A F 9 3

〈小信号トランジスタ〉
ISA1993AS1
低周波増幅用
シリコン PNP エピタキシャル形（フレームタイプ）
概要
外形図
単位：mm
ISA1993AS1は、超小形外形樹脂封止形シリコンPNPエピタキシャル形
4.0
トランジスタで低周波の電圧増幅用として設計・製造
3.0
7.5MAX
されております。
0.1
14.0
1.0
13.0MIN
1.0
セットの小形化、高密度実装用として幅広くご使用いただけます。
特長
0.45
2.5
●コレクタ飽和電圧が低い
2.5
0.4
VCE(sat)=-0.3V最大（@Ic=-100mA、IB=-10mA）
2.5
●直流電流増幅率の直線性が良い
●小形外形のため、セットの小型化、高密度実装が可能
①
②
③
用途
小形機器の低周波電圧増幅用
電極接続
①：エミッタ
②：コレクタ
③：ベース
JEITA：
JEDEC：
最大定格（Ta=25℃）
記号
項目
定格値
VCBO
コレクタ・ベース間電圧
-50
V
VEBO
エミッタ・ベース間電圧
-6
V
VCEO
コレクタ・エミッタ間電圧
-50
V
IC
コレクタ電流
-200
mA
PC
コレクタ損失
450
mW
Tj
接合部温度
+150
℃
-55～+150
℃
Tstg
保存温度
マ
単位
A93
□□F
hFE アイテム
電気的特性（Ta=25℃）
項目
コレクタ・エミッタ降伏電圧
記号
V(BR)CEO
試験条件
IC= -100μA , RBE= ∞
コレクタ遮断電流
ICBO
V
CB
エミッタ遮断電流
IEBO
V
EB= -6V , I C= 0mA
直流電流増幅率 ※
hFE
V
CE
V
CE
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
利得帯域幅積
hFE
VCE(sat)
= -50V , I E= 0mA
特性値
最小
標準
最大
-50
-
-
単位
V
-
-
-0.1
μA
-
-
-0.1
μA
= -6V , IC= -1mA
150
-
500
-
= -6V , IC= -0.1mA
50
-
-
-
-
-
-0.3
V
I C= -100mA , I B= -10mA
fT
V
CE
コレクタ出力容量
Cob
V
= -6V , I E= 10mA
CB= -6V , I E= 0mA,f=1MHz
雑音指数
NF
V
CE
= -6V , I E= 0.3mA,f=100Hz,RG=10kΩ
-
200
-
MHz
-
4.0
-
pF
-
-
20
dB
＊：hFE の値により右表のようにアイテム分類を行っています。
アイテム
E
F
hFE
150～300
250～500
〈小信号トランジスタ〉
ISA1993AS1
低周波増幅用
シリコン PNP エピタキシャル形（フレームタイプ）
標準特性
エミッタ接地出力特性
コレクタ損失－周囲温度特性
600
-50
IB=-0.18mA
IB=-0.2mA
IB=-0.16mA
500
IB=-0.14mA
IB=-0.12mA
-40
IB=-0.10mA
コレクタ電流 IC(mA)
400
300
200
-30
IB=-0.08mA
IB=-0.06mA
-20
IB=-0.04mA
100
-10
0
-0
IB=-0.02mA
IB=0mA
0
50
100
150
-0
-1
周囲温度 Ta[℃]
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 - コレクタ電流特性
-10.0
IC/IB=10
ベース・エミッタ間飽和電圧 VBE(sat)(V)
IC/IB=10
Ta=100℃
Ta=25℃
-100
Ta=-40℃
-10
-0.1
-1
-10
-100
コレクタ電流 IC(mA)
Ta=100℃ Ta=25℃ Ta=-40℃
-1.0
-0.1
-0.1
-1000
-1
エミッタ接地伝達特性
-10
-100
コレクタ電流 IC(mA)
-1000
エミッタ接地伝達特性
-1
-100
VCE=-6V
VCE=-6V
-0.8
-80
Ta=100℃
コレクタ電流 IC(mA)
コレクタ電流 IC(mA)
-5
ベース・エミッタ間飽和電圧 - コレクタ電流特性
-1000
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)(mV)
-2
-3
-4
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE(V)
-0.6
Ta=25℃
-0.4
Ta=-40℃
-60
Ta=100℃
-40
Ta=25℃
Ta=-40℃
-0.2
-20
-0
-0
-0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
ベース・エミッタ間電圧 VBE(V)
-1
-0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
ベース・エミッタ間電圧 VBE(V)
-1
〈小信号トランジスタ〉
ISA1993AS1
低周波増幅用
シリコン PNP エピタキシャル形（フレームタイプ）
直流電流増幅率 - コレクタ電流特性
利得帯域幅積－エミッタ電流特性
-10000
400
VCE=-6V
VCE=-6V
300
利得帯域幅積 fT(MHz)
直流電流増幅率 hFE(-)
Ta=-40℃ Ta=25℃ Ta=100℃
-1000
-100
200
100
-10
-0.1
-1
-10
-100
コレクタ電流 IC(mA)
-1000
コレクタ出力容量 - コレクタ・ベース間電圧特性
エミッタ入力容量 - エミッタ・ベース間電圧特性
100
コレクタ出力容量 Cob(pF)
エミッタ入力容量 Cib(pF)
Ta=25℃
f=1MHz
10
Cib
Cob
1
0.1
1
10
コレクタ・ベース間電圧　VCB(V)
エミッタ・ベース間電圧 VEB(V)
100
0
0.1
1
10
エミッタ電流 IE(mA)
100
〈小信号トランジスタ〉
ISA1993AS1
低周波増幅用
シリコン PNP エピタキシャル形（フレームタイプ）
エミッタ接地ｈ定数（標準値）
記号
ｈie
ｈｒe
ｈｆe
ｈoe
項目
閉路小信号入力インピーダンス
閉路小信号逆電圧増幅率
閉路小信号順電流増幅率
閉路小信号出力アドミタンス
測定条件
Ta=25℃
VCE=-6V
IE=1mA
f=270Hz
特性値
単位
7.0
kΩ
0.1
×10-3
250
－
18
μs
http://www.idc-com.co.jp 〒854-0065
長崎県諌早市津久葉町 6-41
安全設計に関するお願い
・弊社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品は故障が発生したり、誤動作する場合があります。弊社製品
の故障または誤動作によって、結果として人身事故、火災事故、社会的損害などを生じさせないような安全性を考慮した
冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください。
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2013年12月作成