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民生用
RP102x シリーズ 低ノイズ 300mA LDOレギュレータ NO.JA-146-160705 ■ 概要 RP102xシリーズはCMOSプロセス技術を用いて開発した、高出力電圧精度、超低消費電流、低オン抵抗トラ ンジスタ内蔵、高リップル除去率等を兼ね備えたボルテージレギュレータ(LDO)です。 本ICは、基準電圧源、誤差増幅器、出力電圧設定用抵抗網、短絡電流制限回路、チップイネーブル回路で構成 されています。 本ICは新製造プロセスを採用した事により、従来品に比べ出力電圧精度が高く、入出力電圧差も小さくなって おり、入力過渡応答、負荷過渡応答に優れているので、携帯用通信機器の電源ICとして使用するのに適していま す。また、出力電圧の温度係数も20ppm/Cと優れています。 パッケージは、SOT-23-5、DFN(PLP)1820-6に加え、超小型のWLCSP-4-P2に搭載しており、鉛フリー化を 実現しています。 ■ 特長 ● 消費電流······················································· Typ. 50A ● 消費電流(スタンバイ時) ····························· Typ. 0.1A ● 入出力電圧差················································· Typ. 0.12V (IOUT300mA, VOUT2.8V) ● リップル除去率·············································· Typ. 80dB (f1kHz, VOUT2.8V) ● 出力電圧の温度係数 ········································ Typ. 20ppm/C ● 入力安定度···················································· Typ. 0.02%/V ● 出力電圧精度················································· 0.8% ● パッケージ ··················································· WLCSP-4-P2、DFN(PLP)1820-6、SOT-23-5 ● 入力電圧範囲················································· 1.7V~5.25V ● 出力電圧範囲················································· 1.2V~3.3V(0.1V単位) その他の電圧はマーキング情報をご参照ください。 ● 短絡電流制限回路内蔵 ····································· Typ. 50mA ● セラミックコンデンサ対応 ······························· 1.0F ■ アプリケーション ● 携帯用通信機器、カメラ、ビデオの定電圧源 ● バッテリー使用機器の定電圧源 ● 家庭用電気製品の定電圧源 1 RP102x NO.JA-146-160705 ■ ブロック図 RP102xxx1B VDD RP102xxx1D VOUT VDD VOUT Vref Vref Current Limit CE Current Limit GND CE GND ■ セレクションガイド RP102xシリーズは、出力電圧、オートディスチャージ機能の有無、パッケージ、梱包等を用途によって選択 指定することができます。 製品名 RP102Zxx1-TR-F RP102Kxx1-TR RP102Nxx1-TR-FE パッケージ 1 リール個数 鉛フリー ハロゲンフリー WLCSP-4-P2 5,000pcs ○ ○ DFN(PLP)1820-6 5,000pcs ○ ○ SOT-23-5 3,000pcs ○ ○ xx :出力電圧を 1.2V(12)~3.3V(33)まで、0.1V 単位で指定 (その他の電圧はマーキング情報をご参照ください。) :CE 端子の極性とオートディスチャージ機能の有無を下記から選択 (B)"H"アクティブ、オートディスチャージ機能なし (D)"H"アクティブ、オートディスチャージ機能あり オートディスチャージ機能とは、アクティブ状態からスタンバイ状態にチップイネーブル信号を切替えた時 に、外付けコンデンサにたまった電荷を抜き、出力を素早く0Vに落とす機能です。 2 RP102x NO.JA-146-160705 ■ 端子接続図 WLCSP-4-P2 Mark Side DFN(PLP)1820-6 Top View BumpSide 6 2 5 4 2 1 SOT-23-5 Bottom View 4 5 5 4 6 1 (mark side) 1 A B B 1 A 1 2 3 3 2 機 能 2 3 1 ■ 端子説明 ● WLCSP-4-P2 端子番号 端子名 A1 VDD 入力端子 A2 VOUT 出力端子 B1 CE チップイネーブル端子("H"アクティブ) B2 GND グラウンド端子 ● DFN(PLP)1820-6 端子番号 端子名 機 能 1 VOUT 出力端子2 2 VOUT 出力端子2 3 GND グラウンド端子 4 CE チップイネーブル端子("H"アクティブ) 5 VDD 入力端子2 6 VDD 入力端子2 1)パッケージ裏面のタブの電位は基板電位(GND)です。GND端子と接続する(推奨)か、オープンとし てください。 2)DFN(PLP)1820-6パッケージの場合は、基板実装時に1番ピンと2番ピン、および5番ピンと6番ピンを必ず 配線してください。 ● SOT-23-5 端子番号 端子名 機 能 1 VDD 2 GND 3 CE チップイネーブル端子("H"アクティブ) 4 NC ノーコネクション 5 VOUT 出力端子 入力端子 グラウンド端子 3 RP102x NO.JA-146-160705 ■ 絶対最大定格 記 号 項 目 定 格 単 位 VIN 入力電圧 6.0 V VCE 入力電圧 (CE 端子) 6.0 V VOUT 出力電圧 0.3~VIN0.3 V IOUT 出力電流 400 mA PD 許容損失 (WLCSP-4-P2) (標準実装条件) 530 許容損失 (SOT-23-5) (標準実装条件) 420 許容損失 (DFN(PLP)1820-6) (標準実装条件) 880 mW Topt 動作周囲温度 40~85 C Tstg 保存周囲温度 55~125 C ) 許容損失、標準実装条件については、パッケージ情報に詳しく記述していますのでご参照ください。 絶対最大定格 絶対最大定格に記載された値を超えた条件下に置くことはデバイスに永久的な破壊をもたらすことがある ばかりか、デバイス及びそれを使用している機器の信頼性及び安全性に悪影響をもたらします。 絶対最大定格値でデバイスが機能動作をすることは保証していません。 動作定格(電気的特性)について 半導体が使用される応用電子機器は半導体がその動作定格範囲で動作するように設計する必要がありま す。ノイズ、サージといえどもその範囲を超えると半導体の正常な動作は期待できなくなります。 また動作定格の範囲外で動作させ続けた場合は、その半導体が本来持っている信頼性を維持できなくなり ます。 4 RP102x NO.JA-146-160705 ■ 電気的特性 ● RP102xxx1B/D 条件に記載なき場合 VINSet VOUT1.0V (VOUT>1.5V時), VIN2.5V (VOUT≦1.5Vの時), IOUT1mA, CINCOUT1.0F Topt25C 記号 VOUT IOUT VOUT/IOUT 項目 VINVOUT1.0V 出力電圧 Min. Max. 単位 0.992 1.008 V VOUT≦2.0V 16 16 mV 300 負荷安定度 入出力電圧差 ISS 消費電流 mA 1mA≦IOUT≦150mA 10 20 1mA≦IOUT≦300mA 20 40 50 70 A 0.1 2.0 A 0.02 0.10 %/V mV 下表参照 IOUT0mA 消費電流(スタンバイ時) VCE0V 入力安定度 Set VOUT0.5V≦VIN≦5.0V RR リップル除去率 f1kHz,リップル 0.2Vp-p VINSet VOUT1.0V, IOUT30mA (VOUT≦2.0V の場合は VIN3.0V) VIN 入力電圧* VOUT/VIN Typ. VOUT>2.0V 出力電流 VDIF Istandby 条件 80 1.7 dB 5.25 V 出力電圧温度係数 40C≦Topt≦85C 20 ppm /C ISC 短絡電流 VOUT0V 50 mA IPD CE プルダウン定電流 0.05 VCEH CE 入力電圧 ”H” 1.1 VCEL CE 入力電圧 ”L” VOUT/Topt en RLOW 0.3 0.6 A V 0.3 V 出力雑音電圧 BW10Hz~100kHz, IOUT30mA 30 Vrms オートディスチャージ Nch Tr. ON 抵抗 (D バージョンのみ) VIN4.0V VCE0V 30 )動作定格(電気的特性)の入力電圧は最大 5.25V ですが、何らかの事由でそれを超える場合には 5.5V までで 累積 500 時間までにとどめてください。 ● 出力電圧別入出力電圧差特性 出力電圧 VOUT(V) Topt25C 入出力電圧差 VDIF (V) 条件 Typ. Max. 1.2V≦VOUT< 1.5V 0.145 1.5V≦VOUT < 1.7V 条件 Typ. Max. - 0.290 0.500 0.110 0.160 0.220 0.320 0.100 0.140 0.200 0.280 0.085 0.120 0.170 0.240 2.5V≦VOUT< 2.8V 0.070 0.100 0.140 0.200 2.8V≦VOUT≦3.3V 0.060 0.095 0.120 0.190 1.7V≦VOUT< 2.0V 2.0V≦VOUT< 2.5V IOUT150mA IOUT300mA 5 RP102x NO.JA-146-160705 ■ 基本回路例 VDD C1 VOUT RP102x シリーズ CE C2 GND 外付け部品参考例 C2:セラミックコンデンサ 1.0F 村田製作所製 GRM155B31A105KE15 ■ 外付け部品に関する注意点 ● 位相補償について 本ICは、出力負荷が変化しても安定して動作させるために、出力コンデンサを位相補償に利用しています。こ のため1.0F以上のコンデンサC2を必ず入れて下さい。 なお、タンタルコンデンサを使用する場合、直列等価抵抗(ESR)の値が大きいと、出力が発振する可能性が ありますので、周波数特性を含めて充分評価して下さい。 ● 基板実装について VDDおよびGND配線のインピーダンスが高いと電流が流れた時、ノイズのまわり込みや動作が不安定になる原 因になるので充分強化して下さい。また、VDD端子-GND端子間に1.0F以上のコンデンサC1をできるだけ配線が 短くなるように付けて下さい。 さらに、位相補償用の出力側コンデンサC2についてはVOUT端子と電源GND間にできるだけ配線が短くなるよ うに付けて下さい。 (基本回路例参照) 6 RP102x NO.JA-146-160705 ■ 測定回路 VDD VOUT RP102x シリーズ C1 CE V C2 VOUT ↓ IOUT GND C1=Ceramic 1.0F C2=Ceramic 1.0F 基本測定回路 VDD A RP102x シリーズ C1 ISS VOUT CE C2 GND C1=Ceramic 1.0F C2=Ceramic 1.0F 消費電流測定回路 Pulse Generator VDD VOUT RP102x シリーズ P.G. CE C2 ↓ IOUT GND C2=Ceramic 1.0F リップル除去率測定回路 VDD C1 VOUT RP102x シリーズ CE C2 GND ↓ IOUTa ↓ IOUTb C1=Ceramic 1.0F C2=Ceramic 1.0F 負荷過渡応答測定回路 7 RP102x NO.JA-146-160705 ■ 特性例 1) 出力電圧対出力電流特性例 (CIN1.0F, COUT1.0F, Topt25C) RP102x251x 1.4 3.0 1.2 2.5 1.0 0.8 0.6 VIN=2.2V VIN=3.6V VIN=4.2V VIN=5.0V VIN=5.5V 0.4 0.2 0 0 ജ㔚 VOUT (V) ജ㔚 VOUT (V) RP102x121x 2.0 VIN=3.5V VIN=4.2V VIN=5.0V VIN=5.5V 1.5 1.0 0.5 0 100 200 300 400 500 600 700 ജ㔚ᵹ IOUT (mA) 0 100 200 300 400 500 600 700 ജ㔚ᵹ IOUT (mA) RP102x331x 4.0 ജ㔚 VOUT (V) 3.5 3.0 2.5 VIN=4.2V VIN=5.0V VIN=5.5V 2.0 1.5 1.0 0.5 0 0 100 200 300 400 500 600 700 ജ㔚ᵹ IOUT (mA) 2) 出力電圧対入力電圧特性例 (CIN1.0F, COUT1.0F, Topt25C) RP102x251x 1.4 2.8 1.2 2.4 1.0 0.8 IOUT=1mA IOUT=30mA IOUT=50mA 0.6 0.4 0.2 2.0 1.6 IOUT=1mA IOUT=30mA IOUT=50mA 1.2 0.8 0.4 0 0 0 8 ജ㔚 VOUT (V) ജ㔚 VOUT (V) RP102x121x 1 2 3 4 ജ㔚 VIN (V) 5 0 1 2 3 4 ജ㔚 VIN (V) 5 RP102x NO.JA-146-160705 RP102x331x 3.5 ജ㔚 VOUT (V) 3.0 2.5 2.0 IOUT=1mA IOUT=30mA IOUT=50mA 1.5 1.0 0.5 0 0 1 2 3 4 ജ㔚 VIN (V) 5 3) 消費電流対入力電圧特性例 (CIN1.0F, COUT1.0F, Topt25C) RP102x251x 60 60 50 50 ᶖ⾌㔚ᵹ ISS(μA) ᶖ⾌㔚ᵹ ISS(μA) RP102x121x 40 30 20 10 40 30 20 10 0 0 0 1 2 3 4 ജ㔚 VIN(V) 5 0 1 2 3 4 ജ㔚 VIN(V) 5 RP102x331x 60 ᶖ⾌㔚ᵹ ISS(μA) 50 40 30 20 10 0 0 1 2 3 4 ജ㔚 VIN(V) 5 9 RP102x NO.JA-146-160705 4) 出力電圧対周囲温度特性例 (CIN1.0F, COUT1.0F, IOUT1mA) 1.25 1.24 1.23 1.22 1.21 1.20 1.19 1.18 1.17 1.16 1.15 -40 -25 RP102x251x VIN=2.2V ജ㔚 VOUT (V) ജ㔚 VOUT(V) RP102x121x 0 25 50 ࿐᷷ᐲ Topt(°C) 75 85 2.55 2.54 2.53 2.52 2.51 2.50 2.49 2.48 2.47 2.46 2.45 -40 -25 VIN=3.5V 0 25 50 ࿐᷷ᐲ Topt (°C) 75 85 ജ㔚 VOUT (V) RP102x331x 3.35 3.34 3.33 3.32 3.31 3.30 3.29 3.28 3.27 3.26 3.25 -40 -25 VIN=4.3V 0 25 50 ࿐᷷ᐲ Topt (°C) 75 85 5) 消費電流対周囲温度特性例(CIN1.0F, COUT1.0F, IOUT0mA) RP102x121x VIN=2.2V 55 50 45 40 -40 -25 0 25 50 ࿐᷷ᐲ Topt (°C) 75 85 VIN=3.5V 60 ᶖ⾌㔚ᵹ ISS (μA) ᶖ⾌㔚ᵹ ISS (μA) 60 10 RP102x251x 55 50 45 40 -40 -25 0 25 50 ࿐᷷ᐲ Topt (°C) 75 85 RP102x NO.JA-146-160705 RP102x331x VIN=4.3V ᶖ⾌㔚ᵹ ISS (μA) 60 55 50 45 40 -40 -25 0 25 50 ࿐᷷ᐲ Topt (°C) 75 85 6) 入出力電圧差対出力電流特性例 (CIN1.0F, COUT1.0F) RP102x121x RP102x251x 200 85°C 25°C -40°C 250 200 ജ㔚Ꮕ VDIF (mV) ജ㔚Ꮕ VDIF (mV) 300 150 100 50 0 85°C 25°C -40°C 150 100 50 0 0 50 100 150 200 250 ജ㔚ᵹ IOUT (mA) 300 0 50 100 150 200 250 ജ㔚ᵹ IOUT (mA) 300 RP102x331x ജ㔚Ꮕ VDIF (mV) 200 85°C 25°C -40°C 150 100 50 0 0 50 100 150 200 250 ജ㔚ᵹ IOUT (mA) 300 11 RP102x NO.JA-146-160705 7) 入出力電圧差対設定電圧特性例 (CIN1.0F, COUT1.0F, Topt25C) ജ㔚Ꮕ VDIF (mV) 300 10mA 30mA 100mA 150mA 300mA 250 200 150 100 50 0 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 ജ⸳ቯ㔚 VREG (V) 3.5 8) リップル除去率対入力バイアス特性例 (CINnone, COUT1.0F, Ripple0.2Vp-p, Topt25C) RP102x121x IOUT=1mA 90 80 70 60 50 40 30 1kHz 10kHz 100kHz 20 10 IOUT=30mA 90 ࠶ࡊ࡞㒰₸RR (dB) ࠶ࡊ࡞㒰₸RR (dB) RP102x121x 0 1.2 1.7 2.2 2.7 3.2 3.7 4.2 4.7 ജ㔚 VIN (V) 80 70 60 50 40 30 1kHz 10kHz 100kHz 20 10 0 1.2 1.7 2.2 2.7 3.2 3.7 4.2 4.7 ജ㔚 VIN (V) RP102x281x IOUT=1mA 80 70 60 50 40 30 1kHz 10kHz 100kHz 20 10 0 2.8 3.3 3.8 4.3 4.8 ജ㔚 VIN (V) 5.3 IOUT=30mA 90 ࠶ࡊ࡞㒰₸RR (dB) ࠶ࡊ࡞㒰₸RR (dB) 90 12 RP102x281x 80 70 60 50 40 30 1kHz 10kHz 100kHz 20 10 0 2.8 3.3 3.8 4.3 4.8 ജ㔚 VIN (V) 5.3 RP102x NO.JA-146-160705 9) リップル除去率対周波数特性例 (CIN1.0F, COUT1.0F, Ripple0.2Vp-p) RP102x121x VIN=2.2V 100 80 60 40 20 0 0.1 IOUT=1mA IOUT=30mA IOUT=150mA 1 10 100 ᵄᢙ f (kHz) VIN=3.5V 120 ࠶ࡊ࡞㒰₸ RR (dB) 120 ࠶ࡊ࡞㒰₸ RR (dB) RP102x251x 100 80 60 40 20 0 0.1 1000 IOUT=1mA IOUT=30mA IOUT=150mA 1 10 100 ᵄᢙ f (kHz) 1000 RP102x331x VIN=4.3V ࠶ࡊ࡞㒰₸ RR (dB) 120 100 80 60 40 20 0 0.1 IOUT=1mA IOUT=30mA IOUT=150mA 1 10 100 ᵄᢙ f (kHz) 1000 RP102x121x VIN=2.2V IOUT=30mA 100 80 60 40 20 0 0.1 TOUT=-40°C TOUT=25°C TOUT=85°C 1 10 100 ᵄᢙ f (kHz) 1000 VIN=3.5V IOUT=30mA 120 ࠶ࡊ࡞㒰₸ RR (dB) 120 ࠶ࡊ࡞㒰₸ RR (dB) RP102x251x 100 80 60 40 20 0 0.1 TOUT=-40°C TOUT=25°C TOUT=85°C 1 10 100 ᵄᢙ f (kHz) 1000 13 RP102x NO.JA-146-160705 RP102x331x VIN=4.3V IOUT=30mA ࠶ࡊ࡞㒰₸ RR (dB) 120 100 80 60 40 TOUT=-40°C TOUT=25°C TOUT=85°C 20 0 0.1 1 10 100 ᵄᢙ f (kHz) 1000 10) 入力過渡応答特性例 (CINnone, COUT1.0F, IOUT30mA, trtf5s, Topt25C) RP102x121x RP102x251x 4 5 ജ㔚 1.195 1.190 0 20 40 60 ᤨ㑆 t (μs) 14 5 ജ㔚 4 3.300 ജ㔚 0 20 40 60 ᤨ㑆 t (μs) 80 100 ജ㔚 VIN (V) ജ㔚 VOUT (V) 6 3.290 2.500 2.490 100 RP102x331x 3.295 3 ജ㔚 2.495 80 4 ജ㔚 0 20 40 60 ᤨ㑆 t (μs) 80 100 ജ㔚 VIN (V) 1.200 ജ㔚 VOUT (V) 2 ജ㔚 VIN (V) ജ㔚 VOUT (V) 3 ജ㔚 RP102x NO.JA-146-160705 11) 負荷過渡応答特性例 (CIN1.0F, COUT1.0F, Topt25C) RP102x251x 150 100 50 50 0 100mA 1.20 1.19 ജ㔚 0 20 ജ㔚ᵹ 50mA 40 60 ᤨ㑆 t (μs) 80 2.49 2.47 100 0 100mA 2.50 ജ㔚 2.48 1.18 1.17 150 100 ജ㔚 VOUT (V) ജ㔚ᵹ 50mA VIN=3.5V tr=tf=0.5μs ജ㔚ᵹ IOUT (mA) ജ㔚 VOUT (V) VIN=2.2V tr=tf=0.5μs 0 20 40 60 ᤨ㑆 t (μs) 80 ജ㔚ᵹ IOUT (mA) RP102x121x 100 RP102x331x VIN=3.5V tr=tf=0.5μs 150 ജ㔚ᵹ 50mA 50 100mA 0 3.30 3.29 ജ㔚 3.28 ജ㔚ᵹ IOUT (mA) ജ㔚 VOUT (V) 100 3.27 20 40 60 ᤨ㑆 t (μs) 80 100 RP102x121x RP102x251x 150mA 300 150 0 1.20 ജ㔚 1.15 ജ㔚ᵹ 1mA ജ㔚 VOUT (V) ജ㔚 VOUT (V) ജ㔚ᵹ 1mA VIN=3.5V tr=tf=0.5μs ജ㔚ᵹ IOUT (mA) VIN=2.2V tr=tf=0.5μs 300 150 0 2.50 ജ㔚 2.45 1.10 150mA ജ㔚ᵹ IOUT (mA) 0 2.40 0 20 40 60 ᤨ㑆 t (μs) 80 100 0 20 40 60 ᤨ㑆 t (μs) 80 100 15 RP102x NO.JA-146-160705 RP102x331x ജ㔚 VOUT (V) ജ㔚ᵹ 1mA 150mA 300 150 0 3.30 ജ㔚 3.25 ജ㔚ᵹ IOUT (mA) VIN=4.3V tr=tf=0.5μs 3.20 3.15 0 20 40 60 ᤨ㑆 t (μs) 80 100 12) CE による立ち上がり時間特性例 (CIN1.0F, COUT1.0F, Topt25C) RP102x121x RP102x121x IOUT=30mA 3 1 0 1.5 1.0 ജ㔚 0.5 1 0 1.5 1.0 ജ㔚 0 0 20 40 60 ᤨ㑆 t (μs) 80 100 0 RP102x121x IOUT=150mA 3 CEജ㔚 1 0 1.5 1.0 ജ㔚 0.5 0 0 20 40 60 ᤨ㑆 t (μs) 80 100 CEജ㔚 VCE (V) 2 ജ㔚 VOUT (V) CEജ㔚 0.5 0 16 ജ㔚 VOUT (V) CEജ㔚 2 CEജ㔚 VCE (V) ജ㔚 VOUT (V) 2 3 20 40 60 ᤨ㑆 t (μs) 80 100 CEജ㔚 VCE (V) IOUT=0mA RP102x NO.JA-146-160705 RP102x251x RP102x251x IOUT=30mA 6 0 3 2 ജ㔚 ജ㔚 VOUT (V) 2 CEജ㔚 4 CEജ㔚 VCE (V) ജ㔚 VOUT (V) 4 6 1 2 CEജ㔚 0 3 2 ജ㔚 CEജ㔚 VCE (V) IOUT=0mA 1 0 0 0 20 40 60 ᤨ㑆 t (μs) 80 100 0 20 40 60 ᤨ㑆 t (μs) 80 100 RP102x251x IOUT=150mA 6 2 CEജ㔚 0 3 2 ജ㔚 CEജ㔚 VCE (V) ജ㔚 VOUT (V) 4 1 0 20 40 60 ᤨ㑆 t (μs) 80 100 RP102x331x RP102x331x IOUT=0mA IOUT=30mA 6 0 4.5 3.0 ജ㔚 1.5 ജ㔚 VOUT (V) 2 CEജ㔚 4 CEജ㔚 VCE (V) ജ㔚 VOUT (V) 4 2 CEജ㔚 0 4.5 3.0 ജ㔚 1.5 0 6 CEജ㔚 VCE (V) 0 0 0 20 40 60 ᤨ㑆 t (μs) 80 100 0 20 40 60 ᤨ㑆 t (μs) 80 100 17 RP102x NO.JA-146-160705 RP102x331x IOUT=150mA 6 2 CEജ㔚 0 4.5 3.0 ജ㔚 1.5 CEജ㔚 VCE (V) ജ㔚 VOUT (V) 4 0 0 20 40 60 ᤨ㑆 t (μs) 80 100 13) CE による立下り時間特性例 (D バージョン) (CIN1.0F, COUT1.0F, Topt25C) RP102x121D RP102x121D IOUT=30mA 3 0 1.5 1.0 ജ㔚 0.5 1 0 1.5 1.0 ജ㔚 0 0 100 200 300 ᤨ㑆 t (μs) 400 0 500 RP102x121D IOUT=300mA 3 CEജ㔚 1 0 1.5 1.0 ജ㔚 0.5 0 0 20 40 60 ᤨ㑆 t (μs) 80 100 CEജ㔚 VCE (V) 2 ജ㔚 VOUT (V) CEജ㔚 0.5 0 18 ജ㔚 VOUT (V) 1 2 CEജ㔚 VCE (V) ജ㔚 VOUT (V) 2 CEജ㔚 3 50 100 ᤨ㑆 t (μs) 150 200 CEജ㔚 VCE (V) IOUT=0mA RP102x NO.JA-146-160705 RP102x251x 1.5 0 2.5 1.5 0.5 3.5 2.5 ജ㔚 VOUT (V) ജ㔚 VOUT (V) 2.5 CEജ㔚 IOUT=30mA 3.5 CEജ㔚 VCE (V) IOUT=0mA CEജ㔚 0 2.5 1.5 ജ㔚 0.5 ജ㔚 0 1.5 CEജ㔚 VCE (V) RP102x251x 0 0 100 200 300 ᤨ㑆 t (μs) 400 0 500 100 200 300 ᤨ㑆 t (μs) 400 500 RP102x251x IOUT=300mA 3.5 CEജ㔚 1.5 0 2.5 1.5 ജ㔚 0.5 CEജ㔚 VCE (V) ജ㔚 VOUT (V) 2.5 0 100 200 300 ᤨ㑆 t (μs) 400 500 RP102x331x RP102x331x IOUT=0mA IOUT=30mA 4.5 3.5 1.5 0 3.5 2.5 1.5 ജ㔚 0.5 ജ㔚 VOUT (V) 2.5 CEജ㔚 VCE (V) ജ㔚 VOUT (V) 3.5 CEജ㔚 4.5 2.5 CEജ㔚 1.5 0 3.5 2.5 1.5 ജ㔚 CEജ㔚 VCE (V) 0 0.5 0 0 0 100 200 300 ᤨ㑆 t (μs) 400 500 0 100 200 300 ᤨ㑆 t (μs) 400 500 19 RP102x NO.JA-146-160705 RP102x331x IOUT=300mA 4.5 2.5 CEജ㔚 1.5 0 3.5 2.5 1.5 ജ㔚 0.5 0 0 20 100 200 300 ᤨ㑆 t (μs) 400 500 CEജ㔚 VCE (V) ജ㔚 VOUT (V) 3.5 RP102x NO.JA-146-160705 ■ 直列等価抵抗対出力電流特性例 本ICの出力コンデンサはセラミックタイプを推奨しますが、他の低ESRタイプのコンデンサも使用可能です。参 考までにノイズレベルが40V(平均値)以下になる出力電流IOUTと直列等価抵抗ESRの関係を以下に示します。 測定条件 ・ノイズ周波数帯域 :10Hz~2MHz ・周囲温度 :-40C~85C ・網掛け部分 :ノイズレベルが40V(平均値)以下 RP102x121x VIN=2.2V to 5.5V CIN=COUT=1.0μF Topt=85°C 10 Topt=-40°C 1 0.10 0.01 VIN=3.5V to 5.5V CIN=COUT=1.0μF 100 ⋥╬ଔᛶ᛫ESR (Ω) 100 ⋥╬ଔᛶ᛫ESR (Ω) RP102x251x Topt=85°C 10 Topt=-40°C 1 0.10 0.01 0 50 100 150 200 250 ജ㔚ᵹ IOUT (mA) 300 0 50 100 150 200 250 ജ㔚ᵹ IOUT (mA) 300 RP102x331x VIN=4.3V to 5.5V CIN=COUT=1.0μF ⋥╬ଔᛶ᛫ESR (Ω) 100 Topt=85°C 10 Topt=-40°C 1 0.10 0.01 0 50 100 150 200 250 ജ㔚ᵹ IOUT (mA) 300 21 RP102x NO.JA-146-160705 ■ パッケージ情報 ● 許容損失 (WLCSP-4-P2) WLCSP-4-P2パッケージの許容損失について特性例を示します。 なお、許容損失は実装条件に左右されますので、本特性例は下記測定条件での参考データとなります。 測定条件 標準実装条件 測定状態 基板実装状態 (風速 0m/s) 基板材質 ガラスエポキシ樹脂 (両面基板) 基板サイズ 40mm×40mm×1.6mm 配線率 表面 約 50%、裏面 約 50% スルーホール φ0.5mm 個 測定結果 (Ta=25 C ) 標準実装条件 530mW (Tjmax =125C) 662mW (Tjmax =150C) ja = (125-25C) / 0.53W = 189C / W 許容損失 熱抵抗値 40 800 600 530 400 40 許容損失 PD (mW) 662 200 0 0 25 50 75 85 100 125 150 周囲温度 (°C) 許容損失特性 測定用基板レイアウト IC 実装位置(単位:mm) Tjmax=125C と Tjmax=150C の許容損失特性を上記グラフに示します。グラフの斜線部分での使用は、製品 寿命に影響を及ぼす恐れがあります。ご使用は下表記載の時間までに抑えていただきますようにお願いします。 使用時間 13,000 時間 22 概算年数 (4 時間/日 使用した場 合) 9 年間 RP102x NO.JA-146-160705 ● パッケージ外形図 (WLCSP-4-P2) 0.79 A B 0.50 X4 2 0.50 0.79 0.05 1 INDEX B A 0.160.03 0.10 S 0.05 M S AB Bottom View 0.400.02 0.06 S S 0.080.03 Unit: mm ● マーキング仕様 (WLCSP-4-P2) ① ②:弊社ロットNo. ① ② 23 RP102x NO.JA-146-160705 ● 許容損失 (DFN(PLP)1820-6) DFN(PLP)1820-6パッケージの許容損失について特性例を示します。 なお、許容損失は実装条件に左右されますので、本特性例は下記測定条件での参考データとなります。 測定条件 標準実装条件 測定状態 基板実装状態 (風速 0m/s) 基板材質 ガラスエポキシ樹脂 (両面基板) 基板サイズ 40mm×40mm×1.6mm 配線率 表面 約 50%、裏面 約 50% スルーホール 直径 0.54mm×30 個 測定結果 (Ta = 25C) 標準実装条件 880mW (Tjmax=125C) 1100mW (Tjmax=150C) ja = (125-25C) / 0.88W = 114C / W 許容損失 熱抵抗値 1200 40 1100 800 880 600 40 許容損失 PD (mW) 1000 400 200 0 0 25 50 75 85 100 125 150 周囲温度 Topt (°C) 測定用基板レイアウト 許容損失特性 IC 実装位置(単位:mm) Tjmax=125CとTjmax=150Cの許容損失特性を上記グラフに示します。グラフの斜線部分での使用は、製品 寿命に影響を及ぼす恐れがあります。ご使用は下表記載の時間までに抑えていただきますようにお願いします。 使用時間 13,000 時間 24 概算年数 (4 時間/日 使用した場 合) 9 年間 RP102x NO.JA-146-160705 ● パッケージ外形図 (DFN(PLP)1820-6) 1.60.1 A 1.80 0.200.1 B 5 4 6 0.250.1 0.250.1 X4 0.05 1.00.1 ※ 2.00 0.05 M AB INDEX 3 S 0.05min 0.6MAX. 0.5 0.05 S 2 1 0.1NOM. 0.30.1 Bottom View (Unit : mm) ※)パッケージ裏面のタブの電位は基板電位 (GND)です。GND 端子と接続する(推奨) か、オープンとしてください。 ● マーキング仕様 (DFN(PLP)1820-6) ①②③④:製品名(略号)・・・ ⑤⑥ 別紙マーク一覧表参照 :当社ロット№ ・・・ (英数字によるシリアル№) 6 5 4 1 2 3 25 RP102x NO.JA-146-160705 RP102K シリーズ マーク略号一覧表 PKG: DFN(PLP)1820-6 RP102Kxx1B 製品名 26 RP102Kxx1D ①②③④ 設定電圧 RP102K121B AC01 1.2V RP102K131B AC02 RP102K151B 製品名 ①②③④ 設定電圧 RP102K121D AD01 1.2V 1.3V RP102K131D AD02 1.3V AC03 1.5V RP102K151D AD03 1.5V RP102K181B AC04 1.8V RP102K181D AD04 1.8V RP102K251B AC05 2.5V RP102K251D AD05 2.5V RP102K261B AC06 2.6V RP102K261D AD06 2.6V RP102K281B AC07 2.8V RP102K281D AD07 2.8V RP102K281B5 AC08 2.85V RP102K281D5 AD08 2.85V RP102K291B AC09 2.9V RP102K291D AD09 2.9V RP102K301B AC10 3.0V RP102K301D AD10 3.0V RP102K331B AC11 3.3V RP102K331D AD11 3.3V RP102K181B5 AC12 1.85V RP102K181D5 AD12 1.85V RP102K271B AC13 2.7V RP102K271D AD13 2.7V RP102K121B5 AC14 1.25V RP102K121D5 AD14 1.25V RP102K311B AC15 3.1V RP102K311D AD15 3.1V RP102K171B5 AC16 1.75V RP102K171D5 AD16 1.75V RP102K211B AC17 2.1V RP102K211D AD17 2.1V RP102K141B AC18 1.4V RP102K141D AD18 1.4V RP102K321B AC19 3.2V RP102K321D AD19 3.2V RP102K171B AC20 1.7V RP102K171D AD20 1.7V RP102K201B AC21 2.0V RP102K211D AD21 2.0V RP102K291B5 AC22 2.95V RP102K291D5 AD22 2.95V RP102K321B5 AC23 3.25V RP102K321D5 AD23 3.25V RP102K161B AC24 1.6V RP102K161D AD24 1.6V RP102K191B AC25 1.9V RP102K191D AD25 1.9V RP102K221B AC26 2.2V RP102K221D AD26 2.2V RP102K231B AC27 2.3V RP102K231D AD27 2.3V RP102K241B AC28 2.4V RP102K241D AD28 2.4V RP102x NO.JA-146-160705 ● 許容損失 (SOT-23-5) SOT-23-5 パッケージの許容損失について特性例を示します。(SOT-23-6 パッケージのデータを代用) なお、許容損失は実装条件に左右されますので、本特性例は下記測定条件での参考データとなります。 測定条件 標準実装基板 測定状態 基板実装状態 (風速 0m/s) 基板材質 ガラスエポキシ樹脂 (両面基板) 基板サイズ 40mm x 40mm x 1.6mm 配線率 表面 約 50%、裏面 約 50% スルーホール 直径 0.5mm x 44 個 測定結果 (Ta=25C) 標準実装条件 単体宙吊り 許容損失 420mW (Tjmax=125C) 525mW (Tjmax=150C) 250mW(Tjmax=125C) 熱抵抗値 ja=(125-25C)/0.42W=238C /W 400C/W 40 600 標準実装条件 525 400 420 300 単体宙吊り 40 許容損失 PD (mW) 500 250 200 100 0 0 25 50 75 85 100 125 150 測定用基板レイアウト 周囲温度(C) 許容損失特性 IC 実装位置(単位:mm) ※Tjmax=125CとTjmax=150Cの許容損失特性を上記グラフに示します。グラフの斜線部分での使用は、製品 寿命に影響を及ぼす恐れがあります。ご使用は下表記載の時間までに抑えていただきますようにお願いします。 使用時間 2,300時間 概算年数 (4時間/日 使用した場合) 1.5年間 27 RP102x NO.JA-146-160705 ● パッケージ外形図 (SOT-23-5) 2.9±0.2 1.1±0.1 1.9±0.2 (0.95) 0.8±0.1 (0.95) 4 1 2 0~0.1 0.2min. 2.8±0.3 +0.2 1.6-0.1 5 3 +0.1 0.15-0.05 0.4±0.1 Unit : mm ● マーキング仕様 (SOT-23-5) ①②③ :製品名(略号)・・・ ④⑤ 別紙マーク略号一覧表参照 :当社ロット№ ・・・(英数字によるシリアル№) 5 4 1 28 2 3 RP102x NO.JA-146-160705 RP102N シリーズ マーク略号一覧表 PKG: SOT-23-5 RP102Nxx1B RP102Nxx1D RP102N121B ①② ③ 60A 1.2V RP102N121D ①② ③ 61A RP102N131B 60B 1.3V RP102N131D 61B 1.3V RP102N151B 60C 1.5V RP102N151D 61C 1.5V RP102N181B 60D 1.8V RP102N181D 61D 1.8V RP102N251B 60E 2.5V RP102N251D 61E 2.5V RP102N261B 60F 2.6V RP102N261D 61F 2.6V RP102N281B 60G 2.8V RP102N281D 61G 2.8V RP102N281B5 60H 2.85V RP102N281D5 61H 2.85V RP102N291B 60J 2.9V RP102N291D 61J 2.9V RP102N301B 60K 3.0V RP102N301D 61K 3.0V RP102N331B 60L 3.3V RP102N331D 61L 3.3V RP102N181B5 60M 1.85V RP102N181D5 61M 1.85V RP102N271B 60N 2.7V RP102N271D 61N 2.7V RP102N121B5 60P 1.25V RP102N121D5 61P 1.25V RP102N311B 60Q 3.1V RP102N311D 61Q 3.1V RP102N171B5 60R 1.75V RP102N171D5 61R 1.75V RP102N211B 60S 2.1V RP102N211D 61S 2.1V RP102N141B 60T 1.4V RP102N141D 61T 1.4V RP102N321B 60U 3.2V RP102N321D 61U 3.2V RP102N171B 60V 1.7V RP102N171D 61V 1.7V RP102N201B 60W 2.0V RP102N201D 61W 2.0V RP102N291B5 60X 2.95V RP102N291D5 61X 2.95V RP102N321B5 60Y 3.25V RP102N321D5 61Y 3.25V RP102N161B 60Z 1.6V RP102N161D 61Z 1.6V RP102N191B 62A 1.9V RP102N191D 63A 1.9V RP102N221B 62B 2.2V RP102N221D 63B 2.2V RP102N231B 62C 2.3V RP102N231D 63C 2.3V RP102N241B 62D 2.4V RP102N241D 63D 2.4V 製品名 設定電圧 製品名 設定電圧 1.2V 29 本ドキュメント掲載の技術情報及び半導体のご使用につきましては以下の点にご注意ください。 1. 本ドキュメントに記載しております製品及び製品仕様は、改良などのため、予告なく変更することがありま す。又、製造を中止する場合もありますので、 ご採用にあたりましては当社又は販売店に最新の情報をお 問合せください。 2. 文書による当社の承諾なしで、本ドキュメントの一部、又は全部をいかなる形でも転載又は複製されること は、堅くお断り申し上げます。 3. 本ドキュメントに記載しております製品及び技術情報のうち、 「外国為替及び外国貿易管理法」に該当す るものを輸出される場合、又は国外に持ち出される場合は、同法に基づき日本国政府の輸出許可が必要 です。 4. 本ドキュメントに記載しております製品及び技術情報は、製品を理解していただくためのものであり、 その使 用に関して当社及び第三者の知的財産権その他の権利に対する保証、又は実施権の許諾を意味する ものではありません。 5. 本ドキュメントに記載しております製品は、標準用途として一般的電子機器 (事務機、通信機器、計測機 器、家電製品、 ゲーム機など) に使用されることを意図して設計されております。故障や誤動作が人命を脅 かしたり、人体に危害を及ぼす恐れのある特別な品質、信頼性が要求される装置 (航空宇宙機器、原子力 制御システム、交通機器、輸送機器、燃焼機器、各種安全装置、生命維持装置等) に使用される際には、 必ず事前に当社にご相談ください。 6. 当社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品はある確率で故障が発生します。故障の結 果として人身事故、火災事故、社会的な損害等を生じさせない冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設 計等安全設計に十分ご留意ください。誤った使用又は不適切な使用に起因するいかなる損害等につい ても、当社は責任を負いかねますのでご了承ください。 7. 本ドキュメントに記載しております製品は、耐放射線設計はなされておりません。 8. X線照射により製品の機能・特性に影響を及ぼす場合があるため、評価段階で機能・特性を確認の上で ご使用ください。 9. WLCSPパッケージの製品は、遮光状態でご使用ください。光照射環境下(動作、保管中含む) では、機 能・特性に影響を及ぼす場合があるためご注意ください。 10. パッケージ捺印は、画像認識装置の仕様によって文字認識に差が生じることがあります。画像認識装置 にて文字認識をする場合は、事前に弊社販売店または弊社営業担当者までお問い合わせください。 11. 本ドキュメント記載製品に関する詳細についてのお問合せ、 その他お気付きの点がございましたら当社又 は販売店までご照会ください。 弊社は地球環境保全の観点から環境負荷物質の低減に取り組んでいます。 Halogen Free 2006年4月1日以降、弊社はRoHS指令に適合した製品を提供しています。 また、2012年4月1日以降は、 ハロゲンフリー製品を提供しています。 ●お問い合わせ・ご用命は・・ ・ 弊社デバイスに関する詳しい内容をお知りになりたい方は下記へアクセスしてください。 http://www.e-devices.ricoh.co.jp/ 本ドキュメント掲載製品に関するお問い合せは下記宛てまでお願いします。 ●東日本地区 〒 140-8655 東京都品川区東品川3-32-3 03(5479)2854(直) FAX 03(5479)0502 ●西日本地区 〒 563-8501 大阪府池田市姫室町13-1 072(748)6262(直) FAX 072(753)2120