TND027SW - ON Semiconductor

注文コード No. N 7 4 3 7 D
データシート No.N7437C をさしかえてください。
TND027SW
Excellent Power Device
http://onsemi.jp
Lowside Power Switch Lamp-, Solenoid-, and Motor-Driving, Dual SOIC8
特長
・ Nch MOSFET 内蔵
・ 過熱保護機能内蔵 ( 自己復帰タイプ )
・ 過電流保護機能内蔵 ( 電流制限自己復帰タイプ )
・ 過電圧保護機能内蔵
・ 2 回路入り
・ ハロゲンフリー対応
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
記号
ドレイン・ソース電圧
条件
出力電流
VDS
IO(DC)
入力電圧
VIN
許容損失
PD
動作電源電圧
動作周囲温度
VDS(opr)
Topr
接合部温度
Tj
保存周囲温度
Tstg
定格値
unit
60
V
1.5
A
− 0.3 ∼＋ 10
V
セラミック基板 (1200mm2 × 0.8mm) 装着時 1unit
1.3
W
セラミック基板 (1200mm2 × 0.8mm) 装着時
1.7
W
40
V
− 40 ∼＋ 85
℃
150
℃
− 55 ∼＋ 150
℃
最大定格を超えるストレスは、デバイスにダメージを与える危険性があります。最大定格は、ストレス印加に対してのみであり、推奨動作条件を超えての機能的動作に
関して意図するものではありません。推奨動作条件を超えてのストレス印加は、デバイスの信頼性に影響を与える危険性があります。
製品と外形に伴う情報
外形図
unit : mm (typ)
7072-003
・パッケージ名
・JEITA, JEDEC
・最小梱包単位
4.9
0.22
0.375
1
4
0.445
0.254 (GAGE PLANE)
0.175
1.55
1.375
1.27
TND027SW-TL-2H
0.715
5
3.9
6.0
8
1 : GND1
2 : IN1
3 : GND2
4 : IN2
5 : OUT2
6 : OUT2
7 : OUT1
8 : OUT1
SOIC8
：SOIC8
：SC-87, SOT-96
：2,500 pcs./reel
パッキングタイプ：TL
マーキング
TND
027
LOT No.
TL
ブロック図
OUT(D)
過電流
保護回路
IN
ESD
保護回路
出力電流
制御回路
過電圧
保護回路
ゲート
遮断回路
過熱
保護回路
GND(S)
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
October, 2013
D0512 TKIM TC-00002832/O2611 TKIM TD 削除 /D2607IP TIIM TC-00001114 一部変 / No.7437-1/9
32207 社変 /O2203 TSIM MP カット /51503 TSIM TA-100479
TND027SW
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
記号
ドレイン・ソース間クランプ電圧
IDSS2
VIN=0V, VDS=12V
VDS=5V, IO=1mA
保護回路動作入力電圧
VIN(th)
VIN(opr)
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(on)
VIN=5V, IO=1A
入力電流 ( 出力オン時 )
max
VIN=5V
過熱検出値
過電流検出値
Is
1.0
過電流制限値 ( ピーク )
ILMT
VIN=5V
VIN, clamp IIN=1mA
VIN=5V, IO=1A
VIN=5V
unit
V
10
μA
5
μA
1.5
2.0
V
10
V
0.3
0.4
Ω
0.6
mA
4
IIN
Tj(sd)
入力クランプ電圧
typ
60
VIN=0V, VDS=50V
入力しきい値電圧
min
VDS, clamp VIN=0V, IO=1mA
IDSS1
出力オフ時電流
定格値
条件
120
150
190
℃
3.0
6.0
9.0
A
3.0
6.0
9.0
A
10
V
過電流保護動作中、出力電流を過電流制限値でコントロールする。
過熱保護動作中、出力電流を OFF する。
Ordering Information
パッケージ名
最小梱包単位
memo
SOIC8
2,500pcs./reel
Pb Free and Halogen Free
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
RDS(on) -- Ta
0.5
IO=1A
0.4
5V
4V
0.3
6V
0.2
0.1
0
--50
--25
0
25
50
75
周囲温度, Ta -- °C
100
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
Device
TND027SW-TL-2H
0.8
0.6
0.4
Ta=85°C
0.2
25°C
--40°C
0
0
2
4
6
8
10
入力電圧, VIN -- V
VIN=5V
12
IT05234
IIN -- VIN
1.4
Ta=25°C
1.2
入力電流, IIN -- mA
0.10
入力電流, IIN -- mA
IO=1A
IT05233
IIN -- Ta
0.12
RDS(on) -- VIN
1.0
0.08
0.06
0.04
0.02
1.0
al)
rm
o
bn
0.8
(a
I IN
0.6
0.4
0.2
IIN(normal)
0
--50
0
--25
0
25
50
周囲温度, Ta -- °C
75
100
IT05235
0
2
4
6
入力電圧, VIN -- V
8
10
IT05236
No.7437-2/9
TND027SW
IS -- Ta
9
IS -- VIN
9
Ta=25°C
8
7
過電流検出値, IS -- A
過電流検出値, IS -- A
8
6V
5V
6
4V
5
4
3
--50
7
6
5
4
3
--25
0
25
50
75
周囲温度, Ta -- °C
4
100
6
7
8
9
入力電圧, VIN -- V
ILMT -- Ta
9
5
IT05237
10
IT05238
ILMT -- VIN
12
Ta=25°C
10
6V
過電流制限値, ILMT -- A
5V
7
4V
6
5
4
0
25
50
75
100
4
VIN=0V
IO=1mA
68
66
64
62
60
58
--25
0
25
50
5
75
周囲温度, Ta -- °C
6
7
8
9
入力電圧, VIN -- V
IT05239
VDS, clamp -- Ta
70
IIN=1mA
12
11
10
9
8
--50
100
--25
0
25
50
75
周囲温度, Ta -- °C
IT05241
100
IT05242
IO -- VIN
2.0
VDS=5V
IO=1mA
10
IT05240
VIN, clamp -- Ta
13
VIN(th) -- Ta
2.0
VDS=24V
1.8
1.8
1.6
1.4
1.2
25°C
1.4
1.2
1.0
0.8
--40°C
1.6
5°C
出力電流, IO -- A
しきい値電圧, VIN(th) -- V
4
0
--25
周囲温度, Ta -- °C
56
--50
6
2
入力クランプ電圧, VIN, clamp -- V
ドレイン・ソース間クランプ電圧, VDS, clamp -- V
3
--50
8
Ta=
8
過電流制限値, ILMT -- A
8
0.6
0.4
1.0
0.2
0.8
--50
0
--25
0
25
50
周囲温度, Ta -- °C
75
100
IT05243
1
2
入力電圧, VIN -- V
3
IT05244
No.7437-3/9
TND027SW
Tj(sd) -- VIN
160
過熱検出値, Tj(sd) -- °C
158
156
154
152
150
148
146
144
142
140
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
入力電圧, VIN -- V
IT05245
PD(回路2部) -- PD(回路1部)
1.4
1.3
1.2
1.0
許容損失, PD -- W
許容損失, PD(回路2部) -- W
PD -- Ta
1.8
1.7
1.6
セラミック基板(1200mm2×0.8mm)装着時
0.8
0.6
0.4
全損失
1.4
1.3
1.2
1unit
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.2
0
--40
0
0
0.5
1.0
1.3
許容損失, PD(回路1部) -- W
1.5
--20
0
20
40
60
80
周囲温度, Ta -- °C
IT05247
100
IT05248
応用回路例
AC24V
AC100V
ランプ
ランプ
ランプ
OUT
IN
TND027SW
マイコン
5V 5V
マイコン
OUT 1
IN 1
GND
TND027SW
OUT 2
IN 2
マイコン
5V
GND 1, 2
その他の応用回路例 ( ソレノイドドライブ )
AC24V
AC100V
ソレノイド
ソレノイド
TND027SW
GND
OUT 2
OUT 1
OUT
IN
マイコン
5V 5V
マイコン
IN 1
TND027SW
IN 2
マイコン
GND 1, 2
No.7437-4/9
5V
TND027SW
動作説明
・ 入力電圧が入力しきい値電圧以上 ( 推奨 4 ∼ 6V) 印加されると出力パワー MOSFET がオンし、ランプに電流が流れ
て点灯する。また、入力電圧が入力しきい値電圧以下になると出力パワー MOSFET がオフし、ランプは消灯する。
・ 通常のランプ動作の場合に発生する突入電流は内蔵の過電流保護動作により設定された電流に制限し、ランプの長寿
命化に最適である。
・ 負荷短絡時に出力電流が過電流検出値以上流れると内蔵された過電流保護回路の働きによって出力パワー MOSFET
の電流をコントロールする。また、素子が許容損失 PD を超過するような異常モードが発生した場合には、過熱保護
回路の働きによって Tj=150℃ (typ) で出力パワー MOSFET の電流をオフし、パワースイッチを破壊から保護する。
・ その他の応用回路例として、ソレノイドドライブのように DC 電圧の制御も可能である。
注意事項
・ ブロック図に記載の OUT − GND 間のダイオードは、MOSFET の寄生ダイオードである。
・ ソレノイドドライブ ( モ−タドライブ ) において、OUT 電圧が GND 電圧より低い状態となる場合、この期間内は、
IN 端子に電圧印加をしないで下さい。
・ソレノイドドライブ ( モ−タドライブ ) において、OUT 電圧が GND 電圧より低い状態で IN 端子に電圧印加をする
場合は、OUT 端子− GND 端子間に外付けダイオードを付加して下さい。
No.7437-5/9
TND027SW
テーピングの情報
TND027SW-TL-2H
㸦㸣ໜ⿞ᙟឺ
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ໜ
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አ⿞⟵ :
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63(&,$/
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Ἰ
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ࣚ࣊ࣜ⾪エ
-(,7$3KDVH
/($')5((
-(,7$3KDVH
$66(0%/<',))86,21
No.7437-6/9
TND027SW
㸧㸣ࢷ࣭ࣅࣤࢡࡡᵋ㏸
s
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3,1ᣞᵾ
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7/
㺌㺁㺭㺆㺘㺅㺡㺴
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௧୕
ࢹ࣭ࣝࣚ㒂
㒂ဗᑌථ㒂
࣭ࣛࢱ㒂
௧୕
㒂ဗᑌථ㒂
✭㒂
௧୕
࢜ࣁ࣭ࢷ࣭ࣈ
࣭ࣛࢱ㒂
௧୕
No.7437-7/9
TND027SW
Outline Drawing
Land Pattern Example
TND027SW-TL-2H
Mass (g) Unit
0.082 mm
* For reference
Unit: mm
5.60
1.75
0.65
1.27
No.7437-8/9
TND027SW
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(参考訳)
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PS No.7437-9/9