CM50MXA-24S

<IGBT モジュール>
CM50MXA-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
コレクタ電流 I C .......................................
CIB (Converter+Inverter+Chopper Brake)
50A
コレクタ・エミッタ間電圧 V CES ............... 1 2 0 0 V
最大接合温度 T jmax ............................... 1 7 5 °C
●フラットベース形
●銅ベース板
●スズメッキピン端子
●RoHS 指令対応
●UL Recognized under UL1557, File E323585
用途
インバータ装置，サーボアンプ，電源装置 など
外形及び接続図
単位：mm
TERMINAL
t=0.8
SECTION A
接続図
Tolerance otherwise specified
P(54~56)
Division of Dimension
P1(48~49)
GUP(13)
GVP(18)
GWP(2 3)
R(1~2)
S(5~6)
B(52~53)
U(14~15)
V(19~20)
GB(41)
GUN(40)
N(59~61)
GVP(33)
GWN(3 1)
W(24~25)
NTC
T(9~10)
TH1(28)
TH2(29)
N1(44~45)
Es(32)
Es1(39)
Caution: Each (two or three) pin terminal of P/N/P1/N1/U/V/W/B/R/S/T is connected in the module,
but should use all each three pins for the external wiring.
2013.8作成
1
3
Tolerance
0.5
to
±0.2
over
3
to
6
±0.3
over
6
to
30
±0.5
over 30
to 120
±0.8
over 120
to 400
±1.2
The tolerance of size between
terminals is assumed to be ±0.4.
<IGBT モジュール>
CM50MXA-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
絶対最大定格（指定のない場合，T j =25 °C）
インバータ部 IGBT/FWD
記号
項目
条件
定格値
単位
V CES
コレクタ・エミッタ間電圧
G-E 間短絡
1200
V
V GES
ゲート・エミッタ間電圧
C-E 間短絡
±20
V
IC
I CRM
パルス, 繰返し
コレクタ損失
P tot
IE
（注１）
I ERM
（注１）
T jmax
（注２, ４）
直流, T C =125 °C
コレクタ電流
T C =25 °C
50
（注３）
（注２，４）
425
（注２）
エミッタ電流
W
50
パルス, 繰返し
最大接合温度
A
100
（注３）
A
100
瞬時動作（過負荷等）
175
°C
定格値
単位
ブレーキ部 IGBT/DIODE
記号
項目
条件
V CES
コレクタ・エミッタ間電圧
G-E 間短絡
1200
V
V GES
ゲート・エミッタ間電圧
C-E 間短絡
±20
V
IC
I CRM
（注２, ４）
直流, T C =125 °C
コレクタ電流
パルス, 繰返し
P tot
コレクタ損失
T C =25 °C
V RRM
ピーク繰返し逆電圧
G-E 間短絡
35
（注３）
（注２，４）
355
W
1200
V
（注２）
IF
順電流
I FRM
T jmax
35
パルス, 繰返し
最大接合温度
A
70
（注３）
A
70
瞬時動作（過負荷等）
175
°C
コンバータ部 DIODE
定格値
単位
V RRM
記号
ピーク繰返し逆電圧
-
1600
V
Ea
推奨交流入力電圧
実効値
440
V
IO
直流出力電流
三相全波整流, T C =125 °C
50
A
I FSM
サージ順電流
正弦半波 1 サイクル波高値
f=60 Hz, 非繰り返し
500
A
I t
電流二乗時間積
1 サイクルサージ順電流
1040
As
T jmax
最大接合温度
瞬時動作（過負荷等）
150
°C
定格値
単位
2
項目
条件
（注４）
2
モジュール
記号
項目
条件
V isol
絶縁耐電圧
全端子・ベース板間, 実効値, f=60 Hz, AC 1 分間
T Cmax
最大ケース温度
（注４）
T jop
動作接合温度
連続動作
-40 ~ +150
T stg
保存温度
-
-40 ~ +125
2500
V
125
°C
°C
機械的特性
記号
Ms
項目
締付けトルク
ds
空間距離
da
沿面距離
規格値
条件
取付け
M 5 ねじ
最小
標準
最大
2.5
3.0
3.5
端子間
6.47
-
-
端子・ベース板間
14.27
-
-
単位
N·m
mm
端子間
6.47
-
-
端子・ベース板間
12.33
-
-
-
300
-
g
±0
-
+100
μm
m
質量
－
ec
ベース板平面度
X, Y 各中心線上
2013.8作成
2
（注５）
mm
<IGBT モジュール>
CM50MXA-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
電気的特性（指定のない場合，T j =25 °C）
インバータ部 IGBT/FWD
記号
項目
規格値
条件
最小
標準
最大
単位
I CES
コレクタ・エミッタ間遮断電流
V CE =V CES , G-E 間短絡
-
-
1.0
mA
I GES
ゲート・エミッタ間漏れ電流
V GE =V GES , C-E 間短絡
-
-
0.5
μA
V GE(th)
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
I C =5 mA, V CE =10 V
5.4
6.0
6.6
V
T j =25 °C
-
1.80
2.25
V GE =15 V,
T j =125 °C
-
2.00
-
（端子）
T j =150 °C
-
2.05
-
I C =50 A
V CEsat
コレクタ･エミッタ間飽和電圧
C ies
入力容量
C oes
出力容量
C res
帰還容量
I C =50 A
ゲート電荷量
t d(on)
ターンオン遅延時間
tr
上昇時間
t d(off)
ターンオフ遅延時間
tf
下降時間
,
T j =25 °C
-
1.70
2.15
V GE =15 V,
T j =125 °C
-
1.90
-
（チップ）
T j =150 °C
-
1.95
-
-
-
5.0
-
-
1.0
-
-
0.08
-
117
-
-
-
300
-
-
200
-
-
600
V CC =600 V, I C =50 A, V GE =15 V
V CC =600 V, I C =50 A, V GE =±15 V,
R G =13 Ω, 誘導負荷
-
-
300
T j =25 °C
-
1.80
2.25
G-E 間短絡,
T j =125 °C
-
1.80
-
（端子）
T j =150 °C
-
1.80
-
I E =50 A
（注１）
（注６）
,
V CE =10 V, G-E 間短絡
QG
V EC
（注６）
エミッタ・コレクタ間電圧
I E =50 A
（注６）
（注６）
,
,
T j =25 °C
-
1.70
2.15
G-E 間短絡,
T j =125 °C
-
1.70
-
（チップ）
T j =150 °C
-
1.70
-
V
V
nF
nC
ns
V
V
t rr
（注１）
逆回復時間
V CC =600 V, I E =50 A, V GE =±15 V,
-
-
300
ns
Q rr
（注１）
逆回復電荷
R G =13 Ω, 誘導負荷
-
2.7
-
μC
E on
ターンオンスイッチング損失
V CC =600 V, I C =I E =50 A,
-
5.5
-
E off
ターンオフスイッチング損失
V GE =±15 V, R G =13 Ω, T j =150 °C,
-
5.3
-
誘導負荷, 1 パルスあたり
-
4.5
-
mJ
-
-
5.0
mΩ
-
0
-
Ω
（注１）
E rr
逆回復損失
R CC'+EE'
内部配線抵抗
rg
内部ゲート抵抗
主端子-チップ間, 1 素子あたり,
（注４）
T C =25 °C
1 素子あたり
mJ
ブレーキ部 IGBT/DIODE
記号
項目
規格値
条件
最小
標準
最大
単位
I CES
コレクタ・エミッタ間遮断電流
V CE =V CES , G-E 間短絡
-
-
1.0
mA
I GES
ゲート・エミッタ間漏れ電流
V GE =V GES , C-E 間短絡
-
-
0.5
μA
V GE(th)
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
I C =3.5 mA, V CE =10 V
5.4
6.0
6.6
V
T j =25 °C
-
1.80
2.25
T j =125 °C
-
2.00
-
T j =150 °C
-
2.05
-
T j =25 °C
-
1.70
2.15
V GE =15 V,
T j =125 °C
-
1.90
-
（チップ）
T j =150 °C
-
1.95
-
I C =35 A
（注６）
,
V GE =15 V,
V CEsat
C ies
コレクタ･エミッタ間飽和電圧
（端子）
I C =35 A
（注６）
,
入力容量
C oes
出力容量
C res
帰還容量
QG
ゲート電荷量
-
-
3.5
V CE =10 V, G-E 間短絡
-
-
0.7
-
-
0.06
V CC =600 V, I C =35 A, V GE =15 V
-
82
-
2013.8作成
3
V
V
nF
nC
<IGBT モジュール>
CM50MXA-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
電気的特性（続き：指定のない場合，T j =25 °C）
ブレーキ部 IGBT/CLAMPDi
記号
項目
t d(on)
ターンオン遅延時間
tr
上昇時間
t d(off)
ターンオフ遅延時間
tf
下降時間
I RRM
逆電流
V CC =600 V, I C =35 A, V GE =±15 V,
R G =18 Ω, 誘導負荷
V R =V RRM , G-E 間短絡
順電圧
最小
標準
最大
-
-
300
-
-
200
-
-
600
-
-
300
-
-
1.0
T j =25 °C
-
1.80
2.25
G-E 間短絡,
T j =125 °C
-
1.80
-
（端子）
T j =150 °C
-
1.80
-
I F =35 A
VF
規格値
条件
I F =35 A
（注６）
（注６）
,
,
T j =25 °C
-
1.70
2.15
G-E 間短絡,
T j =125 °C
-
1.70
-
（チップ）
T j =150 °C
単位
ns
mA
V
V
-
1.70
-
t rr
逆回復時間
V CC =600 V, I F =35 A, V GE =±15 V,
-
-
300
ns
Q rr
逆回復電荷
R G =18 Ω, 誘導負荷
-
1.9
-
μC
E on
ターンオンスイッチング損失
V CC =600 V, I C =I F =35 A,
-
4.2
-
E off
ターンオフスイッチング損失
V GE =±15 V, R G =18 Ω, T j =150 °C,
-
3.7
-
E rr
逆回復損失
誘導負荷, 1 パルスあたり
-
3.5
-
mJ
rg
内部ゲート抵抗
-
-
0
-
Ω
mJ
コンバータ部 DIODE
記号
I RRM
VF
（端子）
項目
逆電流
規格値
条件
V R =V RRM , T j =150 °C
順電圧
I F =50 A
（注６）
単位
最小
標準
最大
-
-
6
mA
-
1.2
1.6
V
NTC サーミスタ部
記号
項目
（注４）
R 25
ゼロ負荷抵抗値
T C =25 °C
∆R/R
抵抗値許容差
R 100 =493 Ω, T C =100 °C
B (25/50)
B 定数
計算式による値
電力損失
P 25
規格値
条件
T C =25 °C
（注４）
（注７）
（注４）
最大
単位
最小.
標準
4.85
5.00
5.15
kΩ
-7.3
-
+7.8
%
-
3375
-
K
-
-
10
mW
熱的特性
記号
項目
R th(j-c)Q
R th(j-c)D
R th(j-c)Q
熱抵抗
（注４）
R th(j-c)D
R th(j-c)D
R th(c-s)
接触熱抵抗
（注４）
条件
接合・ケース間, インバータ部 IGBT,
1 素子あたり
接合・ケース間, インバータ部 FWD,
1 素子あたり
接合・ケース間, ブレーキ部 IGBT
接合・ケース間, ブレーキ部 DIODE,
接合・ケース間, コンバータ部 DIODE,
1 素子あたり
ケース・ヒートシンク間, 1 モジュールあたり,
熱伝導性グリース塗布
2013.8作成
4
（注８）
規格値
最小
標準
最大
-
-
0.35
-
-
0.63
単位
K/W
-
-
0.42
-
-
0.69
-
-
0.33
K/W
-
15
-
K/kW
K/W
<IGBT モジュール>
CM50MXA-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
－：凹
フリーホイールダイオード（DIODE）の定格又は特性を示します。
接合温度は，最大接合温度（T j m a x ）以下です。
パルス幅及び繰返し率は，素子の温度上昇が，最大接合温度（T j m a x ）を越えない値とします。
ケース温度（T C ）及びヒートシンク温度（T s ）の定義点は，チップ直下におけるベース板及びヒートシンクの表面です。
チップ中心位置は，チップ配置図のとおりです。
5. ベース板（取付面）平面度測定箇所は，下図のとおりです。
＋：凸
注 1.
2.
3.
4.
Y
X
取付面
取付面
－：凹
取付面
＋：凸
（試験回路図を参照）
6. パルス幅及び繰返し率は，素子の温度上昇が無視できる値とします。
R 25
1
1
7. B ( 25 / 50)  ln(

) /(
)
R 50 T25 T50
R 25 ：絶対温度 T 25 [K] におけるゼロ負荷抵抗値；T 25 [K]=25 [°C]+273.15=298.15
R 50 ：絶対温度 T 50 [K] におけるゼロ負荷抵抗値；T 50 [K]=50 [°C]+273.15=323.15
8. 接触熱抵抗の標準値は，熱伝導率 λ=0.9 W/(m·K) の放熱用グリースを使用したときの値です。
9. プリント基板をスタンドオフにねじ止めする場合は，下記仕様のセルフタッピングねじをご使用ください。
〈呼び径（φ）2.6×10 又は 呼び径（φ）2.6×12 B1 タッピンねじ〉
※ねじの長さは，プリント基板の厚み（t1.6～t2.0）によります。
推奨動作条件
記号
項目
条件
V CC
電源電圧
P-N/P1-N1 端子間
V GEon
ゲート（駆動）電圧
GB-Es/G*P-*/G*N-Es 端子間 (*=U, V, W)
RG
外部ゲート抵抗
1 素子あたり
2013.8作成
5
規格値
最小
標準
最大
Unit
-
600
850
V
13.5
15.0
16.5
V
インバータ部 IGBT
13
-
130
ブレーキ部 IGBT
18
-
180
Ω
<IGBT モジュール>
CM50MXA-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
チップ配置図 (Top view)
単位：mm, 公差：±1 mm
Tr*P/Tr*N/TrBr: IGBT, Di*P/Di*N: FWD (*=U/V/W), DiBr: BRAKE DIODE, CR*P/CR*N: CONVERTER DIODE (*=R/S/T), Th: NTC サーミスタ
記号は，それぞれのチップの中心を示します。
iE
vGE
P1
*: U, V, W
～
～
試験回路及び試験波形
90 %
0V
0
iE
t
+
V CC
IE
iC
～
～
G*P
-VGE
*
trr
0A
90 %
RG
t
Irr
vCE
+V GE
Q r r =0.5×I r r ×t r r
Load
0.5×I r r
G*N
0V
iC
vGE
10%
-V GE
0A
tr
N1
Es
td ( o n )
tf
td ( o ff )
t
スイッチング特性試験回路及び試験波形
逆回復特性試験波形
iE
iC
iC
ICM
vCE
VCC
0.1×ICM
0.1×VCC
0
vEC
VCC
vCE
VCC
0.1×VCC
t
IEM
ICM
0.02×ICM
0
t
ti
ti
IGBT ターンオンスイッチング損失
IGBT ターンオフスイッチング損失
0A
t
0V
t
ti
FWD 逆回復損失
ターンオン / ターンオフスイッチング損失及び逆回復損失試験波形（積分時間説明図）
2013.8作成
6
<IGBT モジュール>
CM50MXA-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
試験回路
48~49
48~49
VGE=15V
48~49
VGE=15V
IC
13
14~15
VGE=15V
IC
18
19~20
V
Sho rtcircuited
24~25
V
32
44~45
44~45
P1
32
GUP
P1
V
G-E 間短絡
N1
G-E 間短絡
UP / UN IGBT
VGE=15V
IC
GWN
N1
Es
GVP-V, GVN-Es,
GWP-W, GWN-Es,
GB-Es
B
VGE=15V
IC
GVN
V
W
VGE=15V
IC
P1
V
V
VGE=15V
44~45
32
GWP
V
U
Es
44~45
Sho rtcircuited
GVP
GUN
41
P1
Sho rtcircuited
V
Sho rtcircuited
31
32
Sho rtcircuited
52~53
V
Sho rtcircuited
33
IE
IC
23
Sho rtcircuited
40
48~49
N1
Es
G-E 間短絡
GUP-U, GUN-Es,
GWP-W, GWN-Es,
GB-Es
VP / VN IGBT
IC
GB
N1
Es
GUP-U, GUN-Es,
GVP-V, GVN-Es,
GB-Es
WP / WN IGBT
G-E 間短絡
GUP-U, GUN-Es,
GVP-V, GVN-Es,
GWP-W, GWN-Es
Brake IGBT / DIODE
V CE s a t / BRAKE DIODE V F 試験回
48~49
Sho rtcircuited
48~49
IE
Sho rtcircuited
13
48~49
Sho rtcircuited
IE
18
14~15
19~20
24~25
V
Sho rtcircuited
40
32
44~45
P1
32
P1
Sho rtcircuited
GUP
Es
G-E 間短絡
Sho rtcircuited
N1
UP / UN FWD
59~61
P1
P
Sho rtcircuited
IE
Es
G-E 間短絡
V
V
R
W
GVN
GVP-V, GVN-Es,
GWP-W, GWN-Es,
GB-Es
44~45
V
V
GUN
V
GWP
V
U
IE
1~2
Sho rtcircuited
GVP
Sho rtcircuited
V
31
32
Sho rtcircuited
IF
Sho rtcircuited
33
44~45
IE
23
V
Sho rtcircuited
54~56
IF
IE
GWN
N1
Es
G-E 間短絡
GUP-U, GUN-Es,
GWP-W, GWN-Es,
GB-Es
VP / VN FWD
N1
N
GUP-U, GUN-Es,
GVP-V, GVN-Es,
GB-Es
WP / WN FWD
CONVERTER DIODE (ex. phase-R)
V EC / CONVERTER DIODE V F 試験回路
* In the above test circuit, should use all three main pin terminals (P1/N1/P/N/U/V/W) for connection with the terminals and the current source.
2013.8作成
7
<IGBT モジュール>
CM50MXA-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
インバータ部
コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性
（代表例）
出力特性
（代表例）
（チップ）
T j =25 °C
V GE =20 V
60
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
V CEsat
(V)
12 V
11 V
コレクタ電流
IC
(A)
13.5 V
15 V
80
40
10 V
20
9V
0
3
T j =150 °C
2.5
T j =125 °C
2
T j =25 °C
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6
コレクタ・エミッタ間電圧
8
0
10
40
60
コレクタ電流
80
100
I C (A)
フリーホイールダイオード順特性
（代表例）
G-E間短絡
（チップ）
T j =25 °C
（チップ）
100
10
8
V CEsat
T j =150 °C
(A)
I C =100 A
I C =50 A
IE
6
エミッタ電流
(V)
20
V CE (V)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性
（代表例）
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
（チップ）
V GE =15 V
3.5
100
I C =20 A
4
10
T j =125 °C
2
T j =25 °C
0
6
8
10
12
14
ゲート・エミッタ間電圧
16
V GE
18
1
20
0
0.5
1
1.5
エミッタ・コレクタ間電圧
(V)
2013.8作成
8
2
V EC
2.5
(V)
3
<IGBT モジュール>
CM50MXA-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
インバータ部
スイッチング時間特性
（代表例）
スイッチング時間特性
（代表例）
V CC =600 V, V GE =±15 V, R G =13 Ω, 誘導負荷
---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C
V CC =600 V, I C =50 A, V GE =±15 V, 誘導負荷
---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C
1000
1000
tf
t d(off)
t d(off)
(ns)
100
スイッチング時間
スイッチング時間
(ns)
tf
t d(on)
10
tr
100
t d(on)
tr
1
10
1
10
コレクタ電流
100
IC
1000
RG
(Ω)
スイッチング損失特性
（代表例）
スイッチング損失特性
（代表例）
V CC =600 V, V GE =±15 V, R G =13 Ω, 誘導負荷, 1パルスあたり
---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C
V CC =600 V, I C /I E =50 A, V GE =±15 V, 誘導負荷, 1パルスあたり
---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C
100
10
(mJ)
(mJ)
1
E on
0.1
1
E off
0.01
100
0.1
1
10
コレクタ電流 I C
エミッタ電流 I E
スイッチング損失, 逆回復損失
E rr
10
逆回復損失
(mJ)
100
外部ゲート抵抗
(A)
100
スイッチング損失
10
E on
10
E off
E rr
1
10
100
外部ゲート抵抗
(A)
(A)
2013.8作成
9
1000
RG
(Ω)
<IGBT モジュール>
CM50MXA-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
インバータ部
容量特性
（代表例）
フリーホイールダイオード逆回復特性
（代表例）
G-E間短絡, T j =25 °C
V CC =600 V, V GE =±15 V, R G =13 Ω, 誘導負荷
---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C
1000
100
10
C ies
(ns), I r r
(nF)
(A)
t rr
容量
1
t rr
C oes
100
0.1
I rr
C res
0.01
10
0.1
1
10
コレクタ・エミッタ間電圧
100
V CE
1
エミッタ電流
(V)
IE
(A)
Single pulse, T C =25°C
R t h ( j - c ) Q =0.35 K/W, R t h ( j - c ) D =0.63 K/W
V CC =600 V, I C =50 A, T j =25 °C
20
NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
Z th(j-c)
1
15
V GE
(V)
100
最大過渡熱インピーダンス特性
ゲート容量特性
（代表例）
ゲート・エミッタ間電圧
10
10
5
0
0
50
ゲート容量
100
QG
150
200
0.1
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
時間
(nC)
2013.8作成
10
0.01
(S)
0.1
1
10
<IGBT モジュール>
CM50MXA-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
ブレーキ部
クランプダイオード順特性
（代表例）
コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性
（代表例）
G-E間短絡
（チップ）
V GE =15 V
3.5
（チップ）
100
3
T j =150 °C
T j =125 °C
V F (V)
2.5
2
1.5
T j =150 °C
10
順電圧
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
V CEsat
(V)
T j =125 °C
T j =25 °C
1
T j =25 °C
0.5
0
1
0
10
20
30
40
コレクタ電流
50
60
70
0
0.5
1
順電流
I C (A)
1.5
2
2.5
I F (A)
スイッチング損失特性
（代表例）
スイッチング損失特性
（代表例）
V CC =600 V, V GE =±15 V, R G =18 Ω, 誘導負荷
---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C
V CC =600 V, I C =35 A, V GE =±15 V, 誘導負荷
---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C
1000
3
1000
tf
t d(off)
tf
(ns)
100
スイッチング時間
スイッチング時間
(ns)
t d(off)
t d(on)
tr
10
100
t d(on)
tr
10
1
1
10
コレクタ電流
100
10
100
外部ゲート抵抗
I C (A)
2013.8作成
11
1000
R G (Ω)
<IGBT モジュール>
CM50MXA-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
ブレーキ部
スイッチング損失特性
（代表例）
スイッチング損失特性
（代表例）
V CC =600 V, V GE =±15 V, R G =18 Ω, 誘導負荷, 1パルスあたり
---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C
V CC =600 V, I C /I F =35 A, V GE =±15 V, 誘導負荷, 1パルスあたり
---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C
10
1
(mJ)
E rr
1
0.1
E off
E on
スイッチング損失, 逆回復損失 (mJ)
10
100
逆回復損失
スイッチング損失
(mJ)
100
E on
10
E off
E rr
0.01
100
0.1
1
10
1
10
コレクタ電流 I C (A)
エミッタ電流 I F (A)
外部ゲート抵抗
1000
R G (Ω)
クランプダイオード逆回復特性
（代表例）
最大過渡熱インピーダンス特性
V CC =600 V, V GE =±15 V, R G =18 Ω, 誘導負荷
---------------: T j =150 °C, - - - - -: T j =125 °C
Single pulse, T C =25 °C
R t h ( j - c ) Q =0.42 K/W, R t h ( j - c ) D =0.69 K/W
1000
1
100
NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
Z th(j-c)
t r r (ns), I r r (A)
100
t rr
I rr
10
1
10
順電流
100
0.1
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
時間 (S)
I F (A)
2013.8作成
12
0.1
1
10
<IGBT モジュール>
CM50MXA-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
特性図
コンバータ部
最大過渡熱インピーダンス特性
コンバータダイオード順特性
（代表例）
Single pulse, T C =25 °C
R t h ( j - c ) D =0.33 K/W
100
NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
Z th(j-c)
1
I F (A)
T j =125 °C
順電流
10
T j =25 °C
1
0.4
0.6
0.8
1.0
順電圧
1.2
1.4
100
抵抗値
R (kΩ)
10
1
0.1
0
25
温度
50
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
時間 (S)
V F (V)
温度特性
（代表例）
-25
0.01
1.6
NTC サーミスタ部
-50
0.1
75
100
125
T (°C)
2013.8作成
13
0.1
1
10
<IGBT モジュール>
CM50MXA-24S
大電力スイッチング用
絶縁形
安全設計に関するお願い
弊 社 は 品 質 ，信 頼 性 の 向 上 に 努 め て お り ま す が ，半 導 体 製 品 は 故 障 が 発 生 し た り ，誤 動 作 す る 場 合 が あ り
ま す 。弊 社 の 半 導 体 製 品 の 故 障 又 は 誤 動 作 に よ っ て 結 果 と し て ，人 身 事 故 ，火 災 事 故 、社 会 的 損 害 な ど を 生
じ さ せ な い よ う な 安 全 性 を 考 慮 し た 冗 長 設 計 ，延 焼 対 策 設 計 ，誤 動 作 防 止 設 計 な ど の 安 全 設 計 に 十 分 ご 留 意
ください。
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