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磁気トンネル接合素子Co2FeAl/MgO/Co2FeAl の接触界面構造の違い
2008/09/14 第32回日本磁気学会学術講演会 14p1PS-38(B) 磁気トンネル接合素子Co2FeAl/MgO/Co2FeAl の接触界面構造の違いによる電気伝導特性変化 :第一原理計算による解析 井上 鑑孝○、臼井 信志 2008/09/14 第32回日本磁気学会学術講演会 14p1PS-38(B) 研究の動機 • 磁気トンネル接合(MTJ)のTMR効果 – HDD・MRAMの高性能化 – 新規磁気センサーの開発 • TMRの研究における数値計算の重要性 – 強磁性電極:Fe、酸化膜:MgOを用いたエピ タキシャルMTJの巨大TMR効果は第一原理 計算*によって予言された。 * W.H. Butler, X.-G. Zhang, T.C. Schulthess, and J.M. MacLaren, Phys. Rev. B 63, 054416 (2001). 2 2008/09/14 第32回日本磁気学会学術講演会 14p1PS-38(B) 研究の目的 界面構造が異なる2種類の電極:Co2FeAl(ホイスラー合金)、絶縁層:MgOを用いたMTJを考える 強磁性電極 Co2FeAl(001) 絶縁層 MgO(001) 強磁性電極 Co2FeAl(001) 強磁性電極 Co2FeAl(001) Co O Fe Al Mg 絶縁層 MgO(001) 強磁性電極 Co2FeAl(001) Co Mg Fe Al O MgOと電極のFe/Alが接触 MgOと電極のCoが接触 図:Co2FeAl/MgO/Co2FeAl MTJの構造。左右の構造には、電極/絶縁層界面に違いがある。 界面構造の違いによる電気伝導特性変化を 第一原理計算を用いて解析する 3 2008/09/14 第32回日本磁気学会学術講演会 14p1PS-38(B) • 入力構造 入力構造の諸条件 – 輸送方向はCo2FeAl(001)面・MgO(001)面の法線と平行(電流が左→右と流れる方向を正にとる) – – Co2FeAlの格子定数は、実験値を採用*(L21構造) MgOの格子定数は、 Co2FeAl電極のサイズに合わせるため輸送方向と垂直な2方向に対して実 験値の0.96倍に圧縮 入力構造の原子数:54 (中央領域:38、電極:8×2) 輸送方向に対して半無限、輸送方向と垂直な2方向に関して無限の周期境界条件を採用 – – 左電極 右電極 中央領域 輸送方向 図:MgOと電極のCoが接触した入力構造(Co-terminated構造) 左電極 右電極 中央領域 輸送方向 図:MgOと電極のFe/Alが接触した入力構造(Fe/Al-terminated構造) * K.H.J Buschow, P.G. van Engen, and R. Jongebreur, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 38, 1-22 (1983) 4 2008/09/14 第32回日本磁気学会学術講演会 14p1PS-38(B) 計算手法 非平衡グリーン関数法(NEGF)と密度汎関数理論(DFT)に基づく第一原理的アプローチ*による、 定常電流存在下における電子構造の決定 左電極 中央領域 右電極 Self-consistent loop 一電子ハミルトニアン : DFT グリーン関数 : 一電子ハミルトニアンの決定 電流 : Landauer-Büttiker公式 NEGF 定常電流存在下における電子密度の計算 本研究における全計算を Atomistix ToolKitで実行した http://www.atomistix.com, http://www.cybernet.co.jp/nanotech/atomistix/ *M. Brandbyge, J.L. Mozos, P. Ordejon, J. Taylor, K. Stokbro, Phys. Rev. B. 65, 165401 (2002). 5 2008/09/14 第32回日本磁気学会学術講演会 14p1PS-38(B) 計算条件 • • • • • • ソフトウェア:Atomistix ToolKit 2008.02 基底関数:Double-ζ Polarized 交換相関汎関数:GGA.PBE mesh-cut off:200Ry(実空間メッシュの長さが約0.1Å) k点サンプリング数(scf):(6, 6, 100) k点サンプリング数(透過係数):(33, 33) 6 2008/09/14 第32回日本磁気学会学術講演会 14p1PS-38(B) 計算結果:I-V特性、スピン分極率 ●Parallel ●Anti-Parallel 4.0E-04 4.0E-04 Current (Co-terminated) Current(Fe/Al-terminated) 2.0E-04 Current 1.0E-04 0.0E+00 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 Bias voltage [V] 1.4 Current (Co-terminated) 3.0E-04 Current [mA] Current [mA] 3.0E-04 1.6 1.8 Current(Fe/Al-terminated) 2.0E-04 Current 1.0E-04 0.0E+00 2 0 100 100 80 80 60 Spin Polarization 40 20 0 Polarization (Co-terminated) Polarization (Fe/Al-terminated) -20 -40 0.4 0.6 0.8 1 1.2 Bias voltage [V] 1.4 1.6 1.8 2 図:電極間の相対磁化が反平行の場合のI-V特性 Polarization [%] Polarization [%] 図:電極間の相対磁化が平行の場合のI-V特性 0.2 60 40 20 0 -20 -40 -60 -60 -80 -80 -100 Polarization (Co-terminated) Polarization (Fe/Al-terminated) Spin Polarization -100 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 Bias voltage [V] 1.4 1.6 1.8 2 0 図:電極間の相対磁化が平行の場合の電流のスピン分極率 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 Bias voltage [V] 1.4 1.6 1.8 2 図:電極間の相対磁化が反平行の場合の電流のスピン分極率 7 2008/09/14 第32回日本磁気学会学術講演会 14p1PS-38(B) 計算結果:TMR比、スピントランスファトルク ●TMR比 ●スピントランスファトルク 2.0E+04 Co-terminated 1.5E+04 Fe/Al-terminated Spin torque [meV] 0 1.0E+04 5.0E+03 0.0E+00 -0.05 -0.1 Co-terminated Fe/Al-terminated -0.15 -0.2 -0.25 -5.0E+03 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 0 2 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 Bias voltage [V] Bias voltage [V] 図:スピントランスファトルク(θ=π/2) 1.0E+02 TMR ratio[%] TMR ratio[%] 2.5E+04 8.0E+01 Co-terminated 6.0E+01 Fe/Al-terminated TMR比 4.0E+01 界面構造に関わらず、TMR比はバイアス増加に 対して減少 ただしFe/Al-terminatedの方が減少が著しい 2.0E+01 0.0E+00 -2.0E+01 -4.0E+01 -6.0E+01 スピントランスファトルク -8.0E+01 1V程度までは界面構造による違いはあまりない 1V以上においてFe/Al-terminatedは不安定な挙動 を示す -1.0E+02 1.2 1.4 1.6 1.8 Bias voltage [V] 2 図:TMR比 8 2008/09/14 第32回日本磁気学会学術講演会 14p1PS-38(B) 計算結果のまとめ • コンダクタンス – 電極間の相対磁化が平行:Co-terminated ≒ Fe/Al-terminated – 電極間の相対磁化が反平行:Co-terminated < Fe/Al-terminated • TMR比 – 界面構造に関わらず、バイアス増加に対して減少する – Co-terminated > Fe/Al-terminated • スピントランスファトルク – Fe/Al-terminatedの場合、1V以上で不安定な挙動を示す TMR素子としての性能は Co-terminated > Fe/Al-terminated 9 2008/09/14 第32回日本磁気学会学術講演会 14p1PS-38(B) 考察:バイアスに対してTMR比が減少する理由 0.03 Parallel 0.025 0.02 0.015 0.01 0.005 0 0 1 Bias 1 1.5 vola tge Transmission 0.04 0.035 0.03 0.025 0.02 0.015 0.01 0.005 0 0 V] e [ y 0.5 0.5 0 -0.5 [V] 2 -1 erg En Transmission 0.04 0.035 ●Fe/Al-terminated 0.04 0.035 0.03 0.025 0.02 0.015 0.01 0.005 0 0 Parallel 1 0.5 0.5 Bias 1 1.5 vola tge ] [eV y erg En 0 [V] 2 -0.5 -1 :電流に寄与する部分 0.04 Anti-Parallel 1 0.5 0.5 Bias vola 1.5 tge ] [eV y -0.5 erg En 0 1 [V] 2 -1 Transmission Transmission ●Co-terminated 0.035 0.03 Anti-Parallel 0.025 0.02 0.015 0.01 0.005 0 0 1 ] [eV y -0.5 erg En 0.5 0.5 Bias 1 1.5 vola tge [V] 0 2 -1 図:各バイアスにおける透過係数。 10 反平行の場合、バイアス増加に対してε>0の領域に大きな 透過係数が現れる。この透過係数がTMR比の減少・符号 反転の原因である。 ピークがバイアス増加に対してエネルギーの小さい方にシフト することから、左電極の伝導バンドがピークに寄与している。 2008/09/14 第32回日本磁気学会学術講演会 14p1PS-38(B) 考察:反平行でCo-terminated < Fe/Al-terminatedとなる理由 例えばBias Voltage = 1.6Vの透過係数に着目する ●Fe/Al-terminated 0.04 0.035 0.035 up spin down spin 0.03 0.025 0.02 0.015 0.01 0.03 0.02 0.015 0.01 0.005 0 0 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 up spin down spin 0.025 0.005 -1 100 Polarization [%] 0.04 Transmission Transmission ●Co-terminated 80 60 40 20 0 -20 -40 -60 Polarization (Co-terminated) Polarization (Fe/Al-terminated) -80 -100 0 -1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 Energy [eV] Energy [eV] 0.6 0.8 1 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 Bias voltage [V] 図:電流のスピン分極率。 図:電極の相対磁化が反平行のときの1.6Vにおける透過係数。 Co-terminatedはup spinによる寄与がほとんどない 1V以外では常にCo-terminated<Fe/Al-terminated Co/MgO界面は、down spinのみを選択的に透過させるスピンフィルターの役割を果たす 11 2008/09/14 第32回日本磁気学会学術講演会 14p1PS-38(B) まとめ • 電極/絶縁層の界面構造が、TMR素子とし ての性質に影響を与える。 • その本質的な原因として、電極間の相対 磁化が反平行のときのみ、Co/MgO界面 がスピンフィルターとして機能することが挙 げられる。 12 2008/09/14 第32回日本磁気学会学術講演会 14p1PS-38(B) 補足資料1:ホイスラー合金について • ホイスラー合金とは? – (キュリー温度以下で)アップスピンが金属的、ダウンスピンが半導体的 性質をもつハーフメタルの1つ • TMRへの有用性 – 低バイアス下において電極間の相対磁化が反平行の場合、理論上低バ イアスにおけるコンダクタンスが0になるため、高いTMR比が期待される アップスピンが金属的、ダウンスピン が半導体的性質を示している。 DOS [a. u.] 図:ホイスラー合金Co2FeAlのバンド構造と状態密度。 赤色がアップスピン、青色がダウンスピンを表す。 13 2008/09/14 第32回日本磁気学会学術講演会 14p1PS-38(B) 補足資料2:各物理量の定義 電流(アップorダウン) 全電流 電流のスピン分極率 TMR比 スピントランスファトルク 14 2008/09/14 第32回日本磁気学会学術講演会 14p1PS-38(B) 補足資料3:スピントランスファトルク Magnetization is flexible Left Electrode Barrier Right Electrode x Current z y Magnetization is constrained 図:スピントランスファトルクの概念図 図のような磁化構造を持つMTJ素子の右電極に働くスピントランスファトルクのうち、 輸送方向と垂直な成分に関してはcollinearスピン状態から計算できる* *I. Thedonis, N. Kioussis, A. Kalitsov, M. Chshiev, and W.H. Butler, Phys. Rev. Lett. 97, 237205 (2006). 15 2008/09/14 第32回日本磁気学会学術講演会 14p1PS-38(B) 補足資料4:up/down spinに分解された透過係数(平行) Co2FeAl MgO Transmission 0.04 Up-spin 0.035 0.03 0.025 0.02 0.015 0.01 0.005 0 0 1 0.04 0.035 0 y erg En -0.5 [V] 2 -1 ] [ eV 0.03 0.025 0.02 0.015 0.01 0 0 1 0.5 0.5 Bias 1 1.5 vola tge 0 -0.5 [V] 2 -1 E gy ner 0.03 Up-spin 0.025 0.02 0.015 0.01 0.005 1 Bias0.5 vola1 1.5 tge [V] down-spin 0.005 0.04 0.035 0 0 0.5 0.5 Bias 1 vola 1.5 tge Transmission ●Fe/Al-terminated Transmission Transmission ●Co-terminated Co2FeAl 0.04 0.5 y [e g r e En 0 -0.5 2 -1 down-spin 0.035 0.03 0.025 0.02 0.015 0.01 0.005 1 0 0 ] [ eV Bias0.5 1 vola 1.5 tge [V] 図: up/down spinに分解された透過係数(平行) 16 V] 0.5 [e gy r e n 0 -0.5 2 -1 E V] 2008/09/14 第32回日本磁気学会学術講演会 14p1PS-38(B) 補足資料5:up/down spinに分解された透過係数(反平行) Co2FeAl MgO Up-spin 0.03 0.025 0.02 0.015 0.01 0.005 0 0 1 0.04 0.035 0.03 0.025 0.02 0.015 0.01 0.005 0 0 0 -0.5 2 [V] E -1 gy ner ] [ eV down-spin 1 Bias 1 1.5 vola tge 0 2 [V] -0.5 -1 E gy ner 0.03 ] [ eV Up-spin 0.025 0.02 0.015 0.01 0.005 1 Bia0.5 s vo 1 1.5 latg e [V ] 0.04 0 -0.5 2 -1 y [e g r e En V] down-spin 0.03 0.025 0.02 0.015 0.01 0.005 Bia0.5 s vo 1 1.5 latg e [V ] 図: up/down spinに分解された透過係数(反平行) 17 0.5 0.035 0 0 0.5 0.5 0.04 0.035 0 0 0.5 0.5 Bias 1 1.5 vola tge Transmission Transmission 0.04 0.035 ●Fe/Al-terminated Transmission Transmission ●Co-terminated Co2FeAl 1 0.5 0 -0.5 2 -1 E [e gy r e n V] 2008/09/14 第32回日本磁気学会学術講演会 14p1PS-38(B) QuantumWise社製品についての お問い合わせは下記まで御願いいたします。 • QuantumWise Japan 株式会社 – TEL:03-5325-3057 – URL: http://www.quantumwise.co.jp 18