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CLM+ 完全ウエハー DualBeam
製品データ CLM+™ 完全ウエハー DualBeam™ 半導体製造サポート研究所向け自動TEM試料準備 と3D計測 「時は金なり」高度な半導体製造におけるほど、 これがあてはまる場所は他にあり ません。工程を加速するあらゆもの - そして生産量を維持または改善するあらゆ るもの - が価値を与えます。CLM+™ はこの両方の価値を提供するものです。工程 制御と欠陥分析用装置の高解像度画像に対するニーズは今日ますます高まってお り、TEMイメージングの必要性を促進しています。ex-situリフト・アウトおよびイメー ジング用の重要なTEM 層板を生産するために、FEI の CLM+ は独自に調整されてい ます。Sidewinder イオン カラムによって、高スループットの層板作成が可能となりま す。一方その低電圧性能によって、清潔で、損傷とは無縁のミリング表面が保証さ れ、正確なTEM イメージングとEDS 分析が可能になります。卓越した切り出し配置 によって、 ターゲットとする特徴の正確な捕捉が保証されます。直接的な３次元構 造測定によって最も高度な工程のパフォーマンスさえモニタリングするCLMの能力 によって、初期開発の段階から大量生産段階まで、工程ライフサイクルのすべての 段階でメーカーは生産量を改善できます。従来の技術で必要とされた時間よりも はるかに短い所要時間の、複数の場所でのウエハー全体に対する完全な自動分析 主な利点 • ex-situ TEM分析のための迅速で、正確な層 板調整 • 製造工程の認証と特性化のための、迅速で正 確な横断分析 • 数分以内の回答で速やかな意思決定をサポ ート。 • 高スループットにより、高まる統計の重要性と より自信に満ちた決定のための、デンサー サ ンプリングを可能にします。 • 市場投入や大量生産までの時間を短縮し、 生産量の急な落ち込みから速やかに回復し ます。 • エッチング、薄膜フィルム、銅工程の開発、仕 様作成および認証を高速化します。 を通じて、CLM+はこの情報を提供します。 これによって生産プロセスが加速し、 メー カーは利鞘の大きな製品を最初に市場投入でき、単位当たりの費用を削減しなが ら大量生産し、費用のかさむ生産量の偏位から速やかに回復することができます。 迅速なTEM層板調整 今日の複雑化する半導体製造工程は、CD制御、欠損分析、工程モニタリングなどの TEM分析をますます必要としています。CLM-3D はex-situ 引き出しやTEMイメージン グのために、 自動的に70nmもの薄さの層板を製造する能力をもちます。 このシステ ムは、調査ツールから、 ウエハー マップや問題のある箇所の情報(KLARF)を受け取 ります。不良探索用に、 自動または半自動プロセスが採用されています。半自動化 では、人による現場検証が可能です。検証後、現場には印がつけられ、FEIの専門ア プリケーション チームによって開発された自動手順を使って、層板が自動的に製造 されます。 製品データ CLM+™ 自動 DualBeam™ 計測学 FIB 横断ミリングをもちいたCLM-3Dの明瞭な SEM イメージングによって、表面下構 造の迅速で正確な計測がもたらされます。IC3D ソフトウェアによって、 ウエハー ロ ーディングからデータ返却まで、完全な測定プロセスを管理する、完全に自動のオ ペレーションが可能になります。一般的な作業の流れにおいて、 システムはウエハ ーを自動的に配膳し、指定された測定場所へ移動させて、マシン・ビジョンによって 配置を調整します。 その後測定プロセスにおいて保護用金属層が取り付けられ、横断面がミリングさ れて、高倍率で画像が取得されます。それからシステムは、完全な高解像度画像を 使用して自動的に重要な側面を測定します。試料の一部から重要なフィードバック をすばやく提供することによって、CLM+はリアルタイムの工程特性化や、有意な試 料セットを使用した検証を行います。 Sidewinder™ イオン カラム Sidewinder™ イオン カラムは、 さまざまな種類の作業電圧やビーム電流で、卓越し たパフォーマンスを提供します。電圧が高くなれば、 ミリング速度用ビーム電流と ミリング精度用ビーム径の間で最適なトレードオフを実現し、価値のある不良ま S/TEMにおけるその後の検査のため に、CLM+は70nmもの薄さのサイト固 有の層板を自動的に準備できます。 たはプロセス関連情報が、断面作成作業中に破壊されないようにします。低電圧 で小さなビーム径を維持するその能力により、 ミリングされた表面の最終的な低 エネルギー斜入射クリーンナップが表面の損傷を除去することができます。完全 な種類のビーム化学反応オプションが、加速ミリング、選択ミリング、蒸着、イオン と電子ビーム両方によるイメージング強化をサポートしています。 仕様 電子源 • ショットキー熱電界放出電子銃（製品寿命は１年以上） イオン源 • ガリウム液体金属(1000時間) SEM 解像度 • 最適 WD – 2.2 nm @ 2 kV – 3.8 nm @ 1 kV SEM 加速 • 500 V ∼ 2000 V FIB 解像度 • 最適 WD – 7.0 nm @ 30 kV, 二次電子画像 試料台 • 4 軸モーター (X, Y, Z, R) 300 mm 圧電駆動 XY モーション ユーザー インターフェイス • SEM, FIBおよびGISの統合制御が可能なWindows GUI。同時パタ ーン化およびイメージング モード オプション • ハードウェア – 電子およびイオン カラムによるビーム化学反応、調整可能 な蒸着およびエッチ化学反応 • ソフトウェア – IWatch™ – IC3D™ オフライン ワークステーション – 不良ナビゲーション – RAPID™ 最大試料サイズ • 300 mm ウエハー フルトラベル FEI.com で詳細を学んで FEI.com で詳細を学んでください ください。 各国本部 電話：+1.503.726.7500 FEI ヨーロッパ 電話: +31.40.23.56000 FEI 日本 電話: +81.3.3740.0970 FEI アジア 電話: +65.6272.0050 FEI オーストラリア 電話: +61.7.3512.9100 DS0068-JP 09-2009 TÜV認証は、電子工学、生命科学、研究と天然資源市場におけ る収束イオンと電子光線顕微鏡のデザイン、製造、導入とサポ ートのためのものです。 © 2010.当社は常時製品の改善を行っているため、すべての仕様は事前の通知なく変更される場合があります。CLM+, DualBeam, Sidewinder, IC3D, RAPID, IWatch, および FEI社のロゴは FEI 社の商標です。FEI はFEI 社の登録商標です。その他すべての商標は、それぞれ 各所有者に所属します。