Comments
Description
Transcript
PWM出力とA−Dコンバータを 使った位置制御のテクニック
特集*保存版 ★ H8マイコン応用回路集 第 10 章 鉄棒の空中浮遊装置の 製作で理解する PWM 出力と A − D コンバータを 使った位置制御のテクニック ◆開発環境 笠原 政史 HEW3,FDT Masaji Kasahara 本章では,H8/3694F の演算能力を生かして,位置 制御について実験します.実験内容は,H8/3694F の 同じで,鉄棒は地面に落ちるかソレノイドに吸いつく かのどちからになります.鉄棒の位置情報を PWM 出力で,市販のソレノイドを駆動し,ソレノイ H8/3694F に入力し,位置に応じてソレノイドの電流 ドの磁力によって鉄棒を空中に引き上げるというもの です(図 1). を H8/3694F で調整し,中間に浮かぶように位置制御 をしてみました. ソレノイドとは,可動鉄心入りの電磁石のことで, 例えば清涼飲料水の自動販売機の出口など,主に 安定に空中浮遊できるようになりましたが,正常動 作範囲が狭いなど,まだまだ課題があります.ぜひ, ON/OFF 制御に使われるアクチュエータ(電気などに より機械運動をする部品) です. モータ制御などの文献を参考にして,よりよい動きに チューニングしてみてください. ソレノイドに直流電流を流したときは,永久磁石と ソレノイドの動作原理と制御の方法 空中浮遊装置の回路図を図 2(次頁)に,制御ブロッ クを図 3 に示します. ● ソレノイドの制御 タイマ W で作られた PWM 信号を,方形波のまま Tr1 で電力増幅してソレノイドに加えます.スイッチ ング周波数は,騒音が耳に聞こえない 20 kHz にしま した. ソレノイドには 0 V ∼ 24 V の方形波電圧が加わり 図 1 重力と吸引力をバランスさせて空中浮遊させる 電磁力補正部調整時の調整単位 位置検出部調整時の調整単位 H8/3694F内部 加速度 (指令値) accel 位置 + 指令値 + − 入力 位置 電圧情報 検出用 デュー (指令値) 信号 ティ比 voltage D 誤差 err + 電磁力 補正 比例 ゲイン + タイマ W ソレノイドの特性 電圧情報 電流 力 加速度 速度 V I F a velocity 1 R +sL 位置 による 関数 F =ma 積分 積分 位置 position インダクタンス (不完全積分) 位置検出 微分 ゲイン 速度推定値 velocity 位置情報 微分 position 図 3 空中浮遊装置の制御ブロック 2004 年 5 月号 171 C2 1000p 10k R8 3.3k×8 R1 10k 10k VR 5 10k VR 4 10k VR 3 D2 1N4148 D1 1N4148 +5V +5V R7 図 2 空中浮遊装置の回路図 外部信号入力 (− 5V ∼ + 5V) J1 SW1 DIPスイッチ +5V NMI 信号グラウンド1とパワー・ グラウンドをC 1 の足元で1点 アース(+24Vラインも同じ) J3 DC IN D7 D6 D5 D4 +5V D7 70mA D5 D3 パワー・ ランプ 33Ω R 11 +5V 47μ 16V C4 270Ω 3W +5V R 10 PB0/AN0 P85 P86 P87 P84/FTIOD P83/FTIOC P82/FTIOB P81/FTIOA NMI P80/FTC1 P14/IRQ0 P57 P15/IRQ1 P56 P16/IRQ2 P55 P17/IRQ3 P54 P53 PB4/AN4 P52 PB3/AN3 P51 PB2/AN2 P50 PB1/AN1 付録マイコン基板 MB-H8 D4 470Ω×8 R2 D8 HZ5C-1 (5V, 500mW) D6 2200μ 35V C1 パワー・グラウンド・ライン DD 13 VSS LO 1 COM 2 VCC 3 HO 7 VS 5 VB 6 0.1μ C7 12V 0.1μ C6 1.0k R 13 47Ω R 14 Tr1 2SK2987 (東芝) D11 60V 3A 2.2μ C 17 31DQ06 (日本インター) IC5 HC574A 20k(±1%)10k(±1%) 19 2 Q0 D0 18 3 Q1 D1 17 4 Q2 D2 16 5 Q3 D3 15 6 Q4 D4 14 7 D5 D5 13 8 Q6 D6 12 9 Q7 D7 1 11 CLK OE 6 5 TP4 GND TP3 DA0 − + IC1b LM358P R 22 1 − 7 470p C 21 1250W12(新電元メカトロニクス) 1M ±1% R 21 4.7k ±1% 出力電流検出部 (ゲイン 213 倍) 0∼5V出力 LM358P ナショナル セミコンダクター 0.1μ 4.7k C 19 + 3 IC1a 4.7k ±1% R 20 0.33μ ±5% R15 C 20 0.33μ ±5% L1 ソレノイド C 18 2 0.25Ω 2W R 19 シャント抵抗 +5V D12 1N4148 ゲート・ドライバ IR2110 (インターナショナル レクティファイアー) デバッグ用D-Aコンバータ IC3 HC574A 20k(±1%)10k(±1%) TP1 9 12 Q7 D7 DA1 +5V 8 Q6 13 D6 7 Q5 14 D5 6 TP2 Q4 15 D4 R 5 GND 16 Q3 16 D3 10k 4 17 D2 D2 3 Q1 18 D1 2.5V 2 Q0 19 D0 11 1 CLK OE R 18 10k 0.1μ C5 10 HIN 11 SD 12 LIN R 12 4 NC1 8 NC2 1.0k 14 +5V NC3 9V タイマ出力 PWM信号 IC2 スイッチング部 D10 RD12 ACアダプタ 24V 2.5A R 17 1M ±1% 172 2004 年 5 月号