869∼1990MHzの ADL5590/ADL5591

869∼1990MHzの
直交変調器
ADL5590/ADL5591
機能ブロック図
特長
GND
GND
GND
VPS5
GND
VPS4
GND
GND
GND
動作周波数
36
35
34
33
32
31
30
29
28
ADL5590：869∼960MHz
ADL5591：1805∼1990MHz
出力圧縮ポイントP1dB：16dBm
出力3次インターセプト・ポイントOIP3
ADL5590：29dBm @ 900 MHz
ADL5591：30dBm @ 1900 MHz
ノイズ・フロア：−157dBm/Hz
ADL5590/
ADL5591
QUADRATURE
PHASE
SPLITTER
27
26
25
24
23
22
21
GND
QBBP
QBBN
GND
VOUT
GND
IBBN
20 IBBP
19 GND
06661-001
10
11
12
13
14
15
16
17
18
1
2
3
4
5
6
7
8
9
GND
GND
GND
VPS2
GND
VPS3
GND
GND
GND
サイドバンド抑圧
ADL5590：＜−50dBc @ 900MHz
ADL5591：＜−47dBc @ 1900MHz
ベースバンドのコモンモード・バイアス：1.5V
LOリーク
ADL5590：−50 dBc @ 900MHz、POUT＝5dBm
ADL5591：−44 dBc @ 1900MHz、POUT＝5dBm
単電源動作：4.75∼5.25V
パッケージ：36ピン、6mm×6mm LFCSP
GND
GND
VPS1
LOIP
GND
LOIN
GND
GND
GND
図1
アプリケーション
ワイヤレス・インフラストラクチャ
GSMトランスミッタ用に最適化
概要
このモノリシックRF直交変調器のファミリーは、869∼
960MHz、1805∼1990MHzの各周波数範囲で動作します。優
れた位相精度と振幅バランスにより、通信システムの高性能な
ダイレクトRF変調が可能となります。
ADL5590/ADL5591は、デジタル通信システム内でダイレクト
RF変調器として使用できます。たとえば、GSM（移動通信用
のグローバル・システム）ネットワークを使用するシステムな
どに適用できます。これらの製品は、EDGE （GSM進化型高
速データレート）と互換性があります。
このファミリーは、アナログ・デバイセズの先進的なシリコ
ン・ゲルマニウム（SiGe）バイポーラ・プロセスで製造されて
おり、 36 ピン露出パドル型 LFCSP パッケージで提供していま
す。−40∼＋85℃の温度範囲で動作します。
REV. 0
アナログ・デバイセズ株式会社
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せん。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するもので
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ADL5590/ADL5591
目次
特長 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
アプリケーション . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
機能ブロック図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
概要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
更新履歴 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
仕様 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
絶対最大定格 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
ESDに関する注意 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
ピン配置と機能の説明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
基本接続 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
外形寸法 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
オーダー・ガイド. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
改訂履歴
5/07―Revision 0: Initial Version
―2―
REV. 0
ADL5590/ADL5591
仕様
特に指定のない限り、VS＝5V、TA＝25℃、LO＝2dBm、ベースバンドI/Q振幅＝1Vp-p差動サイン波（1.5V DCバイアスでの直交）、
ベースバンドI/Q周波数（fBB）＝1MHz。
表1
Parameter
Conditions
Min
Operating Frequency Range
ADL5590
ADL5590 @ fRF = 880 MHz
Output Power
vs. Frequency
vs. Temperature
Sideband Suppression
LO Leakage
Output Return Loss
Output P1 dB
Output IP3
Output IP2
Output Noise Density
Output Noise Floor
Modulation Spectrum
RMS Error Vector Magnitude
Peak Error Vector Magnitude
ADL5590 @ fRF = 940 MHz
Output Power
vs. Frequency
vs. Temperature
Sideband Suppression
LO Leakage
Output Return Loss
Output P1 dB
Output IP3
Output IP2
Output Noise Floor
Modulation Spectrum
RMS Error Vector Magnitude
Peak Error Vector Magnitude
ADL5591 @ fRF = 1850 MHz
Output Power
vs. Frequency
REV. 0
Typ
869
1805
VIQ = 1.0 V p-p differential
fRF = 869 MHz to 894 MHz
0℃ to 85℃
−25℃ to 0℃
3.75
5.9
Max
Unit
960
1990
MHz
MHz
8.0
±0.1
0.01
0.01
−50
−50
2.8
16
29
60
−155
−156.6
f1BB = 3.5 MHz, f2BB = 4.5 MHz, POUT = 0 dBm per tone
f1BB = 3.5 MHz, f2BB = 4.5 MHz, POUT = 0 dBm per tone
POUT = 5 dBm, 6 MHz carrier offset
Baseband inputs biased to 1.5 V
Relative to carrier in 30 kHz, POUT = 3 dBm, 8 PSK
250 kHz carrier offset
400 kHz carrier offset
600 kHz carrier offset
1.2 MHz carrier offset
POUT = 3 dBm, 8 PSK
POUT = 3 dBm, 8 PSK
VIQ = 1.0 V p-p differential
fRF = 925 MHz to 960 MHz
0℃ to 85℃
−25℃ to 0℃
−42.5
dBc
dBc
dBc
dBc
%
%
−71.1
−78.5
−79.1
0.5
1.5
3.5
5.7
7.75
±0.1
0.01
0.01
−50
−50
3.2
16
29
70
−156.6
f1BB = 3.5 MHz, f2BB = 4.5 MHz, POUT = 0 dBm per tone
f1BB = 3.5 MHz, f2BB = 4.5 MHz, POUT = 0 dBm per tone
Baseband inputs biased to 1.5 V
Relative to carrier in 30 kHz, POUT = 3 dBm, 8 PSK
250 kHz carrier offset
400 kHz carrier offset
600 kHz carrier offset
1.2 MHz carrier offset
POUT = 3 dBm, 8 PSK
POUT = 3 dBm, 8 PSK
fRF = 1850 MHz
VIQ = 1.0 V p-p differential
fRF = 1805 MHz to 1880 MHz
―3―
−42.5
−78.5
−79.1
0.4
1.4
5.0
±0.1
dBm
dB
dB/℃
dB/℃
dBc
dBc
dB
dBm
dBm
dBm
dBm/Hz
dBc
dBc
dBc
dBc
%
%
−71.1
3.0
dBm
dB
dB/℃
dB/℃
dBc
dBc
dB
dBm
dBm
dBm
dBc/Hz
dBm/Hz
7.0
dBm
dB
ADL5590/ADL5591
Parameter
vs. Temperature
Conditions
Min
0℃ to 85℃
−25℃ to 0℃
Sideband Suppression
LO Leakage
Output Return Loss
Output P1 dB
Output IP3
Output IP2
Output Noise Density
Output Noise Floor
Modulation Spectrum
RMS Error Vector Magnitude
Peak Error Vector Magnitude
ADL5591 @ fRF = 1960 MHz
Output Power
vs. Frequency
vs. Temperature
Sideband Suppression
LO Leakage
Output Return Loss
Output P1dB
Output IP3
Output IP2
Output Noise Density
Output Noise Floor
Modulation Spectrum
RMS Error Vector Magnitude
Peak Error Vector Magnitude
LO INPUTS
LO Drive Level1
Input Return Loss
f1BB = 3.5 MHz, f2BB = 4.5 MHz, POUT = −1 dBm per tone
f1BB = 3.5 MHz, f2BB = 4.5 MHz, POUT = −1 dBm per tone
POUT = 5 dBm, 6 MHz carrier offset
Baseband inputs biased to 1.5 V
Relative to carrier in 30 kHz, POUT = 3 dBm, 8 PSK
250 kHz carrier offset
400 kHz carrier offset
600 kHz carrier offset
1.2 MHz carrier offset
POUT = 3 dBm, 8 PSK
POUT = 3 dBm, 8 PSK
VIQ = 1.0 V p-p differential
fRF = 1930 MHz to 1990 MHz
0℃ to 85℃
−25℃ to 0℃
Max
dB/℃
dB/℃
dBc
dBc
dB
dBm
dBm
dBm
dBc/Hz
dBm/Hz
−42.5
dBc
dBc
dBc
dBc
%
%
−79.4
−80.2
0.5
1.7
2.5
Unit
0.011
0.011
−47
−44
5.4
16
30
60
−156
−157
−71.3
f1BB = 3.5 MHz, f2BB = 4.5 MHz, POUT = −1 dBm per tone
f1BB = 3.5 MHz, f2BB = 4.5 MHz, POUT = −1 dBm per tone
POUT = 5 dBm, 6 MHz carrier offset
Baseband inputs biased to 1.5 V
Relative to carrier in 30 kHz, POUT = 3 dBm, 8 PSK
250 kHz carrier offset
400 kHz carrier offset
600 kHz carrier offset
1.2 MHz carrier offset
POUT = 3 dBm, 8 PSK
POUT = 3 dBm, 8 PSK
4.7
±0.1
＋0.011
＋0.011
−48
−44
6.0
16
30
60
−156
157
6.5
−42.5
dBm
dB
dB/℃
dB/℃
dBc
dBc
dB
dBm
dBm
dBm
dBc/Hz
dBm/Hz
dBc
dBc
dBc
dBc
%
%
−71.4
−79.7
−80.5
0.5
1.6
LOIP, LOIN
−1
ADL5590 @ fRF = 880 MHz
ADL5591 @ fRF = 1850 MHz
BASEBAND INPUTS
I and Q Input Bias Level
Bandwidth (3 dB)
Differential Input Impedance
Pins IBBP, IBBN, QBBP, QBBN
POWER SUPPLIES
Voltage
Pin VPS1 to Pin VPS5
Full specification
Degraded specification
＋2
7.5
10.7
dBm
dB
dB
1.5
250
9
V
MHz
kΩ
4.75
4.5
Supply Current
ADL5590
ADL5591
1
Typ
＋5
5.25
5.5
170
170
V
V
mA
mA
5dBmを上回るLO駆動能力により、6MHzキャリア・オフセットのノイズをさらに低減できます。
―4―
REV. 0
ADL5590/ADL5591
絶対最大定格
表2
Parameter
Rating
Supply Voltage, VPS1 to VPS5
5.5 V
左記の絶対最大定格を超えるストレスを加えると、デバイスに
恒久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定
格のみを指定するものであり、この仕様の動作セクションに記
載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものではありませ
ん。デバイスを長時間絶対最大定格状態に置くと、デバイスの
信頼性に影響を与えることがあります。
IBBP, IBBN, QBBP, QBBN
0 V, 3 V
LOIP
10 dBm
Internal Power Dissipation
1155 mW
θJA (Exposed Paddle Soldered Down)
40℃/W
ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイス
Maximum Junction Temperature
132℃
Operating Temperature Range
−40℃ to ＋85℃
Storage Temperature Range
−65℃ to ＋150℃
Maximum Soldering Temperature
260℃
です。電荷を帯びたデバイスや回路ボードは、
検知されないまま放電することがあります。本
製品は当社独自の特許技術であるESD保護回路
を内蔵してはいますが、デバイスが高エネル
ギーの静電放電を被った場合、損傷を生じる可
能性があります。したがって、性能劣化や機能
低下を防止するため、ESDに対する適切な予防
措置を講じることをお勧めします。
REV. 0
ESDに関する注意
―5―
ADL5590/ADL5591
36
35
34
33
32
31
30
29
28
GND
GND
GND
VPS5
GND
VPS4
GND
GND
GND
ピン配置と機能の説明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
PIN 1
INDICATOR
ADL5590/
ADL5591
TOP VIEW
(Not to Scale)
27
26
25
24
23
22
21
20
19
GND
QBBP
QBBN
GND
VOUT
GND
IBBN
IBBP
GND
図2.
表3.
06661-002
GND
GND
GND
VPS2
GND
VPS3
GND
GND
GND
10
11
12
13
14
15
16
17
18
GND
GND
VPS1
LOIP
GND
LOIN
GND
GND
GND
ADL5590/ADL5591のピン配置
ピン機能の説明
ピン番号
記号
説明
1, 2, 5, 7 to 12, 14,
16 to 19, 22, 24,
27 to 30, 32, 34 to 36
GND
グラウンド。低インピーダンス・パスを介してグラウンド・プレーン
に接続します。
3, 13, 15, 31, 33
VPS1, VPS2, VPS3,
VPS4, VPS5
正側電源電圧。ピンはすべて同じ電源に接続します。十分な外部バイ
パスを得るには、各ピンとグラウンドの間に 0.1µF コンデンサを接続
する必要があります。
4, 6
LOIP, LOIN
LO（局部発振器）入力。50ΩシングルエンドLO入力。LOピンはAC
結合する必要があります。LOIN をグラウンドにAC 結合し、LOIP を
介してLOを駆動します。
20, 21, 25, 26
IBBP, IBBN, QBBN, QBBP
ベースバンド入力。同相および直交のベースバンド差動入力。これら
の高インピーダンス入力は、約1.5Vの直流電圧にDCバイアスする必
要があります。入力は自己バイアスされていないため、外付けのバイ
アス回路が必要です。
23
VOUT
RF出力。シングルエンド、50Ωの内部バイアスRF出力。VOUTピン
は負荷にAC結合する必要があります。
−
Exposed Paddle
露出パドル。低インピーダンス・パスを介してグラウンド・プレーン
に接続します。
―6―
REV. 0
ADL5590/ADL5591
基本接続
C8
0.1µF
C7
0.1µF
V CC
GND
21
8
20
9
19
C5
0.1µF
V CC
デバイスを動作させるための基本接続
―7―
QBBN
GND
VOUT
Q+
Q–
C6
100pF
RFOUT
GND
IBBN
IBBP
I–
I+
GND
GND
16
GND
GND
11
GND
GND
図3.
C4
0.1µF
QBBP
18
7
17
22
GND
06661-003
VPS4
GND
29
28
30
32
31
VPS5
GND
33
GND
23
6
V CC
REV. 0
GND
5
10
GND
QUADRATURE
PHASE
SPLITTER
14
GND
24
15
GND
4
VPS3
LOIN
25
13
GND
3
GND
C2
C3
100pF 100pF
26
12
LOIP
LO
27
2
VPS2
VPS1
ADL5590/
ADL5591
1
GND
V CC
C1
0.1µF
GND
34
GND
35
GND
36
GND
V CC
ADL5590/ADL5591
外形寸法
0.60 MAX
6.00
BSC SQ
0.50
BSC
5.75
BCS SQ
0.75
0.55
0.35
1.00
0.85
0.80
12° MAX
3.80
3.70 SQ
3.60
EXPOSED
PAD
(BOT TOM VIEW)
19
18
10
9
0.20 MIN
4.50
REF
0.80 MAX
0.65 TYP
0.30
0.25
0.18
SEATING
PLANE
PIN 1
INDICATOR
1
0.05 MAX
0.02 NOM
COPLANARITY
0.08
0.20 REF
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-220-VJJD-1
図4.
D06661-0-5/07(0)-J
TOP
VIEW
36
28
27
022307-A
PIN 1
INDICATOR
0.60 MAX
36ピン・リード・フレーム・チップ・スケール［LFCSP_VQ］
6mm×6mmボディ、極薄クワッド
（CP-36-1）
寸法単位：mm
オーダー・ガイド
Model
1
Temperature Range
Package Description
Package Option
ADL5590ACPZ-R7
1
−40℃ to ＋85℃
36-Lead LFCSP_VQ, 7" Tape and Reel
CP-36-1
ADL5591ACPZ-R7
1
−40℃ to ＋85℃
36-Lead LFCSP_VQ, 7" Tape and Reel
CP-36-1
Z＝RoHS準拠製品
―8―
REV. 0