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低温でのイオン注入によって化合物半導体 GaSb 表面に

製品情報 - プロリンクス

直接ギャップ半導体ヘテロ接合によるトポロジカル絶縁体の実現

米国地方債1 における情報開示（ディスクロージャー）制度

豊田工業大学 （PDF:1126KB）

上席特別研究員 - NTT物性科学基礎研究所

半導体ナノ細線フォトトランジスタを用いた単一光子検出器の開発

日本評価研究1巻2号

地球観測研究センター - JAXA Repository / AIREX

情報、バイオ、環境とナノテクノロジ－の融合による
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