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プッシュプル回路用
注文コード No. N 4 4 9 6 FP203 No. N4496 81000 FP203 特長 PNP / NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ プッシュプル回路用 ・PNP トランジスタ , NPN トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が 可能である。 ・FP203 は、2SB1122 相当のチップと 2SD1622 相当のチップを同一パッケージ内に収容したものである。 ( )内は PNP の場合を示す。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ unit コレクタ・ベース電圧 コレクタ・エミッタ電圧 VCBO VCEO (−)60 (−)50 V V エミッタ・ベース電圧 コレクタ電流 VEBO IC (−)5 (−)1 V A コレクタ電流(パルス) ベース電流 ICP IB (−)2 (−)0.2 A A コレクタ損失 全損失 PC PT 0.75 1.0 W W 接合部温度 保存周囲温度 Tj Tstg 150 − 55 ∼+ 150 ℃ ℃ セラミック基板(250mm2 × 0.8mm)装着時 1unit セラミック基板(250mm2 × 0.8mm)装着時 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ コレクタしゃ断電流 ICBO VCB=(−)50V, IE=0 min エミッタしゃ断電流 直流電流増幅率 IEBO hFE VEB=(−)4V, IC=0 VCE=(−)2V, IC=(−)100mA 利得帯域幅積 出力容量 fT Cob VCE=(−)10V, IC=(−)50mA VCB=(−)10V, f=1MHz typ 140 max (−)100 unit nA (−)100 400 nA 150 (12)8.5 MHz pF 次ページへ続く。 単体品名表示:203 NPN 6 4.5 3.4 2.8 0.5 1.8 0.5 7 6 1.0 5 0.5 1.57 2.5 4.25max (Top view) 4 3 1.0 2 1 5 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲 等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果 発生した機器の欠陥について、弊社は責任 を負いません。 4 3 2 1 0.3 0.4 0∼0.1 0.2 1.75 1.75 3.5 1.2 0.7 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を 要する用途(生命維持装置、航空機のコント ロールシステム等、多大な人的・物的損害 を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様に はなっておりません。そのような場合には、 あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下 さい。 1.5 0.2min PNP 7 外形図 2097B (unit : mm) 0.5 電気的接続図 1 : Base 1(PNP TR) 2 : Collector 1(PNP TR) 3 : Emitter Common 4 : Collector 2(NPN TR) 5 : Base 2(NPN TR) 6 : Collector 2(NPN TR) 7 : Collector 1(PNP TR) SANYO : PCP5 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 81000 GI IM / 72393 TH 寿◎丹野 A8-9727 No.4496-1/4 FP203 前ページより続く。 min コレクタ・エミッタ飽和電圧 ベース・エミッタ飽和電圧 コレクタ・ベース降伏電圧 コレクタ・エミッタ降伏電圧 VCE(sat) VBE(sat) V(BR)CBO V(BR)CEO IC=(−)500mA, IB=(−)50mA IC=(−)500mA, IB=(−)50mA エミッタ・ベース降伏電圧 ターンオン時間 V(BR)EBO IE=(−)10µA, IC=0 ton 指定回路において 蓄積時間 下降時間 tstg tf IC=(−)10µA, IE=0 IC=(−)1mA, RBE=∞ typ max unit (− 180)120(− 400)250 (−)0.9 (−)1.2 mV V (−)60 (−)50 V V (−)5 40 V ns (300)350 30 ns ns 〃 〃 スイッチングタイム測定回路図 IB1 PW=20µs D.C.≦1% OUTPUT IB2 INPUT RB VR 50Ω RL + + 100µF 470µF VBE= --5V VCC=25V 10IB1= --10IB2=IC=500mA (PNPの場合極性逆) IC -- VCE --1.0 2 --1 mA A --10m --8mA NPN 8m A 9m --4mA --0.6 --0.4 --2mA --1mA --0.2 0 --1 --2 --3 0.6 3mA 2mA 0.4 1mA IB=0 0 --4 コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V --5 0 1 2 3 4 ITR10887 IC -- VBE 1200 PNP VCE= --2V NPN VCE=2V 1000 --800 Ta=7 5°C 25°C --25°C --600 --400 --200 800 600 Ta=75 °C 25°C --25°C コレクタ電流, IC -- mA --1000 コレクタ電流, IC -- mA 5 コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V ITR10886 IC -- VBE --1200 4mA 0.2 IB=0 0 5m A m コレクタ電流, IC -- A --6mA 6mA A 7m A 0.8 A 10 --0.8 コレクタ電流, IC -- A IC -- VCE 1.0 PNP 400 200 0 0 0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 ベース・エミッタ電圧, VBE -- V --1.2 ITR10888 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 ベース・エミッタ電圧, VBE -- V 1.2 ITR10889 No.4496-2/4 FP203 hFE -- IC 1000 7 Ta=75°C 3 5 25°C 2 --25°C 100 7 5 3 2 10 5 7 --10 2 3 5 7 --100 2 3 5 7 --1000 コレクタ電流, IC -- mA --25°C 100 7 5 3 2 2 3 2 3 5 7 100 2 3 5 7 1000 2 3 ITR10891 コレクタ電流, IC -- mA ITR10890 f T -- IC 5 PNP VCE= --10V NPN VCE=10V 3 利得帯域幅積, f T -- MHz 3 利得帯域幅積, f T -- MHz 2 7 5 5 7 10 f T -- IC 5 2 100 7 5 3 2 2 100 7 5 3 2 10 10 5 7 2 --10 3 5 7 2 --100 3 コレクタ電流, IC -- mA 5 5 7 2 10 3 5 7 2 100 3 コレクタ電流, IC -- mA ITR10892 Cob -- VCB 5 5 ITR10893 Cob -- VCB 5 PNP f=1MHz NPN f=1MHz 3 出力容量, Cob -- pF 3 出力容量, Cob -- pF 25°C Ta=75°C 3 10 7 5 2 10 7 5 3 2 10 7 5 3 2 2 7 --1.0 2 3 5 7 2 --10 3 5 コレクタ・ベース電圧, VCB -- V 7 --100 ITR10894 VCE(sat) -- IC --1000 PNP IC / IB=10 7 5 3 2 --100 °C 25 7 C 5° =7 C Ta 5° --2 5 3 2 --10 5 7 --10 2 3 5 7 --100 2 3 コレクタ電流, IC -- mA 5 7 --1000 2 ITR10896 5 7 2 1.0 3 5 7 2 10 3 5 コレクタ・ベース電圧, VCB -- V コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- mV 5 コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- mV NPN VCE=2V 7 直流電流増幅率, hFE 直流電流増幅率, hFE 5 hFE -- IC 1000 PNP VCE= --2V 7 100 ITR10895 VCE(sat) -- IC 1000 NPN IC / IB=10 7 5 3 2 100 7 C 25° 5 3 C 5° =7 a T C 5° --2 2 10 5 7 10 2 3 5 7 100 2 3 コレクタ電流, IC -- mA 5 7 1000 2 ITR10897 No.4496-3/4 VBE(sat) -- IC --10 ベース・エミッタ飽和電圧, VBE(sat) -- V ベース・エミッタ飽和電圧, VBE(sat) -- V FP203 PNP IC / IB=10 7 5 3 2 --1.0 25°C Ta= --25°C 7 75°C 5 3 2 5 7 --10 2 3 5 7 --100 2 3 5 7 --1000 コレクタ電流, IC -- mA NPN IC / IB=10 7 5 3 2 1.0 25°C Ta= --25°C 7 75°C 5 3 2 2 5 7 10 2 3 5 7 100 2 3 5 コレクタ電流, IC -- mA ITR10898 ASO 3 VBE(sat) -- IC 10 7 1000 2 ITR10899 PC(NPN) -- PC(PNP) 0.8 2 コレクタ電流, IC -- A 7 5 DC 3 2 0.1 コレクタ損失, PC(NPN) -- W µs 300 s 1m s m 10 1.0 op er ati on 7 5 3 Ta=25°C 1パルス(PNPは、負号省略) セラミック基板(250mm2×0.8mm)装着時 1unit 2 0.01 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3 コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V 0.4 0.2 0 5 7 ITR10900 PC -- Ta 1.2 0.6 セラミック基板(250mm2×0.8mm)装着時 0 0.2 0.4 0.6 コレクタ損失, PC(PNP) -- W 0.8 ITR10901 コレクタ損失, PC -- W 1.0 0.8 全 損 失 片 側 動 作 0.6 0.4 0.2 0 セラミック基板(250mm2×0.8mm)装着時 0 20 40 60 80 100 周囲温度, Ta -- °C 120 140 160 ITR10902 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物(役務を含む)に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報(掲載回路および回路定数を含む)は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第3者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.4496-4/4