データシート - ラピスセミコンダクタ

FJDD56V16800F-03
発行日：
2012 年 3 月 15 日
MSM56V16800F
2-Bank×1,048,576-Word×8-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
■ 概要
MSM56V16800F は、シリコンゲート CMOS プロセス技術により開発された 2 バンク×1,048,576 ワー
ド×8 ビットのシンクロナスダイナミック RAM で 3.3V 電源で動作し、入出力は LVTTL コンパチブル
になっています。
■ 特長
●
●
●
●
●
●
●
シリコンゲート、4 層ポリシリコン CMOS、1 トランジスタメモリセル
2 バンク×1,048,576 ワード×8 ビット構成
3.3V±0.3V 単一電源
入力：LVTTL コンパチブル
出力：LVTTL コンパチブル
リフレッシュ：4096 回/64ms
プログラム可能なデータ転送モード
 CAS Latency（1、2、3）
 バースト長（1、2、4、8、フルページ）
 データスクランブル（シーケンシャル、インターリーブ）
● オートリフレッシュ、セルフリフレッシュ可能
● パッケージ
44 ピン 400 mil プラスチック TSOP(II) （TSOPII44-P-400-0.80-1K） （製品名：MSM56V16800F-xxT3-K）
xx は、スピードランクを表す。
■ ファミリ構成
ファミリ
最大動作周波数
アクセスタイム（最大）
tAC2
tAC3
MSM56V16800F-8A
125MHz
6ns
6ns
MSM56V16800F-10
100MHz
9ns
9ns
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FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
■ 端子接続（上面図）
44 ピンプラスチック TSOP (II)
（K タイプ）
ピン名称
VCC 1
44 VSS
DQ1 2
43 DQ8
VSSQ 3
42 VSSQ
DQ2 4
41 DQ7
VCCQ 5
40 VCCQ
DQ3 6
39 DQ6
VSSQ 7
38 VSSQ
DQ4 8
37 DQ5
VCCQ 9
36 VCCQ
NC 10
35 NC
NC 11
34 NC
WE 12
CAS 13
33 DQM
RAS 14
CS 15
31 CKE
A11 16
29 A9
A10 17
28 A8
A0 18
27 A7
32 CLK
30 NC
A1 19
26 A6
A2 20
25 A5
A3 21
24 A4
VCC 22
23 VSS
機能
ピン名称
機能
CLK
システムクロック
CS
チップセレクト
DQi
データ入出力
クロックイネーブル
VCC
電源（3.3V）
アドレス入力
VSS
グランド（0V）
CKE
A0～A10
DQM
データ入出力マスク
A11
バンク選択アドレス入力
VCCQ
出力用電源（3.3V）
RAS
ロウアドレスストローブ
VSSQ
出力用グランド（0V）
CAS
カラムアドレスストローブ
WE
ライトイネーブル
NC
無接続
注記: 全ての VCC ピンには同一の電源電圧を印加して下さい。
全ての VCCQ ピンには同一の電源電圧を印加して下さい。
全ての VSS, VSSQ ピンには同一の電源電圧を印加して下さい。
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FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
■ 端子機能
CLK
“H”エッジで全ての入力を取り込みます。
CS
CLK、CKE、DQM を除く全ての入力を活性、又は非活性とし、デバイスを選択、非選択と
します。
CKE
システムクロックをマスクし、次の CLK の動作を非活性とします。
コマンドを入力する 1CLK 前に必ず活性化してください。
ROW & COL マルチプレクス入力
ADDRESS
ROW アドレス
：RA0～10
COL アドレス
：CA0～8
アクティブ、プリチャージ、リード、ライト時にバンクを選択します。
A11
A11 = “L” ：バンクＡ
A11 = “H” ：バンクＢ
RAS、CAS、 組み合わせにより、機能が異なります。詳細はファンクショントゥルーステーブルを
WE
参照して下さい。
DQM
DQi
CLK 信号の”H”エッジで DQM を”H”としたとき 2CLK 後のリードデータをマスクします。
CLK 信号の”H”エッジで DQM を”H”としたとき同一 CLK のライトデータをマスクします。
データ入出力はマルチプレクスです。
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FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
■ 電気的特性
● 絶対最大定格
項目
記号
定格値
単位
端子電圧
VIN, VOUT
–0.5～ VCC + 0.5
V
電源電圧
VCC, VCCQ
–0.5～ 4.6
V
保存温度
Tstg
–55～ 150
°C
許容損失
PD*
600
mW
出力短絡電流
IOS
50
mA
動作温度
Topr
0～70
°C
*：Ta = 25°C
● 推奨動作条件
(Voltages Referenced to VSS=0V, VSSQ =0V)
項目
記号
Min.
Typ.
Max.
単位
VCC, VCCQ
3.0
3.3
3.6
V
“H”入力電圧
VIH
2.0
—
VCC+0.2
V
“L”入力電圧
VIL
–0.3
—
0.8
V
電源電圧
● 端子容量
(VBIAS = 1.4V, Ta = 25°C, f = 1MHz)
項目
入力容量 (CLK)
入力容量
(RAS, CAS, WE, CS, CKE, DQM, A0～A11)
出力容量(DQ1～DQ8)
記号
Min.
Max.
単位
CCLK
2.5
4
pF
CIN
2.5
5
pF
COUT
4
6.5
pF
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FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
● 直流特性
条件
項目
記号
F-8A
バンク
CKE
単
位
MSM56V16800
他
注
記
F-10
Min.
Max.
Min.
Max.
“H”出力電圧
VOH


IOH =
 2.0mA
2.4

2.4

V
“L”出力電圧
VOL


IOL = 2.0mA

0.4

0.4
V
入力漏洩電流
ILI



10
10
10
10
A
出力漏洩電流
ILO



10
10
10
10
A
CKE≧VIH
tRC = Min.

80

70
mA 1, 2

115

95
mA 1, 2
ICC1
1 ﾊﾞﾝｸ
ｱｸﾃｨﾌﾞ
tCC = Min.
No Burst
電源電流
(動作時)
tCC = Min.
ICC1D
両ﾊﾞﾝｸ
ｱｸﾃｨﾌﾞ
CKE≧VIH
tRC = Min.
tRRD = Min.
No Burst
電源電流
(待機時)
電源電流
(ｸﾛｯｸｻｽﾍﾟﾝﾄﾞ時)
電源電流
(ｱｸﾃｨﾌﾞｽﾀﾝﾊﾞｲ時)
電源電流
(ﾊﾞｰｽﾄ時)
電源電流
(ｵｰﾄﾘﾌﾚｯｼｭ時)
電源電流
(ｾﾙﾌﾘﾌﾚｯｼｭ時)
電源電流
(ﾊﾟﾜｰﾀﾞｳﾝ時)
注記:
ICC2
両ﾊﾞﾝｸ
CKE≧VIH
ﾌﾟﾘﾁｬｰｼﾞ
tCC = Min.

35

30
mA
3
ICC3S
両ﾊﾞﾝｸ
ｱｸﾃｨﾌﾞ
CKE≦VIL
tCC = Min.

3

3
mA
2
ICC3
1 ﾊﾞﾝｸ
ｱｸﾃｨﾌﾞ
CKE≧VIH
tCC = Min.

40

35
mA
3
ICC4
両ﾊﾞﾝｸ
ｱｸﾃｨﾌﾞ
CKE≧VIH
tCC = Min.

125

100
mA 1, 2
ICC5
1 ﾊﾞﾝｸ
ｱｸﾃｨﾌﾞ
CKE≧VIH
tCC = Min.

80

70
mA
ICC6
両ﾊﾞﾝｸ
CKE≦VIL
ﾌﾟﾘﾁｬｰｼﾞ
tCC = Min.

2

2
mA
ICC7
両ﾊﾞﾝｸ
CKE≦VIL
ﾌﾟﾘﾁｬｰｼﾞ
tCC = Min.

2

2
mA
tRC = Min.
1
1. 電源電流の最大値は出力解放状態です。
2. アドレス、データの変化は 1 サイクル中１回以下。
3. アドレス、データの変化は 2 サイクル中１回以下。
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FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
● モードセットアドレスキー
CAS レイテンシィ
A6
A5
バーストタイプ
バースト長
A4
CL
A3
BT
A2
A1
A0
BT = 0
BT = 1
0
0
0
Reserved
0
Sequential
0
0
0
1
1
0
0
1
1
1
Interleave
0
0
1
2
2
0
1
0
2
0
1
0
4
4
0
1
1
3
0
1
1
8
8
1
0
0
Reserved
1
0
0
Reserved
Reserved
1
0
1
Reserved
1
0
1
Reserved
Reserved
1
1
0
Reserved
1
1
0
Reserved
Reserved
1
1
1
Reserved
1
1
1
フルページ
Reserved
注記:
モードセットを行う場合、A7、A8、A9、A10、A11 を”L”レベルにして下さい。
MSM56V16800F は、以下の 2 つの電源投入方法をサポートしています。
電源投入法 1
1. 入力を NOP 状態にして電源を投入し、システムクロックを入力してください。
2. VCC が規定の電圧に到達してから、入力を NOP 状態にしたまま 200s 以上のポーズをと
ってください。
3. プリチャージオールバンクコマンドを加えてください。
4. 8 回以上のオートリフレッシュコマンドを加えてください。
5. モードレジスタセットコマンドを入力してください。
電源投入法 2
1. 入力を NOP 状態にして電源を投入し、システムクロックを入力してください。
2. VCC が規定の電圧に到達してから、入力を NOP 状態にしたまま 200s 以上のポーズをと
ってください。
3. プリチャージオールバンクコマンドを加えてください。
4. モードレジスタセットコマンドを入力してください。
5. 8 回以上のオートリフレッシュコマンドを加えてください。
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FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
● 交流特性（1/2）
注記 1, 2
項目
記号
MSM56V16800
F-8A
MSM56V16800
F-10
Min.
Max.
Min.
Max.
単位
注記
CL = 3
tCC3
8

10

ns
CL = 2
tCC2
10

15

ns
CL = 1
tCC1
20

30

ns
CL = 3
tAC3

6

9
ns
3, 4
CL = 2
tAC2

6

9
ns
3, 4
CL = 1
tAC1

16

27
ns
3, 4
クロック”H”パルス時間
tCH
3

3

ns
4
クロック”L”パルス時間
tCL
3

3

ns
4
入力セットアップ時間
tSI
2

3

ns
入力ホールド時間
tHI
1

1

ns
クロックからの出力ローインピー
tOLZ
ダンス時間
3

3

ns
クロックからの出力ハイインピー
tOHZ
ダンス時間

8

8
ns
クロックからの出力ホールド時間
tOH
3

3

ns
RAS サイクル時間
tRC
70

90

ns
RAS プリチャージ時間
tRP
20

30

ns
RAS アクティブ時間
tRAS
48
100,000
60
100,000
ns
RAS、CAS 遅延時間
tRCD
20

30

ns
ライトリカバリィ時間
tWR
8

15

ns
RAS、RAS バンクアクティブ遅延
時間
tRRD
20

20

ns
リフレッシュ時間
tREF

64

64
ms
パワーダウン解除時間
tPDE
tSI
+1CLK

tSI
+1CLK

ns
tT

3

3
ns
クロックサイクル
時間
クロックからの
アクセス時間
入力レベル遷移時間
CAS、CAS 遅延時間（min.）
lCCD
1
1
Cycle
CKE からのクロックディセーブル
時間
lCKE
1
1
Cycle
DQM からのデータ出力ハイインピ
lDOZ
ーダンス時間
2
2
Cycle
DQM からのデータ入力マスク時間 lDOD
0
0
Cycle
3
7/31
FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
● 交流特性（2/2）
Note 1, 2
項目
記号
MSM56V16800
F-8A
Min.
Max.
MSM56V16800
F-10
Min.
単位
Max.
ライトコマンドからのデータ入力
時間
lDWD
0
0
Cycle
プリチャージコマンドからのデー
タ出力ハイインピーダンス時間
lROH
CL
CL
Cycle
モードレジスタセットコマンドか
らのアクティブコマンド入力時間
（min.）
lMRD
2
2
Cycle
出力からのライトコマンド入力時
間
lOWD
2
2
Cycle
注記：
注記
1. 交流特性の値は tT = 1ns で規定しています。
2. タイミング規定の入力基準レベルは、1.4V です。
3. 出力負荷。
Z=50
Output
50pF (External Load)
4. アクセスタイムは 1.4V で測定しています。
5. tT が 1ns 以上になった場合、入力信号のタイミングを規定する基準レベルは VIH と VIL で
す。
8/31
FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
■ タイミングチャート
リードライトサイクル（同一バンク）@CAS Latency2, Burst Length4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLK
tRC
CKE
CS
tRP
RAS
tRCD
CAS
ADDR
Ra
Rb
Ca0
Cb0
A11
A10
Ra
Rb
tOH
Qa0 Qa1 Qa2 Qa3
DQ
tAC
Db0 Db1 Db2 Db3
tWR
tOHZ
WE
DQM
Row Active
Read Command
Row Active
Precharge Command
Write Command
Precharge Command
9/31
FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
シングルビットリードライトリードサイクル（同一ページ）@CAS Latency2, Burst Length4
0
1
2
3
4
tCH
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLK
tCC
tCL
High
CKE
CS
tHI
tSI
RAS
ICCD
tHI
tSI
CAS
tSI
tSI
ADDR
Ra
tSI
Ca
tHI
A11
BS
A10
Ra
Cb
Cc
BS
BS
tHI
BS
BS
tHI
tOHZ
tAC
DQ
Qa
Db
tOLZ
tOH
lOWD
Qc
tSI
tHI
WE
tSI
DQM
Row Active
Read Command
Write Command
Precharge Command
Read Command
10/31
FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
*注記: 1. CLK が”Low”から”High”へ遷移するときに CS を”High”とした場合、CKE、DQM
を除く全ての入力を無効とします。
2. アクティブ、リードおよびライト時、A11 によってバンクを選択します。
A11
アクティブ、リード、ライト
0
バンク A
1
バンク B
3. リードおよびライトコマンド入力時、A10 入力によりオートプリチャージ動作を選択、非選
択します。
A10
A11
動作
0
0
バースト動作終了後、バンク A はロウアクティブ状態を保ちます。
1
0
バースト動作終了後、バンク A はオートプリチャージします。
0
1
バースト動作終了後、バンク B はロウアクティブ状態を保ちます。
1
1
バースト動作終了後、バンク B はオートプリチャージします。
4. プリチャージコマンド入力時、A10、A11 入力によりプリチャージを行うバンクを選択しま
す。
動作
A10
A11
0
0
バンク A をプリチャージします。
0
1
バンク B をプリチャージします。
1
X
両バンク A、B をプリチャージします。
5. 入力データとライトコマンドは同一 CLK でラッチします。（ライトレイテンシ0）
6. DQM 入力後（1CLK  tOHZ）で出力を Hi-Z にします。
11/31
FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
ページリードライトサイクル（同一ページ）@CAS Latency2, Burst Length4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLK
High
CKE
CS
Bank A Active
RAS
CAS
ICCD
ADDR
Ca0
Cb0
Cc0
Cd0
Qa0 Qa1 Qb0 Qb1
Dc0 Dc1
Dd0
A11
A10
DQ
lOWD
tWR
注記 2
WE
注記 1
DQM
Read Command
Read Command
Write Command
Precharge Command
Write Command
*注記: 1. バーストリード終了時にライト動作する場合、ライトコマンド入力の 3CLK 前から 3Cycle
の間 DQM を入力して下さい。
2. バーストライト終了時にロウプリチャージを行う場合、最終ライトデータ入力から tWR 時
間待って下さい。
プリチャージ入力サイクルの入力データはライトしません。
12/31
FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
オートプリチャージサイクル@ Burst Length4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLK
High
CKE
CS
RAS
tRRD
CAS
ADDR
Ra
Rb
Ra
Rb
Ca
Cb
A11
A10
WE
CAS Latency=1
DQ
Qa0 Qa1 Qa2 Qa3
Db0 Db1 Db2 Db3
A-Bank Precharge Start
DQM
CAS Latency=2
Qa0 Qa1 Qa2 Qa3
DQ
Db0 Db1 Db2 Db3
A-Bank Precharge Start
DQM
CAS Latency=3
Qa0 Qa1 Qa2 Qa3
DQ
Db0 Db1 Db2 Db3
A-Bank Precharge Start
tWR
DQM
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
A Bank Read with
Auto Precharge
B Bank Write with
Auto Precharge
B Bank Precharge
Start Point
13/31
FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
バンクインターリーブランダムロウリードサイクル@CAS Latency = 2, Burst Length = 4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLK
High
CKE
CS
tRC
RAS
tRRD
CAS
ADDR
RAa
CAa
RBb
CBb
RAc
CAc
A11
A10
DQ
RAa
RBb
QAa0 QAa1 QAa2 QAa3
RAc
QBb1 QBb2 QBb3 QBb4
QAc0 QAc1 QAc2 QAc3
WE
DQM
Row Active
Read Command
Read Command
Row Active
(A-Bank)
(B-Bank)
(A-Bank)
(B-Bank)
Read Command
Row Active
Precharge Command
(A-Bank)
(A-Bank) Precharge Command
(A-Bank)
(B-Bank)
14/31
FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
バンクインターリーブランダムロウライトサイクル@CAS Latency = 2, Burst Length =4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLK
High
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
RAa
CAa
RBb
CBb
RAc
CAc
A11
A10
RBb
RAa
RAc
DAa0 DAa1 DAa2 DAa3 DBb0 DBb1 DBb2 DBb3
DQ
DAc0 DAc1
WE
DQM
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Precharge Command
(A-Bank)
Write Command
(A-Bank)
Write Command
(B-Bank)
Write Command
(A-Bank)
Precharge Command
(B-Bank)
Row Active
(A-Bank)
Precharge Command
(A-Bank)
15/31
FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
バンクインターリーブページリードサイクル@CAS Latency = 2, Burst Length =4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLK
High
CKE
注記 1
CS
RAS
CAS
ADDR
RAa
CAa
RBb
CBb
CAc
CBd
CAe
A11
A10
RBb
RAa
DQ
QAa0 QAa1 QAa2 QAa3 QBb0 QBb1 QBb2 QBb3 QAc0 QAc1 QBd0 QBd1 QAe0 QAe1
IROH
WE
DQM
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Read Command
(A-Bank)
Read Command
(B-Bank)
Read Command
(B-Bank)
Read Command
(A-Bank)
Precharge Command
(A-Bank)
Read Command
(A-Bank)
*注記: 1. RAS、CAS、WE を同一サイクルで”High”とした時、CS 入力は無視されます。
16/31
FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
バンクインターリーブページライトサイクル@CAS Latency = 2, Burst Length4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLK
High
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
RAa
CAa
RBb
CBb
CAc
CBd
A11
A10
RAa
RBb
DQ
DAa0 DAa1 DAa2 DAa3 DBb0 DBb1 DBb2 DBb3 DAc0 DAc1 DBd0
WE
DQM
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Write Command
(A-Bank)
Write Command
(B-Bank)
Write Command
(B-Bank)
Precharge Command
(Both Bank)
Write Command
(A-Bank)
17/31
FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
バンクインターリーブランダムロウリードライトサイクル@CAS Latency = 2, Burst Length = 4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLK
High
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
RAa
CAa
RBb
CBb
RAc
CAc
A11
A10
RAa
RBb
DQ
RAc
QAa0 QAa1 QAa2 QAa3
QBb0 QBb1 QBb2 QBb3
QAc0 QAc1 QAc2 QAc3
WE
DQM
Row Active
(A-Bank)
Read Command
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Write Command
(B-Bank)
Precharge Command
(A-Bank)
Read Command
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
18/31
FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
バンクインターリーブページリードライトサイクル@CAS Latency = 2, Burst Length =4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLK
High
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
CAa0
CBb0
CAc0
A11
A10
QAa0 QAa1 QAa2 QAa3
DQ
DBb0 DBb1 DBb2 DBb3
QAc0 QAc1 QAc2 QAc3
WE
DQM
Read Command
(A-Bank)
Write Command
(B-Bank)
Read Command
(A-Bank)
19/31
FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
クロックサスペンド・DQ マスクサイクル@CAS Latency = 2, Burst Length =4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLK
注記 1
注記 1
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
Ra
Ca
Cb
Cc
A11
A10
Ra
Qa0 Qa1
DQ
注記 2
Qa2
Qb0 Qb1
tOHZ
tOHZ
Dc0
Dc2
注記 3
WE
DQM
Row Active
CLOCK
Suspension
Read Command
Read DQM
Read Command
Write
DQM
Read DQM
Write
Command
Write DQM
CLOCK Suspension
*注記: 1. クロックサスペンドを入力した場合、次の CLK を無視します。
2. DQM を入力した場合、2CLK 後のリードデータをマスクします。
3. DQM を入力した場合、同一 CLK のライトデータをマスクします。
20/31
FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
リードトゥライトサイクル（同一バンク）@CAS Latency = 2, Burst Length =4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLK
CKE
CS
注記 1
RAS
tRCD
CAS
ADDR
Ra
Ca0
Cb0
A11
A10
Ra
DQ
Da0
Db0 Db1 Db2 Db3
tWR
WE
DQM
Precharge Command
Row Active
Read Command
Write Command
*注記: 1. CAS Latency = 3 の場合、リードサイクルはライトコマンドによってインタラプト可能です。
コマンドの最小間隔は [バースト長+1]サイクルです。
ライトコマンドの入力により、3 クロック以上前から DQM をハイレベルにしておく必要が
あります。
21/31
FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
リードインターラプト（プリチャージコマンド）@Burst Length8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLK
High
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
Ra
Ca
A11
A10
Ra
WE
CAS Latency=1
注記 1
Qa0 Qa1 Qa2 Qa3 Qa4 Qa5
DQ
lROH
DQM
CAS Latency=2
注記 1
DQ
Qa0 Qa1 Qa2 Qa3 Qa4 Qa5
lROH
DQM
CAS Latency=3
注記 1
DQ
Qa0 Qa1 Qa2 Qa3 Qa4 Qa5
lROH
DQM
Row Active
Read Command
Precharge Command
*注記: 1. バーストリード終了前にロウプリチャージを入力した場合、プリチャージコマンド入力後、
lROH(=CAS Latency)以降のリードデータは出力されません。
22/31
FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
バーストストップコマンド@Burst Length = 8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLK
High
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
Ca
Cb
A11
A10
WE
CAS Latency=1
DQ
Qa0 Qa1 Qa2 Qa3 Qa4
Qb0 Qb1 Qb2 Qb3 Qb4
DQM
CAS Latency=2
DQ
Qa0 Qa1 Qa2 Qa3 Qa4
Qb0 Qb1 Qb2 Qb3 Qb4
DQM
CAS Latency=3
DQ
Qa0 Qa1 Qa2 Qa3 Qa4
Qb0 Qb1 Qb2 Qb3 Qb4
DQM
Read Command
Burst Stop Command
Write Command
Burst Stop Command
23/31
FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
パワーダウンモード@CAS Latency = 2, Burst Length =4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLK
tSI
注記 1
tPDE 注記 2t
SI
tSI
CKE
tREF (min.)
CS
RAS
CAS
ADDR
Ra
Ca
A11
Ra
A10
Qa0 Qa1 Qa2
DQ
WE
DQM
Power-down
Entry
Row
Active
Clock
Power-down
Exit
Suspension
Entry
Read Command
Clock
Suspension Exit
Precharge Command
*注記: 1. 両バンクがプリチャージ状態時に CKE を”Low”とした場合、パワーダウンモードに入
り、”Low”としている間パワーダウンモードを保持します。
2. パワーダウンモードを解除する時、CKE のセットアップ時間を tPDE 以上とった場合、同一
CLK の入力を取り込みます。
24/31
FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
セルフリフレッシュサイクル
0
1
2
CLK
tRC
CKE
tSI
CS
RAS
CAS
ADDR
Ra
A11
BS
A10
Ra
Hi-Z
DQ
WE
DQM
Self Refresh Entry
Self Refresh Exit
Row Active
25/31
FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
モードレジスタサイクル
0
1
2
3
オートリフレッシュサイクル
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
CLK
High
CKE
High
CS
tRC
lMRD
RAS
CAS
ADDR
Key
Ra
Hi - Z
DQ
Hi - Z
WE
DQM
MRS
New Command
Auto Refresh
Auto Refresh
26/31
FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
■ファンクショントゥルーステーブル (Table 1) (1/2)
状態 1
アイドル
ロウ
アクティブ
リード
ライト
リード＆
オート
プリチャージ
ライト＆
オート
プリチャージ
CS
RAS
CAS
WE
BA
ADDR
H
X
X
X
X
X
L
H
H
H
X
X
NOP
L
H
H
L
BA
X
ILLEGAL 2
L
H
L
X
BA
CA
ILLEGAL 2
L
L
H
H
BA
RA
ロウアクティブ
L
L
H
L
BA
A10
NOP 4
L
L
L
H
X
X
動作
NOP
オートリフレッシュ／セルフリフレッシュ
5
OP Code モードレジスタライト
L
L
L
L
L
H
X
X
X
X
L
H
H
X
X
X
L
H
L
H
BA
CA, A10
リード
L
H
L
L
BA
CA, A10
ライト
L
L
H
H
BA
RA
ILLEGAL 2
L
L
H
L
BA
A10
プリチャージ
L
L
L
X
X
X
X
NOP
NOP
ILLEGAL
H
X
X
X
X
X
NOP（バースト終了後ロウアクティブ状態を保つ）
L
H
H
H
X
X
NOP（バースト終了後ロウアクティブ状態を保つ）
L
H
H
L
X
X
バーストを中断し、ロウアクティブ状態を保つ
L
H
L
H
BA
CA, A10
バーストを中断し、新しいバーストリードを開始 3
L
H
L
L
BA
CA, A10
バーストを中断し、新しいバーストライトを開始 3
L
L
H
H
BA
RA
ILLEGAL 2
L
L
H
L
BA
A10
バーストを中断し、ロウプリチャージを行う
L
L
L
X
X
X
ILLEGAL
H
X
X
X
X
X
NOP（バースト終了後ロウアクティブ状態を保つ）
L
H
H
H
X
X
NOP（バースト終了後ロウアクティブ状態を保つ）
L
H
H
L
X
X
バーストを中断し、ロウアクティブ状態を保つ
L
H
L
H
BA
CA, A10
バーストを中断し、新しいバーストリードを開始 3
L
H
L
L
BA
CA, A10
バーストを中断し、新しいバーストライトを開始 3
L
L
H
H
BA
RA
ILLEGAL 2
L
L
H
L
BA
A10
バーストを中断し、ロウプリチャージを行う 3
L
L
L
X
X
X
ILLEGAL
H
X
X
X
X
X
NOP（バースト終了後ロウプリチャージを行う）
L
H
H
H
X
X
NOP（バースト終了後ロウプリチャージを行う）
L
H
H
L
BA
X
ILLEGAL 2
L
H
L
H
BA
CA, A10
ILLEGAL 2
L
H
L
L
X
X
L
L
H
X
BA
RA, A10
ILLEGAL
ILLEGAL 2
L
L
L
X
X
X
ILLEGAL
H
X
X
X
X
X
NOP（バースト終了後ロウプリチャージを行う）
L
H
H
H
X
X
NOP（バースト終了後ロウプリチャージを行う）
L
H
H
L
BA
X
ILLEGAL 2
L
H
L
H
BA
CA, A10
ILLEGAL 2
27/31
FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
ファンクショントゥルーステーブル (Table 1) (2/2)
状態 1
ライト＆
オート
プリチャージ
プリチャージ
ライト
リカバリ
ロウ
アクティブ
リフレッシュ
モード
レジスタ
アクセス
CS
L
RAS
H
CAS
L
WE
L
BA
ADDR
X
X
L
L
L
L
H
X
BA
RA, A10
L
X
X
X
動作
ILLEGAL
ILLEGAL 2
ILLEGAL
H
X
X
X
X
X
NOP --> tRP 後アイドル状態
L
H
H
H
X
X
NOP --> tRP 後アイドル状態
L
H
H
L
BA
X
ILLEGAL 2
L
H
L
X
BA
CA
ILLEGAL 2
L
L
H
H
BA
RA
ILLEGAL 2
L
L
H
L
BA
A10
NOP 4
L
L
L
X
X
X
ILLEGAL
H
X
X
X
X
X
NOP
L
H
H
H
X
X
NOP
L
H
H
L
BA
X
ILLEGAL 2
L
H
L
X
BA
CA
ILLEGAL 2
L
L
H
H
BA
RA
ILLEGAL 2
L
L
H
L
BA
A10
ILLEGAL 2
L
L
L
X
X
X
ILLEGAL
H
X
X
X
X
X
NOP --> tRCD 後ロウアクティブ状態
L
H
H
H
X
X
NOP --> tRCD 後ロウアクティブ状態
L
H
H
L
BA
X
ILLEGAL 2
L
H
L
X
BA
CA
ILLEGAL 2
L
L
H
H
BA
RA
ILLEGAL 2
L
L
H
L
BA
A10
ILLEGAL 2
L
L
L
X
X
X
ILLEGAL
H
X
X
X
X
X
NOP --> tRC 後アイドル状態
L
H
H
X
X
X
NOP --> tRC 後アイドル状態
L
H
L
X
X
X
ILLEGAL
L
L
H
X
X
X
ILLEGAL
L
L
L
X
X
X
ILLEGAL
H
X
X
X
X
X
NOP
L
H
H
H
X
X
NOP
L
H
H
L
X
X
ILLEGAL
L
H
L
X
X
X
ILLEGAL
L
L
X
X
X
X
ILLEGAL
略語
RA = ロウアドレス
CA = カラムアドレス
BA = バンクアドレス
AP = オートプリチャージ
NOP = ノーオペレーションコマンド
全ての入力は、1cycle 前に CKE を”High”とした時にイネーブルとなります。
規定の状態において禁止です。しかし、バンクの選択状況により可能な場合もあります。
バスの混乱を避けるために lCCD、tWR を満足させて下さい。
プリチャージ中又はアイドル状態にあるバンクに対しては無効となりますが、BA 又は A10
により、アクティブ状態のバンクをプリチャージします。
5. A、B バンクいずれか、また両バンクがアイドル状態でないとき禁止します。
*注記: 1.
2.
3.
4.
28/31
FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
ファンクショントゥルーステーブル (CKE) (Table 2)
状態 (n)
CKEn-1
CKEn
CS
RAS
CAS
WE
ADDR
セルフ
リフレッシュ
H
X
X
X
X
X
X
INVALID
L
H
H
X
X
X
X
セルフリフレッシュ解除 --> ABI6
L
H
L
H
H
H
X
セルフリフレッシュ解除 --> ABI6
L
H
L
H
H
L
X
ILLEGAL
L
H
L
H
L
X
X
ILLEGAL
L
H
L
L
X
X
X
ILLEGAL
パワー
ダウン
両バンク
アイドル
(ABI)
その他
動作
L
L
X
X
X
X
X
NOP（セルフリフレッシュ継続）
H
X
X
X
X
X
X
INVALID
L
H
H
X
X
X
X
パワーダウン解除 --> ABI
L
H
L
H
H
H
X
パワーダウン解除 --> ABI
L
H
L
H
H
L
X
ILLEGAL
L
H
L
H
L
X
X
ILLEGAL
L
H
L
L
X
X
X
ILLEGAL 7
L
L
X
X
X
X
X
NOP（パワーダウン継続）
H
H
X
X
X
X
X
Refer to Table 1
H
L
H
X
X
X
X
パワーダウン開始
H
L
L
H
H
H
X
パワーダウン開始
H
L
L
H
H
L
X
ILLEGAL
H
L
L
H
L
X
X
ILLEGAL
H
L
L
L
H
L
X
ILLEGAL
H
L
L
L
L
H
X
セルフリフレッシュ開始
H
L
L
L
L
L
X
ILLEGAL
L
L
X
X
X
X
X
NOP
H
H
X
X
X
X
X
Refer to Operations in Table 1
H
L
X
X
X
X
X
次のサイクルのクロックをサスペンド
L
H
X
X
X
X
X
次のサイクルのクロックをイネーブル
L
L
X
X
X
X
X
クロックサスペンド継続
*注記: 6. セルフリフレッシュ解除発行後、tRC(min)で両バンクアイドル状態となります。
7. CKE の”L”から”H”への遷移に対して tPDE を満足した場合、CKE は非同期状態となり、同一 cycle
内でのコマンド入力が可能です。
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FJDD56V16800F-03
MSM56V16800F
改版履歴
ドキュメント No.
FJDD56V16800F-01
2001.5.25
FJDD56V16800F-02
2004.6.29
FJDD56V16800F-03
ページ
発行日
変更内容
改版前
改版後
–
–
1~30
1~30
–
4
1
–
–
1
1
1
2012.3.14
初版発行
誤記修正 *詳細省略(旧版参照)
社名変更, 改版履歴表フォーマット変更
回路構成図削除
特徴の 2 行目にある「16 ビット構成」を「8 ビット構成」
に変更
鉛フリーパッケージ製品名に変更
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MSM56V16800F
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