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株式会社 GENUSION が高信頼性フラッシュメモリ技術を発表
PRESS RELEASE 5/19/2008 2008 年 5 月 19 日 プレスリリース 株式会社 GENUSION 株式会社 GENUSION が高信頼性フラッシュメモリ技術を発表 次世代フラッシュメモリ技術の開発を行っている株式会社 GENUSION (ジェニュージョン、 2002 年設立、所在地: 兵庫県尼崎市、代表: 中島盛義、以下、GENUSION)は、は同社の フラッシュメモリ技術が極めて高い信頼性を有する事を開発評価において確認しました。 技術的な詳細については 5 月 18 日よりフランス、オピオで開催されている不揮発性メモリ 関連の学会 NVSMW(Non Volatile Semiconductor Memory Workshop)で明らかにします。 GENUSION はまず 5 月 19 日に同社の独自フラッシュ技術である B4-Flash (Back Bias assisted Band-to-Band tunneling induced Hot-Electron injection)について発表を行いま す。(“Advantage of Floating Gate B4-Flash over Retention Reliability after Cycling Characterization by Variation of Transconductance - ”) GENUSION はこの B4-Flash 技 術について 2006 年の Symposium of VLSI Technology で基本的なアーキテクチャーと微細 プロセスへのスケーラビリティについて発表を行い、昨年 8 月の NVSMW では 100MB/sec の高速書込み動作と 4M テストチップについて発表を行いました。今回の発表は B4-Flash 技術の信頼性データとその従来技術に対する優位性について物理的なメカニズムの解釈を 行った内容を明らかにするものです。100 万回の書き換え、20 年間の連続読出し、150℃で の 10 年間のデータ保持が可能という従来技術に比べて格段に優れた結果が得られました。 このデータと理論的な裏付けは B4-Flash 技術が持つ信頼性の優秀性と製品化へ向けての課 題のひとつが解決されたことを証明しています。 B4-Flash 技術の主要なターゲット・アプリケーションとしてはモバイル機器における NOR フラッシュに替わるプログラム格納用メモリ、システム NAND の置き換え、高信頼度の要 求されるフラッシュ・ストレージ等が挙げられます。またこの B4-Flash 技術は 2008 年 3 月にノキア社主催の”Mobile Rules!”コンペティションにおいて Technology Innovation 賞 Future Device Architecture 部門の最優秀賞に選出され、その革新性と優秀性がモバイル機 器の可能性を拡げるものとして早期の製品化が期待されています。B4-Flash の高い信頼性 はまた車載用途に対しても応用が期待できます。今後 GENUSION はワールドクラスのパ ートナー関係を確立し 2009 年末までにこの製品を市場に投入する事を目指しています。 また GENUSION は標準 CMOS プロセスを使った不揮発性メモリ IP についての発表も同 学会で 5 月 21 日に行う予定です。(“A Highly Reliable Logic NVM “eCFlash (embedded CMOS Flash)” Utilizing Differential Sense-Latch Cell with Charge-Trapping Storage”) 1/2 PRESS RELEASE 5/19/2008 eCFlash はロジック製品向けの標準的な CMOS プロセスを使い、追加のマスク無しで不揮 発性メモリを混載できる IP 技術です。フローティング・ゲートを使わないチャージ・トラ ップ型のフラッシュ・セルを採用したことと、差動のセンス・ラッチを用いた回路技術に より従来の数回から数十回の書き換えを想定していた OTP/MTP タイプの IP と比べて飛躍 的に書き換え回数を増やす事ができ、高い信頼性が確保できました。0.25um プロセスを用 いた 2K バイトの評価チップで 10 万回の書き換えと 150℃での 20 年間のデータ保持が確認 できました。GENUSION はこの IP 技術を半導体メーカーに対してライセンス提供するビ ジネスを推進していきます。 この二つの学会での発表はフラッシュメモリ技術における GENUSION の技術力の高さを 示すものです。今後 GENUSION はメモリ市場に対する深い理解、提案力、豊かな経験、 豊富なネットワークを活用し、市場とお客様の求める最適なメモリ・ソリューションを追 求していきます。 NVSWM(Non Volatile Semiconductor Memory Workshop)について IEEE が主催する不揮発性メモリ関連で非常に権威のある学会。今回が 23 回目の開催にあ たり、フランスのオピオで 5 月 18 日から 5 月 21 日まで開催される。今年から ICMTD (International Conference on Memory Technology and Design)との共同開催になり、今後 不揮発性のみならず揮発性も含めたメモリ総合の専門家の集う学会として注目されている。 詳しい情報については http://www.ewh.ieee.org/soc/eds/nvsmw/ を参照ください。 GENUSION について GENUSION は 2002 年に設立され、 フラッシュメモリにおける技術革新を開拓しています。 GENUSION の独自技術である B4-Flash は高速書込みと高い信頼性を従来の NOR 型フラ ッシュメモリの半分のコストで提供する事ができます。GENUSION の製品は独自のメモ リ技術と SiP 設計技術に基づき、先端半導体メーカー、アセンブリ・テストメーカー、商 社 と の 協 業 の 下 に 実 現 さ れ ま す 。 GENUSION に つ い て の 詳 し い 情 報 は http://www/genusion.co.jp を参照ください。 --------------------------------【本件に関するお問い合わせ】-----------------------------〒660-0083 兵庫県尼崎市道意町７丁目１番３号 株式会社ＧＥＮＵＳＩＯＮ 担当：味香 夏夫（あじか なつお） 電話： 06-6416-6133 FAX： 06-6416-6134 e-mail： [email protected] 2/2