2SB1432 PDFデータシート

データ・シート
参考資料
シリコン・パワー・トランジスタ
Silicon Power Transistor
2SB1432
PNP エピタキシアル形シリコン・トランジスタ(ダーリントン接続)
低周波電力増幅，低速度スイッチング用
工業用
★
2SB1432 は，IC の出力から直接ドライブできるダーリントン・
オーダ情報
パワー・トランジスタです。OA・FA 機器等のモータ・ドライバ，
ソレノイド・ドライバに最適です。
オーダ名称
パッケージ
2SB1432
Isolated TO-220
また，小型の樹脂絶縁形パッケージですので高密度実装，実装
コストの削減に貢献します。
特 徴
(Isolated TO-220)
○ ダーリントン接続なので hFE が高い。
hFE ≧ 1000 @VCE = –2.0 V, IC = –10 A
○ 絶縁板，ブッシングが不要なフルモード・パッケージです。
絶対最大定格（TA = 25°°C）
°°
項 目
略号
条 件
定格
単位
コレクタ – ベース間電圧
VCBO
–100
V
コレクタ – エミッタ間電圧
V
VCEO
–100
エミッタ – ベース間電圧
VEBO
–8.0
V
コレクタ電流（直流）
IC(DC)
m 10
A
コレクタ電流 (パルス)
IC(pulse)
m 20
A
–1.0
A
TC = 25°C
30
W
TA = 25°C
2.0
W
Tj
150
°C
Tstg
–55∼+150
°C
PW ≦ 300 µs,
Duty Cycle ≦ 10%
ベース電流（直流）
IB(DC)
全損失
PT
ジャンクション温度
保存温度
等価回路
2
1
R1
.
R1 =
. 800 Ω
.
R
2 =. 100 Ω
R2
3
1.ベース
2.コレクタ
3.エミッタ
本資料の内容は，予告なく変更することがありますので，最新のものであることをご確認の上ご使用ください。
資料番号 D14859JJ2V0DS00（第 2 版）
(旧資料番号 TD-7620）
発行年月
November 2000 NS
CP(K)
本文欄外の 印は，本版で改訂された主な箇所を示しています。
1989, 2000
参考資料
2SB1432
電気的特性（TA = 25°°C）
°°
項 目
コレクタしゃ断電流
直流電流増幅率
コレクタ飽和電圧
ベース飽和電圧
略号
条 件
MIN.
ICBO
VCB = –100 V, IE = 0 A
hFE
VCE = –2.0 V, IC = –10 A
注
VCE(sat)
IC = –10 A, IB = –25 mA
注
注
1000
TYP.
MAX.
単位
–10
µA
6000
30000
–1.1
–1.5
–1.8
–2.2
V
VBE(sat)
IC = –10 A, IB = –25 mA
利得帯域幅積
fT
VCE = –5.0 V, IC = –1.0 A
80
MHz
コレクタ容量
Cob
VCB = –10 V, IE = 0 A, f = 1.0 MHz
200
pF
ターンオン時間
ton
IC = –10 A, RL = 5.0 Ω,
1.0
µs
蓄積時間
tstg
IB1 = –IB2 = –25 mA, VCC ≒ –50 V
5.0
µs
下降時間
tf
測定回路図参照
2.0
µs
注 パルス測定 PW ≦ 350 µs, Duty Cycle ≦ 2%
スイッチング時間（ton，tstg，tf）測定回路
RL
IC
VIN
ベース電流波形
IB2
IB1
IB1
VCC
IB2
T.U.T.
10%
コレクタ電流波形
IC
PW
PW ≒ 50 µs
Duty Cycle ≦ 2%
2
90%
VBB ≒ 5.0 V
ton
データ・シート
D14859JJ2V0DS
tstg tf
V
参考資料
2SB1432
特性曲線（TA = 25°°C）
°°
TOTAL POWER DISSIPATION vs. CASE
TEMPERATURE
DERATING CURVE OF SAFE OPERATING AREA
ディレーティング dT (%)
全損失 PT (W)
30
20
10
0
0
50
100
100
80
is
60
d
0
50
コレクタ電流 IC (A)
s
m
10
b
S/
d
ite
Lim
−0.1
TC = 25˚C
単発パルス
−10
150
−100
−16
−2.0 mA
−1.0 mA
−12
−8
IB = −0.5 mA
−4
0
−1000
−5.0 mA
−10 mA
−50 mA
−1
0
−2
−3
−4
−5
コレクタ - エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ - エミッタ間電圧 VCE (V)
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
(˚C/W)
1000
過渡熱抵抗 rth(t)
コレクタ電流 IC (A)
=1
00
µs
−1
−0.01
−1
100
COLLECTOR CURRENT vs. COLLECTOR TO
EMITTER VOLTAGE
s
1m
Di
ss
Lim ipati
ite on
d
ite
20
−20
IC(DC)
Li
ケース温度 TC (˚C)
−100
−10
d
m
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
PW
ite
pa
n
40
ケース温度 TC (˚C)
IC(pulse)
Lim
si
tio
0
150
s/b
D
100
放熱板なし
10
無限大放熱板付き
1
0.1
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
パルス幅 PW (s)
データ・シート
D14859JJ2V0DS
3
参考資料
COLLECTOR AND BASE SATURATION
VOLTAGE vs. COLLECTOR CURRENT
直流電流増幅率 hFE
VCE = −2.0 V
パルス測定
10000
TA = 125˚C
75˚C
25˚C
−25˚C
1000
100
0.1
1
10
100
ベ ー ス 飽 和 電 圧 VBE(sat) (V)
コレクタ飽和電圧 VCE(sat) (V)
DC CURRENT GAIN vs. COLLECTOR CURRENT
100000
−10
IC = 400・IB
パルス測定
VBE(sat)
−1
−0.1
−0.1
VCE(sat)
−1
−10
コレクタ電流 IC (A)
コレクタ電流 IC (A)
4
2SB1432
データ・シート
D14859JJ2V0DS
−100
参考資料
外形図（単位：mm）
Isolated TO-220 (MP-45F)
4±0.2
0.7±0.1
2.54 TYP.
1.3±0.2
1.5±0.2
2.54 TYP.
1 2 3
4.5±0.2
2.7±0.2
12.0±0.2
3±0.1
φ 3.2±0.2
13.5 MIN.
10.0±0.3
15.0±0.3
★
2SB1432
2.5±0.1
0.65±0.1
電極接続
1.ベース
2.コレクタ
3.エミッタ
データ・シート
D14859JJ2V0DS
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