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Search: SiC GaNデバイスの大電流化のトレンド SiC、 GaNデバイスの大電流化
エネルギー分野
p-In0.96Mn0.04As のスピン偏極度評価
ご あ い さ つ - NTT物性科学基礎研究所
IMaSS NEWS Vol.01 - 名古屋大学 未来材料・システム研究所
平成23年度 成果報告書 - コンピューティクスによる物質デザイン:複合
2016・No.61
NEWS LETTER
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照明用LED技術 - 独立行政法人 工業所有権情報・研修館
951KB - JEITA半導体部会
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