スパッタリングターゲット ⁄ 蒸発材料 スパッタリングターゲット

スパッタリングターゲット ⁄
蒸発材料
Sputtering Targets,
Pellets & Wire（ Vapor Deposition ）
（ For Flat Panel Display, Photovoltaic,
Semiconductor, and Other Applications ）
次世代材料の研究開発から製造、供給まで充実した
グローバル体制でお応えします。
株式会社 アルバック
ULVAC, Inc.
株式会社アルバックは、太陽電池や薄型テレビ、半導体電子デバイスなどの製造装
置に関連するトータルなソリューションを提供しています。そのソリューションの
一環としてアルバックは、製造装置メーカーの特長を最大限に生かし、スパッタリ
ングターゲットや各種蒸発材料の高品質、低コスト、安定した供給を実現する生産
体制をグローバルに展開しています。さらに、材料の研究開発の専門機関として超
材料研究所を有し、隣接した生産工場とのコラボレーションを図り、次世代材料の
サンプル試作から材料供給および量産ラインのご相談まで幅広くお応えしています。
（委託会社）
アルバック東北
（株）
ULVAC Materials Korea, Ltd.
ULVAC Materials (Suzhou) Co., Ltd.
（株）
アルバック
マテリアル事業部（千葉富里工場）
アルバック九州
（株）
（委託会社）
ULVAC MATERIALS TAIWAN, Inc.
千葉富里工場（左）と千葉超材料研究所（右）
ULVAC MALAYSIA SDN BHD.
ULVAC Materials Korea, Ltd.
2-1, 2-2B/L, Dangdong-Jigu, Munsan high tech industrial complex,
Dangdong-Ri, Munsan-Eup, Paju-Si, Kyonggi-Do, Korea 413-902
TEL:(+82)31-937-2900
ULVAC Materials Korea, Ltd.（韓国）
ULVAC Materials (Suzhou) Co., Ltd.
愛発科電子材料（蘇州）有限公司
No.55, Pingsheng Road, Industrial Park, Suzhou, China
TEL:(+86)512-8777-0123
ULVAC Materials (Suzhou) Co., Ltd.（中国）
ULVAC MATERIALS TAIWAN, Inc.
No.37, Keya Rd., Daya Distric, Taichung City 42878, Taiwan (R.O.C)
TEL:(+886)4-2565-8299
ULVAC MALAYSIA SDN. BHD.
No.8, Jalan Gitar 33/3, Elite Industrial Estate Off Jalan, Bukit, Kemuning
40350, Shah Alam, Selangor, Malaysia
TEL:(+60)3-5121-4700
●お問い合わせ先
ULVAC MALAYSIA SDN. BHD.（マレーシア）
株式会社 アルバック　マテリアル事業部
ULVAC, Inc., Materials Division
アルバック販売株式会社
URL：http://www.ulvac-es.co.jp
東日本営業統括部　〒104-0028　東京都中央区八重洲2-3-1
TEL：03-5218-6011
西日本営業統括部　〒532-0003　大阪市淀川区宮原3-3-31
TEL：06-6397-2281
株式会社アルバック　マテリアル事業部
千葉富里工場　〒286-0225　千葉県富里市美沢10-1
お問い合わせは
URL：http://www.ulvac.co.jp
TEL：0476-90-6111
委託製造会社
アルバック東北株式会社
URL：http://www.ulvac-tohoku.com
〒039-2281　青森県八戸市北インター工業団地6-1-16 TEL：0178-20-2200
アルバック九州株式会社
URL：http://www.ulvac-kyushu.com
〒899-6301　鹿児島県霧島市横川町上ノ3313-1
TEL：0995-72-1114
●当カタログの記載内容は性能向上等の目的により、予告なしに変更することがあります。
2801N/2012121000ADP
スパッタリングターゲット ⁄
蒸発材料
Sputtering Targets,
Pellets & Wire（ Vapor Deposition）
（ For Flat Panel Display, Photovoltaic,
Semiconductor, and Other Applications）
Sputtering Targets for Flat Panel Display Applications
薄型テレビ製造装置向けスパッタリングターゲット
Sputtering Targets for Flat Panel Display Applications
■薄型テレビ製造装置向けスパッタリングターゲット材料
応用分野
低温ポリSi-TFT用材料
薄型テレビ製造装置向け
スパッタリングターゲット
携帯端末／モニター
高温ポリSi-TFT用材料
リアプロジェクションTV／
高精細モニター
多様化・大型化する
FPD（ Flat Panel Display ）市場において
高い品質と安定した材料の供給に努めております。
PDP用
PDP-TV
OLED
（有機EL）
用材料
フラットパネルディスプレイに必要な高品質で安定した材料をお客様へ
提供するために ､
■ワールドワイドな素材確保
■大型ターゲットに対応する品質管理設備と体制
携帯端末
FED・SED用材料
（ G8世代はもちろんのこと、超大型ガラス基板にも対応）
■千葉超材料研究所と連動してお客様のプロセスに最適な材料の供給
――に努めています。
モニター／TV
STN、
カラーフィルター用材料
■ TFT、OLED（ LTPS：低温ポリシリ）
、
タッチパネルなどのすべての分野で
スパッタリングターゲットの対応が可能です。
携帯電話／携帯端末
■超音波探傷装置によるきめ細かな品質保証
FPD 製造装置の大型化にともない、スパッタリングターゲットも長尺化
が進んでいます。アルバックでは、生産設備や品質保証設備の向上のため、
大型超音波探傷装置を導入し、入念な材料中の欠陥検査や接合検査を行っ
ています。これにより、スパッタリング時のアーキング発生量の低減化を
実現し、高品質ターゲットを提供しています。
▲品質向上に貢献する充実した
検査体制
▼大型対応の加工機
アモルファスSi-TFT用材料
材質
Al（5N）及びAl合金
Ti（4N5）
Mo（3N）
ITO（4N）
AlSi（5N）& AlCu（5N）
Ti
（4N5）
WSi
ITO（4N）
Al（5N）及びAl合金
Cr（3N）
Cu（4N）
ITO（4N）
ITO（4N）
Ag & Ag合金
Mg
Al & Al合金
Al（5N）及びAl合金
Cr
（3N）
各種貴金属（4N）
ITO（4N）
Nb（3N）
Si & SiO（
2 4N）
Cr（3N）
Ag合金（4N）
ITO（4N）
Al（5N）及びAlCe合金
Cu（4N）及びCu合金
Mo（3N）
Cr（3N）
Ti（3N）
ITO（4N）
製造方法
使用目的
溶解法
配線材料
溶解法
電極・バリア材料
粉末焼結法
電極・バリア材料
粉末焼結法
透明導電膜
溶解法
配線材料
溶解法
電極・バリア材料
粉末焼結法
電極材料
粉末焼結法
透明導電膜
溶解法
配線材料
粉末焼結法 バリア・密着層材料
溶解法
配線材料
粉末焼結法
透明導電膜
粉末焼結法
透明導電膜
溶解法
反射・電極
溶解法
電極
溶解法
配線・電極
溶解法
配線材料
粉末焼結法 バリア・密着層材料
溶解法
配線材料
粉末焼結法
透明導電膜
溶解法
電極材料
溶解法
絶縁材料・下地層材料
粉末焼結法
BM材料
溶解法
STN反射電極材料
粉末焼結法
透明導電膜
溶解法
配線材料
溶解法
配線材料
粉末焼結法
電極・バリア材料
粉末焼結法
電極・バリア材料
溶解法
電極・バリア材料
粉末焼結法
透明導電膜
◀ Cu 合金ターゲット
■高信頼度のメタルボンディング技術
大型スパッタリングターゲットでは大重量になるため、冷却板（バッキングプレート）とのボンデ
ィング技術が非常に重要となります。アルバックではガラス基板、成膜装置の大型化に対応できる
ボンディング設備を導入し、万全なターゲット供給体制を敷いています。
タッチパネル向け高機能膜形成に貢献する
アルバックの高品質ターゲット
低抵抗 Cu 配線プロセス用
I TO ターゲット
ITO ターゲット
■アルバック製ターゲットの４大特長
• 成膜時の安定した放電性を高める SnO2の微細化・高分散化
• ターゲット表面の良好な粗さ
• 成膜時の膜抵抗の高安定性
• パーティクル低減
■ ITO ターゲットのラインナップ
項　目
比抵抗
組成／不純物
2
SnO2
Fe
Cu
Pb
Al
Ni
分析法
4探針法
XFS
ICP-AES
ICP-AES
ICP-AES
ICP-AES
ICP-AES
規　格
―
±0.5
≦30
≦20
≦10
≦10
≦10
単位／組成
mΩ・cm
%
ppm
ppm
ppm
ppm
ppm
Cu-Mg-Al 系合金
■低抵抗 Cu 配線プロセスにおいて良好な下地密着層
■各種金属材料の配線抵抗
（ Pure Cu 膜の密着層として Cu-Mg-Al 合金を用いる積層構造）
Mo .............................. 12〜15μΩcm
◦低抵抗配線プロセスの成膜が可能なターゲットです。
■その他、下記ターゲットも扱っています。
Siターゲット
In2O3-10wt％ SnO2
0.14 ～ 0.17
10.1 ～ 9.9
5.8 ～ 2.2
2.4 ～＜1
＜4
3.8 ～＜1
1.0 ～＜1
Nb ターゲット
In2O3-5wt%SnO2
0.12 ～ 0.14
5.0
5.6
1.8
＜4
1.5
＜1
In2O3-3wt%SnO2
0.12 ～ 0.14
3.0
5.9
1.0
＜4
1.0
1.1
◦ガラス基板、酸化物層（ ITO 等）
、Si 系下地層（ SiO2 ）との密着
性が良好
◦配線層と同様の Cu 系材料のため Wet エッチングによる加工が
容易（過水系やフッ酸系を用いないエッチング液（ 1液）での加
工が可能）
◦低コストプロセス
◦安価なターゲット材料
Cu .............................
2.2μΩcm
a-Ta ............................ 25μΩcm
Cr ................................ 20μΩcm
Al Alloy ...................... 4〜5μΩcm
Al ................................ 3〜3.5μΩcm
Ag ............................... 3.0μΩcm
（膜厚：300nm ）
※Ag はバルク抵抗は低いが、
薄膜の比抵抗値は Al と同等　3
Sputtering Targets for Photovoltaic Applications
太陽電池製造装置向けスパッタリングターゲット
Sputtering Targets for Photovoltaic Applications
太陽電池製造装置向け
スパッタリングターゲット
トータルな材料でお応えする薄膜太陽電池製造装置向け
スパッタリングターゲット。
アルバックは、薄膜太陽電池製造装置のターンキー化を推し進めると同時に、アモルファス
シリコン太陽電池および化合物（ CIGS ）太陽電池の保護層、バッファー層、電極層などの関連
材料のスパッタリングターゲットを提供しています。特に、太陽電池に限らず、FPD やタッ
チパネルなど幅広く利用されている透明導電膜については、ITO と比較して資源が豊富な Zn
を使用する GZO や AZO の研究開発から生産技術、グローバル供給にいたるまで万全の体制で
お応えしています。
太陽電池一貫製造ライン
薄膜アモルファスシリコン太陽電池と材料
薄膜化合物（ CIGS ）太陽電池と材料
バッファ層（透明導電膜）
SCH-135
透明表面電極
AZO（ZnO:Al）スパッタ法またはMOCVD
Ti
銀の酸化や硫化防ぐ保護層の役割
スパッタリング装置
「SCH-135B」
SUNLIGHT
(太陽光)
高抵抗バッファ層
保護層
マイナスの電極および
太陽光を反射する役割
Ag
i-ZnO スパッタ法またはMOCVD
バッファ層
電極
スパッタ法等
銀とシリコンのバッファ層で、
銀とシリコンの合金化を防ぐ GZO
CVD装置
a-Si, μc-Si
CIGS 多元蒸着法、セレン化法
光吸収層
TCO
0.2∼0.3µm
GZO ターゲット
2 3
µm
a-Si
μc-Si
TCO
CdS
PLUS
ガラス基板
SUNLIGHT
(太陽光)
裏面電極
Mo
スパッタ法
ガラス基板
資料：中田時夫教授（青山学院大学理工学部）
広報誌「 ULVAC 」（第60号、21ページ図1を当社編集）
スパッタリングターゲットのリサイクル
Ag/Ti ターゲット
ユーザー
再生
防着板
アルバックの環境対応
資源回収
納品
リサイクル
材　料
GZO
純　度
3N ～
3N ～
製造方法
粉末焼結
主な用途
透明導電膜
材　料
Cu
Ag
Ti
Al 合金
4N
3N ～
粉末焼結
溶解法
溶解法
溶解法
粉末焼結
透明導電膜
反射膜電極材料
電極材料保護膜
配線材料
透明導電膜
In
CuGa
5N
リユース
ITO
4N
4N
4N
～ 35wt％ Ga
5N ～
Si
SiO2
Mo
ZnO
製造方法
溶解法
溶解法
粉末焼結
溶解法
溶解法
粉末焼結
粉末焼結
主な用途
プリカーサー
プリカーサー
プリカーサー
保護膜
保護膜
電極材料
透明導電膜
純　度
4
AZO
4N
3N
3N
納品
防着板の
バッファー層（透明表面電極）
リサイクル
■太陽電池用ターゲット
成膜作業
n-type高抵抗
表面処理
アルバックは、スパッタリン
精密洗浄
グターゲットの効率使用の
追求を始め、貴重なレアメ
バッファー層
タル等の金属資源を有効
活用するため、資源回収、
リサイクル、リユースを積極
的に推し進めています。
除膜／回収
使用済み
防着板
使用済み
ターゲット
ターゲット材料の
リサイクル
ターゲット製造
機械加工／
接合（ボンディング）／
品質検査
AZO（ZnO:Al）スパッタ法ま
たはMOCVD
純合金・合金
回収
タ法またはMOCVD
i-ZnO スパッ精製／造塊／鍛造／
残渣
圧延／熱処理
CdS スパッ
タ法等
化合物・
酸化物・高融点金属
粉末合成／成形／
乾燥／焼結
2 3
防着板のリサイクルはアルバックテクノの担当です
µm
ターゲット材料の精製
ターゲット材料のリサイクルはアルバック
（マテリアル事業部）
の担当です
光吸収層
二次精錬 一次精錬 鉱山
CIGS 多元蒸着法、セロン化法
5
Sputtering Targets for Semiconductor Applications
半導体製造装置向けスパッタリングターゲット
Sputtering Targets for Semiconductor Applications
■半導体製造装置向けスパッタリングターゲット材料
応用分野
半導体製造装置向け
スパッタリングターゲット
電極材料
配線材料
最先端薄膜材料をリードする
アルバックの半導体用ターゲット材料
化合物半導体材料
サブミクロン世代、ウエハーサイズの大型化に伴い、
スパッタリングターゲットはますます、高品質が要求されています。
■低パーティクル
■均質な膜厚分布
実装配線用
■高い使用効率
――を品質目標として、材料ごとに製造方法を検討することで
高品質なスパッタリングターゲットの開発と製造を行っております。
キャパシタ材料用
バリア材料
■金属組織調整による高い均質性
■最適な製造方法を採用したスパッタリングターゲット
アルバックでは半導体プロセスで要求される用途により、製造方法が異なる２種類のタング
ステンターゲットを開発しております。純度が５ N グレードの製品には粉末焼結法を採用した
安価な高密度タングステンターゲットを開発し、より高い品質を要求される部位には CVD（気
相成長法）を採用した７ N を誇る CVD タングステンターゲットを開発しています。
このように当社では、半導体プロセスごとに要求される仕様に最適なターゲット製造方法を採
用する事でお客様に高いパフォーマンスを提供しております。
アルバックではスパッタリング時に問題とさ
れる、パーティクルの発生を抑制したスパッタ
リングターゲットの開発を行ってきました。特
に、アルミニウムターゲットでは精製、造塊工
程に真空溶解法を採用することにより、パーテ
ィクルの発生原因の一つとなる酸素等のガス成
分の低減に努めています。
■各種タングステンターゲットのGDMS 分析比較
Sinter-W　CVD-W　≦ 0.1
≦ 0.01
Mg
—
≦ 0.01
—
≦ 0.01
Al
≦1
≦ 0.03
Cr
≦1
≦ 0.03
Fe
≦1
≦ 0.03
Ni
≦1
≦ 0.03
Target
K
Ca
Cu
≦ 0.1
ターゲット材料
純度
Al-0.5mass%Cu
5N5up（低 U、Th 仕様）
製造方法
誘導溶解法（真空）
≦1
≦ 0.01
Th
≦ 0.0005
＜ 0.0002
O
U
≦ 0.0005
＜ 0.0002
≦ 100
≦ 30
C
≦ 50
≦ 30
Ti
4N5up
アーク溶解／
EB 溶解法
Cu
6Nup
Ta
6Nup（ Nb、W 除く）
W
5N、6N、7N
溶解法（雰囲気）
EB 溶解
焼結法、CVD
Al 合金
もしくはCu 合金
メタルボンディング
バッキングプレート材質
Al 合金材もしくはCu 合金
Al 合金
Al 合金
接合方法
エレクトロンビーム溶接 ､
一体構造品もしくはメタルボンデイング
Al 合金
もしくはCu 合金
拡散接合
拡散接合
拡散接合
■標準蒸発材料一覧
材質
≦ 0.01
（単位：ppm)
6
■万全の品質管理体制
■主要300mmWafer 用ターゲット材料
グロー放電マススペクトル分析装置
Na
アルバックの高純度コバルトターゲットやチタンターゲットを始めとした大半の半導体用タ
ーゲットは、金属組織の微細、均質化に留意した製造プロセスを採用しています。
例えば、高純度コバルトターゲットでは金属組織の微細、均質化により、ターゲット表面上
の漏洩する磁束を大きくすることが可能（低透磁率化）で、エロージョンの拡大による使用効
率の向上や、より均質な膜厚分布を得ることができます。
アルバックは、取扱製品の性状・形状を考慮した一貫製造を行っています。GD-MS（グロｰ
放電質量分析装置）を始めとして高度な分析・評価装置を保有し、クリーンで高度な品質を提
供しています。
■低パーティクルターゲット
■タングステンターゲットの金属組織比較
材質
製造方法
使用目的
W（5N）
粉末焼結法
W（6N, 7N）
CVD（気相成長法）
Co（5N）
溶解法
Ni
（5N）
溶解法
Ti（5N）
溶解法
各種シリサイド
（4N up）
粉末焼結法
Al（5N, 5N5）及び
真空溶解法
AlCu等のAL合金（5N, 5N5）
Cu（6N）
溶解法
Au, Au合金（4N）
溶解法
配線
WSi（5N）
粉末焼結法
電極
合成・天然石英
絶縁材料
SiO（
2 4N, 6N）
Al（5N, 5N5）及び
真空溶解法
配線
AL合金（5N, 5N5）
Cu
（4N）
溶解法
配線
Cr
（3N）
粉末焼結法
バリア
貴金属材料
溶解法
配線
TiW（4N up）
粉末焼結法
バリア
Ni（4N）
溶解法
バリア
DRAMキャパシタ／薄膜コンデンサ
BST
粉末焼結法
PZT
粉末焼結法
FeRAM
Ti（4N5）
溶解法
TiW（4N up）
粉末焼結法
純度
5N
Al
5N5
5N8
6N
3N
Cr
型式
SAW-15
SAP-06
SAP-22
SAS-40
SAS-110
MAP-06
CAP-06
SCS-1
SCS-2
SCP-4
SCH-10
SCH-40-20
形状
φ1.5×L
φ6×15
φ22×14.6
φ49×φ36×26H
φ69×φ57×36H
φ6×20
φ6×20
φ6×20
4×30×1.5
6×8×4
20×20×6
φ32×φ24×15
φ45×φ35×20
数量
250gr
200P
20P
3P
2P
10P
10P
材質
Cu
100P
100P
5P
5P
2P
Ag Alloy
Mo
Ni
Ti
純度
4N
4N
4N
4N
4N
3N
4N5
4N5
4N
4N
型式
ZMC-06
形状
φ6×15
10×3×7
10×14×7
φ45×φ35×20
φ10×3
φ13×7.5
φ12×3.5
φ45×φ35×20
φ10×15
φ10×5
数量
200P
100P
10P
2P
100P
100P
100P
2P
50P
10P
高純度真空蒸着材料
当社の高純度真空蒸着材料はあらゆる薄膜電子デバイス分野で使用されてお
ります。クリーンな環境と高いレベルの品質保証体制の下で製造される蒸着材
料はお客様に高い満足をご提供致します。
＊標準品以外にも材料、形状等ご相談を承ります。
＊各種真空蒸発源部品も取り扱っております。ご用命ください。
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