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4200-SCS型
4200-SCS型 半導体特性評価システム 複雑な特性評価を簡単に a g r e at e r m e a s u r e o f c o n f i d e n c e 1 材料／デバイスの研究 ・ デバイス／プロセスの開発 半導体デバイス特性評価の 総合ソリューション 4200-SCS型 ■ 材料／デバイスの研究 ■ デバイス／プロセスの開発 ■ デバイスのモデリング ■ 信頼性／寿命試験 ■ 不良解析 CMOS半導体技術など 2 ■ ハイパワーMOSFET、BJT、III-V族デバイスの特性評価 ■ ナノテクノロジ／MEMSの研究 ■ 最新の不揮発性メモリのテスト ■ 有機エレクトロニクスの特性評価 ■ 太陽電池／光起電デバイスの特性評価 デバイスのモデリング ・ 信頼性／寿命試験 ・ 不良解析 DCのI-V、C-V、パルス、超速I-Vテストを 1つの環境で実行 デバイス、材料、プロセスの特性評価で 必要なすべてを装備 使い慣れたMicrosoft Windows®インタフェース ワンボックス・ソリューション － トレーニング不要 ワンクリックによる簡単なテスト・シーケンス 複雑なプログラムは不要 拡張性のあるソリューション テスト・ニーズの変化に合わせて 新機能をプラグイン可能 ロー・ノイズ、ワイド・ダイナミック・レンジ、高分解能 もっと詳細に、迅速に コスト効率の良いハードウェア／ソフトウェアの アップグレードが可能 モジュラ構造により設備投資を守る 4200-SCS型の詳細については、当社ウェブ・サイト（www.keithley.jp）からデータ・ブックをダウンロードしてご覧ください。 3 優れた 統合ソリューション 業界標準であるWindowsベースのGUIにより、 セットアップ／統合のための時間を短縮 オールインワン 統合された工業用コントローラと追加可能な RAM増設により、高いスループットが可能になり、 システムの堅牢性、安定性、機密性も万全 大容量の内蔵ハードディスクを使用して システムにテスト設定、テスト結果を保存 CD-RWドライブを 統合しており、大容量 でのバックアップ、 データ転送が可能 内蔵のUSBインタ フェースにより、 さまざまなPCアクセサリ と高速な通信が可能 テスト・ニーズに対応した特性評価環境 柔軟性に優れたテスト環境とモジュラ構造により、1台でさまざまな材料、デバイス、プロセスの特性評価が可能 ■ 不慣れなユーザであっても、プログラムの介助なしにローコスト、早期なROI（投資収益）でただちにテストを実行可能 ■ 柔軟性に優れたユーザ・インタフェースにより、マウス・クリックですばやくパラメータ、デバイスを変更可能 ■ DC I-Vテストのように設定、実行が容易なC-Vテスト。豊富なサンプル・プログラム、テスト・ライブラリ、 特性パラメータ解析サンプルを付属し、高電圧のC-V、超低周波数C-V、差動DCバイアス、準静的C-V測定をサポート ■ 広いダイナミック・レンジで超速I-V測定が行えるため、デバイスの自己発熱、チャージトラップによる影響を抑え、 不揮発性メモリ（NVM）のトランジェント属性を研究したり、NBTI（Negative Bias Temperature Instability）などの デバイス信頼性テストでの性能劣化を防ぐことが可能 ■ 高速パルスを印加することで、信頼性サイクルでAC信号を使用したデバイスのストレス・テスト、 またはマルチレベル波形モードでメモリ・デバイスのプログラム／消去が可能 ■ テスト設定、データをエクスポートし、.xls、区切りテキスト、.bmp、.jpg、または.tifフォーマットでプロット可能 ■ さまざまなアプリケーションのための450種類以上のサンプル・テスト、プロジェクトを装備しており、 テストの立上げが簡素化可能 ■ C-V測定の詳細については、当社ウェブ・サイト（www.keithley.jp）からアプリケーション・ノート 「4200半導体パラメータ・アナライザを用いた光起電材料や太陽電池の電気的特性評価 (#3026)」 をダウンロードしてご覧ください。 4 4210-CVU型はシャーシに直接プラグインするために設計された統合機器 であるため、SMUのようにシステムのポイント＆クリックでの制御が可能 RS-232ポート USBポート リモート・センシング機能付ロー・ノイズ・グランド・ユニット 最大9台のSMU、オプションの サブフェムトアンペアのリモート・ プリアンプとの組み合わせが 可能。ハイパワーのSMUを接続 してもSMUの数を制限しない 10/100BASE-Tネットワーク・インタフェースを 標準装備、ネットワーク・ファイル、プリンタに 容易に接続可能 ドレイン電流対ドレイン電圧 （1E−6のパルス幅） GPIBインタフェースで外部機器や4200-SCS型が制御可能 40.0E–3 Drain Current (I) 30.0E–3 20.0E–3 10.0E–3 0.0E+0 0.0E+0 1.0E+0 2.0E+0 3.0E+0 4.0E+0 5.0E+0 Drain Voltage (V) オプションの4225-R P M型リモート・アンプ／スイッチは 最大6つのデュアルチャンネル・パルス・ジェネレータが追加で き、複数チャンネルによるパラレルA Cストレスを使用すること で、I-Vパルス・テストからストレス／測定信頼性テストなど、さ まざまなパルス・アプリケーションで利用できます。 4225-PMU型の超速I-Vテスト機能を拡張し、電流感度を数十 pAまで上げることができます。また、ケーブルによる容量の影 響を抑え、4225-PMU型、4210-CVU型、およびシャーシに インストールした他のSMUモジュール間の自動スイッチングが サポートされるため、ケーブルのつなぎ直しの必要なしに、測定 に最適な機器が選択できます。当社特許の高性能マルチ測定パ フォーマンス・ケーブル・キットを使用すると、4200-SCS型 に容易に接続でき、DC I-V、C-V、超速I-Vテストの切り替えが シンプルになり、ケーブルのつなぎ替えが不要になります。 2チャンネル・モデルの4220-PGU型パルス・ジェネレータは 4225-PMU型に電圧ソースのみを供給し、まったく同じパルスを 出力できます 5 超速I-VとC-V測定 DC同様の簡単設定 4225-PMU型超速I-Vモジュールは2チャンネルの ソース／測定機能を統合しており、デバイスの自己 発熱、不揮発性メモリのパルス・ソース、トランジェン ト解析、NBTIなどの超高速信頼性テストなど、さま ざまな測定に対応します。それぞれのチャンネルは、 高速の電圧ソースと、最高200MS/sのサンプル・ レート、60nsからDCまでのパルス幅の電流／電圧 の同時測定を組み合せます。複数台のモジュールが インストールされると、内部で3ns未満の同期がと れます。超低電流パルスが必要な場合は、4225PMU型に4225-RPM型リモート・アンプ／スイッ チを拡張することで任意のチャンネルの電流測定 レンジを3種類追加できます。また、システム・シャー シ に イ ン ス ト ー ル さ れ た 精 密DC SMU、4210CVU型、または超速I-Vモジュールを自動的にスイッ チングすることができます。 サンプル Sequence A 電圧 Voltage V2 1 2 3 4 V3 5 V4 V1 時間 測定ウィンドウ Time Sequence A Definition Segment Start V Stop V Duration 1 V1 V2 T1 2 V2 V2 T2 3 V2 V3 T3 4 V3 V3 T4 5 V3 V4 T5 パルスI-V トランジェントI-V Pulsed Sourcing DC特性曲線のようなパルス／測定 トレイン、スイープ、ステップ・モード 汎用デバイスの特性評価 時間ベースの電流、電圧測定 波形取込み ダイナミック・デバイス・テスト Multi-level pulsing Arbitrary waveform generator AC stress testing with measure 4220-PGU型デュアルチャンネル・パルス・ジェネレータを使用すると、最 大40V、最小20ns幅のデュアル・パルス機能が実現できます。4220-PGU型、 4225-PMU型に、リニア、任意波形（ARB） 、セグメントARB（特許出願中） によるスイープ機能が追加されます。 パルスI-V（上図、DC：青、パルス：赤）とトランジェントI-V（下図） 当社のアプリケーション・ガイドをダウンロード：超速I-Vアプリケーション(4225-PMU) 6 豊富なC-V測定機能 4200-SCS型は、準静的、高電圧、超低周波のC-V測定用に構 LDMOSのアーキテクチャ、低誘電率（Low-k）、MEMSデバイ 成することができます。豊富なサンプル・プログラム、テスト・ ス、有機TFTディスプレイ、フォトダイオードの特性評価では、 ライブラリ、特性パラメータ解析サンプルなどを付属しており、 オプションのC-Vパワー・パッケージにより最大±200Vまたは I-V測定と同じような手軽さでC-V測定が行えます。 400V差動のDC電圧バイアス、最大300mAの電流出力が可能 オプションの4210-CVU型C-Vメータは、シャーシに直接プラ グインすることにより、1kHz～10MHzの周波数でフェムトファ になります。ソフトウェアは、高電圧のC-Vスイープ、または一 定のDC電圧での容量測定をサポートします。 ラッド（fF）からマイクロファラッド（μF）までの容量が測定 できます。リニアまたはカスタムのC-V、C-f、C-tのスイープを、 最大4096のデータ・ポイントですばやく設定します。診断ツー ルを内蔵しており、DUTのオープン／ショートの修正／接続が 確認でき、読み値をリアルタイムで表示します。 低周波数C-V（VLF C-V）モジュールは、システムのDC SMUと低電流リモート・プリアンプの超低電流測定機能 を利用します。ハードウェアの追加なしに、10mHzから10HzまでのACインピーダンスが測定できます。MOSデ バイスのアプリケーション、有機LED（OLED）、有機FET（OFET）、有機太陽電池セル（OPVC）、薄膜トランジ スタ（TFT）、マイクロマシン・システム（MEMS）などの有機エレクトロニクスの最新技術に最適です。 7 直感的な インタフェース デバイス／材料の特性評価と 解析をシンプルに 直感的なポイント＆クリックのインタフェースにより、 450種類以上のサンプル・ライブラリでテストを設定 スクリーン上のRunボタンをクリックするだけでテスト が実行でき、結果はリアルタイムに表示される データはExcelのワークシートまたはASCIIフォーマッ トでエクスポートでき、BMP、JPG、またはTIFフォー マットでプロットしてオンラインまたはオフラインで解 析可能。フォーミュレータ、グラフ、計算シート機能を 内蔵しており、複雑な解析も簡単に実行可能 8 プログラム・コード作成不要な テスト・シーケンスの自動化 プロジェクト・ナビゲータはテストを体系化し、そのシーケンスを制御します。さま ざまなテスト・セットアップの切り替え、テスト結果へのアクセスは高速であり、シン プルです。一つのデバイスでシーケンス・テストを実行するには、ナビゲータでデバ イスをクリックし、Runボタンをクリックするだけです。 Keithley Interactive Test Environment（KITE）は、デバイ テスト結果を確認し、プロットすることができます。複数のプロッ スの振る舞いをすばやく理解できるように設計されています。テ トは同時に表示できるため、デバイス性能を詳細に理解すること スト・シーケンスを実行すると、シーケンスが実行中であっても ができます。 C言語テスト・ライブラリで4200-SCS型の機能を拡張 KITEのユーザ・テスト・モジュール（UTM）機能により、ユーザ によって書かれたC++コードによる最新のテスト・アルゴリズム が利用できます。このモジュールは、C言語のサブルーチンのため に、空欄を埋める形式のインタフェースを採用しています。テスト 結果の収集、解析、レポートは、一つのアプリケーションに統合さ れています。UTMは、データをリアルタイムで観測し、グラフに することでテストの状況をモニタします。ケースレーのユーザ・ラ イブラリ・ツール（KULT）とオプションの4200-COMPILERを 組み合わせることにより、このサブルーチンを簡単にテスト・シー ケンスに統合することができます。UTMにもGUIインタフェース があり、テスト・セットアップが容易に行えます。 9 システム機能の 拡張性 すばやく、コスト効率良く 高速、低電流測定感度に優れた統合ソリューション ■ フル・プローバ・インテグレーションを含む、複雑なテスト・ シーケンス構築をサポート ■ デ バ イ ス の 信 頼 性 モ デ リ ン グ、 プ ロ セ ス・ モ ニ タ リ ン グ・ アプリケーションに必要な膨大なデータ・セットの管理が可能 ■ ナノテクノロジ・アプリケーションの研究 4200-SCS型にはサンプル・プロジェクトとサンプル・テ ストが含まれており、ナノテクノロジの研究／開発ソフト ウェア・アプリケーションに必要な機能が提供されます。 新しいアプリケーションの開発または新しいテスト要件の 改良に必要な時間を削減することができるため、カーボン・ ナノチューブ、ナノワイヤなどの研究に集中することが できます。4200-SCS型は、IEEE Standard P1650™2005: IEEE Standard Test Methods for Measurement of Electrical Properties of Carbon ログ、リニア、カスタム・リストのストレス時間設定、ディケイドごとの測定数、 ACまたはDCのストレス、オプションのリカバリ・テスト・シーケンス、テスト・ サンプル・レート（速度）など、使い慣れたパラメータを使用してストレス・ タイミング、ストレス条件が設定可能 Nanotubesの規格に準拠し、サポートしています。 デバイス寿命を正確かつ経済的に評価 4200-SCS型のKITEに含まれるストレス測定機能は、パッ ケージ・レベル、ウェーハ・レベルでの信頼性テスト・ア プリケーションに最適です。システムのシーケンサはスト Vdrain Vgate Vdrain 1µs Vstress V I Idrain レ ス 測 定 の 手 順 を 制 御 し、JEDEC準 拠 の サ ン プ ル・ プロジェクトが装備されており、ホット・キャリア注入ま 測定タイプ たはチャンネル・ホット・キャリア、NBTI（Negative Bias Temperature Instability）、ブレークダウン電荷、エレク トロマイグレーションなどの標準WLR試験が行えます。こ れらのプロジェクトは容易にカスタマイズでき、特定の WLRテスト要求項目に対応できます。 より高度な機能が求められる信頼性テストのアプリケー ションでは、オプションの4200-BTI-A超速BTIパッケー ジが最適であり、広範囲な超速NBTI/PBTIテスト・アプリ ケーションで必要となる、すべてのハードウェアとソフト スポット なだらかなスイープ 三角波 ステップ・スイープ 超速BTIテスト・ソフトウェア・モジュールは、スポット、ステップ・スイープ、 スムーズ・スイープ、サンプル測定タイプをサポート。各タイプのタイミングは、 テスト・サンプル・レートと個々の測定設定によって定義される。また、ソフ トウェア・モジュールはテスト・シーケンスにおける各要素間の電圧を制御で きるため、複雑なテスト・シーケンスの設定でも容易に設定できます。 ウェアを組み合わせます。 10 詳細については、データ・シートをダウンロードしてご覧ください。 4200-SCS型用4200-BTI-A超速NBTI/PBTIパッケージ 不揮発性メモリ（NVM）のテスト・ライブラリ NVMテスト・ライブラリは4200-SCS型の機能を拡張し、 すべてのタイプの不揮発性メモリのデバイスと材料のテス トが行えます。 フラッシュ ■ 相変化メモリ（PRAM、PC-RAM） ■ 強誘電体メモリ（FeRAM） ■ 抵抗変化メモリ（RRAMまたはReRAM） ■ 磁気メモリ（MRAM） ■ その他の不揮発性メモリ ■ NVMテ ス ト・ ラ イ ブ ラ リ は、4225-PMU型 超 速I-Vモ ジュールと4225-RPM型リモート・アンプ／スイッチ・ モジュールの高速性能を利用しています。超速パルスの正 確な供給と、テストにおけるトランジェント信号の正確な 測定をサポートしています。外付けのセンス抵抗、キャパ シタ、テスト・ハードウェアの必要なしに、不揮発性メモリ・ さまざまなメモリ・タイプのサンプル・プロジェクトが含まれており、すばやく設定、 テストでき、データを解析することが可能。最新のメモリ技術に合わせ、サンプル・ プロジェクトを容易に変更できる テストで必要となる代表的なすべての特性評価ルーチンを 実行できます。 特性評価でNVMデバイスに高速パルスが供給される場合、 高速のトランジェント測定が重要になります。この難しい 測定により、テストのSET、RESETステージ実行中および その後のステージに関する重要な情報が提供されます。 4200-SCS型に4225-PMU型と4225-RPM型の両方の モジュールを組み合わせることにより、高速でユーザ定義 可能なパルスを供給しながら、広いダイナミック・レンジ、 システムの浮遊容量の影響を抑えながら電圧と電流を同時 に測定できる、唯一のパラメータ・アナライザとなります。 4225-RPM型モジュールは超速I-Vテストが簡単に設定で き、NVM測定シーケンスに要する時間を大幅に短縮できま す。また、システムの超速I-V測定のダイナミック・レンジ を拡張し、パルス・ソース測定と正確なDC I-V測定を高速 に切り替えることができます。この測定の組み合せは、複 数のNVMテスト・シーケンスで重要になります。 相変化メモリ・デバイスのテストにおける抵抗－電流（RI）曲線テストの例 11 モジュラ構造 統合スイッチング制御 標準のスイッチ設定により、最適なアプリケーションの検出が簡 素化できます。6スロット・モデルの707B型、または1スロット・ モデルの708B型スイッチ・マトリクス・メインフレームには、 すべてのコンポーネント、ケーブル、4200-SCS型のテスト環 境 に ス イ ッ チ・ マ ト リ ク ス 組 み 込 む た め の 手 順 が 含 ま れ て います。スイッチをインストールすると、KCON（Keithley Configuration Utility）の「フィルインザブランク」インタフェー スにより、機器の端子と出力ピンを簡単に接続できます。行やカ ラムを覚えたりプログラムする必要はなく、システム・アプリケー ションと標準のユーザ・ライブラリが機器とDUTピンのテスト信 号の接続を管理します。GUIにより、スイッチは簡単に接続でき ます。 低電流（1pA未満）によるスイッチ・マトリクス設定 ■ 7072型スイッチ・カードを使用した構成は、オプションのリ モート・プリアンプの有無にかかわらない、基本的なデバイス の特性評価が行えます。 微小電流（100fA未満）によるスイッチ・マトリクス設定 ■ 7174A型スイッチ・カードを使用した構成は、オプションの リモート・プリアンプを装備したシステムによる高性能デバイ ス特性評価に適しています。 内蔵ドライバ、GPIBによる外部ハードウェアの制御 パラメータ・アナライザに外部ソースまたは機器、スイッチ・マ ト リ ク ス、 プ ロ ー バ を 組 込 む 場 合、GPIBア ド レ ス を 設 定 し、 GPIBケーブルを接続するだけで4200-SCS型でテストできま す。ユーザ・テスト・モジュール（UTM）を使用すると、外部 機器のデータをシステムの解析／グラフ・ツールに直接送ること ができます。 12 システムの統合と アップグレードが容易 ACS統合テスト・システムによる 最新の自動化とシステム統合 ACSは4200-SCS型用のソフトウェア・オプションであり、完 全自動プローバによる最新の自動化と、超速BTIなどの最新の信 頼性テストが実行できます。ACSを対話形式または自動モードで 使用することで、デバイス、ウェーハまたはカセット・レベルで テストできます。ACSは、すべてのケースレーのソースメータ （SMU）、スイッチング・システム、4200-SCS型、さまざまな GPIB機器をサポートします。また、ケースレーのS530シリーズ・ パラメトリック試験システム、S500シリーズ統合試験システム にも適用できます。 ACSはオープン・アーキテクチャを採用しており、操作性を犠牲 にすることなく柔軟性の高いプログラミングが行えます。豊富な セミオートおよびフルオート・プローバによる4200-SCS型と の統合をサポートしています。ACSは、ウェーハ記述、テスト・ セットアップ、対話形式のプローバ制御、自動化、テスト・サマリ・ レポート生成などの複雑なシステム機能を簡素化できます。同一 のテスト・プラン、環境でセミオートとフルオートが簡単に切り 替えられるので、柔軟性のある操作が可能になります。 13 4200-SCS型 主な仕様 注：仕様の詳細については、4200型のテクニカル・データ・シートをご覧ください。 4200-SCS型のコア性能 4210-CVU型マルチ周波数C-Vユニット Intel Core2Duoプロセッサ、2GB RAM、500GB HDD、 1024×768 LCD、9スロット、USB、Ethernet、GPIB、外部モニタ、 測定電力：200W以上 筐体あたりの最大ユニット数 1 測定パラメータ Cp-G、Cp-D、Cs-Rs、Cs-D、R-jX、 Z theta 周波数レンジ 1kHz～10MHz 4210-SMU型ハイパワーSMU（最大21W） 筐体あたりの最大ユニット数 9 電圧レンジ ±210V、 200mV～210Vフルスケールで4レンジ 基本電圧確度 測定：0.01%、印加：0.02% 電圧分解能 0.1μV～100μV 電流レンジ ±1A、100nA～1Aフルスケールで8レンジ 基本電流確度 測定：0.03%、印加：0.04% 電流分解能 0.1pA～100pA オプションの4200-PA型を 装備した場合 低電流のレンジが5種類増え、 分解能は0.1fAに 最小分解能：10kHz、 周波数レンジによっては1MHz 印加周波数確度：±0.1% 測定レンジ 100fF～100μF（代表値、フルスケール） 分解能（代表値） 1aF、1nanoSiemens、0.001° AC信号 10mV～100mV、プログラマブル 分解能：1mV rms 確度：±（10.0%＋1mV rms）、無負荷時 （後部パネルで） DCバイアス ±30V（HighまたはLow出力のいずれか） （±60V、差動）、最大電流：10mA DC電圧バイアス・レンジ：±30V 分解能：1.0mV 4200-SMU型ミドルパワーSMU（最大2.1W） 14 スイープ特性 利用可能なスイープ・パラメータ： DCバイアス電圧、周波数、AC電圧 オプションの4200-CVUPWR-PKG型を装備した場合 SMUが±200V（差動では400V）、 最大300mAに 筐体あたりの最大ユニット数 9 電圧レンジ ±210V、 200mV～210Vフルスケールで4レンジ 基本電圧確度 測定：0.01%、印加：0.02% 電圧分解能 0.1μV～100μV 電流レンジ ±100mA、 100nA～100mAフルスケールで7レンジ 必要な機器 SMU 2台 測定パラメータ Cp、DCV、タイムスタンプ 基本電流確度 測定：0.03%、印加：0.04% 容量レンジ 1pF～400pF 電流分解能 0.1pA～100pA ランプ・レート 0.1V/s～1V/s オプションの4200-PA型を 装備した場合 低電流のレンジが5種類増え、 分解能は0.1fAに DCV ±200V 確度（代表値） 5%（ランプ・レート：1V/s） ランプ・レート、準静的C-V C-Vパワー・パッケージの性能（代表値） 4255-PMU型超高速I-Vユニット 測定パラメータ Cp-Gp、DCV、タイムスタンプ 筐体あたりの最大ユニット数 容量レンジ 1pF～1nF ユニットあたりのチャンネル数 2（独立または同期） テスト信号 100kHz～10mHz、10mV～100mV 電圧レンジ DC電圧印加 ±200V、分解能：5mV ±40Vmax（ハイ・インピーダンス）、 10V、40Vの2レンジ DC電流 100mAまたは300mA（最大値） 電圧分解能 250μV、750μV 容量確度（代表値、1MHz） 1.0% 基本電圧測定確度 0.25% 電流レンジ ±800mA、100μA～800mAで4レンジ 基本電流測定確度 0.25% パルス波形タイミング パルス幅：60ns～999ms、10nsステップ DC電流感度 サポートする SMUのバイアス端子数 10nA/V 4 超低周波数C-V（VLF C-V） 筐体あたりの最大ユニット数 2台のSMU（4200-SMU型または4210SMU型）と2台の4200-PA型プリアンプ。 VLF C-V測定では、任意のSMU/PAが 2セットを使用 測定パラメータ CP-GP、Cp-D、Cs-Rs、Cs-D、R-jX、 Z-Theta、DCV、タイムスタンプ 周波数レンジ 10mHz～10Hz 測定レンジ 1pF～10nF 分解能（代表値） 3.5桁、最小値：10fF（代表値） AC信号 10mV～3Vrms DCバイアス ±20V（High端子、マイナスAC信号、 最大値：1μA） 6（12チャンネル） その他のタイミング・パラメータ： 20ns～999ms、10nsステップで調整可能 コアA/Dコンバータ 2／チャンネル（電流と電圧の同時測定）、 4／ユニット、サンプル・レート：200MS/s、 14ビット、1つのA/Dにつき1MSのバッファ オプションの4225-RPM型 100nA、1μA、10μA、1mA リモート・アンプ／スイッチを の4つの低電流レンジ追加 装備した場合 4225-PMU型、4210-CVU型、 4200-SMU型、4210-SMU型間での 印加／測定の切替 ＊4220-PGU型パルス・ジェネレータは、4225-PMU型に電圧ソースのみを供給します。 主なデジタル・オシロスコープの仕様 周波数帯域（50Ω） DC～750MHz（4200-SCP2型） DC～250MHz（4200-SCP2HR型） チャンネル数 2（BNC） 最高サンプル・レート 1.25GS/s （4200-SCP2型、1チャンネルあたり） DC～250MHz（4200-SCP2HR型） 2.5GS/s （4200-SCP2型、1チャンネルはインターリーブ） 200MS/s（4200-SCP2HR型） 400MS/s （4200-SCP2HR型、インターリーブ） オンボード・メモリ・バッファ 最大1MS／チャンネル 15 ケースレーの品質を支えるサポート体制 アプリケーション・サポートが必要な場合は、フリー・ダイアル： 0120-441-046（9:00～12:00・13:00～18:00）までご連絡 ください。 継続したROI（投資回収）に対応するシステムの拡張 2000年に発表して以来、ケースレーは4200-SCS型のハードウェ ア、ソフトウェア機能を継続的に強化しています。これにより、新 しい評価要件に対してもコスト効率に優れたシステム・アップグレー ドが可能になるため、製品が製造中止になったからといって新しい パラメータ・アナライザを購入する必要はありません。4200-SCS 型は変化するお客様のテスト・ニーズに対応しますので、投資を先 に延ばすことでROIを改善できます。 www.keithley.jp テクトロニクス／ケースレーインスツルメンツお客様コールセンター TEL：0120-441-046 電話受付時間／9：00～12：00・13：00～18：00（土・日・祝・弊社休業日を除く） 〒108-6106 東京都港区港南2-15-2 品川インターシティ B棟6階 記載内容は予告なく変更することがありますので、あらかじめご了承ください。 Copyright © Keithley Instruments. All rights reserved. 記載された製品名はすべて各社の商標あるい登録商標です。 Number 2227 2013年12月