展示概要 （366KB）

株式会社GENUSION （ジェニュージョン）
GENUSION=GENeration of fuSION （融合の時代）with GENUine misSION and viSION
B4-Flash
ライセンス事業
2002年11月26日 設立
兵庫県尼崎市道意町7丁目1番3号
尼崎リサーチインキュベーションセンター
www.genusion.co.jp
B4-Flash製品事業
(自社IP: B4-Flash)
独創的なメモリ技術であるB4-Flash技術を開
発し、自社製品事業と技術
ライセンス事業により新しい市場を
開拓する半導体メモリ・ソリューションを提供い
たします
eNVM IP事業
(自社IP: eCFlash,
eB4Flash)
SiP & MCP事業
(自社IP: Si-Capsule)
CP
CoSi2
Memory Mat
64Mb
(1Mbit x 64BLK)
P+
poly
SiN
SiO2
2048WD /256SA
90nm 64Mbit B4-Flash
テストチップ
（業界最小ゲート長NOR アレイ.）
130nm 4Mbit B4-Flash
テストチップ
50nm ゲート長のB4-Flash
（業界最小NOR Cell）
GENUSOIONのB4-Flashは世界で注目されています
B4-HE注入によるプログラムメカニズム
Back Bias assisted Band to Band tunneling
(B4) – Hot Electron Injection
Vg=8V
・ノキア社主催技術コンペにて最優秀賞受賞
Mobile Rules! 08 コンペティションにて Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
Ｉｎｎｏｖａｔｉｏｎ賞 Future Device Architecture部門
最優秀賞に選出され、将来の有望なメモリ技術と
して認知されました
Vd=0V
P+
１
Vs=1.8V
３
P+
２
N-well
・メモリ関連国際会議での高い評価
NOKIA’s Technology
Innovation Competition
○2009 IMW (International Memory Workshop)：１件
- 90nm B4-Flash テストチップについて
○2008 NVSMW (Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop)：２件
- B4-Flashの高信頼性とその物理メカニズムについて
- GENUSION CMOSプロセス互換NVM IP 「eCFlash」について
○2007 NVSMW：２件
- 4Mビット B4-Flashテストチップについての設計、プロセス論文各１件
○2006 Symposium on VLSI Technology：１件
- 業界最小ゲート長セルを実現したB4-Flashとその動作原理について
Vs=8V
1
Vg=8V
Vd=0V
3
1
Band-to-bandtunneling electron-hole
pair generation (GIDL)
2
Vd=0V
Vwell=8V
3 Hot
Electron
Injection
Vd=0V
2
Electron
Acceleratio
n
・EETimesの選ぶ半導体世界ベンチャー60社に選定
GENUSIONは世界的な技術専門誌であるEE Timesが選定する「60 Emerging Startups」として
知られる、世界で注目される新興企業60社に選出されました。（http://www.eetimes.eu/213000246）
Vg=8V
SiO2
SiO2
barrier
Vwell=8V
B4-FlashはGENUSION独自技術で、NEDO 平成19年度イノベーション実用化開発費助成
（産業技術開発費補助事業）の御支援のもと、「B4-HE注入を用いた超高速書込み不揮発性
メモリの実用化開発」のテーマで開発を進め、2010年の製品化を目指しております。
Joy of Innovation by Power of Technology
B4-Flashは、2010年に1Gbit製品提供予定の次世代型高性能、低コストNOR Flashです
書込み速度
<ターゲット性能>
GENUSION
B4-Flash
100MB/sec
・高信頼性
-100万回書換可能
-10万回書換後
20年データ保存＠150℃
・高性能
-高速書込み
-NOR並み高速読出し
・低コスト
-NAND並みのセルサイズ
-50nm以下の微細化にも対応可能
-NORとNANDでは困難な市場をカバー
5F2
ビット
コスト耐性
ランダム
読み出し
70-100ns
従来型
NAND
従来型
NOR
スケーラ
ビリティー
信頼性
100万回書換、 150℃ 10年
<50nm
B4-Flashメモリ製品は高信頼性データストレージ用途にも活用いただけます。
(車載、産業用PC、高信頼性サーバー等)
GENUSION B4-Flash方式
従来型ＮＯＲ／ＮＡＮＤ Ｆｌａｓｈ
構造最弱部でのストレス集中は書
換時も保存時も発生しないため
データ揮発しにくい
②エッジ欠陥による
データ揮発多発
①書換えストレスよる
エッジ欠陥発生
②保存時電界も弱く
エッジ揮発なし
①B4書換えでは
欠陥発生少ない
FG(N+ poly)
XXXX
NAND
64Gb
32Gb
製品容量
構造最弱部に書換と保存時の電界ス
トレスが集中し、データ揮発多発
NAND
16Gb
8Gb
NAND
B4-Flash領域
4Gb
X
XXXX
N+
2Gb
X
P+
P+
N+
1Gb
域
の領
品
NAND
D製
AN
ムN
テ
シス
大容量従来型NORの領域
従来型NOR市場
N-well
P-well
‘07
‘08
‘09
‘10
‘11
‘12
B4-Flashセル技術を用いて、70nm以下のデザインルールにも適用可能な業界最小セルを実現し、
自動車用マイコンなどに最適な高信頼組込用大容量Flashマクロを提供いたします。
100万回書換え後に150℃でもデータを安定して保持します
ワーストビット評価
-1
embedded Flash IP
10 年
Program
eB4Flash
マクロ
Worst bit Vt (V)
-2
不良領域
-3
1M
410k # of
100k E/W
10k cycles
50k
Erase
-4
-5
init
100
101
102
Time (hr)
103
104
eB4EEPROM
マクロ
GENUSION
eNVM IP
1k
全点 ; 32kbit単位の集計データ
-6
B4-Flash
Memory
(製品)
105
B4-Flashの技術プラットフォーム
- 低コスト
- 高集積:
20F^2（ビットセルサイズ）
- 低消費電力
- 高信頼性
100K E/W
150℃ 20年 (after 10K)
embedded EEPROM IP
- バイト書換え型 EEPROM
- 小ビットセルサイズ,
20F^2 to 50F^2
- 高信頼性
1M E/W可能
150℃ 20年 (after 10K)
Joy of Innovation by Power of Technology