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データシート - Renesas
目標仕様書 データシート RJF0604JPD 60V, 5A シリコン N チャネルサーマル FET 電力スイッチング R07DS0583JJ0300 Rev.3.00 2013.11.05 概要 本製品はゲートの印加電圧により DS 間の ON-OFF 制御ができるパワースイッチ用 MOS FET です。構造は パワーMOS FET のゲート部に過熱遮断回路を内蔵したものであり,異常な周囲温度上昇,過電力,過電流に よる発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています。 特長 • • • • • • • ロジックレベル (4 V) 駆動型パワーMOS FET です。 過熱遮断回路を内蔵しており,高熱状態のパワーMOS FET 保護が可能。 負荷短絡に対する耐量が向上しています。 過熱遮断方式はラッチ型です。過熱遮断回路動作後は,ゲート電圧 0 バイアスで復帰します。 電流制限回路を内蔵しております。 電源電圧は 12 V,24 V を適用しています。 AEC-Q101 準拠 外観図 ࡞ࡀࠨࠬࡄ࠶ࠤࠫࠦ࠼: PRSS0004ZD-C (ࡄ࠶ࠤࠫฬ⒓ : DPAK (S) ) D 4 ౝ⬿ᛶ᛫ G 1 2 3 ᷷ᐲ ᬌ࿁〝 ⥄Ꮖ ᜬ࿁〝 1. ࠥ࠻ 2. ࠼ࠗࡦ 3. ࠰ࠬ 4. ࠼ࠗࡦ 㔚ᵹ㒢 ࿁〝 ࠥ࠻ ㆤᢿ࿁〝 S 絶対最大定格 (Ta = 25°C) 項目 記号 ドレイン・ソース電圧 VDSS ゲート・ソース電圧 VGSS ゲート・ソース電圧 VGSS ドレイン電流 ID 注 3 逆ドレイン電流 IDR アバランシェ電流 IAP 注 2 アバランシェエネルギー EAR 注 2 許容チャネル損失 Pch 注 1 チャネル温度 Tch 保存温度 Tstg 【注】 1. Tc = 25°C における許容値 2. Tch = 25°C, Rg ≥ 50 Ωにおける許容値 3. 電流制限下限値にて規定します。 R07DS0583JJ0300 Rev.3.00 2013.11.05 定格値 60 16 –2.5 5 5 4.7 94.7 30 150 –55~+150 単位 V V V A A A mJ W °C °C Page 1 of 7 目標仕様書 RJF0604JPD 代表動作特性 (Ta = 25°C) 項目 入力電圧 入力電圧 入力電流 (ゲート非遮断時) 入力電流 (ゲート非遮断時) 入力電流 (ゲート非遮断時) 入力電流 (ゲート遮断動作時) 入力電流 (ゲート遮断動作時) 遮断温度 ゲート動作電圧 ドレイン電流 (電流制限値) 【注】 4. パルス測定 記号 VIH VIL IIH1 IIH2 IIL IIH(sd)1 IIH(sd)2 Tsd Vop ID limt Min 3.5 — — — — — — — 3.5 5 Typ — — — — — 0.8 0.35 175 — — Max — 1.2 100 50 1 — — — 12 — 単位 V V μA μA μA mA mA °C V A 測定条件 Vi = 8 V, VDS = 0 Vi = 3.5 V, VDS = 0 Vi = 1.2 V, VDS = 0 Vi = 8 V, VDS = 0 Vi = 3.5 V, VDS = 0 チャネル温度 VGS = 5 V, VDS = 10 V 注 4 電気的特性 (Ta = 25°C) 項目 ドレイン電流 記号 Typ Max 単位 測定条件 ID1 — — 17 A VGS = 3.5 V, VDS = 10 V 注 ID2 ID3 — 5 60 16 –2.5 — — — — — — — 1.1 4 — — — — — — — — — — — — 0.8 0.35 — — 9 58 42 276 10 — — — — 100 50 1 –100 — — 10 2.1 — 100 75 — mA A V V V μA μA μA μA mA mA μA V S mΩ mΩ pF VGS = 1.2 V, VDS = 10 V 5 VGS = 5 V, VDS = 10 V 注 — — — — — — 1.6 4.7 3.7 4.4 0.81 67 — — — — — — μs μs μs μs V ns — — 3.4 1.2 — — ms ms ドレイン・ソース破壊電圧 ゲート・ソース破壊電圧 V(BR)DSS V(BR)GSS ゲート遮断電流 V(BR)GSS IGSS1 IGSS2 IGSS3 IGSS4 入力電流 (ゲート遮断動作時) IGS(OP)1 ドレイン遮断電流 ゲート・ソース遮断電圧 順伝達アドミタンス ドレイン・ソースオン抵抗 IGS(OP)2 IDSS VGS(off) |yfs| RDS(on) 出力容量 ターン・オン遅延時間 RDS(on) Coss td(on) 上昇時間 ターン・オフ遅延時間 下降時間 ダイオード順電圧 逆回復時間 tr td(off) tf VDF trr 負荷短絡遮断動作時間注 6 Min tos1 tos2 5 ID = 10 mA, VGS = 0 IG = 800 μA, VDS = 0 IG = –100 μA, VDS = 0 VGS = 8 V, VDS = 0 VGS = 3.5 V, VDS = 0 VGS = 1.2 V, VDS = 0 VGS = –2.4 V, VDS = 0 VGS = 8 V, VDS = 0 VGS = 3.5 V, VDS = 0 VDS = 32 V, VGS = 0, Tc = 110°C VDS = 10 V, ID = 1 mA 5 ID = 2.5 A, VDS = 10 V 注 注5 ID = 2.5 A, VGS = 4 V 5 ID = 2.5 A, VGS = 10 V 注 VDS = 10 V, VGS = 0, f = 1MHz VGS = 10 V, ID= 2.5 A, RL = 12 Ω IF = 5 A, VGS = 0 IF = 5 A, VGS = 0 diF/dt = 50 A/μs VGS = 5 V, VDD = 16 V VGS = 5 V, VDD = 24 V 【注】 5. パルス測定 6. 過負荷によるパワーMOS FET の温度上昇による動作時間のシフト分も含む。 R07DS0583JJ0300 Rev.3.00 2013.11.05 Page 2 of 7 目標仕様書 RJF0604JPD 主特性 ⸵ኈ࠴ࡖࡀ࡞៊ᄬߩ ࠤ᷷ࠬᐲߦࠃࠆᄌൻ ోേ㗔ၞ 100 ㆊᾲㆤᢿ㗔ၞ ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ ID (A) ⸵ኈ࠴ࡖࡀ࡞៊ᄬ Pch (W) 40 30 20 10 0 0 50 100 ࠤ᷷ࠬᐲ 150 10 DC Operation (Tc = 25°C) 1 PW = 10 ms 0.1 0.01 200 10 V 4V VGS = 3 V ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ ID (A) ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ ID (A) 5V 4 3 2 150°C 1 25°C Tc = –40°C 0 0 2 4 6 8 10 0 1 2 3 4 5 ࠥ࠻࠰ࠬ㔚 VGS (V) ࠼ࠗࡦ࠰ࠬ㘻㔚ኻ ࠥ࠻࠰ࠬ㔚․ᕈ ࠼ࠗࡦ࠰ࠬࠝࡦᛶ᛫ኻ ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ․ᕈ ࡄ࡞᷹ࠬቯ 200 ID = 2.5 A 100 1.0 A 0.5 A 0 2 4 6 8 ࠥ࠻࠰ࠬ㔚 VGS (V) R07DS0583JJ0300 Rev.3.00 2013.11.05 10 ࠼ࠗࡦ࠰ࠬࠝࡦᛶ᛫ RDS(on) (mΩ) ࠼ࠗࡦ࠰ࠬ㔚 VDS (V) 300 0 100 VDS = 10 V ࡄ࡞᷹ࠬቯ 8V 7V 0 10 5 9V ࠼ࠗࡦ࠰ࠬ㘻㔚ޓVDS(on) (mV) 1 ࠰ࠬធવ㆐㕒․ᕈ ࡄ࡞᷹ࠬቯ 10 0.1 ࠼ࠗࡦ࠰ࠬ㔚 VDS (V) Tc (°C) ࠰ࠬធജ㕒․ᕈ 20 ߎߩ▸࿐ߩേߪ RDS(on) ߩ୯ߦࠃߞߡ 㒢ߐࠇ߹ߔ 500 ࡄ࡞᷹ࠬቯ 200 100 VGS = 4 V 50 10 V 20 10 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ ID (A) Page 3 of 7 目標仕様書 ࠼ࠗࡦ࠰ࠬࠝࡦᛶ᛫ኻ ࠤ᷷ࠬᐲ․ᕈ 120 㗅વ㆐ࠕ࠼ࡒ࠲ࡦࠬኻ ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ․ᕈ ࡄ࡞᷹ࠬቯ 100 ID = 2 A, 0.5 A, 1 A 80 VGS = 4 V 60 40 ID = 2 A, 0.5 A, 1 A 10 V 20 0 –50 –25 0 25 50 ࠤ᷷ࠬᐲ 100 㗅વ㆐ࠕ࠼ࡒ࠲ࡦࠬ |yfs| (S) ࠼ࠗࡦ࠰ࠬࠝࡦᛶ᛫ RDS(on) (mΩ) RJF0604JPD VDS = 10 V ࡄ࡞᷹ࠬቯ 10 Tc = –40°C 1 25°C 150°C 0.1 0.1 75 100 125 150 1 ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ ID (A) Tc (°C) ࠰ࠬ࠼ࠗࡦ㑆 ࠳ࠗࠝ࠼ㅒᣇะ࿁ᓳᤨ㑆 ࠬࠗ࠶࠴ࡦࠣ․ᕈ 100 100 10 di / dt = 50 A / μs VGS = 0, Ta = 25°C 1 0.1 1 10 ㅒ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ ࠬࠗ࠶࠴ࡦࠣᤨ㑆 t (μs) ㅒ࿁ᓳᤨ㑆 trr (ns) 1000 VGS = 10 V, VDD = 30 V PW = 300 μs, duty ≤ 1 % td(off) 10 1 td(on) 0.1 0.1 100 0.5 1 2 5 ID (A) ኈ㊂ኻ࠼ࠗࡦ࠰ࠬ㔚․ᕈ 4 3000 ኈޓ㊂ C (pF) 10000 VGS = 5 V 0V 2 0.2 ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ IDR (A) 5 3 tr tf ㅒ࠼ࠗࡦ㔚ᵹኻ ࠰ࠬ࠼ࠗࡦ㔚․ᕈ ㅒ࠼ࠗࡦ㔚ᵹ IDR (A) 10 1 1000 Coss 300 100 30 VGS = 0 f = 1 MHz ࡄ࡞᷹ࠬቯ 0 10 0 0.2 0.4 0.6 ࠰ࠬ࠼ࠗࡦ㔚 R07DS0583JJ0300 Rev.3.00 2013.11.05 0.8 1.0 VSD (V) 0 10 20 30 40 50 60 ࠼ࠗࡦ࠰ࠬ㔚 VDS (V) Page 4 of 7 目標仕様書 RJF0604JPD ゲート・ソース電圧対 負荷短絡遮断時間特性 遮断温度対 ゲート・ソース電圧特性 200 14 180 12 10 遮断温度 Tc (°C) ゲート・ソース電圧 VGS (V) 16 VDD = 16 V 8 6 24 V 4 160 140 120 2 ID = 0.5 A 0 100 μ 1m 10 m 100 0 100 m 2 4 6 8 10 負荷短絡遮断時間 Pw (S) 規格化過渡熱抵抗値特性 10 過渡熱抵抗 γ s (t) Tc = 25°C 1 0.1 D=1 0.5 0.2 θch - c(t) = γs (t) · θch - c θch - c = 4.17°C/W, Tc = 25°C 0.1 0 .0 5 0. 02 1 0. 0 1s 0.01 10 μ P DM ho tp D= se ul PW T PW T 100 μ 1m 10 m 100 m 1 10 パルス幅 PW (S) R07DS0583JJ0300 Rev.3.00 2013.11.05 Page 5 of 7 目標仕様書 RJF0604JPD ࠬࠗ࠶࠴ࡦࠣᤨ㑆᷹ቯ࿁〝 ࠬࠗ࠶࠴ࡦࠣᵄᒻ 90% Vout Monitor Vin Monitor D.U.T. Vin 10% RL Vout Vin 10 V 50 Ω 10% VDD = 30 V 90% td(on) ࠕࡃࡦࠪࠚ᷹ቯ࿁〝 VDS Monitor 10% tr 90% td(off) tf ࠕࡃࡦࠪࠚേᵄᒻ L EAR = 1 2 L • IAP2 • V(BR)DSS V(BR)DSS – VDD IAP Monitor V(BR)DSS Rg Vin 10 V D. U. T VDD IAP ID 50 Ω 0 R07DS0583JJ0300 Rev.3.00 2013.11.05 VDS VDD Page 6 of 7 目標仕様書 RJF0604JPD 外形寸法図 JEITA Package Code SC-63 RENESAS Code PRSS0004ZD-C Previous Code DPAK(S) / DPAK(S)V MASS[Typ.] 0.28g Unit: mm 2.3 ± 0.2 0.55 ± 0.1 (5.1) (5.1) 6.5 ± 0.3 5.6 ± 0.5 1.2 Max 5.5 ± 0.5 1.5 ± 0.5 Package Name DPAK(S) 0 – 0.25 2.5 ± 0.5 (1.2) 1.0 Max. 0.8 ± 0.1 2.29 ± 0.5 0.55 ± 0.1 2.29 ± 0.5 発注情報 発注型名 梱包数量 梱包形態 3000 個 テーピング RJF0604JPD-00-J3 【注】 型名中の"-"は"#"と置き換えて表示されることがあります。 R07DS0583JJ0300 Rev.3.00 2013.11.05 Page 7 of 7 ߏᵈᗧᦠ߈ 1. ᧄ⾗ᢱߦ⸥タߐࠇߚ࿁〝ߦࠄࠇߎ߮ࠃ߅ࠕࠚ࠙࠻ࡈ࠰ޔ㑐ㅪߔࠆᖱႎߪޔඨዉຠߩേޔᔕ↪ࠍ⺑ߔࠆ߽ߩߢߔ߅ޕቴ᭽ߩᯏེࠪࠬ࠹ࡓߩ⸳⸘ߦ߅ ߡޔ࿁〝ߦࠄࠇߎ߮ࠃ߅ࠕࠚ࠙࠻ࡈ࠰ޔ㑐ㅪߔࠆᖱႎࠍ↪ߔࠆ႐วߦߪ߅ޔቴ᭽ߩ⽿છߦ߅ߡⴕߞߡߊߛߐߦ↪ߩࠄࠇߎޕ࿃ߒߡ߅ޔቴ᭽߹ߚߪ╙ਃ ⠪ߦ↢ߓߚ៊ኂߦ㑐ߒޔᒰ␠ߪ৻ޔಾߘߩ⽿છࠍ⽶߹ߖࠎޕ 2. ᧄ⾗ᢱߦ⸥タߐࠇߡࠆᖱႎߪޔᱜ⏕ࠍᦼߔߚᘕ㊀ߦᚑߒߚ߽ߩߢߔ߇⾗ᧄޔ৻ਁޕࠎߖ߹ࠅߪߢߩ߽ࠆߔ⸽ࠍߣߎߥ߇ࠅ⺋ޔᢱߦ⸥タߐࠇߡࠆᖱႎ ߩ⺋ࠅߦ࿃ߔࠆ៊ኂ߇߅ቴ᭽ߦ↢ߓߚ႐วߦ߅ߡ߽ޔᒰ␠ߪ৻ޔಾߘߩ⽿છࠍ⽶߹ߖࠎޕ 3. ᧄ⾗ᢱߦ⸥タߐࠇߚຠ࠺㧙࠲ޔ࿑ޔࡓ࠭ࠧ࡞ࠕޔࡓࠣࡠࡊޔޔᔕ↪࿁〝╬ߩᖱႎߩ↪ߦ࿃ߒߡ⊒↢ߒߚ╙ਃ⠪ߩ․⸵ᮭ⪺ޔᮭߘߩઁߩ⍮⊛⽷↥ᮭ ߦኻߔࠆଚኂߦ㑐ߒޔᒰ␠ߪޔࠄߩ⽿છࠍ⽶߁߽ߩߢߪࠅ߹ߖࠎޕᒰ␠ߪ⾗ᧄޔᢱߦၮߠ߈ᒰ␠߹ߚߪ╙ਃ⠪ߩ․⸵ᮭ⪺ޔᮭߘߩઁߩ⍮⊛⽷↥ᮭࠍࠄ⸵ ⻌ߔࠆ߽ߩߢߪࠅ߹ߖࠎޕ 4. ᒰ␠ຠࠍᡷㅧޔᡷᄌࠆ߆߆ޕߐߛߊߢߥߒ╬ⶄޔᡷㅧޔᡷᄌ៊ߚߓ↢ࠅࠃߦ╬ⶄޔኂߦ㑐ߒޔᒰ␠ߪ৻ޔಾߘߩ⽿છࠍ⽶߹ߖࠎޕ 5. ᒰ␠ߪޔᒰ␠ຠߩຠ⾰᳓ḰࠍޟᮡḰ᳓Ḱޟ߮ࠃ߅ޠ㜞ຠ⾰᳓Ḱߦޠಽ㘃ߒߡ߅ࠅޔ ฦຠ⾰᳓Ḱߪޔએਅߦ␜ߔ↪ㅜߦຠ߇↪ߐࠇࠆߎߣࠍᗧ࿑ߒߡ߅ࠅ߹ߔޕ ᮡḰ᳓Ḱ㧦 ࠦࡦࡇࡘ࠲ޔOAᯏེޔㅢାᯏེ⸘ޔ᷹ᯏེޔAVᯏེޔ ኅ㔚ޔᎿᯏ᪾࡞࠽࠰ࡄޔᯏེ↥ޔᬺ↪ࡠࡏ࠶࠻╬ 㜞ຠ⾰᳓Ḱ㧦 ャㅍᯏེ㧔⥄േゞޔ㔚ゞ╬⥾⦁ޔ㧕ޔㅢ↪ାภᯏེޔ 㒐ἴ㒐‽ⵝ⟎ޔฦ⒳ోⵝ⟎╬ ᒰ␠ຠߪ⋥ޔធ↢りߦෂኂࠍ߷ߔน⢻ᕈߩࠆᯏེࠪࠬ࠹ࡓ㧔↢⛽ᜬⵝ⟎ੱޔߦၒㄟߺ↪ߔࠆ߽ߩ╬㧕 ߪߊߒ߽ޔᄙᄢߥ‛⊛៊ኂࠍ⊒↢ߐ ߖࠆ߅ߘࠇߩࠆᯏེࠪࠬ࠹ࡓ㧔ේሶജᓮࠪࠬ࠹ࡓޔァᯏེ╬㧕ߦ↪ߐࠇࠆߎߣࠍᗧ࿑ߒߡ߅ࠄߕޔ߃ߣߚ ޕࠎߖ߹߈ߢߪߣߎࠆߔ↪ޔᗧ࿑ߒߥ↪ ㅜߦᒰ␠ຠࠍ↪ߒߚߎߣߦࠃࠅ߅ቴ᭽߹ߚߪ╙ਃ⠪ߦ៊ኂ߇↢ߓߡ߽ޔᒰ␠ߪ৻ಾߘߩ⽿છࠍ⽶߹ߖࠎߏޔ߅ߥ ޕਇὐ߇ࠆ႐วߪޔᒰ␠༡ᬺߦ߅ วࠊߖߊߛߐޕ 6. ᒰ␠ຠࠍߏ↪ߩ㓙ߪޔᒰ␠߇ᜰቯߔࠆᦨᄢቯᩰޔേ㔚Ḯ㔚▸࿐ޔᾲ․ᕈޔታⵝ᧦ઙߘߩઁߩ⸽▸࿐ౝߢߏ↪ߊߛߐޕᒰ␠⸽▸࿐ࠍ߃ߡᒰ␠ ຠࠍߏ↪ߐࠇߚ႐วߩ㓚߅ࠃ߮ߦߟ߈߹ߒߡߪޔᒰ␠ߪ৻ޔಾߘߩ⽿છࠍ⽶߹ߖࠎޕ 7. ᒰ␠ߪޔᒰ␠ຠߩຠ⾰߅ࠃ߮ା㗬ᕈߩะߦദߡ߹ߔ߇ޔඨዉຠߪࠆ⏕₸ߢ㓚߇⊒↢ߒߚࠅ᧦↪ޔઙߦࠃߞߡߪ⺋േߒߚࠅߔࠆ႐ว߇ࠅ߹ ߔޔߚ߹ޕᒰ␠ຠߪ⠴✢⸳⸘ߦߟߡߪⴕߞߡ߅ࠅ߹ߖࠎޕᒰ␠ຠߩ㓚߹ߚߪ⺋േ߇↢ߓߚ႐ว߽ੱޔりޔἫἴ␠ޔળ⊛៊ኂ╬ࠍ↢ߓߐߖ ߥࠃ߁߅ޔቴ᭽ߩ⽿છߦ߅ߡޔ౬㐳⸳⸘ޔᑧኻ╷⸳⸘⺋ޔേ㒐ᱛ⸳⸘╬ߩో⸳⸘߅ࠃ߮ࠛࠫࡦࠣಣℂ╬߅ޔቴ᭽ߩᯏེࠪࠬ࠹ࡓߣߒߡߩ⩄⸽ ࠍⴕߞߡߊߛߐޔߪࠕࠚ࠙࠻ࡈ࠰ࡦࠦࠗࡑޔߦ․ޕන⁛ߢߩᬌ⸽ߪ࿎㔍ߥߚ߅ޔቴ᭽ߩᯏེࠪࠬ࠹ࡓߣߒߡߩోᬌ⸽ࠍ߅ቴ᭽ߩ⽿છߢⴕߞߡߊߛߐޕ 8. ᒰ␠ຠߩⅣႺㆡวᕈ╬ߩ⚦ߦߟ߈߹ߒߡߪޔຠߦᔅߕᒰ␠༡ᬺ⓹ญ߹ߢ߅วߖߊߛߐߦ↪ߏޕ㓙ߒߡߪ․ޔቯߩ‛⾰ߩ↪ࠍⷙߔࠆ RoHSᜰ╬ޔㆡ↪ߐࠇࠆⅣႺ㑐ㅪᴺࠍචಽ⺞ᩏߩ߁߃ࠆ߆߆ޔᴺߦㆡวߔࠆࠃ߁ߏ↪ߊߛߐ߅ޕቴ᭽߇߆߆ࠆᴺࠍㆩߒߥߎߣߦࠃࠅ↢ߓߚ៊ኂߦ 㑐ߒߡޔᒰ␠ߪ৻ޔಾߘߩ⽿છࠍ⽶߹ߖࠎޕ 9. ᧄ⾗ᢱߦ⸥タߐࠇߡࠆᒰ␠ຠ߅ࠃ߮ᛛⴚࠍ࿖ౝᄖߩᴺ߅ࠃ߮ⷙೣߦࠃࠅㅧ↪⽼ᄁࠍᱛߐࠇߡࠆᯏེࠪࠬ࠹ࡓߦ↪ߔࠆߎߣߪߢ߈߹ߖࠎ߹ޕ ߚޔᒰ␠ຠ߅ࠃ߮ᛛⴚࠍᄢ㊂⎕უེߩ㐿⊒╬ߩ⋡⊛ޔァ↪ߩ⋡⊛ߘߩઁァ↪ㅜߦ↪ߒߥߢߊߛߐޕᒰ␠ຠ߹ߚߪᛛⴚࠍャߔࠆ႐วߪޟޔᄖ ࿖ὑᦧ߮ᄖ࿖⾏ᤃᴺઁߩߘޠャ㑐ㅪᴺࠍㆩߒࠆ߆߆ޔᴺߩቯࠆߣߎࠈߦࠃࠅᔅⷐߥᚻ⛯ࠍⴕߞߡߊߛߐޕ 10. ߅ቴ᭽ߩォᄁ╬ߦࠃࠅߏᧄޔᵈᗧᦠ߈⸥タߩ⻉᧦ઙߦᛶ⸅ߒߡᒰ␠ຠ߇↪ߐࠇ៊ࠄ߆↪ߩߘޔኂ߇↢ߓߚ႐วޔᒰ␠ߪࠄߩ⽿છ߽⽶ࠊߕ߅ޔቴ᭽ߦߡߏ⽶ ᜂߒߡ㗂߈߹ߔߩߢߏੌᛚߊߛߐޕ 11. ᧄ⾗ᢱߩోㇱ߹ߚߪ৻ㇱࠍᒰ␠ߩᢥᦠߦࠃࠆ೨ߩᛚ⻌ࠍᓧࠆߎߣߥߊォタ߹ߚߪⶄߔࠆߎߣࠍߓ߹ߔޕ ᵈ1. ᧄ⾗ᢱߦ߅ߡ↪ߐࠇߡࠆޟᒰ␠ࠬࠢ࠾ࡠ࠻ࠢࠛ ࠬࠨࡀ࡞ޔߪߣޠᩣᑼળ␠߅ࠃ߮࡞ࡀࠨࠬ ࠛࠢ࠻ࡠ࠾ࠢࠬᩣᑼળ␠߇ߘߩ✚ᩣਥߩ⼏ᮭߩㆊඨᢙ ࠍ⋥ធ߹ߚߪ㑆ធߦߔࠆળ␠ࠍ߹ߔޕ ᵈ2. ᧄ⾗ᢱߦ߅ߡ↪ߐࠇߡࠆޟᒰ␠ຠޔߪߣޠᵈ㧝ߦ߅ߡቯ⟵ߐࠇߚᒰ␠ߩ㐿⊒ޔㅧຠࠍ߹ߔޕ http://www.renesas.com ع༡ᬺ߅วߖ⓹ญ ̪༡ᬺ߅วߖ⓹ญߩᚲ㔚⇟ภߪᄌᦝߦߥࠆߎߣ߇ࠅ߹ߔᦨޕᣂᖱႎߦߟ߈߹ߒߡߪޔᑷ␠ࡎࡓࡍࠫࠍߏⷩߊߛߐޕ ࡞ࡀࠨࠬ ࠛࠢ࠻ࡠ࠾ࠢࠬᩣᑼળ␠ޥޓ100-0004ޓජઍ↰ᄢᚻ↸2-6-2㧔ᣣᧄࡆ࡞㧕 عᛛⴚ⊛ߥ߅วߖ߅ࠃ߮⾗ᢱߩߏ⺧᳞ߪਅ⸥߳ߤ߁ߙޕ ✚ޓว߅วߖ⓹ญ㧦http://japan.renesas.com/contact/ © 2013 Renesas Electronics Corporation. 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