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高温逆バイアス試験装置
高温逆バイアス試験装置 パワー半導体の絶縁膜の経時破壊試験として高温 、 高電圧によるストレス条件下でのリーク電流挙動を測 定評価します 。 IGBT 、パワー MOSFETを中心としたパワー半導体 の G 端子にピンチオフ電圧を印加した状態で、ストレス 電圧としてC−E 、D−S 間に数 100 ∼ 3000Vを印加 、 Ice・Idsリーク電流値を測定し、定期的にロギングしま す 。ロギングデータは CSV 形式のファイルに保存し経 時変化を評価できます 。 高温逆バイアス試験装置では、劣化加速として高温に よる加速をおこないます 。そのため 350℃の高温下で 試験に対応できる独自開発のセラミック材料や、 コンタク トピン材料を使用した耐熱ソケット冶具をご用意してい ます 。 また、冶具部分にて電圧印加を順方向に変えることも 高温逆バイアス試験装置 でき逆バイアス試験とバイアス試験の 2 種類の試験が 行えます 。 高温チャンバーにおきましても、評価サンプル数に適し たさまざまなテストエリアサイズや温度制御範囲の半 導体評価専用チャンバーを用意しています 。 高温逆バイアス試験では、高電圧 、高温度をストレスと するためデバイス保護 、作業者の安全にも留意し、 さら にユーザーの設備安全仕様にもお応えいたします 。 この装置は IGBT 、パワー MOSFET 、ダイオードに限 らず 、その他の素子でも耐電圧評価装置としてもお使 いいただけます 。 内槽 システムブロック図 ラック チャンバー TEG ボード 電流測定回路 保護ヒューズ C 直流電源装置 0V∼+3,000V デバイス PC E PLC G 直流電源装置 −35V∼+35V 電流測定回路 無停電電源 C デバイス E G F11E22L01 (2010 年 11 月現在)