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プッシュプル回路用

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プッシュプル回路用
注文コード No. N 4 4 9 6
FP203
No.
N4496
81000
FP203
特長
PNP / NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ
プッシュプル回路用
・PNP トランジスタ , NPN トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が
可能である。
・FP203 は、2SB1122 相当のチップと 2SD1622 相当のチップを同一パッケージ内に収容したものである。
( )内は PNP の場合を示す。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
unit
コレクタ・ベース電圧
コレクタ・エミッタ電圧
VCBO
VCEO
(−)60
(−)50
V
V
エミッタ・ベース電圧
コレクタ電流
VEBO
IC
(−)5
(−)1
V
A
コレクタ電流(パルス)
ベース電流
ICP
IB
(−)2
(−)0.2
A
A
コレクタ損失
全損失
PC
PT
0.75
1.0
W
W
接合部温度
保存周囲温度
Tj
Tstg
150
− 55 ∼+ 150
℃
℃
セラミック基板(250mm2 × 0.8mm)装着時 1unit
セラミック基板(250mm2 × 0.8mm)装着時
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
コレクタしゃ断電流
ICBO
VCB=(−)50V, IE=0
min
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
IEBO
hFE
VEB=(−)4V, IC=0
VCE=(−)2V, IC=(−)100mA
利得帯域幅積
出力容量
fT
Cob
VCE=(−)10V, IC=(−)50mA
VCB=(−)10V, f=1MHz
typ
140
max
(−)100
unit
nA
(−)100
400
nA
150
(12)8.5
MHz
pF
次ページへ続く。
単体品名表示:203
NPN
6
4.5
3.4
2.8
0.5 1.8 0.5
7
6 1.0
5
0.5 1.57
2.5
4.25max
(Top view)
4
3
1.0
2
1
5
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
4
3
2 1
0.3
0.4
0∼0.1
0.2
1.75
1.75
3.5
1.2
0.7
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途(生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
1.5
0.2min
PNP
7
外形図 2097B
(unit : mm)
0.5
電気的接続図
1 : Base 1(PNP TR)
2 : Collector 1(PNP TR)
3 : Emitter Common
4 : Collector 2(NPN TR)
5 : Base 2(NPN TR)
6 : Collector 2(NPN TR)
7 : Collector 1(PNP TR)
SANYO : PCP5
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
81000 GI IM / 72393 TH 寿◎丹野 A8-9727 No.4496-1/4
FP203
前ページより続く。
min
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
コレクタ・ベース降伏電圧
コレクタ・エミッタ降伏電圧
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
IC=(−)500mA, IB=(−)50mA
IC=(−)500mA, IB=(−)50mA
エミッタ・ベース降伏電圧
ターンオン時間
V(BR)EBO IE=(−)10µA, IC=0
ton
指定回路において
蓄積時間
下降時間
tstg
tf
IC=(−)10µA, IE=0
IC=(−)1mA, RBE=∞
typ
max
unit
(− 180)120(− 400)250
(−)0.9 (−)1.2
mV
V
(−)60
(−)50
V
V
(−)5
40
V
ns
(300)350
30
ns
ns
〃
〃
スイッチングタイム測定回路図
IB1
PW=20µs
D.C.≦1%
OUTPUT
IB2
INPUT
RB
VR
50Ω
RL
+
+
100µF
470µF
VBE= --5V
VCC=25V
10IB1= --10IB2=IC=500mA
(PNPの場合極性逆)
IC -- VCE
--1.0
2
--1
mA
A
--10m
--8mA
NPN
8m
A
9m
--4mA
--0.6
--0.4
--2mA
--1mA
--0.2
0
--1
--2
--3
0.6
3mA
2mA
0.4
1mA
IB=0
0
--4
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V
--5
0
1
2
3
4
ITR10887
IC -- VBE
1200
PNP
VCE= --2V
NPN
VCE=2V
1000
--800
Ta=7
5°C
25°C
--25°C
--600
--400
--200
800
600
Ta=75
°C
25°C
--25°C
コレクタ電流, IC -- mA
--1000
コレクタ電流, IC -- mA
5
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V
ITR10886
IC -- VBE
--1200
4mA
0.2
IB=0
0
5m A
m
コレクタ電流, IC -- A
--6mA
6mA
A
7m
A
0.8
A
10
--0.8
コレクタ電流, IC -- A
IC -- VCE
1.0
PNP
400
200
0
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
ベース・エミッタ電圧, VBE -- V
--1.2
ITR10888
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ベース・エミッタ電圧, VBE -- V
1.2
ITR10889
No.4496-2/4
FP203
hFE -- IC
1000
7
Ta=75°C
3
5
25°C
2
--25°C
100
7
5
3
2
10
5 7 --10
2
3
5 7 --100
2
3
5 7 --1000
コレクタ電流, IC -- mA
--25°C
100
7
5
3
2
2
3
2
3
5 7 100
2
3
5 7 1000
2 3
ITR10891
コレクタ電流, IC -- mA
ITR10890
f T -- IC
5
PNP
VCE= --10V
NPN
VCE=10V
3
利得帯域幅積, f T -- MHz
3
利得帯域幅積, f T -- MHz
2
7
5
5 7 10
f T -- IC
5
2
100
7
5
3
2
2
100
7
5
3
2
10
10
5
7
2
--10
3
5
7
2
--100
3
コレクタ電流, IC -- mA
5
5
7
2
10
3
5
7
2
100
3
コレクタ電流, IC -- mA
ITR10892
Cob -- VCB
5
5
ITR10893
Cob -- VCB
5
PNP
f=1MHz
NPN
f=1MHz
3
出力容量, Cob -- pF
3
出力容量, Cob -- pF
25°C
Ta=75°C
3
10
7
5
2
10
7
5
3
2
10
7
5
3
2
2
7 --1.0
2
3
5
7
2
--10
3
5
コレクタ・ベース電圧, VCB -- V
7 --100
ITR10894
VCE(sat) -- IC
--1000
PNP
IC / IB=10
7
5
3
2
--100
°C
25
7
C
5°
=7
C
Ta
5°
--2
5
3
2
--10
5
7 --10
2
3
5
7 --100
2
3
コレクタ電流, IC -- mA
5
7 --1000
2
ITR10896
5
7
2
1.0
3
5
7
2
10
3
5
コレクタ・ベース電圧, VCB -- V
コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- mV
5
コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- mV
NPN
VCE=2V
7
直流電流増幅率, hFE
直流電流増幅率, hFE
5
hFE -- IC
1000
PNP
VCE= --2V
7 100
ITR10895
VCE(sat) -- IC
1000
NPN
IC / IB=10
7
5
3
2
100
7
C
25°
5
3
C
5°
=7
a
T
C
5°
--2
2
10
5
7
10
2
3
5
7 100
2
3
コレクタ電流, IC -- mA
5
7 1000
2
ITR10897
No.4496-3/4
VBE(sat) -- IC
--10
ベース・エミッタ飽和電圧, VBE(sat) -- V
ベース・エミッタ飽和電圧, VBE(sat) -- V
FP203
PNP
IC / IB=10
7
5
3
2
--1.0
25°C
Ta= --25°C
7
75°C
5
3
2
5
7 --10
2
3
5
7 --100
2
3
5
7 --1000
コレクタ電流, IC -- mA
NPN
IC / IB=10
7
5
3
2
1.0
25°C
Ta= --25°C
7
75°C
5
3
2
2
5
7 10
2
3
5
7 100
2
3
5
コレクタ電流, IC -- mA
ITR10898
ASO
3
VBE(sat) -- IC
10
7 1000
2
ITR10899
PC(NPN) -- PC(PNP)
0.8
2
コレクタ電流, IC -- A
7
5
DC
3
2
0.1
コレクタ損失, PC(NPN) -- W
µs
300
s
1m
s
m
10
1.0
op
er
ati
on
7
5
3
Ta=25°C
1パルス(PNPは、負号省略)
セラミック基板(250mm2×0.8mm)装着時 1unit
2
0.01
5
7
1.0
2
3
5
7
10
2
3
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V
0.4
0.2
0
5
7
ITR10900
PC -- Ta
1.2
0.6
セラミック基板(250mm2×0.8mm)装着時
0
0.2
0.4
0.6
コレクタ損失, PC(PNP) -- W
0.8
ITR10901
コレクタ損失, PC -- W
1.0
0.8
全
損
失
片
側
動
作
0.6
0.4
0.2
0
セラミック基板(250mm2×0.8mm)装着時
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
ITR10902
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用
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PS No.4496-4/4
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