ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽﾏﾃﾘｱﾙｽﾞ(EM) 事業説明会

ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽﾏﾃﾘｱﾙｽﾞ(EM)
事業説明会
2015年12月18日
富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社
1
富士フイルムグループの事業分野
その他
グローバル
サービス
フォトイメージング
１１％
６７％
１６％
プロダクション
サービス
１３％
イメージング
ソリューション
3,610億円
3,610億円
ドキュメント
ソリューション
インフォメーション
ソリューション
（47％）
47％）
４４％
４１％
2014年度
売上高
2兆4,926億円
11,780億円
11,780億円
オフィスプロダクト
ヘルスケア
（15％）
15％）
オフィスプリンター
１６％
光学・電子映像
３３％
FPD材料
FPD材料
9,536億円
9,536億円
１４％
産業機材・
電子材料
（38％）
38％）
記録メディア １０％
５％
高機能材料
グラフィックシステム
３０％
2
２０１５年度上期 業績
(単位：億円)
2014年度上期
売上高
2015年度上期
対前年度
11,829
12,261
432
100.0%
100.0%
+3.6%
（単位：億円）
売上高
ヘルスケア
フラットパネル
ディスプレイ材料
産業機材/電子材料
高機能材料
記録メディア
グラフィックシステム
その他
合計
上期
2014年度 2015年度
1,734
647
430
1,077
224
1,370
31
4,436
1,920
対前年度
186
(+10.7%)
456 -191
(-29.5%)
522
978
218
1,455
33
4,604
92
-99
-6
85
2
168
(+21.5%)
(-9.2%)
(-2.3%)
(+6.2%)
(+6.7%)
(+3.8%)
3
富士フイルム(FF)、
富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ(FFEM)の強み
4
FF/FFEMの強み (新規の技術開発と生産安定技術)
富士フイルムの研究体制を駆使し「技術開発」と「生産安定化」に努める
有機合成化学研究所
新規高機能化合物設計と合成
解析技術センター
先端機器による化合物
の解析と現象解明
生産技術センター
生産技術による
生産性向上、低コスト化
エレクトロニクスマテリアルズ研究所
富士フイルムの「技術ネットワーク」を
駆使し、高機能製品を開発
5
FF/FFEMの強み (コア技術からの展開)
ISCM
現像液・処理剤
6
FFEM/EMの強み (事業の特徴)
１）先端高機能製品の開発
・基盤技術力 有機化合物/
有機化合物/ポリマーの設計および合成力（コーポレート研究所） 現象把握・解析力
・商品開発力 顧客ニーズの吸い上げと迅速で的確な処方設計・開発力
（On site営業とディビジョナル研究所）
On site営業とディビジョナル研究所）
２）先端製品の安定供給
・安定一定製造（原材料性能管理/
・安定一定製造（原材料性能管理/製造工程管理）
・QA/QC（日常性能変動への対応
=原因追求、異常データ・ヒヤリ対応、トラブル発生時の迅速・的確対応）
QA/QC（日常性能変動への対応=
３）顧客ニーズに応える幅広い先端高付加価値製品群をGlobal
に展開
３）顧客ニーズに応える幅広い先端高付加価値製品群をGlobalに展開
・ArFレジストはじめとするフォトレジストおよびフォトリソ周辺剤、イメージセンサー用カラーモザイク
(ISCM)、
、
ArFレジストはじめとするフォトレジストおよびフォトリソ周辺剤、イメージセンサー用カラーモザイク(ISCM)
CMPスラリー、エッチャント
CMPスラリー、エッチャント//クリーナー、Thin Films
クリーナー、Thin Films
４）先端重要顧客とのWin
－Winの関係構築（顧客信頼の獲得）
４）先端重要顧客とのWin－
Winの関係構築（顧客信頼の獲得）
・トップ～研究開発、生産・QA/QC
のIncident Free（
On ・トップ～研究開発、生産・QA/QCの
Incident Free（No HVM （
No HVM （High Volume Manufacturing
Volume Manufacturing issue））、営業（
issue））、営業（On siteも含め）全社での支援コミットメント
siteも含め）全社での支援コミットメント
５）Global
な生産供給体制と一体開発体制
５）Globalな生産供給体制と一体開発体制
下記の繰り返しによるWin
下記の繰り返しによるWin‐‐Win関係構築
Win関係構築
顧客ニーズ
次の開発品の要請
吸い上げによる信頼
研究開発
迅速・的確な対応による信頼
サンプル提供による信頼
異常発生時
生産
安定供給による信頼
7
FFEM/EM事業紹介
8
EM事業 売上推移
ＥＭ事業の売上高推移
3.5
2.9
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
1.0
0.5
0.0
2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016
(見込)
(計画)
9
事業の沿革
沿革
1983
富士フイルム(FF)
とPhilip A Hunt Chemical Corporation(旧
富士フイルム(FF)と
Corporation(旧Arch Chemicals)で
Chemicals)で JV富士ﾊﾝﾄｴﾚｸﾄﾛﾆｸ
JV富士ﾊﾝﾄｴﾚｸﾄﾛﾆｸ
ｽﾃｸﾉﾛｼﾞｰ社(
を設立。半導体ﾚｼﾞｽﾄと現像液等周辺
ｽﾃｸﾉﾛｼﾞｰ社(現富士ﾌｲﾙﾑｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽﾏﾃﾘｱﾙｽﾞ(FFEM))
現富士ﾌｲﾙﾑｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽﾏﾃﾘｱﾙｽﾞ(FFEM))を設立。半導体ﾚｼﾞｽﾄと現像液等周辺
材料の製造・販売を日本・東ｱｼﾞｱ地区で展開
1988
ＦＦＥＭがＦＦ特許ﾗｲｾﾝｽを得てLCD
用ｶﾗｰﾚｼﾞｽﾄ事業に着手
ＦＦＥＭがＦＦ特許ﾗｲｾﾝｽを得てLCD用ｶﾗｰﾚｼﾞｽﾄ事業に着手
1991
1996
ＦＦが半導体ﾚｼﾞｽﾄ研究開発に着手
ＦＦＥＭが台湾生産子会社設立
2000
ＦＦＥＭが韓国子会社設立
2003
ＦＦが半導体材料研究所を設立
2004
ＦＦがＦＦＥＭを完全子会社化するとともに、Arch
ＦＦがＦＦＥＭを完全子会社化するとともに、Arch Chemicals社から半導体材料部門を買収
Chemicals社から半導体材料部門を買収
(欧米の製造拠点、欧米亜の販売拠点)
欧米の製造拠点、欧米亜の販売拠点)
2005
ＦＦにｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽﾏﾃﾘｱﾙｽﾞ事業部(EM
事)を設立
ＦＦにｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽﾏﾃﾘｱﾙｽﾞ事業部(EM事
50%Arch社持分を取得
社持分を取得
Wacker社
CMPスラリー事業
スラリー事業JV
JVの
のPlanar Solutions社の
Wacker社/Arch Chem.社の
Chem.社のCMP
Solutions社の50%Arch
2006
ＦＦＥＭの開発機能をFF
の半導体材料研究所へ統合・ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽﾏﾃﾘｱﾙｽﾞ研究所(EM
(EM研
研)に改称(
ＦＦＥＭの開発機能をFFの半導体材料研究所へ統合・ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽﾏﾃﾘｱﾙｽﾞ研究所
に改称(事業軸の強化)
事業軸の強化)
中国生産子会社の設立
2008
液浸スキャナの購入
2010
半導体用CMP
スラリーの製造・販売会社Planar
Planar Solutions社を完全子会社化
半導体用CMPスラリーの製造・販売会社
Solutions社を完全子会社化
2012
韓国に生産子会社設立
2015
高純度溶剤製造・販売会社Ultra
高純度溶剤製造・販売会社Ultra Pure Solutions, Inc.(米）を買収
Inc.(米）を買収
10
FFEM/EM事業 の歴史
Established in 1983
51%
Philip A, Hunt
M IC R O E L E C T R O N IC
M AT E R IA L S
49%
Feb. 1999
FUJI‐HUNT ELECTRONICS TECHNOLOGY
FUJI‐HUNT ELECTRONICS TECHNOLOGY
Arch
Chemicals,
Inc.
1997
2001
2004
2010
2015
Ultra Pure
Solutions
2010
FUJIFILM Electronic Materials
FUJIFILM Electronic Materials
FF 100% Subsidiary
11
EM事業グローバル体制(組織)
FUJIFILM Electronic Materials Div
Electronic Materials Research Laboratories
FFEM (Belgium)
FFEM (Japan
FFEM (Japan))
FFEM (Germany)
FFEM (Germany)
FFEM (China)
FFEM (China)
FFEM (UK)
FFEM (UK)
FFEM (HK)
FFEM (HK)
FFEM (France)
FFEM (France)
FFEM (Taiwan)
FFEM (Taiwan)
FFEM (Italy)
FFEM (Italy)
FFEM (Singapore)
FFEM (Singapore)
FFEM (USA)
FUJIFILM PLANAR SOLUTIONS
FUJIFILM ULTRA PURE SOLUTIONS
FFEM (Korea)
FFEM (Korea)
FEMK(Korea)
FEMK(Korea)
12
EM事業グローバル体制(生産、販売、R&D拠点)
Manufacturing / Delivery/ Customer Support/ R&D
Belgium
Mesa
Korea
Tokyo
Shizuoka
Suzhou
Hong Kong
Rhode Island
California
Texas
Group FEUS (USA)
FEBE (Belgium)
Subsidiary FETW (Taiwan )
FESZ (Suzhou)
FEKR (Korea)
FEMK (Korea)
FEHK (Hong Kong)
FESG (Singapore)
PLNR(USA) FEUP(USA)
Taiwan
Singapore
Sales / Customer Support
Sales / Customer Support
Manufacturing Site
Manufacturing Site
R&D Center
R&D Center
13
EM事業グローバル生産体制
Photoresists
Photoresists
TMAH Developers
Polyimides
Resist Edge‐bead Removers
Polyimides
Cu PER Cleaners
Photoresist Strippers / Cu PER Cleaners
Low‐K CVD Precursors
Low‐K CVD Precursors
Color Mosaic
Color Mosaic
CMP Cu/Ba
CMP Cu/Ba
CMP Cu
14
微細化のモノサシ
1.8m
100μm
1μm
毛髪
1mm
1m
200μm
埃
1μm
1.1μm
1nm
32‐14nm
15
FFEMの強み
成長戦略
•
•
先端の技術開発により広い領域で高機能材料を開発する
顧客とＷｉｎ-Winの関係を構築し、半導体業界の発展
に貢献する。
成長する主要製品群
①
フォトレジスト
②
ISCM
③
CMPスラリー
④-1 フォトリソ周辺剤
④-2 エッチャント/クリーナー
⑤
ポリイミド
16
FFEMの強み
成長する主要製品群
製品
成長戦略
①フォトレジスト
当社独自開発したネガトーンイメージング（ＮＴＩ）技術などをアピールし
先端ＡｒＦレジストを大手顧客へ導入する。
②ISCM
既存顧客へのプロセスサポートを充実させ、顧客の生産性向上に寄与。
他社参入を阻止し高い市場ポジションの維持。
イメージセンサー周辺材料などの新規製品による事業の拡大
③CMPスラリー
ＦＦＥＭの技術・コスト競争力・販売力により最先端スラリーの開発に
特化するとともにオンサイトビジネス（製造・営業サポート）を展開し市場拡大
する。
④-1 フォトリソ周辺剤
-2 エッチャント
/クリーナー
半導体デバイスの進歩に伴い、進化する回路形成素材に合わせた、
⑤ポリイミド
低温キュア型ポリイミドで、新規パッケージ用途への展開を目指す。
エッチャント/クリーナーを顧客との協力体制強化により、迅速に開発し、顧
客が満足いく製品を供給する。
17
①フォトレジストおよび④-1フォトリソ周辺剤
ArF液浸レジストからフォトリソ周辺剤へ
・先端フォトレジストの開発に特化、ArF
液浸（トップコートレス）・
（トップコートレス）・NTI
NTI用レジストの拡販
用レジストの拡販
・先端フォトレジストの開発に特化、ArF液浸
・フォトレジストのみからNTI
現像液やフォトリソ周辺剤へのビジネス拡大（下図）
へのビジネス拡大（下図）
・フォトレジストのみからNTI現像液やフォトリソ周辺剤
事業の強み
・現地生産化、QA.QC
対応等、
現地生産化、QA.QC対応等、
オンサイトサービスによる顧客満足度向上
・高品質、安定供給、大量生産を可能とする
高品質、安定供給、大量生産を可能とする
技術力（分析・解析技術、合成技術
）
技術力（分析・解析技術、合成技術）
今後の施策
EUV立ち上げ遅れによる
EUV立ち上げ遅れによる ArF液浸・マルチパターニング拡大
ArF液浸・マルチパターニング拡大
→フォトマスク使用量増によりEB
マスク用レジスト売上伸長
→フォトマスク使用量増によりEBマスク用レジスト売上伸長
ArFのみから
ArFのみから →
・EB強化
（マスク枚数増）
EB強化（マスク枚数増）
・ArF（
ArF（NTIプロセス用）ビジネス拡大
NTIプロセス用）ビジネス拡大
・下層材料、
下層材料、KrF（厚膜）など
KrF（厚膜）など
18
②イメージセンサー用カラーモザイク
高い市場ポジションを維持し、事業を拡大
IR Pass
・他社に先駆けて商品化し、市場シェアは80%以上
・従来のRGBに加え IR(赤外域)材料で車載
(自動運転)やセキュリティー用途へビジネス拡大
IR Cut
White
Low
Refractive RGB
Gray
High
Refractive 事業の強み
・フォトレジストで培ったミクロな感光性ポリマー技術と、
波長制御技術、および極限まで微細化した着色顔料
を均一に分散する技術
Motion Black
Security Sensor
今後の施策
・RGBの高シェアを維持するとともに、新たな
アプリケーション向けの新たな材料開発の
導入展開。新規材料でもトップシェアを目指す。
Unknown
Sensor
Digital
Digital Camera
Camera
Smart
Smart phone
phone
Health
sensor
Automotive
Automotive
19
③CMPスラリー
最先端のＣｕスラリー、バリアスラリーを提供
・CMPスラリーでも、最先端のCuスラリー・バリアスラリーの販売・開発に特化
・Cu・BaのみからHKMG用途へ展開しビジネス拡大中
事業の強み
・CMPスラリーで先端技術を持つＦＦＥＭの技術、コスト競争力、販売力と、富士フイルムの
先端技術を融合
今後の施策
・韓国・台湾に生産拠点を設立し、輸送効率化や顧客ニーズの対応力を強化
硬さの異なる絶
縁体や配線が混
じっている
硬さの違いに関わ
らず、ウェハー表
面が均一・平滑に
CMP Slurry 硬さの異なるさまざまな物質が混じっているウェハー表面を均一・平滑に研磨
20
④-2エッチャント/クリーナー
技術の進歩に対応した最先端の材料を提供
事業の強み
・大手半導体メーカーとプロセスを構築し、顧客プロセスに合致した材料を供給
今後の施策
・日々進化する回路形成素材の変化に対応する材料開発・プロセス構築を顧客と
協力しながら迅速に確立し導入を図る
微細化が進むにつれ、従来より高精度なコンタミ（欠陥につながる配線加工時の樹脂
や金属等の剥離残り）除去が必須
線幅が広い
⇒致命的な欠陥
にはならない
線幅が狭い
⇒致命的な欠陥に
つながる
同じ大きさのコンタミでも、微細化が進むと致命的な欠陥に
21
22
補足資料：フォトレジストとは
フォトレジスト - リソグラフィー
微細な回路パターンの製造に不可欠な感光性ポリマー製品。光を使って回路パターン
をシリコンウェハー上
シリコンウェハー上に焼き付けるマイクロリソグラフィ工程に使われる。
リソグラフィー技術でのパターン形成
フォトマスク作成
レジスト塗布
露光
回路パターンをレジストへ転
写するための原版
レジストをウェハーに塗布
マスクパターンをレジストに焼付
光
フォトレジスト
フォトマスク
シリコンウェハー
レジスト剥離・洗浄
エッチング
現像
レジストを除去する
レジストで保護されていない部分を削る
露光部分のレジストを現像液で溶かす
現像液浸漬
※ポジ型の場合
23
補足資料：フォトレジスト先端技術
フォトレジスト – 先端技術 微細化へのニーズに応えるため、新しい技術が使用されている。
ArF液浸
ArF液浸
トップコートレス
ステッパーのレンズとウェハーの
間に、空気よりも屈折率の高い水
を入れることで、解像度を高める
技術。光源やフォトマスクを変えず
に微細加工が可能。
液浸の場合、レジスト成分の水への
溶出が発生するのを防ぐトップコート
が必要。トップコートレス技術は露光
時には疎水的なレジスト表面が、現
像時には親水的に変化するという極
性変換技術のことで、トップコートが
不要に。
ネガトーンイメージング（ＮＴＩ）
露光した部分が残るネガ現像を用いる。従来のポジ現像よりも微細化に対応でき、感度も高いためタクトタイムが短くなる。
露光
露光
ポジ現像
ネガ現像
未露光部分でパターンを形成
露光部分でパターンを形成
24
補足資料：イメージセンサー用カラーモザイク
カラーレジスト
イメージセンサーに使用されているマイクロカラーフィルターを製造するための着色感光材料。
G
B
R
G
カラーレジスト
で着色
CCD
スマートフォン
デジタルカメラ
イメージセンサーを使用した製品
25
補足資料：バックエンド材料など
CMP工程
CMP工程
CMPスラリー
CMPスラリー
金属や絶縁膜などの部材
が混在する半導体基板面を
ミクロな単位で平滑にする
化学的機械的研磨剤。
配線形成
平坦化
レジスト除去後、配線を形成
ウェハー表面の凹凸を平坦化
配線
フォトマスク用レジスト
フォトマスクを製造するときの
専用レジスト。
薄膜形成材料
クリーナー製品
低誘電率の絶縁材料（Low
-ｋ材）。
低誘電率の絶縁材料（Low配線間の絶縁部が狭くなることに
より発生する動作速度の低下・消
費電力の増加を防ぐ。
半導体基盤の洗浄と不
純物除去の際に使用さ
れる洗浄液。半導体製
れる洗浄液。半導体製
造プロセスの中で度々
使用される。
ポリイミド製品
クリーニング前
クリーニング後
半導体回路の保護膜として使用。
高い耐熱性や優れた絶縁性を持つ。
26