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テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
DF160R12W2H3F_B11
暫定データ/PreliminaryData
J
VCES = 1200V
IC nom = 160A / ICRM = 320A
一般応用
• ソーラーアプリケーション
TypicalApplications
• SolarApplications
電気的特性
• 高速IGBTH3
• 低スイッチング損失
• thinQHSiCショットキーdiode1200V
ElectricalFeatures
• HighSpeedIGBTH3
• LowSwitchingLosses
• thinQHSiCSchottkydiode1200V
機械的特性
• 低熱インピーダンスのAl2O3　DCB
• 内蔵されたNTCサーミスタ
• コンパクトデザイン
• PressFIT接合技術
MechanicalFeatures
• Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
• IntegratedNTCtemperaturesensor
• Compactdesign
• PressFITContactTechnology
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MB
revision:2.0
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
DF160R12W2H3F_B11
暫定データ
PreliminaryData
バイパスダイオード/Bypass-Diode
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM 1200
V
最大実効順電流/chip
MaximumRMSforwardcurrentperchip
TC = 80°C
IFRMSM 50
A
整流出力の最大実効電流
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TC = 80°C
IRMSM 60
A
サージ順電流
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
IFSM
450
360
A
A
電流二乗時間積
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
I²t
1000
650
A²s
A²s
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
VF
0,95
V
IR
0,10
mA
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
0,80
1,05 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,80
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
順電圧
Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 30 A
逆電流
Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1200 V
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
°C
逆極性保護diodeA/Inverse-polarityprotectiondiodeA
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM 1200
V
最大実効順電流/chip
MaximumRMSforwardcurrentperchip
TC = 80°C
IFRMSM 30
A
整流出力の最大実効電流
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TC = 80°C
IRMSM 60
A
サージ順電流
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
IFSM
290
245
A
A
電流二乗時間積
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
I²t
420
300
A²s
A²s
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
VF
1,00
V
IR
0,10
mA
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
1,20
1,35 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,15
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MB
revision:2.0
順電圧
Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 20 A
逆電流
Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1200 V
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
2
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
DF160R12W2H3F_B11
暫定データ
PreliminaryData
IGBT、チョッパー/IGBT-Chopper
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
コレクタ電流
Implementedcollectorcurrent
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
VCES
1200
V
ICN
40
A
TC = 80°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
20
50
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
80
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
190
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 20 A, VGE = 15 V
IC = 20 A, VGE = 15 V
IC = 20 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 1,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,55
1,70
1,75
1,70
V
V
V
VGEth
5,0
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,32
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
2,35
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,13
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
td on
0,025
0,025
0,028
µs
µs
µs
tr
0,01
0,012
0,012
µs
µs
µs
td off
0,25
0,32
0,35
µs
µs
µs
tf
0,016
0,023
0,025
µs
µs
µs
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 12 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 12 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 12 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 12 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 20 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 1800 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 12 Ω
Tvj = 150°C
Eon
0,26
0,32
0,35
mJ
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 20 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 12 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
0,80
1,20
1,40
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
RthJC
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MB
revision:2.0
3
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
130
0,55
A
0,65 K/W
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
DF160R12W2H3F_B11
暫定データ
PreliminaryData
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,55
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
K/W
150
°C
Diode-、チョッパー/Diode-Chopper
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM 1200
V
IF
15
A
IFRM
30
A
I²t
20,5
A²s
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,60
2,20
1,95
順電圧
Forwardvoltage
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 15 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
IRM
5,00
5,00
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 15 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Qr
0,15
0,25
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 15 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Erec
0,03
0,03
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
1,05
1,20 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,80
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
VF
V
V
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
定格抵抗値
Ratedresistance
TC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MB
revision:2.0
4
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
DF160R12W2H3F_B11
暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
沿面距離
Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 200
VISOL kV
2,5
min.
typ.
max.
LsCE
20
nH
Tstg
-40
125
°C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
40
-
80
N
質量
Weight
G
36
g
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
保存温度
Storagetemperature
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.
Designed for storage conditions according to Infineon TR14 (Application Note “Storage of Products Supplied by Infineon Technologies)
Designed for climate conditions without condensation or precipitation
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MB
revision:2.0
5
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
DF160R12W2H3F_B11
暫定データ
PreliminaryData
順方向特性バイパスダイオード（典型)
forwardcharacteristicofBypass-Diode(typical)
IF=f(VF)
順方向特性逆極性保護diodeA（典型)
forwardcharacteristicofInverse-polarityprotectiondiodeA
(typical)
IF=f(VF)
60
40
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
55
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
35
50
45
30
40
25
IF [A]
IF [A]
35
30
20
25
15
20
15
10
10
5
5
0
0,0
0,2
0,4
0,6
VF [V]
0,8
1,0
0
1,2
出力特性IGBT、チョッパー(Typical)
outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
0,4
0,6
0,8
VF [V]
1,0
1,2
1,4
40
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
35
30
30
25
25
20
20
15
15
10
10
5
5
0,0
0,5
1,0
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
35
IC [A]
IC [A]
0,2
出力特性IGBT、チョッパー(Typical)
outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
40
0
0,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
0
3,0
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MB
revision:2.0
6
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
3,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
DF160R12W2H3F_B11
暫定データ
PreliminaryData
伝達特性IGBT、チョッパー(Typical)
transfercharacteristicIGBT-Chopper(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
スイッチング損失IGBT、チョッパー(Typical)
switchinglossesIGBT-Chopper(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=12Ω,RGoff=12Ω,VCE=600V
40
3,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
35
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
2,5
30
2,0
E [mJ]
IC [A]
25
20
1,5
15
1,0
10
0,5
5
0
5
6
7
8
9
10
0,0
11
0
5
10
VGE [V]
スイッチング損失IGBT、チョッパー(Typical)
switchinglossesIGBT-Chopper(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=20A,VCE=600V
15
20
IC [V]
25
30
35
40
過渡熱インピーダンスIGBT、チョッパー
transientthermalimpedanceIGBT-Chopper
ZthJH=f(t)
3,5
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
3,0
ZthJH : IGBT
2,5
1
E [mJ]
ZthJH [K/W]
2,0
1,5
0,1
1,0
0,5
0,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,051 0,117 0,426 0,506
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0
20
40
60
RG [Ω]
80
100
0,01
0,001
120
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MB
revision:2.0
7
0,01
0,1
t [s]
1
10
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
DF160R12W2H3F_B11
暫定データ
PreliminaryData
逆バイアス安全動作領域IGBT、チョッパー（RBSOA）)
reversebiassafeoperatingareaIGBT-Chopper(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=12Ω,Tvj=150°C
順電圧特性Diode-、チョッパー（typical)
forwardcharacteristicofDiode-Chopper(typical)
IF=f(VF)
100
30
IC, Modul
IC, Chip
80
24
70
21
60
18
50
15
40
12
30
9
20
6
10
3
0
0
200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
27
IF [A]
IC [A]
90
400
600
800
1000
1200
0
1400
0,0
0,5
1,0
t [s]
スイッチング損失Diode-、チョッパー(Typical)
switchinglossesDiode-Chopper(typical)
Erec=f(IF)
RGon=12Ω,VCE=600V
2,5
0,04
Erec, Tvj = 125°C
E [mJ]
Erec, Tvj = 125°C
E [mJ]
2,0
スイッチング損失Diode-、チョッパー(Typical)
switchinglossesDiode-Chopper(typical)
Erec=f(RG)
IF=15A,VCE=600V
0,04
0,02
0,00
1,5
VF [V]
0
5
10
15
IF [A]
20
25
0,02
0,00
30
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MB
revision:2.0
8
0
20
40
60
RG [Ω]
80
100
120
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
DF160R12W2H3F_B11
暫定データ
PreliminaryData
過渡熱インピーダンスDiode-、チョッパー
transientthermalimpedanceDiode-Chopper
ZthJH=f(t)
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
10
100000
ZthJH : Diode
Rtyp
R[Ω]
ZthJH [K/W]
10000
1
1000
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,23
0,397 0,721 0,503
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
100
10
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MB
revision:2.0
9
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
DF160R12W2H3F_B11
暫定データ
PreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
J
パッケージ概要/packageoutlines
In fin e o n
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MB
revision:2.0
10
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
DF160R12W2H3F_B11
暫定データ
PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
利用規約
このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が
使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。
このデータシートには、保証されている特性が記述されております。
その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。
保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。
実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。
追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに
お問い合わせ願います。　(www.infineon.com参照)
製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。
技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、
製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。
航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。
ー　リスク　及び　品質の評価
ー　品質契約
ー　アプリケーションの共同評価　上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。
必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。
インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。
Terms&Conditionsofusage
Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill
havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
application.
Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted
exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
salesoffice,whichisresponsibleforyou.
ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MB
revision:2.0
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