FZ3600R17KE3_B2 Data Sheet (653 KB, EN/JA)

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ3600R17KE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
IGBT-　インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1700
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
IC nom
IC
3600
4800
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
7200
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
Ptot
20,0
kW
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
min.
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 3600 A, VGE = 15 V
IC = 3600 A, VGE = 15 V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 145 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
2,00
2,40
2,45
V
V
VGEth
5,2
5,8
6,4
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
42,0
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,5
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
325
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
10,5
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 3600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 0,4 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td on
0,74
0,80
µs
µs
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload
IC = 3600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 0,4 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tr
0,20
0,25
µs
µs
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 3600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 0,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td off
1,45
1,80
µs
µs
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload
IC = 3600 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 0,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tf
0,18
0,30
µs
µs
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 3600 A, VCE = 900 V, LS = 40 nH
VGE = ±15 V
RGon = 0,4 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon
545
790
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 3600 A, VCE = 900 V, LS = 40 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 0,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eoff
975
1450
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
8,70
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
1
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
14000
A
6,30 K/kW
K/kW
125
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ3600R17KE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM 1700
V
IF
3600
A
IFRM
7200
A
I²t
1500
kA²s
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,80
1,90
2,20
順電圧
Forwardvoltage
IF = 3600 A, VGE = 0 V
IF = 3600 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 3600 A, - diF/dt = 15000 A/µs (Tvj=125°C)Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
IRM
3050
3300
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 3600 A, - diF/dt = 15000 A/µs (Tvj=125°C)Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Qr
875
1450
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 3600 A, - diF/dt = 15000 A/µs (Tvj=125°C)Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Erec
575
1000
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
19,5
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
2
V
V
14,0 K/kW
K/kW
125
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ3600R17KE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
AlSiC
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
AlN
沿面距離
Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
32,2
32,2
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
19,1
19,1
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 400
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/モジュール/permodule
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
VISOL min.
typ.
RthCH
6,00
LsCE
10
nH
RCC'+EE'
0,12
mΩ
Tstg
-40
125
°C
4,25
-
5,75
Nm
1,8
-
2,1
Nm
8,0
-
10
Nm
1500
g
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM4
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
取り付けネジM8
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
質量
Weight
G
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
3
kV
4,0
max.
K/kW
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ3600R17KE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
7200
7200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
6600
5400
5400
4800
4800
4200
4200
IC [A]
6000
IC [A]
6000
3600
3600
3000
3000
2400
2400
1800
1800
1200
1200
600
600
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
0
4,0
伝達特性IGBT-　インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=0.4Ω,RGoff=0.5Ω,VCE=900V
7200
2750
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
6600
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
2500
6000
2250
5400
2000
4800
1750
4200
IC [A]
E [mJ]
1500
3600
1250
3000
1000
2400
750
1800
1200
500
600
250
0
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
6600
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
0
13
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
4
0
900
1800 2700 3600 4500 5400 6300 7200
IC [A]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ3600R17KE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=3600A,VCE=900V
過渡熱インピーダンスIGBT-　インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
5500
100
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
5000
ZthJC : IGBT
4500
4000
10
ZthJC [K/kW]
3500
E [mJ]
3000
2500
2000
1
1500
1000
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 1,26 1,26 2,52 1,26
τi[s]:
0,01 0,04 0,09 0,2
500
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
RG [Ω]
2,5
3,0
3,5
0,1
0,001
4,0
逆バイアス安全動作領域IGBT-　インバータ（RBSOA）)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=0.5Ω,Tvj=125°C
0,1
t [s]
1
10
順電圧特性Diode、インバータ（typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
7800
7200
IC, Modul
IC, Chip
7200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
6600
6600
6000
6000
5400
5400
4800
4800
4200
IF [A]
IC [A]
4200
3600
3600
3000
3000
2400
2400
1800
1800
1200
1200
600
600
0
0,01
0
200
400
600
0
800 1000 1200 1400 1600 1800
VCE [V]
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
5
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ3600R17KE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=0.4Ω,VCE=900V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=3600A,VCE=900V
1300
1500
Erec, Tvj = 125°C
1200
1100
1300
1000
1200
900
1100
1000
700
E [mJ]
E [mJ]
800
600
900
800
500
700
400
600
300
200
500
100
400
0
Erec, Tvj = 125°C
1400
0
900
300
1800 2700 3600 4500 5400 6300 7200
IF [A]
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
100
ZthJC : Diode
ZthJC [K/kW]
10
1
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 2,8 2,8 5,6 2,8
τi[s]:
0,01 0,04 0,09 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
6
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
RG [Ω]
2,5
3,0
3,5
4,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ3600R17KE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
パッケージ概要/packageoutlines
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
7
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FZ3600R17KE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
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ー　品質契約
ー　アプリケーションの共同評価　上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。
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-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
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Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
8