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超高速・超低雑音InP HEMT IC技術

WSiN ゲート GaAs-FET の設計・製造と そのミリ波 MMIC 応用に関する

1171KB - JEITA半導体部会

951KB - JEITA半導体部会

寄稿 - 電子情報通信学会

2006 年度

ミリ波開発の現状と展望

FinFET の高周波回路用の素子特性評価と E 級電力増幅器設計への応用

新探究素子

NO 展示分類 項目名 概要 1 プレゼンミラー ミラーインタフェースの
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