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MNC装置カタログ2014年度10月版
利用までの流れ 学内利用者 学外利用者 東北大学の担当研究室 等へコンタクト 照 会 マイクロ・ナノマシニング研究教育センター 事務室へ問い合わせ MNC3 階共同研究室内 TEL 022-795-6256・6257・6258 登 録 （ 随 時 受 け 付 け ） E-mail : [email protected] MNC 安全講習を受講（録画 DVD の視聴でも可） MNC 利用資格検定を受験し合格する（随時受験可） 登録手続き ・利用登録申請手続き －研究室利用責任者の登録 －利用者の登録 ・MNC 入退出指紋登録 下記のサービスを 装置の使い方を習う 利 用 装 置 担 当 者 と な る 随時ご利用可能 ・プロセス相談 装置の予約（WEB 予約システム） ・初心者微細加工実習 ・電子顕微鏡（SEM） サンプル作製、観察 装置の利用 充分習熟 方法の指導 新しい装置を使いたい 利用頻度大 利用料金の請求 （研究室単位） 主要装置紹介 分析・評価 半導体デバイスの評価に必要な計測機器、観察装置が多数ある。材料の評価、デバイスの電磁 気・機械・光学特性や振動・周波数応答の計測まで対応できる。また、光学顕微鏡から電子顕微 鏡まで様々な倍率の観察が可能。 JEOL-SEM エリプソ(CR) 日本電子製 FE-SEM SEM-EDX 分析可能 JSM-7400F 最大φ2 インチウェーハ 観察可 最大加速電圧：20kV 低角反射電子像観察可 接触式段差計 ホリバジョバンイボン製 分光エリプソメータ UVISEL 最大φ8 インチウェーハ 波長:260nm-2100nm 膜厚分析 光学定数(n,k)分析 面内分布測定 4 探針測定器 KYOWARIKEN 製 ４探針測定器 K-705RS サンプルの電気抵抗率を 測定する. 小坂研究所製 ET200 最大φ150mm ウェーハ 最大 30mm 厚 測定範囲：600μm 測定力：10μN-500μN 横軸駆動距離：100mm 14GHz ネットワークアナライザ 赤外接合評価装置 モリテック製 Agilent 製 E5071C ENA ウエハ接合評価装置 IRise 赤外透過評価・検査装置 最大 8inch S11, S21 測定が可能 測定周波数範囲 300KHz ～ 14GHz ダイナミックレンジ 123dB 標準プローブの電極間隔 250μｍ FE-SEM イオンコーティング装置 日立ハイテク製 SU-70 EDX-Oxford 社製 Aztec Energy X-Max 日立製作所製 E-1030 15mA, 7Pa 試料-ターゲット間距離 30 mm 分解能:1.0nm（15kV） :1.6nm（1kV）※ ※リターディングモード 液体窒素の必要が無い EDX の為,迅速に利用できる. チャージアップする試料の SEM 観察時に PdPt を成膜することに より観察しやすくなる. デポレート 6nm/min 薄膜でも緻密に成膜可. SIMS ESCA/AES 分析装置 FIB CAMECA 製 SIMS4000 四重極 SIMS（e-gun 有り） 一次イオン銃 O2+, Cs+ 加速電圧実効 1keV～10keV 極微量元素分析が可能 操作方法が簡単なので, 初心者でも利用可. アルバック・ファイ製 ESCA1600 XPS 表面分析（深さ 10 nm） ARXPS,Ar エッチング オージェ電子分光 試料表面の組成分析 Ar エッ チングによる深さ方向分析 ARXPS による極薄膜の厚さ測 定,オージェ電子分光測定 紫外分光エリプソメーター 薄膜評価装置 ＮＥＣ三栄製 MH4000 薄膜材料の機械的特性を測定 (硬度,付着力,ヤング率,内部応 力) 20×20mm, t=5mm(MAX) 荷重範囲:0.98μN～98mN (検出分解能:0.098μN) 押込み深さ測定範囲:0～5μm (変位検出分解能:4nm) 全真空顕微 FT-IR J.A.Woollam 製 M-2000D 測定波長範囲 193nm～1000nm 日本分光製 本体部：FT/IR-6300 顕微部:IRT-7000 透過,反射,ATR,RAS の各種測定が可能. 微小部分析,マッピング分析が 可能. 真空測定が可能なので,水蒸気 等の影響が除去できる. 各種薄膜の光学定数, 膜厚を測定可能. 解析 ソフトウェアで複雑な構造の サンプルにも対応可能. 紫外可視分光光度計 高周波レーザードップラ計 日本分光製 V-570 波長範囲 190nm～2500nm Polytec 製 UHF-120 微小構造物や表面弾性波素子 の面外振動特性を測定可能 最大振動周波数 1.2 GHz 紫外から近赤外まで 測定可能. 接合力評価装置 マイクロシステムアナライザ RHESCA 製 PTR-1101 シェア/プル/プッシュ /ピール試験 (破壊、非破壊方式) センサ荷重範囲 プル：20gf～20kg プッシュ：20gf～20kg ピール：100gf～5kg シェア：100gf～100kg 島津 SPM 日立ハイテク製 SMI500 FIB 加工による 100ｎｍ ～100μｍサイズの微細構造の 作製および観察 加工・観察領域： 100ｎｍ～100μｍ 最大観察倍率：30,000 倍 像分解能：12 nm 最大観察視野：0.4mm×0.4mm 島津製作所製 SPM9500-J2 高精度の表面形状測定が可能 導電性像，位相像などの取得も 可能.試料サイズは約φ10mm 以下.最大走査範囲は 125μm. 頻繁に使用する場合は,カンチ レバーを準備・持参すること. Polytec 社製 MSA-500 ・レーザドップラー振動計による 面 外 振 動 ( 振 動 周 波 数 : ～ 24 MHz，最大振動ピーク速度:± 10 m/s，速度分解能< 1 μm/s) ・ストロボスコープによる面内振 動(振動周波数: 1 ～ 1MHz， 最大速度 0.1 m/s～ 10 m/s， 変位分解能: >1nm) ・干渉計顕微鏡による表面形状 評価(最少分解能:垂直方向: <1 nm，最大高さ 250 µm) UHV-STM&AMF 日本電子製，JSTM-4500XT 極めて高い精度の表面形状測 定が可能.STM は原子分解能を 有する.試料サイズは約 2mm× 5mm 程度.装置の操作にはかな りの知識とトレーニングを必要と する. ボンディング パッケージングや材料・構造の転写のための基板接合装置群。基板同士を貼り合わせるための ボンダーや位置合わせ・評価等関連技術に対応可能。 EVG プラズマ表面活性化装置 EVG アライナ EV グループ製 EVG810 ウェハのプラズマ処理 最大 6inch ウェハ プラズマ処理により低温接合 EVG ボンダ EV グループ製 EVG620 マスク露光及びボンドアライメン ト,陽極接合等の為のアライメン ト,通常のマスク露光及び陽極 接合,直接接合等の際のアライ メントが可能.アライメント後のサ ンプルは MNC-CR 内の EVG Bonder にて接合可能. フリップチップボンダ EV グループ製 EVG520 ウェハボンディング 2cm 角, 2inch ウェハ, 4inch ウェハ 完エレクトロニクス製 MODEL－6000 チップサイズのボンディング 最大 20×20mm 最大荷重：5000gf 視野範囲：縦 0.6mm×横 0.8mm ～縦 4.1mm×横 5.4mm ※その他、ワイヤボンダ装置有 エッチング 各種ドライエッチング装置を完備。加工したいサンプルの種類、形状に応じて、適切な装置を選 択できる。 STS ICP RIE#1 ANELVA RIE #1 SPP テクノロジーズ製 MUC21 ICP-RIE φ2 インチウェーハが処理可能 HBr,SF6,C4F8,他 高清浄エッチング可 エッチングレート： 約 150nm/min キャノンアネルバ製 L－201D RF 150W, TMP 搭載 SF6, CF4, CHF3, Ar, O2 2cm 角 ~ 3inch ウェハ エッチング対象： Si，金属，有機物， 絶縁物，誘電体 基板加熱・冷却が可能 エッチングレート約 10nm/min (条件により変動あり) ANELVA RIE#2 SiN エッチャー キャノンアネルバ製 L-201D-L CCP-RIE,RF<100W,自己バイア ス,Cl2,BCl3,CH4,Ar,O2,N2 3inch ウェハ.塩素系混合ガスを 用いた反応性イオンエッチング が可能.金属薄膜,その他薄膜 のエッチングプロセス,プロセス 後にその場でレジスト除去する ための Ar,O2 エッチングプロセ スチャンバ有り.2cm 角ウェハな どはレジストで 3inch のダミーウ ェハに貼付け. FAB 高速原子線による高精度加工 高精度垂直加工可能 使用ガス：O2, SF6, CHF3,Cl2 加工可能試料：Si, GaN, 金属 等.加工可能試料サイズ：2cm 角， 最大 2inch エッチングレート：シリコン＝約 20nm/min STS ICP RIE #2 住友精密製 MUPLX - SU2000 ICP-RIE, Bosch プロセス RF 800W, Platten 15W SF6,C4F8,Ar,O2, 2cm 角,4inch ウェハ Si の垂直エッチングが可 能.基板貫通可,アスペクト比 20 程度. Resist:Si=1:100, SiO2:Si=1:300 エッチングレート約 2.3µm/min ダミーウェハへの貼付け必須. SAMCO 製 CCP-RIE RIE-10NR φ2 インチウェーハが処理可能 選択比 SiN:SiO2=20:1 以上 高清浄エッチング可 微細電極形成装置 荏原製作所製 FAB-60ML DFR CONTACT ETCHER ULVAC 製 NE-550 Cl2,BCl3,CF4,O2 φ2 インチウェーハが処理可能 キヤノンアネルバ製 2 周波励起-RIE L-211D φ2 インチウェーハが処理可能 使用ガスは C4F8,O2,Ar Al,W 異方性エッチング可 高清浄エッチング可 選択比 SiO2:Si=15:1 以上 静電チャック＋He 冷却機構 高洗浄度エッチング可 O2 アッシャー XeF2 エッチャー ダウンフロー方式 O2,N2 自作装置 Ｓｉのエッチングで選択比が極め て高く,等方性エッチング特性を 持つエッチング装置 レート：約 100nm/min 高清浄アッシング可 ３次元立体的微細構造の高精 度加工が室温のＸｅＦ２ガスで容 易に可能.ＳｉＯ２，ＳｉＮ、レジスト のマスク材との選択比は１００００ 以上と高い. 蒸気オゾンレジスト除去装置 UV 照射器 テクノファイン製 OV-20S 炭化レジスト，BCB，SU-8， ポリイミドなどの難除去性樹脂 を，残渣なく除去できる. 試料サイズは 20mm 角. Samco 製 UV 照射装置 UV-T O2,N2 ガス利用可能 O3 生成器 ホットプレート加熱可能 O3+UV による有機物除去 N2＋UV によるレジスト硬化. 成膜装置 半導体微細加工に用いられる金属および誘電体薄膜を成膜するための装置を各種揃えている。 スパッタリング成膜、蒸着、CVD 等の多様な成膜方法に対応可能。スパッタリング装置はターゲット の持ち込みも可能。 パイロ酸化炉 TEL LPCVD リケン製 熱酸化プロセス 東京エレクトロン製 LPCVD 装置 温度は 1000℃前後 φ2 インチウェーハが処理可能 使用ガスは O2, H2, N2 プロセス温度は 700℃前後 φ2 インチウェーハが処理可能 SiO2,SiN,Poly-Si ゲート酸化膜形成 LOCOS 形成 Poly-Si 酸化処理可 高清浄膜成膜可 SiO2：約 10 nm/min SiN：約 1nm/min Poly-Si：約 5nm/min 高清浄膜成膜可 プラズマ SiN-CVD YOUTEC プラズマ CVD SAMCO 製 PE-CVD 装置 PD-220NL プロセス温度は 350℃前後 φ2 インチウェーハが処理可能 成膜レート：約 10 nm/min 高清浄膜成膜可 P-TEOSCVD samco 製 PE-CVD 装置 PD-10C プロセス温度は 300℃前後 最大φ6 インチウェーハ 処理可能 YOUTEC 製 PE-CVD 装置 プロセス温度は 300℃前後 φ2 インチウェーハが処理可能 TEOS-SiO2 の高速成膜可 成膜レート：約 300nm/min UHV-CVD TEOS-SiO2 の高速成膜可 成膜レート：約 300nm/min RF スパッタ（Al スパッタ） ULVAC 製 RF スパッタ装置 MPS-2000-HC3 Al,W,Ni φ2 インチウェーハが処理可能 Al:50 nm/min W:20 nm/min Ni:10 nm/min 高清浄金属膜のスパッタ可 エア・ウォーター製 超高真空 CVD 装置 VCE-S2103TH Si,SiGe の単結晶成長 プロセス温度は 700℃前後 高清浄エピタキシャル成長可 成長レート：約 10nm/min 選択成長可 SHIBAURA スパッタ#1 シバウラメカトロニクス社製 RF スパッタ装置 CFS-4ES φ2 インチ,20mm 角ウェーハ 最大 300W 金属,非金属,反応性スパッタ 最大 3 ターゲット設置可 加熱しながらの反応性 スパッタ可 SHIBAURA スパッタ#2 DC 対向ターゲットスパッタ JEOL スパッタ RF 対向ターゲットスパッタ ASTeX プラズマ CVD シバウラメカトロニクス社製 CSF-4ES-Ⅱ金属薄膜の成膜， ECR スパッタ 2 cm 角～4inch ウェハ Au, Cr，Pt，Ti，Cu，Al，Ta，W など金属全般の薄膜生膜が可 能.成膜レートは金属によって異 なるが，数十 nm/min 程度.MNC に保管されていないターゲット は応相談. 大阪真空製 特注機 ANELVA スパッタ ターゲット 1 組（3 インチ），基板 加熱（～300℃）または水冷，RF （300 W）または DC スパッタ，逆 スパッタ可能.クライオポンプと TMP を装備対向ターゲットスパ ッタによって，基板へのダメージ を減らして成膜が可能.クライオ ポンプを有しており，バックグラ ウンド真空度が高い.機能性薄 膜の堆積に適した装置. 日本電子株式会社製 JEC-SP360R RF800W 最大 3inch ウエハ 成膜可能材料：SiO2,Pt,Cr Ti,PZT,Al,Au,Si など リフトオフプロセス可能 成膜レート[nm/min] Cr:90,SiO2:8 など 大阪真空製 FTS-R3S ターゲット:Fe, Ni, Co etc. DC Power 400W 直流対向ターゲット方式による, 鉄,ニッケル等の磁性体を成膜. 基板へのダメージを低減可能. 成 膜 レ ー ト : Fe: 400W,20 nm/min 対象サンプルサイズは 20 mm 角 又は Φ2 in セキテクノトロン社製 Model; AX5200 MW power; 1500W ダイヤモンド成膜用 ダイヤモンド及びボロンドープ ダイヤモンドを成膜することが 可能.成膜レートは 約 0.5μm/hr 基板加熱可能.基板の 前処理としてダイヤモンド の種付けが必要. EIKO スパッタ EB 蒸着 MES ア フ テ ィ 株 式 会 社 製 AFTEX2300 窒素雰囲気で AlN のスパッタ成膜のみ可能（その 他の膜は不可）RF Power 500W, Microwave Power 500W 2cm 角,4inch ウェハ AlN 成膜レート 5～8nm/min AlN 膜ストレス 0.3～2.7 GPa （十分な制御は未達成） AlN 膜 XRD ロッキングカーブの 半値幅 3～6° アネルバ製 ANELVASPC-350 EVP 24821 スパッタリング RF 300W O2,N2,Ar ガス使用可能 ～2inch ウェハ 反応性スパッタリング可能 リフトオフ不可,ロードロック室有 連続成膜可スパッタリングレート 1~2 nm/sec 程度(材料による) EIKO 製 ES-350 Pt, Ti, Ru, etc. (3 inch, 5 target) RF 300W, 5 mTorr, 600℃(Max) Ar,O2, 2cm 角,2inch ウェハ 清浄な金属薄膜（単層及び多 層）形成スパッタ堆積レート Pt 60 nm/min 最大連続成膜時間 約 7 min(Max)ターゲット強制冷 却が出来ないため,レジスト付着 サンプルの投入不可. ANELVA 製 VI-43N フィラメント電流 ～100mA Au, Ag, Pt, Al, Cr, Ti, SiO2, HfO2, Ge, 2 cm 角, 4 inch ウェ ハ水晶振動子による厚さ測定が 可能.レジストによるリフトオフが 可能.3 種類までの連続成膜が 可能 Au : 約 2 nm/sec, Ti : 約 0.6 nm/sec, Cr : 約 1 nm/sec SiO2 : 約 5 nm/sec, Al : 約 2 nm/sec, HfO2 : 約 3 nm/sec めっきセット#1,#2 Au, Cu, Ni, Au-Sn, Ge 2 cm 角, 4 inch ウェハ 金属の厚膜めっき用電源 Au : 約 0.12 μ m/min (0.4 A/dm2) Cu : 約 0.22 μm/min (1.0 A/dm2) Ni : 約 0.83 μ m/min (0.43 A/dm2) MBE PDL ㈱パスカル製 誘電体膜の堆積が可能. 金属ターゲット不可 （レーザ反射の危険性のため） 装置汚染が懸念される ターゲット不可. （測定前に担当者と要相談） 基板サイズ 20mm 角 Riber 製 Riber MBE 32 system 超高真空 10-9 Torr 2 cm 角, 3 inch ウエハ GaN の結晶成長 成長速度 <30 nm/min ホットフィラメント CVD 自作装置 ダイヤモンドの成膜が可能. タングステンフィラメント 水素,メタンが使用可能. ダイヤモンドの成膜が可能. タングステンフィラメント を 2000℃程度まで加熱して 熱エネルギーにより ダイヤモンド膜を形成する. レーザー加工装置 フェムト秒レーザー Clark-MXR 社製 CPA-2001 ・熱ダメージの無い レーザーアブレーション ・精密多軸ステージと組み合わ せ,立体構造にもアブレーション 可能. レーザーダイサー (ステルスダイサー) 自作（市販レーザー等組上げ） Si 内部やテンパックスガラス内 部に加工,最大 25×25mm パルスファイバーレーザー(SPI Lasers),パルスグリーンレーザー (メガオプト),CO2 レーザー(シン ラッド),試料厚みにより条件出し 必須.アブレーション加工不可. YAG レーザー NEC 社製 Nd YAG LASER SL 115G ドライプロセス＆局所的 加工 Q スイッチの使用ー＞大ピ ークのパルス光 1064 nm 100W, Class IV 作製したデバイスの分 離,ステンレス,SMA などの切断 や溶接メタルワイヤー上の皮膜 の選択除去,PZT のレーザー支 援エッチング.電流範囲（A）：シ リコン 24～26 ガラス 40～42 リソグラフィー マスク作製装置、直接描画装置、露光装置を設置している。 レーザー描画装置(MNC) ハイデルベルグ製 He-Cd レーザー DWL2000SD 最小描画サイズ：0.6μm 最 大 描 画 ス ピ ー ド ： 29mm2/min アライメント精度：70nm レチクル作製時エッジディ テクタ使用可. ハイデルベルグ製 DWL200 リソグラフィ用ガラスマスク 作製 レーザーダイオード (50mW@405nm),エマルジョ ンマスク・Cr マスクの作製 <マスク最小パターン> KONICA MINOLATA 製： 約 30µm, FUJIFILM 製：約 5µm Cr マスク：約 2µm レーザー描画装置 （ナノ棟） 簡易マスク作製装置 株式会社ナノテック製 MM605 1/5 縮小露光フォトマスク 作製機.OHP マスク原版 撮 像 寸 法 59.4 × 59.4mm （視野寸法 297×297mm） JEOL EB 日本電子製 電子線描画装置 JBX-6300SK 最大φ8 インチウェーハ可 能 最大加速電圧：100kV φ2 インチ×4 のバッチ処 理可. JEOL EB 5000LSS 投影露光装置 日本電子製 JBX-5000LS 加速電圧 50 kV 2 cm × 2 cm ウェハ 最小描画線幅：約 100 nm 描画速度：500 μm2 の領 域で 40 分程度.アライメント マーク 使用による重ね露 光可能.2cm ウェハを 4 枚ま で連続で描画可能 Ushio 製 UX-2003SM-AGG01 ・段差のある構造（～50μ ｍ）への一括露光. ・粘着性のあるレジストへの 露光 基板サイズ 20mm 角，φ2 inch またはφ4 inch 表面/裏面アライメント機能 あり. 倍率 0.2 倍 インクジェットで OHP マスク原版作製 エマルジョンマスク L/S=200μm 程度可能 その他（新規導入装置含む） イオン注入装置 ULVAC 製 中電流型 IMS3500 MAXφ8 インチウェーハ 処理可能 加速電圧：5kV～150kV P,As,B 注入可能 注入角度：0°, 7° RTA#1 光洋サーモシステム社製 急昇温アニール装置 RLA-1208-V φ2 インチウェーハが処理 可能 昇 温 レ ー ト ： 最 大 150 ℃ /sec 最大温度：1200℃ 真空下および N2 雰囲気処 理可 高清浄アニール可 水素アニール炉 2 流体洗浄装置 光洋サーモシステム社製 アクテス㈱製 ADE-3000S H2 アニール処理 φ2 インチウェーハが処理 可能 水または有機溶媒 （IPA 等） による２流体噴霧洗浄装置 基板サイズ 20mm 角 または 4 inch ウェハ回転数 0～3000rpm ウェハ揺動角度 0～40° 最大温度：650℃ H2,N2 の混合ガス 雰囲気処理可 高清浄アニール可 基板加工装置 研磨装置 ミ ッ ツ 株 式 会 社 製 DFM-400 プリント基板加工 外形加工 穴あけ パターン形成 穴 あ け ド リ ル 径 0.2 ～ 1.5mm 最小線路幅 0.1mm 研削装置 紫外線露光装置 NANO FACTOR 製 NVG-200A 水平回転する砥石を上下 に移動させることにより,サ ンプルを研削する.研磨より もレートが早いので,1 時間 あたり 400～500nm くらい削 ることが可能.（ガラスの場 合）.レートを上げすぎると, サンプルが割れてしまう恐 れがある. ウシオ電機株式会社製 VB-70203BY 使 用 ラ ン プ 型 式 UVL-700M4-H (強制冷却) 発光長 380mm, Uniformity 14.8 % /190 mm 角 全面紫外線照射(ダイシン グテープの接着層分解, 灰化処理 etc.) CW Ti-S リングレーザー 圧縮引張試験機 東洋精機製作所製 STROGRAPH-R1 荷重容量：最大 500kg 引張り圧縮兼用 試験速度：1mm/min～ 500mm/min の 18 ステップ 有段 ダイサー DISCO 製 DAD3240 最大ワークサイズ φ152.4 ウェハの切断 加工対象：Si,ガラス, 水晶， リチウムナイオベイト，その 他 ダイシングテープ等への貼 付け必須 光パラメトリック発振機 Spectra-Physics 製 Millennia X Microlase optical system 製 MBR E-110 波長 近赤外可変 出力 ～1 mW 連続波 Logitech 社製 PM5 １ワークステーションタイプ CMP 用耐薬品モデル 可変スイーピングアーム 4inch までのウェハの研磨・ 研削 12inch の研磨盤のストック は,鋳鉄製・ポリウレタン製・ スズ製・アルミ製（バフ貼り 付け用）のものがあり,幅広 い研磨が可能. Continuum 製 Powerlite model 9010 Mirage 500 浜松ホトニクス C5095 波長 425~2120nm パルス幅 5ns パルス繰り返し率 10Hz 出力 < 1J@532nm, 分光器 可視域 ホール効果測定装置 自作 卓上旋盤 ステージ温度 300K~400K サンプルサイズ 8mm 角 真空環境で測定可 伝導型の判定が可能 キャリア密度の評価が可能 移動度の評価が可能. オリンパス SPM オリンパス製 NV-2000 表面形状測定が可能.導電 性像も取得できる.試料サ イズは約φ15mm 以下を推 奨.最大走査範囲は 100μ m.頻繁に使用する場合は, カンチレバーを準備・持参 すること. メカニクス製 Shop-Ace USL5.6M フライス盤としても利用可. ミカサ片面アライナー ミカサ製 MA-V 型 片面フォトリソグラフィー. 解像度 5μm 程度. 原理的な装置で,入門機と して最適. HMDS 処理装置 蛍光 X 線膜厚計 セイコーインスツルメンツ製 SFT8000 自作 HMDS の蒸気による表面 処理. 金属薄膜の膜厚を測定 できる. 屈折率測定装置 Metricon 製 モデル 2010 プリズムカプリング方式 透明または半透明材料の 評価が可能.屈折率と膜厚 値の同時計測が可能. 屈折率精度：±0.001 膜厚精度：±(0.5%±50Å) 屈折率分解能：±0.0003 膜厚分解能：±0.3% PL 測定装置 自作 励起光波長 325nm 励起光強度 200mW 試料 1.5 cm x 1 cm イオンビームミリング装置 伯東製 IBE-KDC75-THKU-ST Ar イオンでサンプルをエッ チングする. レジストに大きな損傷を与 えず,Pt を 30nm/min でエッ チング出来る. ペガサス A SPP テクノロジーズ製 ナノギャップ用 Si deep RIE 冷却 PL 測定（8K 程度） が可能. 断面試料作作製研磨装置 LEICA 製 EM TXP 主に SEM 断面試料作製に 使用.試料のダイシングと機 械研磨が 1 台の装置で可 能.短時間で高品質な断面 が得られる. 断面試料作製ミリング装置 LEICA 製 EM TIC 3X 主に SEM 断面試料作製に 使用.Ar ミリングにより,断面 を形成する.機械研磨後の 最 終 処 理 用 と し ても 利 用 可. 装置配置図 １階クリーンルーム ・イエロールーム 1. EVG アライナ （田中秀研、小野研） 2. EVG 接合用基板洗浄 （小野研） 3. プラズマ活性化装置 （小野研） 4. ドラフト 18. 19. 20. 21. 5. 2 流体洗浄装置 （田中秀研） 6. スピンコーター、オーブン （田中徹研） 7. レーザー描画装置 （田中徹研、MNC） 8. ミカサアライナ・HMDS 処理装置 （小野研、MNC） ・暗室 9. JEOL-SEM （田中徹研） 10. JEOL-EB （田中徹研） ・メインクリーンルーム 11. ドラフト群 22. 12. 水素アニール炉 （田中徹研） 13. パイロ酸化炉 （田中徹研） 14. TEL LPCVD (田中徹研) 15. RTA#1 (田中徹研) 16. 接触式段差計 （田中徹研） 17. ICP-RIE ペガサス A （小野研） 30. 23. 24. 25. 26. 27. 28. 29. 31. 32. 33. 34. 35. YOUTEC プラズマ CVD (田中徹研) エリプソメーターCR （田中徹研） EVG ボンダ （小野研、羽根研） STS ICP RIE#1 (田中徹研) P-TEOS CVD (小野研、芳賀研) プラズマ SiN-CVD (田中徹研) O2 アッシャー （田中徹研） SiN エッチャー （田中徹研） Al エッチャー （田中徹研） SiCN Cat-CVD （小野研） ANELVA RIE#2 (小野研) DFR CONTACT ETCHER （田中徹研） STS ICP RIE#2 （小野研、桑野研） 微細電極形成装置 （田中徹研） ANELVA RIE#1 （田中秀研、田中徹研） FAB （羽根研） イオンビームミリング装置 （田中秀研） イオン注入装置 （田中徹研） 36. UHV-CVD （田中徹研） ・金属蒸着室 37. JEOL スパッタ （桑野研） 38. EIKO スパッタ （田中秀研） 39. RF スパッタ（Al スパッタ） （田中徹研） 40. 4 探針測定器 （田中徹研） 41. RF 対向ターゲットスパッタ （田中秀研） 42. EB 蒸着 （田中秀研、羽根研） 43. ANELVA スパッタ （坂研、湯上研） 44. DC 対向ターゲットスパッタ （田中秀研） 45. 先端融合ウェハボンダ （田中秀研） 46. AlN スパッタ （桑野研） 47. SHIBAURA スパッタ#2 (小野研) 48. RTA#2 （田中徹研） 49. ECR スパッタ （田中秀研、桑野研） 50. SHIBAURA スパッタ#1 (田中徹研) 51. ドラフト群 （ ）内は主担当研究室 ２階 ・組立評価室 1. HIPOS （小野研） 2. 紫外線露光装置 （桑野研） 3. ドラフト 4. 蒸気オゾンレジスト除去装置 （田中秀研） 5. 屈折率測定装置 （羽根研） 6. ワイヤボンダ （田中秀研） 7. レーザードップラー振動計 （小野研） 8. ULSI テストシステム （田中秀研） 9. めっきセット#1,#2 （田中秀研） 10. ドラフト 11. 14GHz ネットワークアナライザ （田中秀研） 12. プローバー （田中秀研） 13. インピーダンスアナライザー （田中秀研） ・光学測定室 14. 赤外接合評価装置 （小野研、MNC） 15. 断面観察試料作製装置群 （田中秀研、MNC） 16. CW Ti-S リングレーザー （羽根研） 17. マルチチャンネル分光器 （羽根研） 18. 光パラメトリック発信機 （羽根研） 19. ASTeX プラズマ CVD (田中秀研) 20. 紫外分光エリプソメーター （MNC、小野研） 21. 圧縮引張試験機 （田中秀研） 22. XeF2 エッチャー （芳賀研、田中秀研） 23. 光造形装置 （芳賀研） 24. フェムト秒レーザ （芳賀研） ・光学測定室 25. FE-SEM (MNC、湯上研) 26. FIB (桑野研) 27. 熱電子 SEM （小野研、田中秀研） 28. 蛍光 X 線膜厚計 （MNC） 29. SIMS （MNC） 30. マルチターゲットスパッタ （小野研） 31. 急冷機構付真空加熱装置 （芳賀研） 32. イオンコーティング装置 （羽根研、田中秀研） ・レーザー加工室 33. YAG レーザー （小野研） （ ）内は主担当研究室 34. VIM・蛍光顕微鏡 （小野研） 35. パリレン蒸着 （田中秀研、芳賀研） 36. ドラフト 37. PLD （田中秀研） 38. ホール効果測定装置 （羽根研） 39. MBE （羽根研） 40. 薄膜評価装置 （田中秀研、MNC） 41. PL 測定装置 （羽根研） ３階 ・実験室 1. 研削装置 （田中秀研、小野研） 2. 研磨装置 （田中秀研、小野研） 3. 全真空顕微 FT-IR （MNC、小野研） 4. フリップチップボンダ （小野研、田中秀研） 5. マイクロシステムアナライザ （小野研、田中秀研） 6. 紫外可視近赤外分光光度計 （MNC、田中秀研） 7. ニードルディスペンサー （田中秀研） 8. 高周波レーザドップラ計 (田中秀研) 9. 接合力評価装置 (田中秀研) 10. レーザーダイサー (小野研、田中秀研) ・電気実験室 11. 卓上旋盤 （田中秀研） 12. ボール盤・バンドソー・グラインダー （田中秀研） 13. 基板加工装置 （芳賀研、田中秀研） ナノマシニング棟 1. PE-CVD(CNTs) （田中秀研、小野研） 2. ホットフィラメント CVD （田中秀研） 3. UHV-STM&AFM （小野研、田中秀研） 4. ESCA 分析装置 (MNC、田中秀研） 5. 走査型プローブ顕微鏡 Shimazu （田中秀研） 6. 走査型プローブ顕微鏡 Olympus (田中秀研） 7. 投影露光装置 （田中秀研） 8. レーザードップラ振動計 （小野研） 9. マスクレス露光装置 （田中秀研） 10. JEOL EB 5000LSS （羽根研、田中秀研） 11. 縮小カメラ・現像 (小野研） 12. レーザー描画装置 （桑野研、小野研） （ ）内は主担当研究室 13. パターンジェネレーター （小野研） 14. 簡易マスク作製装置 （田中秀研） その他の建物 ・MNC 分室（フロンティア棟） 1. ダイサー （桑野研、小野研） 東北大学マイクロ・ナノマシニング研究教育センター アクセスマップ 青葉山キャンパス マイクロ・ナノマシニング 研究教育センター 東北大学大学院工学研究科 附属マイクロ・ナノマシニング研究教育センター 〒980-8579 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉 6 番 6 号 01 TEL: 022-795-6256・6257・6258 FAX: 022-795-6259 E-mail: [email protected] URL: http://www.mnc.mech.tohoku.ac.jp/