PowerPoint プレゼンテーション

・ 安定したプロセス
等方性高周波プラズマと特許取得済の静電対策チャンバー
の採用により、全方向に均等にエッチングでき、複雑な形状
の基板の処理が可能となっています。
・ 温度コントロールユニット
チャンバー内の温度はエッチング速度・均等性に対して
大きく影響し、プロセス温度の制御をおこなっていない装
置では一定の結果を得る事が困難になります。
一般的なプラズマクリーナでは処理中に温度が上昇します
（C-D）。この温度は系の熱容量とRF出力などにより決まり、
常に一定ではありません。
Plasma Etch 社のマシンでは温度制御をおこなっているた
め、プロセスの開始（A）と終了時（B）で温度に変化がありま
せん。
Plasma Etchでは特許取得済の温度コントロールシステム
を採用し、安定したプラズマ処理が可能です。また、処理・
待機中の温度は、コンピュータによって調整されています
ので、他のマシンで必要になる予備加熱・ダミー運転
や冷却のプロセスを必要としません。
・ メンテナンスフリーの電極と静電対策チャンバー
プラズマ処理がいかに効率的でクリーンな処理方法で
あっても、プラズマ装置によっては装置自体の汚れにより、
プラズマ処理前よりも汚染がひどくなる場合があります。
特に電極に付着した汚れは定期的に除去分解、及び薬
品洗浄する必要があります。強力な洗浄剤を使用するた
め、最後には電極の交換も必要となります。
プラズマ処理は余計な反応を併発せず、限定的に必要
なEtch Back／スミア除去だけをおこなうのが理想とされ
ています。
Plasma Etchの装置は電極の汚染を伴わず、他のプロセ
スに影響されずに処理をおこないます。
東京都中央区日本橋 3-9-2 （第二丸善ビル）
電子材料部 第１課
TEL 03-3274-0461 FAX 03-3272-1989
http://www.tomo-e.co.jp/
2005.8
PLASMA ETCH PE-200 SYSTEM
SPECIFICATIONS
STANDARD SYSTEM FEATURES
真空チャンバー
電極構成
R.F. ジェネレータ
流量計
真空計
マシンコントロールシステム
タッチスクリーン
バキュームポンプ, 酸素供給
バキュームポンプ用オイルフィルタ
デュアルプロセスシーケンス
OPTIONAL SYSTEM FEATUERS
静電シールドチャンバー（特許取得済）
プロセス温度コントロールシステム（特許取得済）
流量計
バキュームポンプN2パージ
バキュームチャンバー用N2パージ
オイルミスト除去
ガス制御
その他特殊仕様
ELECTRICAL AND MECHANICAL SPECIFICATIONS
電源
重量（本体／ポンプ）
本体サイズ
バキュームポンプサイズ
17”(432)Ｗ×14”(356)D×14”(356mm)H
カスタマイズ可能
300 W @ 13.56MHz
1チャネル, 0-200 cc / min
0-10 torr
プログラマブル
6” モノクロ
30 CFM
3 μm
内蔵
対応可能
0℃から150℃ ±0.5℃
2-3チャネル
対応可能
デュアル
対応可能
2-3チャネル×5 種類
別途お問い合わせください
120VAC, 単相, 30A (50/60Hz)
300/150 lb (136/68kg)
34”（864）W×27”（686）H×30” （762mm）D
8”(203)W×27”(686)H×17”(431mm)D
2005年8月現在
仕様等は予告なく変更することがあります
東京都中央区日本橋 3-9-2 （第二丸善ビル）
電子材料部 第１課
TEL 03-3274-0461 FAX 03-3272-1989
http://www.tomo-e.co.jp/
2005.8