求と消費電力の兼ね合いで設定されることになる。仮にSDAの負荷容量を50 pF、SDA
出力データの取り込みを500 nsとした場合、RPUは
RPU = 500 ns / 50 pF = 10 k程度となる。
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13
LE2464C
3) 電源投入時の注意
本製品は電源投入時の不用意な書き込みを防止するためのパワーオンリセット回路を搭載している。
パワーオンリセット回路を安定に動作させるため以下の条件を守ること。また、書き込み期間中の電源の
瞬断に対してはそのデータは保証しない。
記号
tRISE
tOFF
Vbot
項目
定格値
typ
–
–
–
min
–
10
–
電源立ち上げ時間
電源立ち下げ時間
電源立ち下げ電圧
max
100
–
0.2
単位
ms
ms
V
tRISE
VCC
tOFF
Vbot
0V
注 1)
注 2)
SDA=H かつ SCL=L または H にすること。
SDA, SCLがHi-Zにならないようにすること。
A. 上記 注 1 が守れない場合及び電源立ち上がり時に SDA が L になってしまう場合
電源安定後、以下のようにSCL, SDAをコントロールし、SCL,SDAを共にHとする。
VCC
VCC
tLOW
SCL
SCL
SDA
SDA
tDH
tSU.DAT
tSU.DAT
B. 上記 注 2 が守れない場合
電源安定後、ソフトウェアリセットを実行すること。
C. 上記 注 1, 2 共に守れない場合
電源安定後、上記Aを実行後、ソフトウェアリセットを実行すること。
4) SCL, SDA端子のノイズフィルタ
本製品にはSCL及びSDA端子にノイズを除去するためのフィルタ回路を搭載している。この機能により100
ns以下のパルスは認識されない。
5) 低電源電圧時の書き込み禁止機能
本製品には電源電圧監視回路を搭載し、動作電源電圧範囲の保証以下での不用意な誤書込みを禁止してい
る。Typ. 1.3 V以下では書き込み動作が開始されないことでデータを保護する。
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LE2464C
6) ライトプロテクト動作の注意
本製品はWP=Hの時にすべてのメモリ領域への書込みを禁止している。ライトプロテクトを確実に機能させ
るためスタートコンディションからストップコンディションの全期間においてWP=Hを保持し、下記条件を
守ること。
WP
記号
項目
tSU.WP
tHD.WP
WPセットアップ時間
WPホールド時間
min
600
600
定格値
typ
–
–
max
–
–
単位
ns
ns
tHD.WP
tSU.WP
SCL
SDA
Stop Condition
Start Condition
7) スレーブアドレス設定
本製品にはスレーブアドレス端子は無いが、スレーブアドレスS0, S1, S2の情報を内部的に保持している。
本製品のスレーブアドレスは出荷時S0 = 0, S1 = 0, S2 = 0に設定している。デバイスアドレッシング時、デ
バイスコードに引き続き、このスレーブアドレスコードの実行を行うこと。
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LE2464C
MARKING INFORMATION
LE2464CXA WLP6(1.20x0.80)
66C
Part ID : 66C
Lot Number : 3digits
Lot
ORDERING INFORMATION
Device
LE2464CXATBG
Package
Shipping (Qty / Packing)
WLCSP6, 0.80x1.20
(Pb-Free / Halogen Free)
5000 / Tape &Reel
† テープ&リール仕様(製品配置方向, テープサイズ含む)に関する情報については、Tape and Reel Packaging Specifications
パンフレット(BRD8011/D)をご参照ください。http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/BRD8011-D.PDF
*:I2C バスはフィリップス社の商標です。
ON Semiconductor and the ON Semiconductor logo are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries
in the United States and/or other countries. ON Semiconductor owns the rights to a number of patents, trademarks, copyrights, trade secrets, and other
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Semiconductor reserves the right to make changes without further notice to any products herein. ON Semiconductor makes no warranty, representation or
guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does ON Semiconductor assume any liability arising out of the application or
use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. Buyer is
responsible for its products and applications using ON Semiconductor products, including compliance with all laws, regulations and safety requirements or
standards, regardless of any support or applications information provided by ON Semiconductor. “Typical” parameters which may be provided in ON
Semiconductor data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters,
including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. ON Semiconductor does not convey any license under its
patent rights nor the rights of others. ON Semiconductor products are not designed, intended, or authorized for use as a critical component in life support
systems or any FDA Class 3 medical devices or medical devices with a same or similar classification in a foreign jurisdiction or any devices intended for
implantation in the human body. Should Buyer purchase or use ON Semiconductor products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall
indemnify and hold ON Semiconductor and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and
expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or
unauthorized use, even if such claim alleges that ON Semiconductor was negligent regarding the design or manufacture of the part. ON Semiconductor is an
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(参考訳)
ON Semiconductor 及び ON Semiconductor のロゴはON Semiconductor という商号を使う Semiconductor Components Industries, LLC 若しくはその子会社の米国及び /
または他の国における商標です 。ON Semiconductorは特許、商標、著作権、トレードシークレット (営業秘密)と他の知的所有権に対する権利を保有します。 ON Semiconductor
の製品/特許の適用対象リストについては、以下のリンクからご覧いただけます。www.onsemi.com/site/pdf/Patent-Marking.pdf. ON Semiconductor は通告なしで、
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よって提供されたサポートやアプリケーション情報の如何にかかわらず、すべての法令、規制、安全性の要求あるいは標準の遵守を含む、ON Semiconductor 製品を使用
したお客様の製品とアプリケーションについて一切の責任を負うものとします。 ON Semiconductor データシートや仕様書に示される可能性のある「標準的」パラメータ
は、アプリケーションによっては異なることもあり、実際の性能も時間の経過により変化する可能性があります。
「標準的」パラメータを含むすべての動作パラメータは、
ご使用になるアプリケーションに応じて、お客様の専門技術者において十分検証されるようお願い致します。ON Semiconductor は、その特許権やその他の権利の下、い
かなるライセンスも許諾しません。 ON Semiconductor 製品は、生命維持装置や、いかなる FDA(米国食品医薬品局)クラス3の医療機器、FDAが管轄しない地域におい
て同一もしくは類似のものと分類される医療機器、あるいは、人体への移植を対象とした機器における重要部品などへの使用を意図した設計はされておらず、また、これ
らを使用対象としておりません。お客様が、このような意図されたものではない、許可されていないアプリケーション用にON Semiconductor 製品を購入または使用した
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