チップバリスタ サージ電圧・静電気対策用

チップバリスタ
サージ電圧・静電気対策用
AVRシリーズ
Type:
AVR-M
AVRL
Issue date:
September 2011
●製品をより正しく、安全にご使用いただくために、さらに詳細な特性・仕様をご確認いただける納入仕様書をぜひご請求ください。
●記載内容は、改良その他により予告なく変更する場合がありますので、あらかじめご了承ください。
●RoHS指令対応：EU Directive 2002/95/ECにもとづき、免除された用途を除いて、鉛、カドミウム、水銀、六価クロム、および特定臭素系難燃剤の
PBB、PBDEを使用していないことを表します。
(1/10)
バリスタ
（SMD）
サージ電圧・静電気対策用
RoHS指令対応製品
AVR シリーズ AVR-M、AVRL タイプ
バリスタ（Varistor）は、一定値以上の電圧が印加されると抵抗値
が急減する電圧依存性の非直線抵抗素子です。
バリスタは、2個直列接続のツェナーダイオード（Zener diode）と
等価です。従って、極性を持ちません。
チップバリスタとツェナーダイオードの電圧−電流特性比較
等価回路
2 Zener Diodes
Current(A)
10–1
10–2 Zener diode
/Vz:6.8V
Positive direction
10–3
Chip varistor
/V1mA:12V
10–4
A capacitance content
10–5
–18 –14
–10
–6
–2
2
–10–5
6
10
14
18
–10–4
–10–3
Negative direction
–10–2
–10–1
Voltage(V)
バリスタの効果
バリスタがない場合
電子装置の誤動作と破損の恐れがあります
ESD, Surge voltage
ESD, Surge voltage
Power line
Signal line
バリスタを使用した場合
バリスタを回路に挿入することで、異常電圧を抑制します。
IC
IC
Power line
Signal line
Insert a varistor between
a line and ground
: Chip varistor
●RoHS指令対応：EU Directive 2002/95/ECにもとづき、免除された用途を除いて、鉛、カドミウム、水銀、六価クロム、および特定臭素系難燃剤の
PBB、PBDEを使用していないことを表します。
製品をより正しく、安全にご使用いただくために、さらに詳細な特性・仕様をご確認いただける納入仕様書をぜひご請求ください。
記載内容は、改良その他により予告なく変更する場合がありますので、あらかじめご了承ください。
001-07 / 20110926 / j9c11_avr.fm
(2/10)
特長
●電流-電圧特性が対称であるため極性がありません。
ツェナーダイオードアノードコモンタイプと同等です。
●優れた静電気吸収能力を有します。
応答性は、ツェナーダイオードと同等以上、静電気吸収後でも
電流−電圧特性の対称性を維持します。
●積層内部電極構造を採用しました。
幅広いバリスタ電圧をシリーズ化（6.8∼39V）
低静電容量品をシリーズ化（1.1pF∼）
0603、1005、1608、2012タイプおよび1410アレイをシリーズ化
●優れた実装信頼性、鉛フリーはんだ付けに対応しています。
電気めっき（ニッケル / スズ）を採用し、良好なはんだ付け性、
はんだ耐熱性を実現しました。
●ツェナーダイオード+コンデンサからの置換が可能です。
省スペース化、トータル実装コストを低減します。
内部構造
Inner electrode
Varistor body
(Palladium) (Zinc Oxide: ZnO semiconductor ceramics)
Sn plating
Ag termination
underlayer
Ni plating
回路図
シングルタイプ
アレイタイプ
使用電圧範囲
用途
●静電気吸収
●パルスノイズ吸収
0603 type
7.5
1005 type
19
28
1608 type
2012 type
温度範囲
タイプ名
保存時
動作時
AVR-M1005/1608/2012
–40 to +125°C
–40 to +125°C
AVR-M14A2/0603/AVRL
–40 to +85°C
–40 to +85°C
使用例
セット
携帯電話
デジタルビデオカメラ
デジタルカメラ
PDA
ノートPC
DVD-ROM、CD-ROM
CD/MD/MP3プレイヤ
ゲーム機
車載機器
28
1410 type
0
16
5
10
15
20
Circuit voltage(V)
25
30
推奨はんだ付け条件（リフロー）
対策用途
データ端子
LCDパネル
タッチパネル
ボタン・スイッチ部
バッテリ端子
オーディオ・ビデオ入出力端子
マイク・レシーバ部
コントローラ部
CAN-BUS
ECU
コネクタ
エアコンパネル
カーオーディオ
カーナビゲーション
10s max.
260˚C max.
250˚C
220˚C
Natural
cooling
180˚C
150˚C
Preheating
60 to 120s
Soldering
60s max.
Time(s)
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001-07 / 20110926 / j9c11_avr.fm
(3/10)
AVR-M タイプ
品名の呼称法
AVR-M 1005 C 270 M T AAB
(1)
(2) (3) (4) (5) (6) (7)
形状・寸法／推奨ランドパターン
0603/1005/1608/2012 タイプ
L
W
(1) シリーズ名
(2) 寸法L×W
0.6×0.3mm
1.0×0.5mm
1.6×0.8mm
2.0×1.2mm
単位：mm
1.4×1.0mm（2素子）
(3) 構造
(4) バリスタ電圧
270
B
T
0603
1005
1608
2012
14A2
27×100V
タイプ
L
W
T
0603
1005
1608
2012
0.6±0.03
1.0±0.05
1.6±0.1
2.0±0.2
0.3±0.03
0.5±0.05
0.8±0.1
1.25±0.2
0.3±0.03
0.5±0.05
0.8±0.1
1.0±0.2
K
M
±10%
±20%
c
(5) バリスタ電圧許容差
B min. 質量
(mg)typ.
0.1
0.2
0.1
1.2
0.2
5
0.2
15
b
a
b
単位：mm
(6) 包装形態
T
B
テーピング
バルク
(7) 静電容量およびTDK特殊記号
a
0.25 to 0.35
0.3 to 0.5
0.6 to 0.8
0.9 to 1.2
タイプ
0603
1005
1608
2012
b
0.2 to 0.3
0.35 to 0.45
0.6 to 0.8
0.7 to 0.9
c
0.25 to 0.35
0.4 to 0.6
0.6 to 0.8
0.9 to 1.2
1410 タイプ
1.0±0.2
0.2typ.
1.37±0.2
0.6max.
0.36±0.2
Weight: 4mg typ.
0.32±0.2
0.64typ.
1.0 to 1.4
0.65 to 0.95
0.35 to 0.45
Dimensions in mm
0.6 to 0.66
0.3 to 0.4
Dimensions in mm
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001-07 / 20110926 / j9c11_avr.fm
(4/10)
電気的特性
最大許容
バリスタ電圧
回路電圧
（ブレイクダウン電圧）
（定格電圧）
V1mA(V)[DC1mA]
Vdc(V)
品名
0603 タイプ
AVRM0603C6R8N
AVRM0603C080M
AVRM0603C120M
AVR-M0603C120M
1005 タイプ
AVRM1005C6R8N
AVR-M1005C080M
AVR-M1005C080M
AVR-M1005C080M
AVR-M1005C080M
AVR-M1005C120M
AVRM1005C270K
AVR-M1005C270M
AVR-M1005C270M
1608 タイプ
AVR-M1608C080M
AVR-M1608C120M
AVR-M1608C120M
AVR-M1608C180M
AVR-M1608C220K
AVR-M1608C220K
AVR-M1608C270K
AVR-M1608C270K
AVR-M1608C270K
AVR-M1608C270M
AVR-M1608C270M
AVRM1608C390K
2012 タイプ
AVR-M2012C120M
AVR-M2012C220K
AVR-M2012C390K
1410 タイプ
AVR-M14A2C240M
AVR-M14A2C270M
AVRM14A2C270M
AVRM14A2C270M
包装数量
（テーピング）
（個 / リール）
6.8
8
12.8
12
(4.76 to 8.84)
(6.4 to 9.6)
(10 to 15.6)
(9.6 to 14.4)
3.5 max.
5.5 max.
5.5 max.
7.5 max.
14[1A]
17[1A]
20[1A]
23[1A]
0.01 max.
0.01 max.
0.01 max.
0.01 max.
10 max.
4 max.
5 max.
1 max.
100 typ.
100 typ.
100 typ.
33 typ.
15,000
101N
AAB
ADB
ABB
ACB
AAB
101N
AAB
ABB
6.8
8
8
8
8
12
27
27
27
(4.76 to 8.84)
(6.4 to 9.6)
(6.4 to 9.6)
(6.4 to 9.6)
(6.4 to 9.6)
(9.6 to 14.4)
(24 to 30)
(21.6 to 32.4)
(21.6 to 32.4)
3.5 max.
5.5 max.
5.5 max.
5.5 max.
5.5 max.
7.5 max.
19 max.
15 max.
15 max.
14[1A]
14[1A]
14[1A]
15[1A]
19[1A]
20[1A]
55[1A]
50[1A]
50[1A]
0.02 max.
0.04 max.
0.04 max.
0.02 max.
0.01 max.
0.05 max.
0.06 max.
0.06 max.
0.05 max.
10 max.
25 max.
25 max.
3 max.
1 max.
10 max.
4 max.
4 max.
1 max.
100 typ.
650 typ.
480 typ.
100 typ.
33 typ.
130 typ.
100 typ.
40 typ.
15 typ.
10,000
AAB
6AB
2AB
6AB
6AB
2AB
6AB
2AB
ACB
AAB
ABB
271N
8
12
12
18
22
22
27
27
27
27
27
39
(6.4 to 9.6)
(9.6 to 14.4)
(9.6 to 14.4)
(14.4 to 21.6)
(19.8 to 24.2)
(19.8 to 24.2)
(24 to 30)
(24 to 30)
(24 to 30)
(21.6 to 32.4)
(21.6 to 32.4)
(35 to 43)
5.5 max.
7.5 max.
7.5 max.
11 max.
16 max.
16 max.
19 max.
19 max.
19 max.
17 max.
17 max.
28 max.
15[2A]
20[2A]
20[2A]
30[2A]
34[2A]
37[2A]
42[2A]
42[2A]
54[2A]
52[2A]
52[2A]
69[2A]
0.09 max.
0.09 max.
0.06 max.
0.1 max.
0.1 max.
0.03 max.
0.1 max.
0.1 max.
0.05 max.
0.05 max.
0.05 max.
0.1 max.
30 max.
50 max.
15 max.
30 max.
30 max.
10 max.
48 max.
20 max.
10 max.
2 max.
2 max.
78 max.
650 typ.
1050 typ.
400 typ.
600 typ.
560 typ.
210 typ.
430 typ.
160 typ.
60 typ.
30 typ.
15 typ.
270 typ.
4,000
6AB
6AB
6AB
12
22
39
(9.6 to 14.4) 7.5 max.
(19.8 to 24.2) 16 max.
(35 to 43)
28 max.
20[5A]
38[5A]
62[5A]
0.2 max.
0.3 max.
0.3 max.
60 max.
100 max.
100 max.
1000 typ.
800 typ.
430 typ.
2,000
600N
470N
150N
3R3F
24
27
27
27
(20 to 27)
(21.6 to 32.4)
(21.6 to 32.4)
(21.6 to 32.4)
50[1A]
54[1A]
55[1A]
45[0.2A]
0.01 max.
0.007 max.
0.02 max.
0.002 max.
5 max.
5 max.
3 max.
0.2 max.
60 typ.[1MHz]
47 typ.[1MHz]
15 typ.[1MHz]
3.3 typ.[1MHz]
4,000
16 max.
15 max.
15 max.
10 max.
には、包装形態記号（T：テーピング／B：バルク）が入ります
項目
単位
V1mA
バリスタ電圧
（ブレイクダウン電圧） (V)
最大許容回路電圧
（定格電圧）
クランプ電圧
エネルギー耐量
説明
DC1mA を流した時のバリスタ端子電圧
値
DC電圧を連続して印加可能な電圧値
Vdc
バリスタリーク電流値：50µA max.
(V)
（最大許容回路電圧範囲内）
規定ピーク電流値のインパルス電流
Vcl
（8/20µs∗1）
を印加した際のバリスタ端子
(V)
電圧値
インパルス
（10/1000µs∗2）を1回印加した
E
とき、
バリスタ特性劣化が発生しない最
(Joule)
大エネルギー値
インパルス電流（8/20µs∗1）
を 1 回印加し
Ip
たとき、バリスタ特性劣化が発生しない
(A)
最大電流値
C
オシレータ周波数1kHz
（または1MHz）、
(pF)
オシレータ電圧1Vrmsでの静電容量値
∗1
8/20µs 試験波形
100%
90%
50%
8µs
20µs
Time
∗2
10/1000µs 試験波形
100%
90%
Energy
静電容量
静電容量
C(pF)
[1kHz, 1Vrms]
∗101N
101N
101N
AAB
用語説明
サージ電流
エネルギー
サージ電流
耐量
Ip(A)
E(Joule)
[8/20µs]
[10/1000µsec]
Current
∗ 品名中の
クランプ
電圧
Vcl(V)
[8/20µs]
50%
10µs
1000µs
Time
製品をより正しく、安全にご使用いただくために、さらに詳細な特性・仕様をご確認いただける納入仕様書をぜひご請求ください。
記載内容は、改良その他により予告なく変更する場合がありますので、あらかじめご了承ください。
001-07 / 20110926 / j9c11_avr.fm
(5/10)
AVRL タイプ
品名の呼称法
AVRL 10 1A 3R3 F T A
(1) (2) (3) (4) (5) (6) (7)
形状・寸法／推奨ランドパターン
W
L
(1) シリーズ名
B
(2) 寸法L×W
1.0×0.5mm
1.6×0.8mm
T
10
16
単位：mm
(3) 最大許容回路電圧
1A
10Vdc
(4) 静電容量
L
W
T
1005
1608
1.0±0.05
1.6±0.1
0.5±0.05
0.8±0.1
0.5±0.05
0.8±0.1
1.1pF
3.3pF
6.8pF
c
1R1
3R3
6R8
タイプ
B min. 質量
(mg)typ.
0.1
1.2
0.2
5
b
a
b
(5) 静電容量許容差
N
F
G
単位：mm
±0.3pF
±1pF
±2pF
タイプ
1005
1608
a
0.3 to 0.5
0.6 to 0.8
b
0.35 to 0.45
0.6 to 0.8
c
0.4 to 0.6
0.6 to 0.8
(6) 包装形態
T
B
テーピング
バルク
(7) バリスタ電圧およびTDK管理記号
電気的特性
静電容量
C(pF)
[1MHz, 1Vrms]
品名
1005タイプ
AVRL101A1R1N
AVRL101A1R1N
AVRL101C2R2D
AVRL101A3R3F
AVRL101A6R8G
1608タイプ
AVRL161A1R1N
AVRL161A1R1N
AVRL161A3R3F
AVRL161A6R8G
∗ 品名中の
最大許容回路電圧
（定格電圧）
Vdc(V)
絶縁抵抗
Rdc(MΩ)
[3Vrms]
バリスタ電圧
（ブレイクダウン電圧）
V1mA(V)[DC1mA]
包装数量
（テーピング）
（個/リール）
∗A
B
A
A
A
1.1[0.8 to 1.4]
1.1[0.8 to 1.4]
2.2[1.7 to 2.7]
3.3[2.3 to 4.3]
6.8[4.8 to 8.8]
10 max.
10 max.
16 max.
10 max.
10 max.
10 min.
10 min.
10 min.
10 min.
10 min.
90 typ.
39 typ.
90 typ.
27 typ.
27 typ.
10,000
A
B
A
A
1.1[0.8 to 1.4]
1.1[0.8 to 1.4]
3.3[2.3 to 4.3]
6.8[4.8 to 8.8]
10 max.
10 max.
10 max.
10 max.
10 min.
10 min.
10 min.
10 min.
90 typ.
39 typ.
27 typ.
27 typ.
4,000
には、包装形態記号（T: テーピング／B: バルク）が入ります。
用語説明
項目
単位
C
(pF)
説明
オシレータ周波数1MHz、
オシレータ電圧
静電容量
1Vrmsでの静電容量値
DC電圧を連続して印加可能な電圧値
Vdc
最大許容回路電圧
バリスタリーク電流値：50µA max.
(V)
（定格電圧）
（最大許容回路電圧範囲内）
Rdc
規定の電圧を印加した際のバリスタ絶縁
絶縁抵抗
(MΩ ) 抵抗値
V1mA DC1mAを加えた際のバリスタ端子電圧
バリスタ電圧
（ブレイクダウン電圧） (V)
値
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001-07 / 20110926 / j9c11_avr.fm
(6/10)
電気的特性例
電流電圧特性
インピーダンス周波数特性
10000
100
15pF 6.8pF 3.3pF
V1mA:12V
10–1
1000
30pF
V1mA:8V
Impeadance(Ω)
Current(A)
10–2
V1mA:27V
V1mA:22V
10–3
V1mA:18V
10–4
100
10
1
10–5
1050pF
10–6
10–7
0
10
20
Voltage(V)
30
0.01
1
40
伝送特性
10
100
Frequency(MHz)
1000
10000
静電容量周波数特性
10
10000
1050pF
0
3.3pF
6.8pF
30pF
–20
15pF
160pF
1050pF
650pF
–30
650pF
400pF
1000
Capacitance(pF)
–10
Insertion loss(dB)
160pF
400pF
650pF
0.1
400pF
160pF
100
30pF
15pF
6.8pF
–40
10
3.3pF
–50
–60
1
10
100
Frequency(MHz)
1000
10000
1
1
10
100
Frequency(MHz)
1000
10000
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001-07 / 20110926 / j9c11_avr.fm
(7/10)
静電気放電試験
試験条件
150pF、330Ω接触放電
充電電圧/8kV、0.1秒間隔
測定回路
10MΩ
330Ω
High voltage
DC power supply
Discharge gun
Test
sample
150pF
ESD
simulator
ESD simulator
AVR-M1005 タイプ
20
20
10
10
∆V1mA/V1mA(%)
∆V1mA/V1mA(%)
AVR-M0603 タイプ
0
–10
–20
–30
–40
–50
–60
0.1
–20
–30
–40
–50
1
10
Number of discharge(Times)
–60
0.1
100
8
10
7
Capacitance(pF) [1MHz]
20
0
–10
–20
–30
–40
–50
–60
0.1
1
10
Number of discharge(Times)
1
10
Number of discharge(Times)
100
AVRL101A3R3F
AVR-M1608 タイプ
∆V1mA/V1mA(%)
0
–10
100
6
5
4
3
2
1
0
0.1
1
10
Number of discharge(Times)
100
製品をより正しく、安全にご使用いただくために、さらに詳細な特性・仕様をご確認いただける納入仕様書をぜひご請求ください。
記載内容は、改良その他により予告なく変更する場合がありますので、あらかじめご了承ください。
001-07 / 20110926 / j9c11_avr.fm
(8/10)
静電気吸収特性
放電電流波形
波形パラメータ [IEC61000-4-2]
8
150pF, 330Ω,
Contact discharge, Test level 1
Discharge current(A)
7
6
5
4
3
測定レベル
ESD充電電圧
(kV)
1
2
3
4
2
4
6
8
立上り時間
(ns)
0.7 to 1.0
0.7 to 1.0
0.7 to 1.0
0.7 to 1.0
2
1
測定回路
0
–1
–50
0
50
100
150
Time(ns)
200
250
10MΩ
300
High voltage
DC power supply
放電電圧波形
330Ω
150pF
ESD simulator
350
Open waveform
300
Discharge gun
AVR-M1005C120MTAAB / V1mA:12V
250
Voltage(V)
放電1次
ピーク電流
(A)
7.5
15
22.5
30
200
Test
sample
AVR-M1005C080MTAAB / V1mA:8V
150
60dB attenuator
Zener diode /Vz:6.2V
ESD
simulator
100
50
0
–50
–50
0
50
100
150
Time(ns)
200
250
50Ω
Oscilloscope
I/O impedance: 50Ω
Frequency range: DC to 18GHz
300
各種素子の静電気放電吸収特性比較
Clamping voltage (V)
350
300
250
269V
down
258V
down
271V
down
200
150
100
101V
down
50
0
Open waveform
93V
down
96V
down
AVR-M1005C080MTAAB AVR-M1005C120MTAAB Zener diode/Vz:6.2V
Peak
316
45
58
47
Average
117
16
24
21
(voltage)
Peak voltage:Peak voltage of standing up part
Average voltage : Average voltage of 30 to 100ns
Peak
voltage
ESD (Electro Static Discharge)
absorption characteristics of V1mA-8V
is superior to Vz-6.2V Zener diode.
Average
voltage
30
100
(ns)
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001-07 / 20110926 / j9c11_avr.fm
(9/10)
ツェナーダイオードからの置き換えメリット
(1) 部品点数の削減
アプリケーション例
携帯電話
To LCD driver
(2) 実装コストの低減
実装面積の比較
ツェナーダイオード
Microphone/Receiver
LCD panel
0.5mm
0.8mm
チップバリスタ
2.3mm
1.2mm
Backlight LED
実装面積が65%もダウンします。
Data terminal
: Chip varistor
Key pad/Switch
オーディオ端子での置き換え例
オーディオ / ビデオ
Audio
connector
Audio/out
Audio
AMP
Monitor
OUT
Video1
in
Video2
in
Video3
in
Video5
in
Digi
Video
Audio
connector
Audio/out
Audio
AMP
Video
Video
Video
L L/MONO L/MONO L/MONO L/MONO
Audio
Audio
Audio
Audio
Audio
R
: Chip varistor
: Chip varistor
Insulation resistance
of tested circuit(Ω)
(3) 静電気吸収能力のアップ
IC保護に関するチップバリスタとツェナーダイオードのデータ比較
AVRタイプバリスタとツェナーダイオードによるCMOS-ICの
ESD測定
10–7
AVR-M1608C120MT6AB
10–6
10–5
With Zener Diode
10–4
10–3
0
2
4
6
8
10
ESD voltage(kV)
12
14
CMOS: D74HC04C
ESD generator : Noise Laboratory Co.,Ltd., ESS -630A
200pF-0Ω method model equipment
Contact type discharge
ESD applied point: Vcc-ground
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(10/10)
アプリケーション例
USB 2.0
VDD
USB cable
USB IC
D–
D+
USB connector
F.G.
: Chip varistor
測定回路
Sample
IC
USB2.0
board on
PC
Test
board
Test set
: Chip varistor
バリスタなし
バリスタ挿入
AVRL101A3R3FT(3.3pF)
AVRL101A6R8GT(6.8pF)
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