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超高効率、ノートブックコンピュータ用 デュアルステップダウンコントローラ

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超高効率、ノートブックコンピュータ用 デュアルステップダウンコントローラ
19-1541; Rev 1; 5/00
超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
概要 ___________________________________
特長 ___________________________________
MAX1715は、高電圧バッテリをステップダウンして
ノートブックコンピュータの低電圧CPUコア、I/O及び
チップセットRAMの電源を生成するために必要な
高効率、高速トランジェント応答及び高精度DC出力を
備えたPWMコントローラです。
◆ 超高効率
マキシム社独自のQuick-PWM TM クイック応答、一定
オンタイムPWM制御方式は、広い入力/出力電圧比を
容易に処理し、比較的一定のスイッチング周波数を
維持しながら、負荷トランジェントに対して1 0 0 ns
「インスタント・オン」応答を提供します。
MAX1715は、従来の電流モードPWMから電流検出
抵抗を除去することにより、低価格で高効率を実現
しています。また、非常に大きな同期整流器MOSFETを
駆動する能力があるため、効率はさらに向上しています。
1段バック変換を使用することにより高圧バッテリを
直接ステップダウンし、最高の効率を達成できます。
これに対し、高いスイッチング周波数で2段変換
(バッテリの代わりに+5Vシステム電源をステップダウン)
を使用すると、デバイスのサイズを最小にすることが
できます。
MAX1715は、CPUコア、チップセット、DRAMその他、
最低1Vまでの低電圧電源に使用できます。MAX1715は
28ピンQSOPパッケージで供給されています。VIDへの
適合又は出力電圧のDAC制御を必要とするアプリケー
ション用については、MAX1710/MAX1711のデータ
シートを参照して下さい。シングル出力バージョンに
ついてはMAX1714のデータシートを参照して下さい。
◆ 電流検出抵抗無し(損失のないILIMIT)
◆ 負荷ステップ応答が100nsのQuick-PWM
◆ 全ライン及び負荷範囲においてVOUT精度が1%
◆ 出力範囲:デュアルモード固定1.8V/3.3V/可変又は
2.5V/可変
◆ 出力調整範囲:1V∼5.5V
◆ バッテリ入力範囲:2V∼28V
◆ 公称スイッチング周波数:200/300/420/540kHz
◆ 過電圧/低電圧保護
◆ 1.7msディジタルソフトスタート
◆ 大きな同期整流器FETを駆動
◆ パワーグッドインジケータ
型番 ___________________________________
PART
MAX1715EEI
28 QSOP
5V INPUT
BATTERY
4.5V TO 28V
VDD
V+
VCC
ノートブックコンピュータ
MAX1715
ILIM1
ILIM2
ON1
ON2
CPUコア電源
最低1Vまでのチップセット/RAM電源
ピン配置はデータシートの最後に記載されています。
PIN-PACKAGE
-40°C to +85°C
最小動作回路 ___________________________
アプリケーション _______________________
1.8V及び2.5V I/O電源
TEMP. RANGE
OUTPUT1
1.8V
BST1
BST2
DH1
DH2
LX1
LX2
DL1
DL2
TON
PGND
OUTPUT2
2.5V
OUT1
OUT2
PGOOD
SKIP
REF
FB1 AGND FB2
Quick-PWMはMaxim Integrated Productsの商標です。
________________________________________________________________ Maxim Integrated Products
1
本データシートに記載された内容は、英語によるマキシム社の公式なデータシートを翻訳したものです。翻訳により生じる相違及び誤りに
ついての責任は負いかねます。正確な内容の把握にはマキシム社の英語のデータシートをご参照下さい。
無料サンプル及び最新版データシートの入手にはマキシム社のホームページをご利用下さい。www.maxim-ic.com
MAX1715
KIT
ATION
EVALU
E
L
B
AVAILA
MAX1715
超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
V+ to AGND..............................................................-0.3 to +30V
VDD , VCC to AGND..................................................-0.3V to +6V
PGND to AGND or VCC to VDD ...........................................±0.3V
PGOOD, OUT_ to AGND..........................................-0.3V to +6V
ILIM_, FB_, REF, SKIP, TON,
ON_ to AGND ...........................................-0.3V to (VDD + 0.3V)
DL_ to PGND ..............................................-0.3V to (VDD + 0.3V)
BST_ to AGND........................................................-0.3V to +36V
DH1 to LX1 ...............................................-0.3V to (BST1 + 0.3V)
DH2 to LX2 ...............................................-0.3V to (BST2 + 0.3V)
LX1 to BST1..............................................................-6V to +0.3V
LX2 to BST2..............................................................-6V to +0.3V
REF Short Circuit to AGND.........................................Continuous
Continuous Power Dissipation (TA = +70°C)
28-Pin QSOP (derate 8.0mW/°C above +70°C).....640mW/°C
Operating Temperature Range ..........................-40°C to +85°C
Junction Temperature ......................................................+150°C
Storage Temperature Range ............................-65°C to +150°C
Lead Temperature (soldering, 10s) .................................+300°C
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional
operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to
absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Circuit of Figure 1, 4A components from Table 1, VCC = VDD = +5V, SKIP = AGND, V+ = 15V, TA = 0°C to +85°C, unless otherwise
noted.) (Note 1)
PARAMETER
Input Voltage Range
MIN
Battery voltage, V+
VDD, VCC
TYP
MAX
2
28
4.5
5.5
UNITS
V
Output 1 Error Comparator
Threshold (DC Output Voltage
Accuracy) (Note 2)
V+ = 2V to 28V,
SKIP = VCC, TA = +25°C
ILOAD = 0 to 4A
FB1 = OUT1
0.99
1.00
1.01
FB1 = AGND
1.782
1.8
1.818
FB1 = VCC
3.267
3.3
3.333
Output 1 Error Comparator
Threshold (DC Output Voltage
Accuracy) (Note 2)
V+ = 2V to 28V,
SKIP = VCC, TA = 0°C to +85°C
ILOAD = 0 to 4A
FB1 = OUT1
0.985
1.00
1.105
FB1 = AGND
1.773
1.8
1.827
FB1 = VCC
3.250
3.3
3.350
Output 2 Error Comparator
Threshold (DC Output Voltage
Accuracy) (Note 2)
V+ = 2V to 28V,
SKIP = VCC, TA = +25°C
ILOAD = 0 to 4A
FB2 = OUT2
0.99
1.00
1.01
FB2 = GND
2.475
2.5
2.525
Output 2 Error Comparator
Threshold (DC Output Voltage
Accuracy) (Note 2)
V+ = 2V to 28V,
SKIP = VCC, TA = 0°C to +85°C
ILOAD = 0 to 4A
FB2 = OUT2
0.985
1.00
1.105
FB2 = GND
2.463
2.5
2.538
Load Regulation Error
ILOAD = 0 to 4A, each output
0.4
%
Line Regulation Error
VCC = 4.5V to 5.5V, V+ = 4.5V to 28V
0.2
%
Output Voltage Range
Adjustable mode, each output
OUT_ Input Resistance
FB_ = AGND
75k
FB_ Input Bias Current
VOUT_ = AGND
-0.1
Soft-Start Ramp Time
Rising edge of ON_ to full current limit
On-Time (PWM1)
On-Time (PWM2)
2
CONDITIONS
V+ = 24V, OUT1 = 2V
V+ = 24V, OUT2 = 2V
V
V
V
V
1
5.5
V
Ω
0.1
1.7
ms
TON = GND
112
136
160
TON = REF
142
173
205
TON = open
210
247
280
TON = VDD
300
353
407
TON = GND
154
182
215
TON = REF
198
234
270
TON = open
292
336
380
TON = VDD
420
484
550
_______________________________________________________________________________________
µA
ns
ns
超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
(Circuit of Figure 1, 4A components from Table 1, VCC = VDD = +5V, SKIP = AGND, V+ = 15V, TA = 0°C to +85°C, unless otherwise
noted.) (Note 1)
PARAMETER
Minimum Off-Time
CONDITIONS
MIN
(Note 3)
Quiescent Battery Current (V+)
TYP
MAX
UNITS
400
500
ns
25
70
µA
1100
1600
µA
<1
5
µA
<1
5
µA
2
2.02
V
2
0.01
V
Quiescent Supply Current
(VCC + VDD)
FB1 and FB2 forced above the regulation point
Shutdown Supply Current
(VCC + VDD)
ON1 = ON2 = 0
Shutdown Supply Current (V+)
ON1 = ON2 = 0
Reference Voltage
No external REF load
Reference Load Regulation
IREF = 0 to 50µA
REF Sink Current
REF in regulation
REF Fault Lockout Voltage
Falling edge, hysteresis = 40mV
Overvoltage Trip Threshold
With respect to error comparator threshold
Overvoltage Fault Propagation
Delay
FB_ forced 2% above trip threshold
Output Undervoltage Threshold
With respect to error comparator threshold
60
70
80
%
Output Undervoltage Lockout
Time
From ON_ signal going high
10
20
30
ms
Current-Limit Threshold
(Positive Direction, Fixed)
PGND - LX_, ILIM = VCC
75
100
125
mV
1.98
10
µA
1.6
8.5
10.5
V
13
1.5
%
µs
PGND - LX_, ILIM resistor = 100kΩ
40
50
60
PGND - LX_, ILIM resistor = 400kΩ
160
200
240
Current-Limit Threshold
(Negative Direction)
PGND - LX_, TA = +25°C, ILIM = VCC
-145
-120
-95
mV
Current-Limit Threshold, Zero
Crossing
PGND - LX_, SKIP = AGND
-5
3
10
mV
Thermal Shutdown Threshold
Hysteresis = 10°C
VCC Undervoltage Lockout
Threshold
Rising edge, hysteresis = 20mV, PWM disabled below
this level
DH Gate Driver On-Resistance
BST - LX forced to 5V
DL Gate Driver On-Resistance
(pull-up)
Current-Limit Threshold
(Positive Direction, Adjusted)
150
4.1
mV
°C
4.4
V
1.5
5
Ω
DL, high state
1.5
5
Ω
DL Gate Driver On-Resistance
(pull-down)
DL, low state
0.6
2.5
Ω
DH Gate Driver Source/Sink
Current
DH forced to 2.5V, BST_ - LX_ forced to 5V
1
A
DL Gate Driver Source Current
DL forced to 2.5V
1
A
DL Gate Driver Sink Current
DL forced to 2.5V
3
A
Dead Time
DL rising
DH rising
35
26
ns
Logic Input High Voltage
Logic Input Low Voltage
ON_, SKIP
ON_, SKIP
2.4
0.8
V
V
_______________________________________________________________________________________
3
MAX1715
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
MAX1715
超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(Circuit of Figure 1, 4A components from Table 1, VCC = VDD = +5V, SKIP = AGND, V+ = 15V, TA = 0°C to +85°C, unless otherwise
noted.) (Note 1)
PARAMETER
Logic Input Current
TON Threshold
CONDITIONS
SKIP, to deactivate OVP circuitry
MIN
TYP
-5
MAX
UNITS
-1
mA
VCC level
VCC - 0.4
Float level
3.15
3.85
REF level
1.65
2.35
AGND level
V
0.5
Logic Input Current
TON (0 or VCC)
-3
3
µA
Logic Input Current
ON_, SKIP (0 or VCC)
-1
1
µA
PGOOD Trip Threshold
Measured at FB_, with respect to error comparator
threshold, no load
-8
-4
%
PGOOD Propagation Delay
Falling edge, FB_ forced 2% below PGOOD trip threshold
1.5
PGOOD Output Low Voltage
ISINK = 1mA
0.1
PGOOD Leakage Current
High state, forced to 5.5V
-5.5
µs
0.4
V
1
µA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Circuit of Figure 1, 4A components from Table 1, VCC = VDD = +5V, SKIP = AGND, V+ = 15V, TA = -40°C to +85°C, unless otherwise
noted.) (Note 1)
PARAMETER
Input Voltage Range
CONDITIONS
Battery voltage, V+
VDD, VCC
Output 1 Error Comparator
Threshold (DC Output Voltage
Accuracy) (Note 2)
V+ = 2V to 28V,
SKIP = VCC
Output 2 Error Comparator
Threshold (DC Output Voltage
Accuracy) (Note 2)
V+ = 4.5V to 28V,
SKIP = VCC
On-Time (PWM1)
On-Time (PWM2)
Minimum Off-Time
4
V+ = 24V, OUT1 = 2V
V+ = 24V, OUT2 = 2V
(Note 3)
MIN
TYP
MAX
2
28
4.5
5.5
FB1 = OUT1
0.98
1.00
1.02
FB1 = AGND
1.764
1.8
1.836
FB1 = VCC
3.234
3.3
3.372
FB2 = OUT2
0.98
1.00
1.02
FB2 = GND
2.45
2.5
2.55
TON = GND
112
136
160
TON = REF
142
173
205
TON = open
210
247
280
TON = VDD
300
353
407
TON = GND
154
182
215
TON = REF
198
234
270
TON = open
292
336
380
TON = VDD
420
484
550
400
500
UNITS
V
V
V
_______________________________________________________________________________________
ns
ns
ns
超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
(Circuit of Figure 1, 4A components from Table 1, VCC = VDD = +5V, SKIP = AGND, V+ = 15V, TA = -40°C to +85°C, unless otherwise
noted.) (Note 1)
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
25
70
µA
1100
1600
µA
1.97
2
2.03
V
Quiescent Battery Current (V+)
Quiescent Supply Current
(VCC + VDD)
FB1 and FB2 forced above the regulation point
Reference Voltage
No external REF load
Reference Load Regulation
IREF = 0 to 50µA
0.01
V
Overvoltage Trip Threshold
With respect to error comparator threshold
10
12.5
15
%
Output Undervoltage Threshold
With respect to error comparator threshold
60
70
80
%
75
100
125
mV
32
50
62
160
200
240
Current-Limit Threshold (positive
PGND - LX_, ILIM = VCC
direction, fixed)
Current-Limit Threshold (positive PGND - LX_, ILIM resistor = 100kΩ
direction, adjusted)
PGND - LX_, ILIM resistor = 400kΩ
mV
Thermal Shutdown Threshold
Hysteresis = 10°C
VCC Undervoltage Lockout
Threshold
Rising edge, hysteresis = 20mV, PWM disabled below
this level
150
4.1
Logic Input High Voltage
ON_, SKIP
2.4
Logic Input Low Voltage
ON_, SKIP
Logic Input Current
SKIP, to deactivate OVP circuitry
°C
4.4
V
V
-5
0.8
V
-1
mA
Note 1: Specifications to -40°C are guaranteed by design, and not production tested.
Note 2: When the inductor is in continuous conduction, the output voltage will have a DC regulation higher than the trip level by
50% of the ripple. In discontinuous conduction (SKIP = AGND, light load) the output voltage will have DC regulation
higher than the trip level by approximately 1.5% due to slope compensation.
Note 3: On-time and off-time specifications are measured from the 50% point at the DH pin with LX = PGND, VBST = 5V. Actual
in-circuit times may differ due to MOSFET switching speeds.
標準動作特性 ______________________________________________________________________
(Circuit of Figure 1, components from Table 1, VIN = +15V, SKIP = AGND, TON = unconnected, TA = +25°C, unless otherwise noted.)
V+ = +7V
100
V+ = +7V
80
90
90
80
V+ = +12V
V+ = +20V
70
60
EFFICIENCY (%)
V+ = +7V
EFFICIENCY (%)
EFFICIENCY (%)
EFFICIENCY vs. LOAD CURRENT
(2.5V, 4A COMPONENTS, SKIP = GND)
MAX1715-02
100
MAX1715-01
100
EFFICIENCY vs. LOAD CURRENT
(1.8V, 4A COMPONENTS, SKIP = VCC)
V+ = +12V
40
V+ = +20V
60
0
0.1
1
LOAD CURRENT (A)
10
V+ = +12V
80
V+ = +20V
70
20
0.01
MAX1715-03
EFFICIENCY vs. LOAD CURRENT
(1.8V, 4A COMPONENTS, SKIP = GND)
60
0.01
0.1
1
LOAD CURRENT (A)
10
0.01
0.1
1
10
LOAD CURRENT (A)
_______________________________________________________________________________________
5
MAX1715
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
標準動作特性(続き)_________________________________________________________________
(Circuit of Figure 1, components from Table 1, VIN = +15V, SKIP = AGND, TON = unconnected, TA = +25°C, unless otherwise noted.)
80
90
EFFICIENCY (%)
V+ = +12V
EFFICIENCY (%)
V+ = +7V
60
V+ = +20V
40
V+ = +12V
V+ = +12V
V+ = +20V
80
70
20
0
60
V+ = +20V
40
20
60
0.01
0.1
1
10
0
0.01
LOAD CURRENT (A)
EFFICIENCY vs. LOAD CURRENT
(3.3V, 1.5A COMPONENTS, VIN = 5V)
10
0.01
0.1
1
LOAD CURRENT (A)
EFFICIENCY vs. LOAD CURRENT
(1.3V, 8A COMPONENTS, SKIP = GND)
EFFICIENCY vs. LOAD CURRENT
(1.3V, 8A COMPONENTS, SKIP = VCC)
100
V+ = +7V
80
80
V+ = +7V
60
40
V+ = +12V
EFFICIENCY (%)
EFFICIENCY (%)
SKIP = VCC
10
LOAD CURRENT (A)
MAX1715-08
SKIP = GND
1
100
MAX1715-07
100
0.1
MAX1715-9
V+ = +7V
100
MAX1715-05
V+ = +7V
EFFICIENCY (%)
80
EFFICIENCY vs. LOAD CURRENT
(5V, 3A COMPONENTS, SKIP = VCC)
100
MAX1715-04
100
EFFICIENCY vs. LOAD CURRENT
(5V, 3A COMPONENTS, SKIP = GND)
MAX1715-06
EFFICIENCY vs. LOAD CURRENT
(2.5V, 4A COMPONENTS, SKIP = VCC)
EFFICIENCY (%)
80
V+ = +12V
60
V+ = +20V
40
V+ = +20V
20
20
60
0
0.01
0.1
1
10
0
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
LOAD CURRENT (A)
LOAD CURRENT (A)
FREQUENCY vs. SUPPLY VOLTAGE
(4A COMPONENTS, SKIP = VCC)
FREQUENCY vs. LOAD CURRENT
(4A COMPONENTS)
400
MAX1715-10
400
OUT1, SKIP = VCC
OUT1
300
FREQUENCY (kHz)
300
OUT2, SKIP = VCC
200
OUT2
200
OUT1, SKIP = GND
100
100
OUT2, SKIP = GND
0
0
0.01
0.1
1
LOAD CURRENT (A)
6
10
1
LOAD CURRENT (A)
MAX1715-11
0.001
FREQUENCY (kHz)
MAX1715
超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
4
8
12
16
20
24
SUPPLY VOLTAGE (V)
_______________________________________________________________________________________
10
超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
(Circuit of Figure 1, components from Table 1, VIN = +15V, SKIP = AGND, TON = unconnected, TA = +25°C, unless otherwise noted.)
NO-LOAD SUPPLY CURRENT vs. INPUT VOLTAGE
(OUT1 = 1.8V, 4A COMPONENTS;
OUT2 = 2.5V, 4A COMPONENTS; SKIP = GND)
150
100
50
500
400
300
200
IDD
100
0
-40
-20
0
20
40
60
0
5
TEMPERATURE (°C)
15
20
25
B
B
C
C
IDD
4
ICC
0
0
10
5
15
20
25
30
INPUT VOLTAGE (V)
INPUT VOLTAGE (V)
START-UP WAVEFORM
(2.5V, 4A COMPONENTS, ACTIVE LOAD)
LOAD-TRANSIENT RESPONSE
(1.3V, 8A COMPONENTS, SKIP = GND)
MAX1715-15
A
A
6
30
MAX1715-16
LOAD-TRANSIENT RESPONSE
(2.5V, 4A COMPONENTS, SKIP = GND)
10
IIN
8
2
IBATT
0
80
MAX1715-14
10
SUPPLY CURRENT (mA)
200
12
MAX1715-13
ICC
600
SUPPLY CURRENT (µA)
250
A
B
A = VOUT, 2V/div
B = INDUCTOR CURRENT, 2A/div
C = DL, 10V/div
OUTPUT OVERLOAD WAVEFORM
(2.5V, 4A COMPONENTS, SKIP = GND)
A = VOUT, AC-COUPLED, 100mV/div
B = INDUCTOR CURRENT, 5A/div
C = DL, 10V/div
SHUTDOWN WAVEFORM
(2.5V, 4A COMPONENTS, SKIP = GND)
MAX1715-19
A = VOUT, AC-COUPLED, 100mV/div
B = INDUCTOR CURRENT, 2A/div
C = DL, 10V/div
C
MAX1715-18
FREQUENCY (kHz)
700
MAX1715-12
300
NO-LOAD SUPPLY CURRENT vs. INPUT VOLTAGE
(OUT1 = 1.8V, 4A COMPONENTS;
OUT2 = 2.5V, 4A COMPONENTS; SKIP = VCC)
MAX1715-17
FREQUENCY vs. TEMPERATURE
(2.5V, 4A COMPONENTS, SKIP = HIGH)
A
A
B
B
C
C
A = VOUT, 2V/div
B = INDUCTOR CURRENT, 5A/div
C = DL, 10V/div
A = VOUT, 2V/div
B = INDUCTOR CURRENT, 5A/div
C = DL, 10V/div
_______________________________________________________________________________________
7
MAX1715
標準動作特性(続き)_________________________________________________________________
MAX1715
超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
端子説明 __________________________________________________________________________
端子
名称
機 能
1
OUT1
OUT1 PWM用の出力電圧接続。外部インダクタと出力フィルタコンデンサの接点に直接接続して下さい。
OUT1は出力電圧を検出してオンタイムを決めるとともに、固定出力モードにおけるフィードバック入力
としても機能します。
2
FB1
OUT1用のフィードバック入力。AGNDに接続すると+1.8V固定出力、VCCに接続すると+3.3V固定出力に
なります。OUT1との間の抵抗分圧器に接続すると可変出力になります。
3
ILIM1
4
V+
OUT1用の電流リミットスレッショルド調節。ILIM1をVCCに接続するとLX1-PGND電流リミットスレッショルドがデフォルト
の+100mVになります。あるいは、AGNDとの間に外付抵抗を接続してリミットを調節して下さい。REXTを流れる高精度5µA
プルアップ電流によってスレッショルドを50mV∼200mVの範囲に設定します。このピンの電圧は電流リミット電圧の10倍
になります。REXTとしては、電流リミットスレッショルドの1mV当たり2kΩになるようにして下さい(100kΩ∼400kΩ)。
バッテリ電圧検出接続。入力電源に接続して下さい。V+は、PWM単安定マルチバイブレータの
タイミング設定専用です。
オンタイム選択制御入力。これは、DH_オンタイムを決定するために使用される4レベル入力です。下のTON
表はVIN = 24V、VOUT1 = 1.8V、VOUT2 = 2.5Vの条件になっています。
5
8
TON
TON
AGND
REF
Open
VCC
周波数(OUT1)(kHz)
620
485
345
235
170
周波数(OUT2)(kHz)
460
355
255
170
6
SKIP
パルススキッピング制御入力。VCCに接続すると低ノイズ強制PWMモードになります。AGNDに接続すると
パルススキッピング動作がイネーブルされます。
7
PGOOD
パワーグッドオープンドレイン出力。いずれかのFB入力が正常なレギュレーションポイントより5.5%(typ)
以上低い場合にPGOODはローになります。
8
AGND
9
REF
+2.0Vリファレンス電圧接続。0.22µF(min)コンデンサでAGNDにバイパスして下さい。REFは外部負荷に
対して50µAの電流を供給することができます。
10
ON1
OUT1のON/OFF制御入力。AGNDに接続するとOUT1がオフになります。VCCに接続するとOUT1がオンになります。
11
ON2
OUT2のON/OFF制御入力。AGNDに接続するとOUT2がオフになります。VCCに接続するとOUT2がオンになります。
12
ILIM2
OUT2用の電流リミットスレッショルド調節。ILIM2をVCCに接続するとLX2-PGND電流リミットスレッショルドがデフォルト
の+100mVになります。あるいは、AGNDとの間に外付抵抗を接続してリミットを調節して下さい。REXTに流れる高精度5µA
プルアップ電流によってスレッショルドを50mV∼200mVの範囲に設定します。このピンの電圧は電流リミット電圧の10倍
になります。REXTとしては、電流リミットスレッショルドの1mV当たり2kΩになるようにして下さい(100kΩ∼400kΩ)。
13
FB2
OUT2用のフィードバック入力。AGNDに接続すると2.5V固定出力になります。OUT2との間の抵抗分圧器
に接続すると可変出力になります。
14
OUT2
OUT2 PWM用の出力電圧接続。外部インダクタと出力フィルタコンデンサの接点に直接接続して下さい。
OUT2は出力電圧を検出してオンタイムを決めるとともに、固定出力モードにおけるフィードバック入力
としても機能します。
15, 23,
28
N.C.
アナロググランド
無接続。これらのピンは内部回路に接続されていません。熱伝導を向上させるため、N.C.ピンは
グランドプレーンに接続して下さい。
_______________________________________________________________________________________
超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
端子
名称
機 能
16
LX2
OUT2の外部インダクタ接続部。インダクタのスイッチ側に接続して下さい。LX2は、DH2ハイサイドゲート
ドライバの低い方の電源ラインとして使用します。又、OUT2電流リミットコンパレータの正入力用としても
使用します。
17
DH2
OUT2のハイサイドゲートドライバ出力。スイングはLX2∼BST2です。
18
BST2
OUT2のブーストフライングコンデンサの接続。標準アプリケーション回路(図1)にしたがって外部コンデンサ
及びダイオードに接続して下さい。
「MOSFETゲートドライバ(DH_、DL_)」を参照して下さい。
19
DL2
OUT2のローサイドゲートドライバ出力。DL2はPGND∼VDDでスイングします。
20
VDD
DLゲートドライバの電源入力。システム電源電圧(+4.5V∼+5.5V)に接続して下さい。最小4.7µFセラミック
コンデンサでPGNDにバイパスして下さい。
21
VCC
アナログ電源入力。直列20Ω抵抗を介してでシステム電源電圧(+4.5V∼+5.5V)に接続して下さい。
1µF(min)セラミックコンデンサでAGNDにバイパスして下さい。
22
PGND
24
DL1
OUT1のローサイドゲートドライバ出力。DL1はPGND∼VDDでスイングします。
25
BST1
OUT1のブーストフライングコンデンサの接続。標準アプリケーション回路(図1)にしたがって外部コンデンサ
及びダイオードに接続して下さい。
「MOSFETゲートドライバ(DH_、DL_)」を参照して下さい。
26
DH1
OUT1のハイサイドゲートドライバ出力。スイングはLX1∼BST1です。
27
LX1
OUT1の外部インダクタ接続部。インダクタのスイッチ側に接続して下さい。LX1は、DH1ハイサイドゲート
ドライバの低い方の電源ラインとして使用します。
電源グランド。ローサイドMOSFETのソースに直接接続して下さい。電流検出アンプの負入力としての役割
も果たしています。
_______________________________________________________________________________________
9
MAX1715
端子説明(続き)_____________________________________________________________________
MAX1715
超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
標準アプリケーション回路 _______________
標準アプリケーション回路(図1)は、ノートブックコン
ピュータで一般的に使用される低電圧電源(I/O電源、
固定CPUコア電源、DRAM電源)を2 つ発生します。
このDC-DCコンバータは、高効率及び高精度でバッテリ
又はACアダプタ電圧を1.0V∼5.5Vのレベルにステップ
ダウンします。
表1に一般アプリケーション用部品のリスト、表2に
部品メーカのリストを記載しています。
詳細 ___________________________________
MAX1715は、ノートブックコンピュータの低電圧
電源用のバックコントローラです。MAX1715で使用
しているマキシム社独自のQuick-PWMパルス幅変調器
(図2)は、広範囲の入力電圧にわたって比較的一定の
動作周波数及びインダクタ動作点を維持しながら、
高速負荷ステップを扱えるように設計されています。
このQuick-PWM構造は、従来の一定オンタイム及び
一定オフタイムPWM技法に伴うスイッチング周波数の
大幅な変化による問題を回避すると共に、一定周波数
電流モードPWMの負荷トランジェントタイミングの
問題も回避します。
+5Vバイアス電源(VCC及びVDD)
MAX1715は、バッテリの他にも+5Vの外部バイアス
電源を必要とします。通常、この+5Vバイアス電源は、
ノートブックコンピュータの95%効率+5Vシステム
電源になります。バイアス電源をICの外部に配置すると、
効率を向上できるだけでなく、PWM回路及びゲート
ドライバで必要となる+5Vリニアレギュレータのコスト
を除去することもできます。スタンドアロン機能が
必要な場合は、MAX1615等の外部リニアレギュレータ
で+5V電源を発生できます。
VDD = 5V
BIAS SUPPLY
C9
4.7µF
D3
CMPSH-3A
C8
1µF
20
21
C11
1µF
3
12
VDD
25
C1
26
N1
C5
0.1µF
L1
C3
D1
N2
27
24
5
1
9
C7
0.22µF
2
8
V+
VCC
ON1
ILIM1
ON2
10
ON/OFF
CONTROLS
11
ILIM2
ON1
OUTPUT1
1.8V
VIN
4.5V TO 28V
4
R1
20Ω
C2
MAX1715
BST1
BST2
DH1
DH2
LX1
LX2
DL1
DL2
TON
PGND
OUT1
OUT2
REF
SKIP
FB1
FB2
AGND
PGOOD
18
17
16
N3
C6
0.1µF
OUTPUT2
2.5V
L2
19
N4
C4
D2
22
14
6
13
7
+5V
100k
POWER-GOOD
INDICATOR
PINS 15, 23, 28 = N.C.
図1. 標準アプリケーション回路
10
______________________________________________________________________________________
超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
COMPONENT
2.5V at 4A
1.8V at 4A
5V at 3A
1.3V at 8A
3.3V at 1.5A
Input Range
7V to 20V
7V to 20V
7V to 20V
7V to 20V
4.75V to 5.5V
Frequency
255kHz
345kHz
255kHz
255kHz
600kHz
Fairchild
Q1 High-Side MOSFET Semiconductor
1/2 FDS6982A
Fairchild
Semiconductor
1/2 FDS6982A
Fairchild
Semiconductor
1/2 FDS6990A
Fairchild
Q2 Low-Side MOSFET Semiconductor
1/2 FDS6982A
Fairchild
Semiconductor
1/2 FDS6982A
Fairchild
Semiconductor
1/2 FDS6990A
Fairchild
Semiconductor
FDS6670A
D2 Rectifier
Nihon EP10QY03
Nihon EP10QY03
Nihon EP10QY03
Motorola
MBRS340T3
L1 Inductor
4.4µH
Sumida CDRH125
3.1µH
Sumida CDRH125
6.8µH
Coiltronics UP2B
1.5µH Sumida
CEP125-1R5MC
3.3µH
TOKO D73LC
C1 Input Capacitor
10µF, 25V
Taiyo Yuden
TMK432BJ106KM
10µF, 25V
Taiyo Yuden
TMK432BJ106KM
10µF, 25V
Taiyo Yuden
TMK432BJ106KM
(2) 10µF, 25V
Taiyo Yuden
TMK432BJ106KM
100µF, 10V
Sanyo POSCAP
10TPA100M
C2 Output Capacitor
330µF, 6V AVX
470µF, 4V Sanyo
470µF, 4V Sanyo
TPSV337M006R
POSCAP 4TPB470M POSCAP 4TPB470M
0060
International
Rectifier IRF7811
International Rectifier
1/2 IRF7301
International Rectifier
1/2 IRF7301
—
(2) 470µF, 6V Kemet 100µF, 10V
Sanyo POSCAP
T510X477108M0
10TPA100M
06AS
表2. 部品メーカ
FACTORY FAX
[Country Code]
[1] 803-626-3123
[1] 516-435-1824
[1] 847-639-1469
[1] 561-241-9339
[1] 408-721-1635
[1] 310-322-3332
[1] 408-986-1442
[1] 714-960-6492
[1] 602-994-6430
MANUFACTURER
USA PHONE
AVX
Central Semiconductor
Coilcraft
Coiltronics
Fairchild Semiconductor
International Rectifier
Kemet
Matsuo
Motorola
803-946-0690
516-435-1110
847-639-6400
561-241-7876
408-822-2181
310-322-3331
408-986-0424
714-969-2491
602-303-5454
Murata
814-237-1431
800-831-9172
[1] 814-238-0490
NIEC (Nihon)
Sanyo
805-867-2555*
619-661-6835
[81] 3-3494-7414
[81] 7-2070-1174
Siliconix
408-988-8000
800-554-5565
[1] 408-970-3950
Sprague
Sumida
Taiyo Yuden
TDK
TOKO
603-224-1961
847-956-0666
408-573-4150
847-390-4461
800-PIK-TOKO
[1] 603-224-1430
[81] 3-3607-5144
[1] 408-573-4159
[1] 847-390-4405
[1] 708-699-1194
*Distributor
入力が+4.5V∼+5.5V固定電源の場合は、電源入力と
+5Vバイアス入力をまとめて接続できます。+5Vバイ
アス電源オーバッテリ電源の前にパワーアップする
場合は、スタートアップを保証するために、バッテリ
電圧を得る時点までイネーブル信号(ON1、ON2)を
遅延する必要があります。この+5Vバイアス電源は、
V CC 及びゲート駆動パワーを供給しなければならない
ため、最大消費電流は次のようになります。
IBIAS = ICC + f(QG1 + QG2) = 5mA∼30mA(typ)
ここで、I CC は1mA(typ)、f はスイッチング周波数、
QG1及びQG2はMOSFETデータシートのVGS = 5Vに
おける合計ゲートチャージ仕様リミットです。
入力フィードフォワードを備えたフリーランニング、
一定オンタイムPWMコントローラ
Quick-PWM制御構造は、電圧フィードフォワードを
備えた擬似固定周波数の一定オンタイム電流モード
タイプです(図3)。この構造は、フィルタコンデンサの
ESRを電流検出抵抗として利用するため、PWMランプ
信号は出力リップル電圧から得ます。制御アルゴリズム
は簡単です。ハイサイドスイッチのオンタイムは、周期
が入力電圧に反比例し、出力電圧に正比例する単安定
マルチバイブレータのみによって決まります。もう1つ
の単安定マルチバイブレータは、最小オフタイム
(400ns typ)を設定します。オンタイム単安定マルチ
バイブレータがトリガされるのは、エラーコンパレータ
がロー、ローサイドスイッチ電流が電流リミットスレッ
ショルド以下、さらに最小オフタイム単安定マルチ
バイブレータでタイムアウトが発生した場合です。
______________________________________________________________________________________
11
MAX1715
表1. 標準アプリケーション用の部品
MAX1715
超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
V+
BATTERY
4.5V TO 28V
V+
ILIM_
VCC
5µA
5µA
VDD
5V INPUT
V+
ILIM_
VCC
VDD
VDD
VDD
9R
BST1
R
DH1
CURRENT
LIMIT
V+
9R
PWM
CONTROLLER
(SEE FIGURE 3)
BST2
R
MAX1715
PWM
CONTROLLER
(SEE FIGURE 3)
DH2
CURRENT
LIMIT
LX2
LX1
ZERO
CROSSING
OUTPUT1
1.8V
VDD
ZERO
CROSSING
OUTPUT2
2.5V
VDD
DL2
DL1
PGND
OUT2
OUT1
FB2
FB1
VDD
VCC
20Ω
SKIP
TON
ON1
2V
REF
REF
AGND
ON2
PGOOD
図2. ファンクションダイアグラム
オンタイムワンショット(TON)
PWMの心臓部は、両方のコントローラのハイサイド
スイッチのオンタイムを設定するワンショットです。
この高速、低ジッタ、可変ワンショットには、バッテリ
及び出力電圧に応じてオンタイムを変えるための回路が
含まれています。ハイサイドスイッチのオンタイムは、
V+入力で測定されるバッテリ電圧に反比例し、出力
電圧に正比例します。このアルゴリズムは、固定周波数
クロックジェネレータが無いにもかかわらず、ほぼ
一定のスイッチング周波数を提供します。一定スイッ
チング周波数の利点は2 つありますが、その1 つは、
12
周波数を選択して455kHz IF帯域などのノイズに敏感な
領域を避けられることです。もう1つは、インダクタ
リップル電流動作点が比較的一定に保たれるため、設計
が容易になるだけでなく、出力電圧リップルを予測で
きることです。サイド1のオンタイムは、公称周波数
設定(200kHz、300kHz、420kHz又は540kHz)よりも
15%高く設定されており、サイド2のオンタイムは
公称値よりも1 5 %低く設定されています。これは、
両サイド間のオーディオ周波数のビート(うなり)を防ぐ
ためです(各サイドは非同期でスイッチングします)。
オンタイム = K(VOUT + 0.075V)/VIN
______________________________________________________________________________________
超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
MAX1715
IN
2V TO 28V
V+
TOFF
TON
1-SHOT
TRIG
Q
FROM
OUT
ON-TIME
COMPUTE
TON
S
Q
TRIG
TO DH DRIVER
Q
R
1-SHOT
FROM ILIM
COMPARATOR
ERROR
AMP
REF
TO DL DRIVER
S
Q
FROM ZERO-CROSSING COMPARATOR
REF
-6%
REF
+12%
REF
-30%
R
x2
OUT_
FEEDBACK
MUX
(SEE FIGURE 9)
S1
S2
FB_
TIMER
Q
OVP/UVLO
LATCH
TO PGOOD
OR GATE
図3. PWMコントローラ(片側のみ)
表3. 動作モードの真理値表
ON1
ON2
SKIP
0
0
X
SHUTDOWN Low-power shutdown state. DL = VDD. Clears fault latches.
0
1
X
OUT1 Disable Disable OUT1. DL1 = VDD. Clears OUT1 fault latches.
OUT2 Disable Disable OUT2. DL2 = VDD. Clears OUT2 fault latches.
MODE
COMMENTS
1
0
X
X
X
<-0.3V
No Fault
1
1
VDD
RUN (PWM)
Low Noise
Low-Noise operation with no automatic PWM/PFM switchover. Fixed-frequency PWM
action is forced regardless of load. Inductor current reverses at light load levels. IDD
draw <1.5mA (typ) plus gate-drive current.
1
1
AGND
RUN
(PFM/PWM)
Normal operation with automatic PWM/PFM switchover for pulse-skipping at light loads.
IDD <1.5mA (typ) plus gate drive current.
Disables the output overvoltage and undervoltage fault circuitry.
X = Don’t care
______________________________________________________________________________________
13
MAX1715
超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
表4. 周波数選択ガイドライン
NOMINAL
FREQUENCY
(kHz)
TYPICAL
APPLICATION
200
4-cell Li+ notebook
Use for absolute best
efficiency.
300
4-cell Li+ notebook
Considered mainstream
by current standards.
420
Useful in 3-cell systems
for lighter loads than the
3-cell Li+ notebook
CPU core or where size is
key.
540
+5V input
COMMENTS
Good operating point for
compound buck designs
or desktop circuits.
ここで、KはTONピンストラップ接続で設定される値で、
0.075Vは予想されるローサイドMOSFETスイッチ両端
の電圧降下に対応する概算値です。伝播遅延は固定で
あるため、オンタイム設定が短い程ワンショットタイ
ミング誤差が増大し、540kHz及び420kHzの公称設定
では約±12.5%、より遅い他の2つの設定では±10%に
なります。従って、より高い周波数ではスイッチング
周波数精度が低下することになります(表5)。ローサイド
MOSFET両端の電圧降下の増大が原因で、スイッチング
周波数は負荷電流の関数として増大し、これによって
インダクタ電流放電ランプがより速くなります。
「Electrical characteristics」で保証しているオンタイム
には、外部ハイサイドパワーMOSFETのスイッチング
遅延が影響しています。
スイッチング周波数の精度に影響する外部要因としては、
2つの伝導ループに存在する抵抗性電圧降下(インダクタ
及びプリント基板の抵抗を含む)及びデッドタイム効果
の2つがあります。これらの要因は、負荷電流の変化に
伴う周波数変化が最大の原因です。デッドタイム効果は
実効オンタイムを増大させ、スイッチング周波数を
低減します。これは、片方あるいは両方のデッドタイム
が実効オンタイムに加算されるためです。これが発生
するのは、PWMモード( SKIP = ハイ)で負荷電流が
小さい時、又は負の場合にインダクタ電流が反転する時
だけです。インダクタ電流が反転すると、インダクタの
EMFによって、通常よりも早くLXがハイになり、ロー
からハイへのデッドタイムだけオンタイムが長くなり
ます。
臨界伝導点以上の負荷では、実際のスイッチング周波数
は次の通りです。
f=
14
VOUT + VDROP1
t ON (VIN + VDROP2 )
表5. おおよそのK係数誤差
APPROX
TON
K-FACTOR
SETTING
ERROR (%)
MIN VIN
AT VOUT
= 2V (V)
SIDE 1 K
FACTOR
(µs)
SIDE 2 K
FACTOR
(µs)
VCC
±10
2.6
4.24
5.81
OPEN
±10
2.9
2.96
4.03
REF
±12.5
3.2
2.08
2.81
GND
±12.5
3.6
1.63
2.18
ここで、V DROP1 は、同期整流器、インダクタ、及び
プリント基板の抵抗を含め、インダクタ放電経路内の
寄生電圧降下の合計値、VDROP2は充電経路内の抵抗の
合計値、t ON はMAX1715で計算されるオンタイムを
示します。
自動パルススキップ切換え
スキップモード( SKIPロー)では、軽負荷時にPFMへの
自動切換えが発生します。この切換えは、コンパレータ
がインダクタ電流のゼロクロスでローサイドスイッチの
オンタイムを中絶することで発生します。このメカ
ニズムにより、パルススキップPFMと非スキップPWM
動作間のスレッショルドが、連続及び断続インダクタ
電流動作間の境界と一致します(「臨界伝導」点としても
知られています)。7V∼24Vのバッテリ範囲では、この
スレッショルドはバッテリ電圧に多少依存しますが
比較的一定です。
I LOAD(SKIP) ≈
K × VOUT_  VIN - VOUT 


2L
VIN


ここで、Kはオンタイムスケール係数を示します(表5)。
PFM/PWMクロスオーバが発生する負荷電流レベル
(I LOAD(SKIP) )は、インダクタ値の関数であるピーク間
リップル電流の1/2に等しくなります(図4)。例えば、
VOUT1 = 2.5V、VIN =15V、K = 2.96µs(表5参照)の標準
アプリケーション回路では、I LOAD = 0.7A(全負荷の
約1/6)でパルススキップ動作への切換えが発生します。
スイング(ソフト飽和)インダクタを使用した場合は、
クロスオーバ点がより低い値で発生します。
軽負荷によってパルススキップ動作が発生すると、
スイッチング波形はノイズが多く非同期のように見える
こともありますが、これは軽負荷効率が高くなる正常な
動作です。P F Mノイズと軽負荷効率間の妥協点は、
インダクタ値を変えることによって調整できます。
一般に、インダクタ値が低い時に効率対負荷曲線がより
広く、インダクタ値が高い時に全負荷効率が高く(コイル
抵抗が一定の場合)、出力電圧リップルが小さくなります。
______________________________________________________________________________________
超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
∆t
=
MAX1715
∆i
-IPEAK
VBATT -VOUT
L
-IPEAK
ILOAD = IPEAK/2
0 ON-TIME
TIME
INDUCTOR CURRENT
INDUCTOR CURRENT
ILOAD
ILIMIT
0
TIME
図4. パルススキップ断続クロスオーバ点
図5.「谷間」電流リミットスレッショルド点
但し、インダクタ値を高くすると物理的なサイズが増し、
(特に低入力電圧レベルにおいて)負荷過渡応答が劣化し
ます。
実際のピーク電流は、電流リミットスレッショルドより
もインダクタリップル電流の量だけ大きくなります。
従って、正確な電流リミット特性及び最大負荷性能は、
MOSFETオン抵抗、インダクタ値、及びバッテリ電圧
の関数になります。この不確実性という対価を支払う
ことにより、損失のない確実な過電流検出が達成でき
ます。UVP保護回路と組み合わせることにより、この
電流リミット技法は殆どの状況で効果的になります。
DC出力精度仕様はエラーのトリップレベルに関係して
います。インダクタが連続伝導である時、出力電圧の
DCレギュレーションレベルは、トリップレベルよりも
リップルの50%だけ高くなっています。断続伝導モード
( SKIP = AGND、軽負荷)においては、出力電圧のDC
レギュレーションレベルはトリップレベルよりも約1.5%
高くなっています(スロープ補償のため)。
強制PWMモード( SKIP = ハイ)
低ノイズ、強制PWMモード( SKIPをハイで駆動)に
おいては、ローサイドスイッチのオンタイムを制御する
ゼロクロスコンパレータがディセーブルされます。
これによって、ローサイドゲート駆動波形がハイサイド
ゲート駆動波形と相補的になります。この結果、PWM
ループがデューティサイクルをVOUT/VINに維持しようと
するため、インダクタ電流は軽負荷で逆転します。
強制PWMモードの利点はスイッチング周波数をほぼ
一定に保つことですが、この場合、無負荷時のバッテリ
電流が10mA∼40mA(外部MOSFETに依存)になる可能
性があるという問題が生じます。
強制PWMモードが最も有効となるのは、オーディオ
周波数ノイズを低減する場合、負荷過渡応答を向上
させる場合、動的出力電圧調整用のシンク電流機能を
提供する場合、及びフライバックトランス又は結合
インダクタを使用した複数出力アプリケーションの
クロスレギュレーションを向上させる場合です。
電流リミット回路(ILIM)
電流リミット回路には、ローサイドMOSFETのオン
状態の抵抗を電流検出要素として使用するユニークな
「谷間」電流検出アルゴリズムを採用しています。電流
検出信号が電流リミットスレッショルドよりも大きい
時は、PWMの新しいサイクルを開始できません(図5)。
又、VOUTが電流のシンクとなっている時に過剰な
逆インダクタ電流を防止する負の電流リミットも存在
します。負の電流リミットスレッショルドは、正の電流
リミットの約120%に設定されるため、ILIMの調整時に
正の電流リミットに追随します。
電流リミットスレッショルドは、内部5µA電流ソース
及びILIMの外付抵抗で調節できます。電流リミット
スレッショルド調節範囲は50mV∼200mVです(抵抗値
1 0 0 kΩ∼4 0 0 kΩに対応)。可変モードでは、電流
リミットスレッショルド電圧は、ILIMの電圧のちょうど
1/10です。ILIMをVCCに接続した時のデフォルトスレッ
ショルドは100mVです。この100mVデフォルト値への
切換え用ロジックスレッショルドは、約VCC - 1Vです。
可変電流リミットは、広範囲のオン抵抗特性を持つ
MOSFETへの対応を可能にします(
「設計手順」
の項参照)。
プリント基板レイアウトのガイドラインを厳守し、LX
及びPGNDから見た電流検出信号が、ノイズ及びDC誤差
によって影響を受けないようにして下さい。このICは
ローサイドMOSFETの近くに取り付け、ソース及び
ドレイン端子へのケルビン検出接続を短くダイレクトな
トレースで行うことが必要です。
MOSFETゲートドライバ(DH、DL)
DH及びDLドライバは、中間サイズのハイサイド及び
より大きなローサイドパワーMOSFETの駆動用として
最適化されています。これは、V B A TT - V O U T の差が
大きいノートブックCPU環境に見られる低デューティ
______________________________________________________________________________________
15
MAX1715
超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
+5V
BST
VIN
5Ω
DH
LX
MAX1715
V CC が 4 . 2 V 以 上 に な る と 、 内 部 デ ィ ジ タ ル ソ フ ト
スタートタイマが最大許容電流リミットを徐々に上昇
させます。この増加は20%、40%、60%、80%、100%
の5ステップで発生し、1.7ms ±50%後に100%の
電流が利用できるようになります。
連続的に変化するアナログソフトスタート機能は、
ILIMの外付抵抗と並列にコンデンサを追加することに
よって実現できます。このソフトスタート法では、
コンデンサを放電するため、パワーダウンとパワー
アップの間に最小休止期間が必要です。
図6. スイッチングノードの立上がり時間の低減
パワーグッド出力(PGOOD)
係数に一致しています。アダプティブデッドタイム
回路はDL出力を監視し、DLが完全にオフになる前にハイ
サイドF E Tがオンになるのを防ぎます。このアダプ
ティブデッドタイム回路を正しく動作させるには、DL
ドライバからMOSFETゲートまでの間の低抵抗、
低インダクタンス経路が必要です。さもないと、
MAX1715内の検出回路は、MOSFETゲートにまだ電荷
が残っている時に、MOSFETゲートがオフであるものと
解釈します。経路には、10∼20平方の非常に短く太い
トレースを使用して下さい(MOSFETがMAX1715から
2.5cm離れている場合は、50∼100 mils)。
出力は低電圧状態かどうかをPGOODコンパレータに
よって連続的に監視されています。シャットダウン、
ソフトスタート及びスタンバイモードでは、PGOODが
能動的にローに維持されます。ディジタルソフト
スタートが終了した後、両出力がエラーコンパレータ
のスレッショルドから5.5%以内であれば、PGOODが
リリースされます。P G O O D出力は、寄生ESDダイ
オードのない真のオープンドレイン型です。尚、
PGOOD低電圧検出器は、出力UVPフォルト検出器から
完全に独立しています。
反 対 側 の デ ッ ド タ イ ム ( D H タ ー ン オ フ )は 、 固 定 の
35ns(typ)内部遅延によって決まります。
DLをローに駆動する内部プルダウン抵抗は、0.5Ω(typ)
のオン抵抗を持つ強力なものです。これは、大きな
ローサイド同期整流器MOSFETのドレインからゲート
への容量カップリングによって、インダクタノードの
高速立上り時間にDLがプルアップされるのを防ぎます。
但し、大電流アプリケーションにおいては、ハイサイド
FET及びローサイドFETの組合せによって過大なゲート
ドレインカップリングが起こり、これが原因で、効率の
低下及びEMIの発生を伴う貫通電流が発生する可能性も
あります。この問題は、多くの場合BSTと直列に抵抗を
追加することで解決でき、この場合ターンオフ時間に
影響を及ぼすことなくハイサイドFETのターンオン時間
を増大することができます(図6)。
POR、UVLO、及びソフトスタート
VCCが約2Vを超えて上昇すると、パワーオンリセット
(POR)が発生し、フォルトラッチ及びソフトスタート
カウンタがリセットされ、PWMが動作可能になります。
VCC低電圧ロックアウト(UVLO)回路はスイッチングを
抑制し、VCCが4.2V以上になるまでDLゲートドライバ
を強制的にハイにします(出力過電圧保護を行うため)。
出力過電圧保護(OVP)
過電圧保護回路は、大電流を流してバッテリヒューズを
切断することによって、ハイサイドMOSFETの短絡から
保護するように設計されています。出力電圧が過電圧
になっていないかを継続的に監視しています。出力が
誤差アンプのトリップレベルよりも10.5%以上上昇
すると、過電圧保護(OVP)がトリガされ、回路が
シャットダウンされます。この結果DLローサイドゲート
ドライバ出力は、SHDNがトグルされるかV CC 電源が
1V以下に一度低下するまでハイにラッチされます。
これによって、同期整流器MOSFETが100%デューティ
でオンになり、出力フィルタコンデンサが急速に放電
され、出力が強制的にグランドレベルになります。
過電圧の原因(ハイサイドMOSFETの短絡など)が取り
除かれない場合、バッテリヒューズが切断されます。
DLは、シャットダウンモードの時及びV CC UVLOが
アクティブの時も常時ハイに維持されます(表3)。
尚、DLがハイにラッチされていると、OVPの起動時に
出力LCに蓄積されているエネルギーが原因で、出力
電圧が負に反転する可能性があります。負荷が強制的
な負の電圧に耐えられない場合は、逆極性クランプと
して動作するパワーショットキダイオードをこの出力
の両端に接続して下さい(図1)。
過電圧保護は、SKIPテストモードで解除できます(表3)。
16
______________________________________________________________________________________
超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
出力低電圧保護機能はフの字過電流リミットに似て
いますが、可変電流リミットの代わりにタイマを使用
します。MAX1715の出力がシャットダウンの解除
20ms後に公称値の70%以下の場合、PWMがオフに
ラッチされ、VCC電源が一度低下するかSHDNがトグル
されるまでは再起動しません。
保護機能なしテストモード
過電圧/低電圧保護機能が作動していると、障害を突き
止めるための時間が(長くても)数ミリ秒しかないため、
プロトタイプブレッドボードのデバッグ処理が難しく
なります。従って、OVP、UVP、及びサーマルシャット
ダウン機能を完全にディセーブルし、すでにフォルト
ラッチが設定してある場合は、クリアするためのテスト
モードを提供しています。PWMは、SKIPが接地されて
いるかのように動作します(PFM/PWMモード)。
抵抗と直列に接続した外部負電圧源を介してSKIPから
1.5mAシンクすると、無障害テストモードに入ります
(図7)。SKIPは、シリコンダイオードでAGNDにクランプ
されているため、(V FORCE - 0.65V)/1.5mAに等しい
抵抗値を選択して下さい。
設計手順 _______________________________
入力電圧範囲及び最大負荷電流は、スイッチング周波数
とインダクタ動作点(リップル電流比)を選択する前に確定
しておいて下さい。主要な設計妥協点は、スイッチング
周波数及びインダクタ動作点の選択によって決まります。
その他は次の4つの要因によって決まります。
SKIP
1.5mA
VFORCE
AGND
2)最大負荷電流。考慮すべき値は2つあります。ピーク
負荷電流(I LOAD(MAX) )は、瞬時的な素子のストレス
及びフィルタリング条件を決定するため、出力コン
デンサの選択、インダクタ飽和定格、及び電流リミット
回路の設計で必要になります。連続負荷電流(ILOAD)は、
熱ストレスを決定するため、入力コンデンサ、MOSFET、
及びその他の重要な発熱部品の選択で必要となります。
最近のノートブックCPUでは、ILOAD = ILOAD(MAX)・
80%が一般的です。
3)スイッチング周波数。サイズと効率間の基本的な
妥協点は、スイッチング周波数によって決まります。
MOSFETスイッチング損失は周波数及びVIN2に比例
するため、最適周波数は主に最大入力電圧の関数に
なります。又、MOSFET技術の急速な進歩によって、
より高い周波数が実用的になっていることから、
最適周波数は変わりつつあります(表4)。
4)インダクタ動作点。この選択によって、サイズと
効率間の妥協点を得ることができます。インダクタ値
が低い程リップル電流が大きくなり、サイズが小さく
なりますが、効率は劣化し出力ノイズは大きくなり
ます。実用的な最小のインダクタ値は、臨界伝導の
終端(最大負荷時にインダクタ電流が各サイクルで
ちょうどゼロに達する点)で回路が動作する値です。
インダクタ値をこれ以上小さくしてもサイズ低減の
利点はありません。
MAX1715のパルススキップアルゴリズムは、臨界
伝導点でスキップモードを開始します。従って、PFM/
PWM切換えが発生する負荷電流値も、インダクタ動作点
で決まります。最適な動作点はリップル電流の20%∼
50%の範囲になります。
APPROXIMATELY
-0.65V
MAX1715
1)入力電圧範囲。最大値(VIN(MAX))は、ACアダプタの
ワーストケースの高電圧に対応させる必要があります。
最小値(V IN(MIN) )は、コネクタ、ヒューズ、及び
バッテリセレクタスイッチによる電圧降下後の最低
バッテリ電圧に対応させる必要があります。選択
できる場合は、より低い入力電圧の方が効率が高く
なります。
インダクタのリップル電流は過渡応答性能にも影響を
与えます。(VIN - VOUT)が小さい場合、この影響は特に
顕著です。インダクタの値が小さい場合、インダクタ
電流が速く変化し、急激な負荷ステップによって出力
フィルタコンデンサから放電した電荷が補給されます。
出力の落ち込み量は、オンタイムと最小オフタイムから
計算した最大デューティ係数の関数でもあります。
図7. 過電圧/低電圧保護のディセーブル
(テストモード)
______________________________________________________________________________________
17
MAX1715
出力低電圧保護(UVP)
MAX1715
超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
VSAG =
(∆I LOAD(MAX) )2 × L
2 × CF × DUTY (VIN(MIN) - VOUT )
ここで、
DUTY =
K (VOUT + 0.075V) VIN
K (VOUT + 0.075V) VOUT + min off - time
ここで、最小オフタイム = 400ns(typ)です(表5参照)。
インダクタの選択
インダクタ値は、次に示すようにスイッチング周波数
(オンタイム)及び動作点(%リップル又はLIR)によって
決まります。
VOUT (VIN - VOUT )
L =
VIN × f × LIR × I LOAD(MAX)
例:I LOAD(MAX) = 8 A、VIN = 7 V、VO UT = 1 . 6 V、
f = 300kHz、35%リップル電流又はLIR = 0.35
L =
1.6V (7 - 1 × 6)
= 1.6µH
7 × 300kHz × 0.33 × 8A
割当てたスペースに収まる最低のDC抵抗を持つ低損失
インダクタを使用して下さい。鉄粉コアは安価で
200kHzでもうまく動作しますが、通常はフェライト
コアが最適です。コアは、ピークインダクタ電流(IPEAK)
で飽和しない大きさにであることが必要です。
IPEAK = ILOAD(MAX) + [(LIR / 2) ✕ ILOAD(MAX)]
電流リミットの設定
最小電流リミットスレッショルドは、電流リミットが
最小許容値の時に最大負荷電流に対応できる大きさで
なければなりません。インダクタ電流の谷間は、
ILOAD(MAX)からリップル電流の半分を差し引いた時点で
発生するため、次のようになります。
ILIMIT(LOW) > ILOAD(MAX) - (LIR / 2) ILOAD(MAX)
ここで、I LIMIT(LOW) は、最小電流リミットスレッショ
ルド電圧をQ2のR DS(ON) で割り算した値を示します。
MAX1715では、最小電流リミットスレッショルド
(100mVデフォルト設定)は90mVです。R DS(ON) に
関しては、MOSFET Q 2データシートからワースト
ケースの最大値を選択し、温度によるR DS(ON)の上昇を
考慮した余裕分を追加します。一般に、上昇温度1℃に
つき0.5%の抵抗を追加するのが適切です。
高い温度における最大R DS(ON)が12mΩである8A回路
の例では、次のようになります。
ILIMIT(LOW) = 90mV / 12mΩ = 7.5A
出力コンデンサの選択
出力フィルタコンデンサの実効直列抵抗(ESR)は、出力
リップル及び負荷トランジェント条件を満足できる低さ
でなければなりません、それと同時に安定性の条件を
満足できる大きさでなければなりません。又容量値は、
過電圧保護回路をトリップすることなく、全負荷から
無負荷状態になる時のインダクタエネルギーを吸収
できる大きさでなければなりません。
出力が急激な負荷トランジェントにさらされるCPU
VCORE コンバータや他のアプリケーションでは、出力
コンデンサのサイズは負荷トランジェントによる過剰な
出力低下を防止するために必要なESRの量に依存します。
有限容量による電圧落ち込みを無視すると、次のように
なります。
VDIP
RESR ≤
I LOAD(MAX)
CPU以外のアプリケーションにおける出力コンデンサの
サイズは、次に示すように、許容できる出力電圧リップル
を維持するために必要なESRの量に依存します。
RESR ≤
Vp - p
LIR × I LOAD(MAX)
実際に必要な容量値(マイクロファラッド)は、低ESRを
達成するのに必要な物理サイズ及びコンデンサの種類に
関係します。従って、コンデンサは通常、容量値では
なく、ESR仕様及び電圧定格によって選択します(これに
該当するのはタンタル、OS-CON、及びその他の電解
コンデンサです)。
セラミックやポリマーなどの低容量フィルタコンデンサ
を使用する場合は、通常、全負荷から無負荷状態に遷移
する時にVSAG及びVSOARが問題を起こすのを防ぐため、
必要な容量を基にしてコンデンサのサイズを決定します。
コンデンサの値は、インダクタの蓄積エネルギーに
よって出力が過電圧保護スレッショルド以上になるのを
防止できる大きさでなければなりません。一般に、
オーバシュート条件を満足する容量を追加すれば、負荷の
立上りエッジでのアンダーシュートが問題になることは
ありません(
「設計手順」のVSAGの式を参照)。
インダクタの蓄積エネルギーによるオーバシュートの
量は次式で計算されます。
2
LI
∆V ≈ PEAK
2CVOUT
ここで、IPEAKはピークインダクタ電流です。
7.5Aは谷間電流6.6Aよりも大きいため、この回路は、
デフォルト100mV標準ILIMスレッショルドを使用し、
容易に全定格8Aを供給できます。
18
______________________________________________________________________________________
超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
安定性は、スイッチング周波数に対するESRゼロの値に
よって決まります。不安定性の時点は、次式から求める
ことができます。
f ESR =
f
π
ここで、
f ESR =
1
2 × π × RESR × CF
標準的な3 0 0 k H zアプリケーションでは、ESRゼロ
周波数が95kHzよりもはるかに低くなければならず、
望ましい値は50kHz以下です。このデータシートの
発行時に広く使用されているタンタルやOS-CONコン
デンサでは、標準ESRゼロ周波数は15kHzです。インダ
クタの選択で使用した設計例では、50mVp-pリップルを
サポートするのに必要なESRは50mV/3.5A =14.2mΩ
です。低ESRタンタルコンデンサである4 7 0µF/4V
Kemet T510を3つ並列に接続すると、15mΩ(max)の
ESRが得られます。この場合、標準の複合ESRは
14.1kHzでゼロになり、十分安定範囲内にあります。
安定性の保証を考慮せずに、大きな値を持つセラミック
コンデンサを高速フィードバック入力(FB_とAGND)間
に直接配置することは避けて下さい。値の大きなセラ
ミックコンデンサはESRゼロ周波数が高く、不規則で
不安定な動作になります。この場合、インダクタと
FB_ピンの接点から5cm程負荷側にコンデンサを配置
すると、十分な直列抵抗を容易に追加できます(「全セラ
ミックコンデンサアプリケーション」の項を参照)。
不安定な動作は、ダブルパルシング及び高速フィード
バックループ不安定性といった、関連性はあっても全く
異なる2つの問題として現れます。
ダブルパルシングは、出力のノイズ又はESRが低すぎて
出力電圧信号に十分な電圧の傾斜ランプが得られない
ことが原因で発生します。この結果、400ns最小オフ
タイム期間が経過した直後に、新しいサイクルがエラー
コンパレータによって誤って開始されます。ダブルパル
シングは有害であるというよりも厄介で、出力リップル
の増大を除いて悪影響はありません。ただし、ESRが
不十分なことに起因してループ不安定性が生じている
可能性があります。
ループ不安定性は、ライン又は負荷の変動後の出力に
振動を起こし、過電圧保護ラッチをトリップしたり、
出力電圧を許容範囲以下に低下させることがあります。
安定性をチェックする最も簡単な方法は、非常に速い
ゼロから最大への負荷トランジェントを与え(MAX1715
EVキットのマニュアルを参照)、出力リップル電圧エン
ベロープのオーバシュート及びリンギングを注意深く
観察する方法です。この場合、AC電流プローブでイン
ダクタ電流を同時に監視できます。最初のステップ応答
アンダーシュート又はオーバシュート後は、リンギング
を1サイクルより多く発生させないで下さい。
入力コンデンサの選択
入力コンデンサは、スイッチング電流に必要なリップル
電流条件(I RMS )を満足する必要があります。起動時の
サージ電流への耐性から、タンタル以外のコンデンサ
(セラミック、アルミ、又はOS-CON)が適切です。
 V
OUT
I RMS = ILOAD 


(VIN - VOUT ) 
VIN


パワーMOSFETの選択
ここで示すMOSFETガイドラインは、高電圧(>20V)
ACアダプタを使用した時に高負荷電流能力(>5A)を得る
ことに焦点を置いています。低電流アプリケーション
では、通常これ程注意する必要はありません。
最大の効率を得るには、ハイサイドMOSFET(Q1)として
最適バッテリ電圧(15V)で伝導損失がスイッチング損失
と同じになるものを選択します。この場合、最小入力
電圧における伝導損失がパッケージの熱リミットを超え
ないこと、又は全体的な熱許容量に違反しないことを
確認して下さい。さらに、最大入力電圧での伝導損失に
スイッチング損失を加えた値がパッケージ定格を超え
ないこと、又は全体的な熱許容量に違反しないことを
確認して下さい。
ローサイドMOSFET(Q2)としては、R DS(ON)が最低で、
適度な小型パッケージ(8ピンSOPなど)で提供され、
妥当な価格のものを選択します。MAX1715 DLゲート
ドライバがQ 2を駆動できることを確認して下さい。
即ち、ドレイン・ゲート間の寄生容量によってハイ
サイドスイッチのターンオン時にゲートがプルアップ
され、貫通電流の問題が発生することがないことを確認
します。バック構成で使用した場合、ローサイド
MOSFETはゼロ電圧スイッチドデバイスになるため、
スイッチング損失が問題になることはありません。
MOSFETの消費電力
ワーストケースの場合の伝導損失は、極端なデューティ
係数で発生します。ハイサイドMOSFETでは、次に
示すように最小バッテリ電圧で、抵抗による消費電力
(PD)が最悪になります。
______________________________________________________________________________________
19
MAX1715
出力コンデンサの安定性
MAX1715
超高効率、ノートブックコンピュータ用
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 V

PD(Q1 resistance) =  OUT  ILOAD2 × RDS(ON)
 VIN(MIN) 


一般に、高い入力電圧でスイッチング損失を低減する
には、小さなハイサイドMOSFETが望ましくなります。
しかし、MOSFETの小型化は、パッケージ消費電力
リミットを守るために必要なR DS(ON)によってしばしば
制限されます。上述の通り、スイッチング(AC)損失と
伝導(RDS(ON))損失が等しい時が最適です。通常、入力が
約15Vを超えない限り、ハイサイドスイッチング損失が
問題になることはありません。
ハイサイドMOSFETのスイッチング損失は、最大AC
アダプタ電圧が印加された時に深刻な熱の問題を起こす
ことがあります。これはCV2Fスイッチング損失の式の
二乗項が原因です。低バッテリ電圧で十分なR DS(ON)が
得られるように選択したハイサイドMOSFETが、
VIN(MAX)によって極端に熱くなる場合は、MOSFETを
選択し直す必要があります。
ターンオン時間とターンオフ時間に影響する要因は
数量化が難しいため、スイッチング損失によるQ1の電力
消費を計算するのは困難です。これらの要因としては、
内部ゲート抵抗、ゲートチャージ、スレッショルド電圧、
ソースインダクタンス、及びプリント基板のレイアウト
特性があります。次に示すスイッチング損失の計算式は
概算であって、ブレッドボード評価に代わるものでは
ありません。ブレッドボード評価には、Q1に取り付けた
熱電対を使用した確認チェックを含めると良いでしょう。
PD(Q1 switching) =
CRSS × VIN(MAX)2 × f × ILOAD
IGATE
過負荷保護は必要なく、短絡保護だけで十分な場合は、
通常のILOAD値を使用して部品ストレスを計算できます。
デッドタイム中にQ 2 MOSFETボディダイオードが
オンになるのを防止するには、順方向電圧が十分低い
ショットキダイオード(D1)を選択して下さい。原則
として、DC電流定格が負荷電流の1/3に等しいダイ
オードで十分です。このダイオードはオプションで、
効率が重要でない場合は省略しても構いません。
アプリケーション情報 ___________________
ドロップアウト性能
連続伝導動作の出力電圧調整範囲は、固定500ns(max)
最小オフタイム単安定マルチバイブレータによって制限
されます。最も優れたドロップアウト性能を得るには、
最も遅い(200kHz)オンタイム設定を使用します。低入力
電圧における動作時は、オンタイム及びオフタイム
として最悪の値を使用してデューティ係数リミットを
計算する必要があります。製造公差及び内部伝播遅延は、
TON K係数に誤差を発生します。この誤差は、周波数が
高い程大きくなります(表5)、又、ドロップアウト付近
で動作させた時のバックレギュレータの過渡応答性能は
低く、バルク出力容量の追加が必要になることを考慮に
入れて下さい(
「設計手順」の項のVSAG式を参照)。
ドロップアウト設計例:V IN = 3V(min)、V OUT = 2V、
f = 300kHz。必要なデューティは、(V O UT + V SW )/
(V IN - V SW ) = (2V + 0.1V)/(3.0V - 0.1V) = 72.4%
です。最悪のオンタイムは、(VOUT + 0.075)/VIN ✕ K =
2.075V/3V ✕ 3.35µs-V ✕ 90% = 2.08µsです。ICの
デューティ係数リミットは次の通りです。
t ON(MIN)
DUTY =
デューティ
ローサイドMOSFET(Q2)に関しては、次に示すように
常に最大バッテリ電圧で電力消費が最悪になります。
これは必要なデューティを満たします。
1 - V

2
OUT I
PD(Q2) = 
× RDS(ON)

 VIN(MAX )  LOAD


絶対的に最悪のMOSFET消費電力が発生するのは、
I LOAD(MAX)を超えても電流リミットを超えてフォルト
ラッチをトリップする程大きくはない重負荷がかかって
いる場合です。これを回避するには、以下の負荷に
耐える回路を設計して下さい。
ILOAD = ILIMIT(HIGH) + (LIR / 2) ✕ ILOAD(MAX)
ここで、I LIMIT(HIGH) はスレッショルド公差及びオン
抵抗変動を含め、電流リミット回路に許される最大谷間
電流を示します。これは、MOSFETのヒートシンクを
かなり良好に行わなければならないことを意味します。
20
t ON(MIN) + t OFF(MAX)
=
2.08µs
= 80.6%
2.08µs + 500ns
ここで、CRSSはQ1の帰還容量、I GATEはピークゲート
駆動ソース/シンク電流(1A typ)を示します。
最悪のドロップアウトデューティ係数を計算する時は、
必ずインダクタ抵抗及びMOSFETオン時電圧降下(VSW)
を含めて下さい。
全セラミックコンデンサアプリケーション
セラミックコンデンサには長所と短所があります。
これらはESRが非常に低く、非燃焼性で、比較的小型
であるうえ無極性です。この反面、高価でもろく、
超低ESR特性によってESRゼロ周波数が異常に高くなる
ことがあります(安定性に影響)。さらに容量値が比較的
低いため、バルクのタンタル又は電解コンデンサを並列
に接続してインダクタに溜まったエネルギーを吸収させ
なければ、急に全負荷から無負荷状態に遷移した時に
出力オーバシュートが発生することもあります。場合
______________________________________________________________________________________
超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
OUT2
FIXED
1.8V
DH
1/2
VOUT
MAX1715
MAX1715
OUT1
VBATT
TO ERROR
AMP1
TO ERROR FIXED
AMP2
2.5V
FIXED
3.3V
DL
PGND
R1
OUT
FB
FB1
FB2
0.2V
0.2V
R2
MAX1715
AGND
2V
図8. VOUTを抵抗分圧器で設定
によっては、電解コンデンサ用のスペースがないことも
あり、セラミックだけを使用するDC-DC設計が必要に
なります。
図8に示す全セラミックコンデンサアプリケーション
では、タンタル出力コンデンサをセラミックコンデンサ
で置き換えています。この設計で重要な点は、ESRゼロ
周波数を低減するために最小5 mΩの寄生PCボード
トレース抵抗をコンデンサと直列に接続してあること
です。この小さな抵抗は、MAX1714A回路をCPUから
5cm∼7.5cm離し、全てのセラミックコンデンサを
CPUの近くに配置することによって容易に得ることが
できます。5mΩ以上の抵抗値によって、安定性が向上
します(これは、「標準動作特性」で示す負荷過渡応答
特性をチェックすると分かります)。プリント基板の
トレース抵抗は効率に悪影響があるため、過剰に追加
しないようにして下さい。7A回路の場合は5mΩで十分
です。
1
RESR ≥
2FCOUT
最小出力容量条件は出力オーバシュート(∆V)によって
決まります。この例では、負荷ステップの回復時に
インダクタからコンデンサに伝送されるエネルギーを
最小にするために、(標準8A回路の300kHz及び2µHに
比べ)スイッチング周波数を600kHzに増加し、インダ
クタ値を0.5µHに低減しています。OVPラッチのトリップ
を回避するために、オーバシュートを計算する必要が
あります。540kHzで動作させた場合の効率低下は入力
電圧に依存しますが、約2%∼3%です。
ここでは、1Ω抵抗(オプション)をOUTに直列に配置
しています。この抵抗は一部の基板の高周波ノイズを
図9. フィードバックマルチプレクサ
減衰させます(このノイズはダブルパルシングの原因に
なります)。
固定出力電圧
MAX1715はDual ModeTM動作のため、外付部品なしで
一般的な電圧を選択することができます(図9)。FBを
AGNDに接続すると固定+2.5V出力、VCCに接続すると
+3.3V出力になり、F Bを直接OUTに接続すると固定
+1.0V出力になります。
抵抗分圧器におけるVOUTの設定
必要に応じて、抵抗分圧器を使用して出力電圧を調整
して下さい(図8)。出力電圧を調整するための式を次に
示します。

R1 
VOUT = VFB 1 +

R2 

ここでVFBは1.0V、R2は約10kΩです。
2段(5V電源)ノートブック
CPUバックレギュレータ
高電圧バッテリを超低出力電圧にステップダウンする
最も効率的でコスト効果の高い方法は、1段のバック
レギュレータを使用し、これをバッテリから直接駆動
する方法です。しかし、バッテリのバスをCPUの近くに
配線できない場合や、スペースの制約から局部DC-DC
コンバータを非常に小さくしなければならない場合が
あります。このような場合は、図10の5V駆動回路が
適切です。入力電圧を低減しているため、スイッチング
周波数をより高くし、インダクタ値をずっと小さくする
ことができます。
Dual ModeはMaxim Integrated Productsの商標です。
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21
MAX1715
超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
1µF
VIN
4.5V TO 5.5V
20Ω
1µF
ILIM VCC
C1
4 x 10µF/25V
V+ VDD
BST2
ON2
ON/OFF
DH2
IRF7805
0.1µF
MAX1715
L1
0.5µH
LX2
0.22µF
REF
DL2
VOUT
2.5V AT 7A
C2
3 x 470µF
KEMET T510
IRF7805
PGND
FB2
VCC
OUT2
100k
PGOOD
TON
AGND
SKIP
図10. 5V駆動、8A CPUバックレギュレータ
プリント基板レイアウトのガイドライン
低スイッチング損失及びクリーンで安定した動作を
達成するには、プリント基板のレイアウトに注意が必要
です。デュアルコンバータの場合、片方のチャネルが
他方に影響する場合があるため、特にレイアウトが重要
です。スイッチング電力段には細心の注意が必要です
(図11)。具体的なレイアウト例についてはMAX1715
EVキットのデータシートを参照して下さい。
できれば全ての電力部品をボードの上面に実装し、
グランド端子が互いにぴったり接触するようにします。
良好なプリント基板レイアウトを達成するには、次の
ガイドラインに従って下さい。
• 上面の全ての電力部品は、下面の敏感なアナログ部品
からグランドシールドで分離して下さい。OUT1と
OUT2サイドの下のPGNDプレーン(PGND1と
PGND2)は別々にして下さい。PGND1及びPGND2
グランドプレーンにAC電流が流れ込むのを防いで
下さい。できれば、電源プレーングランド電流は
上面だけに流すようにして下さい。
• OUT1とOUT2の間のクロストークを最小限に抑える
ために、電源プレーン上をスターグランド接続にして
下さい。
• 大電流経路は特にグランド端子部で短くします。
これは、ジッタのない安定した動作を得る上で重要
です。
22
• ICの近くでAGNDとPGNDを接続します。それ以外の
場所では接続しないで下さい。「レイアウト手順」の
ステップ4に示すグランディング方法に従って下さい。
• 電源トレース及び負荷接続は短くして下さい。これは、
高効率を達成する上で重要です。厚い銅のプリント
基板(2オンス対1オンス)を使用すると、全負荷時の
効率が1%以上向上します。プリント基板のトレース
の配線はセンチメートル単位の違いを考慮しなければ
ならないため、容易な作業ではありません。トレース
抵抗が1ミリオーム大きくなると、効率の低下が測定
値に現れます。
• 電流リミット用の同期整流器へのLX_及びPGND
接続は、電流リミットの精度を保証するためにケル
ビン検出接続を使用する必要があります。8ピンSOP
MOSFETの場合は、PGNDとLX_を8ピンSOPパッ
ケージの内部(下側)に接続し、最上の銅層を使用して
外側からMOSFETに電源を配線するのが最良です。
• トレース長に妥協が必要な場合は、インダクタ放電
経路よりも充電経路の方を長くします。例えば、イン
ダクタとローサイドMOSFETの間又はインダクタと
出力フィルタコンデンサの間よりも、入力コンデンサ
とハイサイドMOSFETの間の経路を長くするのが
適切です。
• COUTへのOUTの接続は短くし、ダイレクトにします。
但し、場合によってはOUTインダクタノードと出力
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超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
• 高速スイッチングノード(BST_、LX_、DH_、DL_)は
敏感なアナログ領域(REF、ILIM、FB)から遠ざけて
下さい。PGND1及びPGND2をEMIシールドとして
使 う こ と に よ り 、 放 射 ス イ ッ チ ン グ ノ イ ズ を IC 、
フィードバック分圧器及びアナログバイパスコン
デンサから遠ざけて下さい。
5)基板の上面(電源プレーン)において、2つの面の間の
クロストークを最小限に抑えるためにスターグランド
を形成して下さい。上面のスターグランドは入力コン
デンサ、サイド1のローサイドMOSFET及びサイド2
のローサイドMOSFETの星型接続です。電流リミット
を正確にするため、スターグランドとローサイド
MOSFETのソース間の抵抗を小さくして下さい。
上面のスターグランド(MOSFET、入力及び出力コン
デンサに使用)を短くて広い接続路(できればビアのみ)
で小さなPGNDの島に接続して下さい。
• 全てのピンストラップ制御入力接続( SKIP、ILIMなど)
は、PGND_かVDDではなく、AGNDかVCCに行って
下さい。
レイアウト手順
1)グランド端子同士を隣接させ、電力部品を先に配置
します(Q2ソース、CIN -、COUT -、D1アノード)。
できればこれらの接続は全て最上層の広い銅領域で
行います。
多層基板(強く推奨します)が使用できる場合、最上層
のすぐ下の層にPGND1とPGND2を作り、これが
EMIシールドの役目を果たすようにして下さい
(MAX1715EVキットに例が記載されています)。各
部品を別々にスターグランドビアに接続して下さい。
このビアは最上面のPGNDプレーンに接続しています。
もう1つの隙間のないグランドプレーンをICの下に
追加して、予備シールドとして下さい。これもスター
グランドビアに接続して下さい。
2)コントローラICを同期整流器MOSFET Q2の隣りに
配置します。この場合裏面に配置して、LX_、PGND_
及びDL_ゲート駆動ラインを短く太くするのが適切
です。DL_ゲートトレースは、短く太く(10∼20平方)
する必要があります(MOSFETがコントローラICから
2.5cm離れている場合は、50∼100mils)。
3)ゲート駆動部品(BST_ダイオード及びコンデンサ、
VDDバイパスコンデンサ)は、コントローラICの近く
でひとまとめにします。
6)出 力 電 力 プ レ ー ン (V C O R E 及 び シ ス テ ム グ ラ ン ド
プレーン)を、複数ビアで出力フィルタコンデンサの
正及び負端子に直接接続します。
4)次の手順でDC-DCコントローラのグランド接続を
行って下さい。まず、ICの近くに小さなアナログ
USE AGND PLANE TO:
USE PGND PLANE TO:
- BYPASS VCC AND REF
- BYPASS VDD
- CONNECT PGND TO THE TOPSIDE STAR GROUND
- TERMINATE EXTERNAL FB
DIVIDER (IF USED)
OUT1
- TERMINATE RILIM
(IF USED)
AGND
VIA TO OUT1
- PIN-STRAP CONTROL
INPUTS
VIA TO PGND
GROUND
OUT2
C3
C4
VIA TO OUT2
PGND
D2
D1
L1
N1
C1
C2
L2
N2
VIA TO GROUND
CONNECT PGND TO AGND
BENEATH THE MAX1715 AT
ONE POINT ONLY AS SHOWN.
VIA TO LX2
VIA TO LX1
NOTE: EXAMPLE SHOWN IS FOR DUAL N-CHANNEL MOSFET.
VIN
図11. プリント基板レイアウト例
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23
MAX1715
グランドプレーンを作って下さい。このプレーンを
AGNDに接続し、このプレーンをREF及びVCCバイパス
コンデンサ、FB分圧器及びILIM抵抗(あれば)のグランド
として下さい。PGND用にもう1つ小さなグランド
アイランドを作り、ICの非常に近くに配置された
VDDバイパスコンデンサ用に使って下さい。AGNDと
PGNDピンはICの下で一つにまとめて接続して下さい
(AGNDとPGNDの間の接続はこれだけです)。
フィルタコンデンサの間に、ある程度の長さのトレース
を故意に設けた方が望ましいこともあります(
「全セラ
ミックコンデンサアプリケーション」の項を参照)。
MAX1715
超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
ピン配置 _______________________________
TOP VIEW
OUT1 1
28 N.C.
FB1 2
27 LX1
ILIM1 3
26 DH1
25 BST1
V+ 4
24 DL1
TON 5
SKIP 6
MAX1715
23 N.C.
22 PGND
PGOOD 7
AGND 8
21 VCC
REF 9
20 VDD
ON1 10
19 DL2
ON2 11
18 BST2
ILIM2 12
17 DH2
FB2 13
16 LX2
OUT2 14
15 N.C.
QSOP
24
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超高効率、ノートブックコンピュータ用
デュアルステップダウンコントローラ
QSOP.EPS
販売代理店
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MAX1715
パッケージ ________________________________________________________________________
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