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②「物理・化学的機能制御技術」 ②－（1）「化学的機能制御技術」 1
②「物理・化学的機能制御技術」 ②－（１） 「化学的機能制御技術」 １） 「ナノカーボン開口制御・化学修飾技術」 ［千葉大／共同実施］ 単層カーボンナノホーン（SWNH）のナノ細孔空間の有効活用化のために、精密酸素酸化法 を確立し、再現性よく収率 80％において、表面積表示で 320m2/g から 1400m2/g、つまり 4.4 倍の有効活用化に成功した。水蒸気賦活法では 1060m2/g(3.3 倍)までであった。SWNH 集合体 の粒子内側と粒子間のナノ細孔を識別的に評価する方法を確立した。超低圧域からの窒素吸 着により、SWNH 集合体の細孔サイズが 0.4nm のものがあることを明らかにした。酸素、二 酸化炭素の吸着による電気伝導度変化から、SWNH には 5 員環が多く含まれ、SWNH は n 型半 導体であることを示した。一方、酸素酸化 SWNH は p 型半導体性を示し、開口前と開口後の SWNH は特徴ある半導体センサーとしての可能性が示された。また、高い電気伝導度を持ち、 SWNH の細孔性を保持しながら可撓性ある SWNH ゲルシートを作成した。 ２） 「ナノカーボン精製・単分散化技術の開発」 ［三菱レイヨン分室］ ＣＮＴの溶媒への分散化としてポリアニリンスルホン酸（水系）及びその誘導体（溶剤系） を分散剤として用いる技術を開発した。本技術はＣＮＴのグラフェンシート構造を損傷せず、 機能を十分に発現させると共に、高濃度（最終目標ＣＮＴ４ｇ／Ｌ達成）で分散可能であり、 その分散液を基板に塗布することにより、目視上ＣＮＴの凝集が観察されない透明導電性薄 膜の形成が可能となった（図１２） 。 その導電性は精製ＳＷＮＴを用いることにより、 試 作 透 明 導 電 性 フィル ム 帯電防止域（１０１２Ω）～制電域（１０６Ω） ～導体域（１０１Ω）という広範囲の展開が可 能となった。更にバインダーポリマーの配合、 分散液調製技術により透明導電性フィルムの 試作を実施し、ＣＮＴ無添加（１０９Ω）に比 べてＣＮＴ添加（１０４Ω）により５桁の導電 性向上が可能となった。 図１２．試作した透明導電性フィルム （Ａ４サイズ） ３） 「流動性ナノチューブ樹脂の開発」 ［ＮＯＫ分室］ CNT の分散をコントロールすることで、導電性、機械強度、流動性（成形性）を両立する 固体高分子型燃料電池（PEFC）用セパレータを開発し、発電による実証試験において安定性 を確認した。 PEFC 用セパレータのような大面積かつ複雑な形状を有する物質への多層 CNT 薄膜形成技 術を確立した（図１３） 。得られた CNT 薄膜（図１４）は、燃料電池のガス拡散電極と同等 の導電性を有しており、新規のセパレータ一体ガス拡散電極の可能性を見出した。CNT 薄膜 の形態は厚み数μm でナノサイズの空間を有しており、PEFC の触媒層としての適用が期待で きる。 26 図１３ CNT 薄膜セパレータ 図１４ CNT 薄膜 ４） 「ナノチューブ超薄膜の作製技術」 ［山形大／再委託］ 有機溶媒にＣＮＴを分散させ、直流電場を電 極に印加することで、陽極表面にＣＮＴをめっ きすることに成功した（図１５） 。電極間距離が １ｍｍのとき、およそ１．５Ｖの電圧を数分印 加するだけで、数十ナノから数ミリメータの膜 厚に製膜することができる。製膜条件としては （１）分散液は無水であること、 （２）ＣＮＴは、 きれいで滑らかな表面を持ち、長いこと、が挙 げられる。めっき膜の特性としては、 （１）全て のＣＮＴは電極表面に平行に、非常に強固に付 着している、 （２）半導体ＣＮＴのみがめっきさ れた可能性が高い、 （３）多くの種類や形状の 導電体表面に製膜できる、ことなどが判明した。 図１３ 図１５ めっき法によるカーボンナノチューブ 薄膜 ５） 「Sidewall 機能化水溶性 SWNT の合成・精製技術」［九州大（中嶋研）／再委託］ カーボンナノチューブ(CNT)は水にも有機溶媒にも溶解しない。 “CNT をいかに溶媒に可 溶化するか”は、CNT の応用に極めて重要である。本研究では、この課題に取り組み次の 成果を得た。i) CNT を溶媒に可溶化するコンセプトを提案した。すなわち、多核芳香族 基に親溶媒基を導入した物質は CNT 可溶化剤として機能することを見いだした。ii) 特に、 ピレンアンモニウム化合物を利用した CNT の可溶化実験を行い、ミセル系より狭いカイラ リティをもつ CNT の可溶化が達成できた。iii) 長鎖ジアゾニウム化合物を合成し、これ と金属性 CNT の選択的な反応を利用した金属性 CNT と半導体 CNT の分離に成功した。iv) “反応性 CNT 可溶化剤” という新しいコンセプトに基づく CNT 可溶化剤を開発した。v) DNA による CNT 可溶化のメカニズム解明ならびに RNA/CNT 超薄膜の作成に成功した。 ②－（２） 「燃料電池応用技術」 １） 「燃料電池用ナノカーボン創製技術の開発」 ［ＮＥＣ分室］ 携帯機器用として注目されている直接メタノール型燃料電池(DMFC)の触媒電極への応 27 用を目的として、カーボンナノホーン（CNH）の表面状態を改質するための化学修飾技術、 CNH を利用した触媒担持技術、触媒担持した CNH と高分子電解質の混合ペーストを用いた 電極作製技術、電極と高分子電解質膜を用いた膜電極接合体(MEA)を作製する技術の開発 を行った。その結果、CNH の表面に粒 径 2nm 程度の白金系触媒を均質に担 0.8 120 •パッシブＤＭＦＣ •パッシブＤＭＦＣ •ＭＥＡ：４ｃｍ□ •ＭＥＡ：４ｃｍ□ •温度：４０℃ •温度：４０℃ 100 80 0.6 60 0.5 40 0.4 20 0.3 0 1 2 3 4 5 0 電流 (A) 図１６ パッシブ型 DMFC 用 MEA の出力特性 出力密度（mW/cm2） セル電圧 (V) 0.7 持する技術を開発した。また、常温 で動作するパッシブ型 DMFC 用 MEA と して従来より１桁程度高く、かつ、 世界トップの出力密度 100mW/cm2 を 達成した（図１６） 。 さらに、この触媒電極技術を用いた 燃料電池システムを開発することに より、図１７に示す燃料電池一体型 ノート PC を試作した。この試作機は 燃料電池をメインの電源として動作 する世界初のノート PC であり、WPC EXPO 等の展示会でデモ展示を行い大きな反響を得た。 PC本体 燃料カートリッジ 燃料電池パック （ａ）動作時 （ｂ）ＰＣを閉じた状態 図１７ 燃料電池一体型ノートＰＣ ③「電気的機能制御技術」 １） 「超精密成長制御技術の開発・デバイス応用基礎技術の開発」 ［ＮＥＣ分室］ 従来のシリコンデバイスでは困難な領域への応用が期待できる CNT トランジスタを実現 するために必要な成長制御技術および素子作製要素技術の開発を行った。具体的には、成長 制御技術として、新規触媒・担持材料を用いた高収率・位置制御技術、トップダウン触媒形 成法を用いた直径・位置同時制御成長技術、電界による成長方向制御技術の開発などを行な った（図１８）。素子作製要素技術としては、高誘電率ゲート絶縁膜の開発、低オーミック コンタクト電極、電荷移動型ドーピング手法、焼損法による半導体・金属制御技術の開発な どを行った。また、合成した CNT の物性評価技術、CNT トランジスタの静的・動的電気特性 28 評価技術などの開発を行なった。その結果、シリコンより非常に大きい相互コンダクタンス を実証し、CNTFET において最も高い周波数動作を達成した。 鉄含有レジストパタンを形成 酸化によりレジストを除去 加熱により鉄微粒子を凝集 カーボン ナノチューブ 鉄微粒子からCNTを成長 CNT位置・直径制御成長プロセス 図１８ CNT高周波トランジスタ デバイス応用基礎技術 ２） 「デバイス応用基礎技術の開発」 ［産総研］ 走査電子顕微鏡、走査型透過電子顕微鏡を用いてタングステン電極間に一本の多層カーボ ンナノチューブを架橋することに成功した。その際タングステンとナノチューブとの接合は ＴｉＮｉナノ粒子の加熱融解により実施した。また、走査型透過電子顕微鏡観察下で、架橋 したナノチューブの電気的特性を評価し、２０ｋΩ以下の抵抗値を示した（平成 14 年～15 年）。走査電子顕微鏡内に、力検出機構を内蔵した自己検知式カンチレバーを導入し、ナノ チューブ一本の機械的強度およびその際の電気的特性を評価できるシステムを構築した。シ リコン基板上に垂直にナノチューブが成長した試料などから、ナノチューブを選別し引っ張 り強度試験を実施した。カーボンナノチューブＦＥＴにおける電位プロフィールをナノメー トルオーダーで評価できる導電ＡＦＭ装置を構築し、測定条件・試料処理条件等を精査した。 実際のＦＥＴ素子への適用を実施中。また、カーボンナノチューブを導電性高分子に分散し た薄膜を用いて、近赤外光電変換素子・近赤外電界発光素子を実現した（平成 16 年度～17 年度）。 ３） 「カーボンナノチューブの配線ビア応用の研究」［富士通分室］ カーボンナノチューブの配線ビアの要素技術を開発した。要素技術としては、成長制御技 術とプロセス技術とに分かれる。成長技術としては、位置制御、長さ制御、方向制御、直径 制御技術を開発し、それぞれ当初目標を達成した。また CNT 密度として、9x1011/cm2 の高密 度化を達成し、目標とした 101２/cm2 をほぼ達成した。なおこの密度は空間占有率として約 20% であり、現時点での世界トップクラスである。ただし、この高濃度を適用したビアの電気的 評価は今後行うことになる。またさらなる密度向上のため、高速微粒子発生技術を開発し、 また計算物理による触媒からの不要なアモルファスカーボン除去技術を提案した。また成長 低温としては、 熱フィラメント CVD 技術を用い、 原料ガスおよび触媒金属の最適化によって、 目標とする 400℃での CNT 成長を達成した。ただし電子顕微鏡評価からは、側壁に若干の欠 陥があり、品質的向上と電気評価が今後の課題となる。次にプロセス技術では、コンタクト 29 技術として CNT と配線金属との低抵抗 TiC コンタクト技術を開発した。これらの技術を統合 し、プロトタイプとして、直径 2μm の CNT 配線ビアを試作し、電気抵抗 0.6Ωを得た。これ は目標とするタングステン相当の値であり、電流密度では 3.2x106 A/cm2 の耐性を確認し、 CNT 配線ビアのフィージビリティを確認し、目標を達成した。また CNT の放熱応用として、 CNT 配線ビアをサーマルバンプとして用いるフリップチップ技術を開発し、GaN-HEMT 高出力 アンプをフリップチップ実装し、CNT1 本の熱伝導率として 1400W/mK を観測した。この値は ダイアモンドに匹敵する値であり、当初の目標を達成した（図１９） 。 CNT密度 (CNTs / cm2) 1010 1011 1012 1013 106 Via diameter: 2 μm 電気抵抗 (Ω/via) 105 量子化抵抗 (1層） 104 Ni触媒 600°C 103 102 内層伝導 10 （∼10層） Co触媒 450°C Co触媒 510°C 1 10-1 Wﾌﾟﾗｸﾞ Cuﾋﾞｱ 10-2 102 1 103 104 10 ﾋﾞｱ当りのCNTの本数 105 106 CNT配線ビアのプロトタイプを試作し、高い基本特性を確認 GaN-HEMT CNT放熱ﾊﾞﾝﾌﾟ SiC 基板 AlN 基板 ヒートシンク 多層カーボンナノチューブの束 CNTの熱伝導率：1400 W/(m-K) CNTビアの放熱応用を提案。高放熱と高周波性能を同時実現（世界初） 図１９ 配線ビア応用技術 ④「構造評価技術」 ④－１）原子レベルの高感度分析技術の開発［産総研］ １）超高感度元素分析装置の開発［産総研］ 走査透過電子顕微鏡（STEM）観察と透過電子のエネルギー損失スペクトル（EELS）測定を 併用し、単層カーボンナノホーン（SWNH）上に分散させたガドリニウム（Gd）の「単原子」 を電顕像に記録すると同時に、ほぼ１００％の検出精度で元素を同定できることを世界で初 めて実証し（図２０）、所定の目標を完全に達成した。ナノカーボン材料の物性はわずか一 30 個の異種原子の添加によって大きく変化し得るため、応用製品開発ではこのような異種原子 の検出・同定がきわめて重要な課題であることから、上述の成果はナノカーボン材料の市場 創造の基礎となるとともに、電子分光分析分野において新たな技術領域の開拓の起点となる ことが期待される。なお本研究開発は汎用 STEM 装置を母体として行われており、また EELS 測定法はほぼ全ての元素に適用できるため、ここで実現した元素分析法はきわめて汎用性の 高いものである。 a a b Gd Gd Gd Gd Red: carbon Yellow: gadolinium b 図２０ SWNH に分散した Gd 原子の分布（a）と STEM 像（b）． 図２１ SWNT の炭素原子の配列構 造（a）と欠陥（b）の可視化． ２）高精度高分解能電子顕微鏡法の開発［産総研］ 高分解能透過電子顕微鏡（HR-TEM）観察により、単層カーボンナノチューブ（SWNT）上の 炭素原子の配列構造に由来する 0.21nm 間隔の縞模様を、世界で初めて可視化することに成 功した（図２１） 。また球面収差補正機構を併用することにより、SWNT 上で互いに結合した ２個の炭素原子（結合距離 0.14nm）を識別可能な空間分解能を実現した（学術誌へ投稿準 備中）。これらの成果により所定の目標は完全に達成された。ナノカーボン材料の原子レベ ル構造は物性を決定する最大要因であるため、それらの精密な構造決定を可能にする上述の 成果は、ナノカーボン応用製品の市場創造に大きく貢献することが期待される。また軽元素 である炭素原子のみで構成されたナノカーボン材料の観察において、分解能と感度の両立を 達成したことは、電顕観察分野における新たな技術領域を開拓する上でも大きな進歩といえ る。なお本研究開発は汎用 TEM 装置を母体として行われており、ここで実現した観察法は汎 用性の高いものであるとともに、それらの実用的・学術的意義からも高く評価される成果で ある。 ３）ナノスペースを利用した新規物性の探索［産総研］ カーボンナノチューブ内部の狭小な空隙で生じる特異な物理現象の動的過程を、HR-TEM 観察によって精細に記録することに成功し、所定の目標を達成した。具体的には、SWNT に 31 挿入されたフラーレンの融合や金属内包フラーレンからの金属原子の拡散、２層カーボンナ ノチューブ（DWNT）における内外炭素層間の結合形成を、いずれも世界に先駆けて可視化し た。ナノカーボン材料内部の狭小な空隙を原子や分子の貯蔵や特殊な化学反応場として利用 することが期待されており、これらの成果はナノカーボン応用製品の広範な市場創造に大き く貢献することが期待される。また上述の現象はいずれも電子線照射により誘発されたもの であり、収束電子線によるナノカーボン材料の加工など革新的な技術領域の開発にも発展し うる可能性が高い。本研究開発では、既に広く知られているナノカーボン材料中に汎用の HR-TEM 技術を用いながら、新規かつ極めて特異な物理現象を見出しており、画期的な成果 である。 ⑤「技術の体系化」 １）「ナノカーボン材料技術の体系化の研究」 ［産総研］ 研究開発前半では、知識の構造化ＰＪとの連携のもと、ＣＣＶＤ法によるＳＷＣＮＴ合成 法の成長機構に関する検討を行なった。また、研究成果をＤＢ化し同ＰＪのプラットフォー ムに登録した。 研究開発後半では、書誌的データベースと本ＰＪで蓄積された技術的知見をもとに、ＳＷ ＣＮＴのキラリティ等の構造因子を制御できる合成条件を予測するための円環モデルを作 成した。さらに合成支援に資するべく、スーパーグロースの知見を基にチューニングを行い ＣＣＶＤ法の相図を予想した。 ２）「ナノカーボン技術動向総合調査」［ＪＦＣＣ東京分室、各研究機関］ 本プロジェクトの研究開発を円滑に推進するため、研究実施計画の取り纏めや調整、研究 進捗の管理、研究成果の取り纏め等を行なった。また、ナノカーボン技術の広報活動として、 特に、プロジェクトで得られた研究成果について、マスコミの取材対応や国内外の関係展示 会への出展によりアピールし、ビジネス展開を進めた。さらに最新の専門書籍や各種研究 会・学会への参加を通し、技術動向調査を行なった。 Ⅳ．実用化、事業化の見通しについて １．実用化、事業化の見通し 「構造制御・量産技術」 本テーマにおいて、通常のカーボンナノチューブ合成雰囲気に極微量 PPM オーダーの水分 を添加することにより発現する、まったく新規な基板上の単層ナノチューブの合成技術（ス ーパーグロース技術と呼ぶ）が、本プロジェクトにおいて開発された。このスーパーグロー ス技術により、従来法の 1000 倍に達する超高効率・高純度の単層カーボンナノチューブの 合成および、様々なパターン成長に成功した。 今後は、量産、品質向上、物性評価、応用商品開発、サンプル提供を通じて、数年後にス ーパーグロース技術単層カーボンナノチューブが世界のデファクト・スタンダードとなるこ とを目指す。また応用商品開発、スーパーグロースカーボンナノチューブの工業的量産実現 を通じて、日本先導のカーボンナノチューブ新産業の創出に努める。 32 早期の実用化が期待される応用として、スーパーグロース技術単層カーボンナノチューブ を用いたキャパシタ開発があげられる。本応用は、キャパシタの電極材料として活性炭に代 わりカーボンナノチューブを用いる。これにより、粉体整形により製作された活性炭電極の ような接触抵抗を無くし、電極材料に起因するセルの内部抵抗を最小限にすることを可能に し、キャパシタの需要に求められる高出力、高エネルギー密度、長寿命の電気二重層キャパ シタを開発する。そのために、高度に配向した長尺単層カーボンナノチューブの大量合成技 術の開発及び本カーボンナノチューブを用いたキャパシタ製造技術の開発を実施する。これ により、プリンタ・コピー機用予熱電源、フォークリフト・電車用電源等の耐久性が要求さ れるキャパシタ需要に対応し、省エネルギー効果を上げる事が期待される。また、カーボン ナノチューブの大量合成技術の開発を実施することにより、カーボンナノチューブ製造のコ ストダウンも実施され、さらなる応用の拡大が期待される。 また、企業への技術移転をするには時期早々な、しかし、将来のカーボンナノチューブ産 業の基幹をなす可能性があり、スーパーグロース合成法によって新たな展開が期待できる用 途開発を重点的に開発する。また、スーパーグロースをコア技術とした、スーパーグロース に続く新たなブレークスルー、次のシーズの創出を目指す。そのために、総合的に川上から 川下まで研究を展開する。サンプル提供を継続し、将来性があるテーマに関しては、プロジ ェクトへの発展を目指す。キーファクターである、スーパーグロース技術を成熟させ、応用 開発を加速するとともに、新規ブレークスルーの実現を目指す。具体的には、単層カーボン ナノチューブの、直径、長さ、密度、及び配向性の制御、及び品質改善を目指した基礎合成 技術の確立を目指す。さらには、合成後に単層カーボンナノチューブの構造、形状を制御す るプロセス技術を開発し、複雑かつ構造制御された、パターン可能な単層カーボンナノチュ ーブ構造体を開発する。例えば、高密度配向カーボンナノチューブ薄膜や、それにプロセス を施して創造した、つり橋型、梁型、高密度配向カーボンナノチューブ構造体、三次元に制 御された形状を持つ構造体などを想定している。かかる構造制御カーボンナノチューブ構造 体は、さまざまな用途に適しており、広範な分野での応用開発が期待される。これら世界を リードする、高度カーボンナノチューブ成長技術、構造制御技術を駆使して、超強度ファイ バー、アークチュエーター、電子放出源・情報表示灯、集積化電子デバイス、複合樹脂コン ポジットなどの応用展開を強力に邁進していく予定である。 「CNH 量産および燃料電池応用、物理的・化学的機能制御技術」 F21 テーマとして取り組んできた「CNH 量産技術開発および燃料電池応用」は、いずれも 当初の目標を達成することができた。すなわち、 １）純度 95%のダリア型 CNH を 1 日 1kg 以上量産する技術 ２）パッシブ型 DMFC において 100 mW/cm2 以上の出力密度を実現する MEA 技術 今後、これらの成果をもとに、以下のように実用化、事業化を進める。 ① 本プロジェクトによって CNH の生産性は従来の 100 倍以上に向上した。この結果、CNH を低コストで生産、提供することが可能になった。また、CNH 提供事業等の新規応用開拓を 行うことによって、従来の燃料電池用触媒電極やメタンガス貯蔵に加えて、ドラッグデリバ リシステム、キャパシタ用材料、リチウムイオン電池用材料、複合材料、フィルタ材料、フ ッ素吸着剤などへの応用が期待できることがわかった。したがって、今後、CNH 製造の更な 33 る低コスト化と高純度化などの技術開発を継続するとともに、CNH 材料の早期事業化に向け た検討を進める予定である。 ② 本プロジェクトによって、パッシブ型 DMFC 用 MEA の出力密度が向上し、携帯用燃料電 池を小型軽量化するための基本技術が確立された。試作された燃料電池一体型ノート PC は 薄型でスタッカブルにノート PC に設置することにより、燃料電池をメインの電源として PC を駆動することができる。また、カートリッジ 1 本で 10 時間以上駆動でき、さらに、カー トリッジ交換で充電の必要なしに連続して PC を使い続けることができるという現行のリチ ウムイオン二次電池には無い特長がある。したがって、今後、信頼性や安全性に対する課題 を解決することにより、充電待ちが不要な小型大容量の電源としてノート PC や携帯マルチ 端末などの携帯機器分野での実用化が期待できる。事業化の初期の段階では、燃料カートリ ッジのインフラ整備等の課題があるため限定した範囲での製品化になると考えられる。その 後、インフラ整備の進展とともに、出力密度の更なる向上による小型軽量化や低コスト化の ための技術開発を継続して進めることが重要である。その結果、リチウムイオン二次電池に 対する性能優位性がさらに高まることによって本格的な事業化への展開が期待できる。 上記 F21 テーマに関連する基盤技術として取り組んできた物理的・化学的機能制御技術に おいても、以下の実用化・事業化の見通しが得られている。 ③ ナノカーボン開口技術においては、開口化した CNH は開口部の窓のサイズが 1nm 以下と 制御できており、ナノ白金の安定担持に道を開くものである。 ④ 燃料電池用セパレータの導電性向上においては、CNT めっき法や樹脂複合化技術の開発 によって機能的には優れたものが得られた。今後、更なる高機能化を目指すとともに、大幅 なコスト低減が可能となれば実用化の道が開けるものと考えられる。 ⑤ CNT 修飾による可溶化・単分散化技術においては、金属 CNT と半導体 CNT の分離が可能 になり、各種部材の特性向上に大きく寄与することが期待される。また、樹脂への分散によ る導電性向上にも大きな進展が見られ、今後、コスト等を見極めながら優先順位をつけて事 業開発を実施していく。 「カーボンナノチューブの配線ビア応用の研究、電気的・機能制御技術」 富士通分室にて行った CNT 配線ビアに関しては、プロジェクト終了後、想定する実用化時 期に合わせて実用化を見据えた研究開発を行っていく。具体的には、hp32nm のための技術 開発として、微小ビアでの成長技術、低誘電率層間絶縁膜との整合技術、ローカル配線とし ての横配線適用を想定した成長技術を開発する。またこうした新素材を ULSI 技術に導入す るには、装置インフラも並行開発しなければならず、特にスループットや大口径基板への高 均一成長方式などの開発を行っていく必要がある。 本プロジェクト期間中の世の中の動きとしては、CNT 配線ビアについて Samsung や NASA などが後追いで研究開始した。現状の技術レベルは、当方が成長技術も電気的特性上でも先 行している。また国内の半導体メーカー各社からも、将来のローカル配線技術候補としての 本技術に対する関心が高まってきた。その結果、国内半導体コンソーシア（株式会社 半導 体先端テクノロジーズ（Selete））において、富士通主導の元、多数社が協力し、上記の実 用化を見据えた研究開発に取り組んでいく方針となった。具体的には、第 2 期 SNCC 構想の 一環として、NEDO の「次世代半導体材料・プロセス基盤(MIRAI)プロジェクト」の「新探究 34 配線技術開発」のテーマに取り上げられ、5 年間（前半 2 年）研究開発を行っていく。 本成果は、hp32nm 以降の配線候補技術として位置づけられ、対象となる商品は、携帯電 話や PC、高度マルチメディア機器向け高性能 SoC 製品やデジタル家電用システム LSI はじ め、ハイエンドおよびローパワー仕様の LSI 全般にわたる。hp32nm 世代の実用化時期は、 およそ 2013 年ごろとなる。上記の MIRAI プロジェクトの開発スケジュールで 2010 年までの 技術開発を行うことによって、hp32nm（2013 年）世代への適用に間に合わせることができ る。 産総研が担当した CNT の機械的強度評価に関しては、特に CNT 配線ビアの信頼性評価とし て、今後ますます重要な課題であり、プロジェクト終了後の実用化を見据えた研究でも、こ の知見をもとに、低誘電率層間絶縁膜と組合せた評価を行っていく予定である。また評価シ ステム自身への関心も高まっており、産総研では、様々なナノチューブの強度試験受託のほ かにも、装置そのものの実用化について継続検討していく。 NEC が担当した CNT トランジスタに関しては、これをさらに高性能化させるためには、CNT を高密度に成長する技術が必要となる。また、スイッチング特性をさらに向上させるために は半導体的な特性を持つ CNT の割合をさらに高めた成長技術が必要となる。これに加え、シ リコンデバイスでは困難なフレキシブル電子回路の実現を新たな目標として設定し、CNT ト ランジスタを塗布工程により作製するために必要な CNT チャネル層塗布技術および周辺部 材（電極、絶縁膜など）塗布技術の開発を行なう。これにより、高周波 CNT トランジスタと しての高性能化・スイッチング特性向上を図るとともに、シリコンでは達成しえないフレキ シブル電子回路の実用化をめざす。 35 用 語 解 説 集 用語 解説 アーク法 アーク放電を利用したフラーレン、ナノチューブ合成方法。 イオン 原子・分子から１個あるいはそれ以上の電子が取り除かれて正の電荷を帯 びるか、逆に電子が加わって負の電荷を帯びた状態にあるもの。前者を正 イオン、後者を負イオンという。 1 成膜バッチ 数回に分けて成膜する場合における 1 回あたりの成膜． 移動度 半導体中の電子や正孔（電子の抜けた孔）の移動しやすさの値。電子や正 孔の速度は電界が大きいほど大きくなり、単位電界当たりの電子（正孔）の 速度が移動度となる。 異方成長 結晶成長が等方的でなく、ある特定の方位に優先的に進行する現象。 in situ ラテン語。in the site, in the place、その場観察の意。反応時の状態を外場 の擾乱を少ない状態で観察する事は非常に有益な情報をもたらす。本プロ ジェクトではレーザービーム励起 PVD の反応種分光、表面分解ナノチューブ 成長電顕内観測に見られる。 ＡＦＭ Atomic Force Microscopy.原子間力顕微鏡。G.Binnig 等の走査型トンネル顕 微鏡の発明に伴って開発された。探針と試料表面の間に働く原子間力（ファ ンデルワールス力など）をカンチレバーのたわみで検知。絶縁体に有効。 液晶 ある温度範囲で流動性を持つと同時に分子が規則的に配向するものがあり 液晶と呼ぶ。液晶分子の配向は電界によって制御出来る。この液晶層に偏 光を通すと偏光面の回転が起こり電界制御による画像表示が可能。現在の フラットパネルディスプレイの市場占有度大。 ＳｉＣ結晶方位 結晶方位は各等価結晶面の方向余弦を用いてミラー指数〈hkl〉で表される。 単原子結晶では<001>と<00-1>は等価であるがＳｉＣのような２原子結晶では 区別する。なお、ＳｉＣは六方晶系であるので 4 数字の指数を用いる。 ＳＷＣＮＴ Single Wall Carbon Nanotube:単層カーボンナノチューブ。ナノチューブ参照。 ＳＴＭ Scanning Tunneling Microscopy：走査型トンネル顕微鏡。物質の表面～１ｎ ｍに極めて尖鋭度の高いプローブを近付けるとトンネル電流（極めて幅の狭 いポテンシャル障壁を電子が壁を乗り越えることなく浸透する）が生ずる。こ れを走査モニターし原子レベルの凹凸を知る。 ｓｐ、ｓｐ２，ｓｐ３ 原子が結合を作る時の様式。関与する電子の数による。ダイヤモンドはｓｐ ３。 1 Ｘ線回折 ブラッグ回折条件：2dsinθ=nλ と結晶構造因子による選択則にもとづき結 晶を同定、結晶性の評価を行う基本技術。Ｘ線の波長は結晶物質の格子定 数に近いため、特定の入射角に対し強い干渉効果を示す。またこの半値幅 は結晶性を反映する。 Ｘ線光電子分光 物質は仕事関数以上のＸ線エネルギーを受けると光電子を放出する。ＸＰＳ (X-Ray Photoelectron Spectroscopy)：Ｘ線光電子分光は高エネルギー単色 Ｘ線により、固体の内核電子も含めて放出させることによりバンド構造、状態 分析に有効。 エッチング 液体あるいは気体との腐食反応により物質表面を加工すること。 ＦＥＥＭ Field Emission Electron Microscopy：電界放出型電子顕微鏡。電子顕微鏡 の分解能を決める要素に電子銃からのビーム径、均一性があげられる。電 界放出型電子源はこれに対応できる。 回折線 X 線あるいは電子線を結晶に照射すると、波長と結晶構造で決まる特定の 方向にＸ線あるいは電子線が反射される現象を回折という。この回折線の角 度を調べることにより、結晶構造を調べることができる。 価電子 原子の最外郭の電子を価電子という。イオン化したときの原子価に相当し化 学的性質を左右し、結晶状態におけるバンド構造の価電子帯と伝導帯を決 定する。閉殻に満たない価電子を持つものは伝導帯の自由電子となり電気 伝導を示す。 逆ミセル法 表面活性剤でナノメートルの水塊を作り、その中で金属を還元して、直径数 nm～数 10nm の超微粒子を合成する方法。均一な超直径の微粒子の合成 が可能で、連続的な操作で工業的に大量に作ることも出来る。 キャリア濃度 電気伝導の担体濃度。半導体の場合は温度が高いと熱励起されたキャリア が増し電気伝導度が増すことが特徴。金属の場合は格子振動に散乱され電 気伝導度は減少する。トランジスターの動作には～ 1018/cm3 濃度が必要。ドープした不純物の高い活性化率が課題。 kΩcm2 1 平方センチに換算したときの抵抗値。ここでは接触抵抗の抵抗率の単位 グラファイト 黒鉛。炭素から成る層状の化合物。非常に柔らかく、電気の良導体。 原子プローブ スキャニングトンネリングマイクロスコープ（ＳＴＭ）に代表される物質の表面 の原子を観察、加工するための手法に利用する先端の尖ったプローブであ り、原子プローブの作用する先端は原子１個から数個であると考えられる。 高熱伝導性 物質の中において熱が流れやすいこと． 高分解能 TEM TEM(Transmission Electron Microscopy) は X 線回折の項で述べたことに電 子線の波動性を適用して高精度の構造解析を行う。「高分解能」の技術用 語は「格子像」：複数の回折ビームの間の干渉効果を利用して原子レベルの 解像度を出す、の意で使われる。 2 ＣＶＤ 化学蒸着法、気相成長法などともよぶ。反応系分子の気体と不活性のキャ リヤーとの混合気体を基板上に流し、自己分解、酸化、還元等の化学反応 を利用した成膜方法。比較的低い温度で成膜できる特徴をもつ。結晶成長 分野では化学的堆積法とも呼ぶ 次世代光メモリ CD や DVD は光を使って記録させるため、光メモリと呼ばれている。光メモリ は記録密度を上げるためにプローブとなる光を短波長にする方が有利であ る。現在赤色レーザー光が利用されているが、近い将来では青色光や紫外 光を使ってさらに高密記録を実現する。 脂肪族系炭素含有化合物 木材、石油、石炭などの有機物を乾留あるい高温熱分解するときに得られ る黒色半固体の残滓の中で脂肪族系炭素を含むもの。 触媒制御技術 触媒のサイズ・種類の制御によりナノチューブ等の直径を制御することが可 能である。 シリコニット炉 シリコンカーバイドの発熱体を利用した高温炉の商品名。 水素吸蔵 一部の金属は水素を原子状に分解し、格子間に吸蔵する特性を有する。加 熱により水素放出が可能なため、ボンベに代わる水素貯蔵物として注目さ れている。より軽量であるカーボンナノチューブも同様に水素吸蔵材料として 期待されている。 スパッタ法 原料物質に高速イオンをぶつけて弾き出された（スパッタされた）原子を基板 上に堆積させる方法。 赤外吸収 赤外線が物質を通ってくるときに、物質を構成する原子の種類、振動に対応 した特定の波長の赤外線が吸収されること。この吸収の様子から物質を同 定したり、その構造を調べることができる。 接触抵抗 2 物体の接触面に存在する抵抗。ここでは半導体と金属の間では仕事関数 が大きく異なるため通常はショットキー接触となるため電流電圧の関係が直 線的にはならず不連続な電位差が生じ、金属－金属の接触と比較して非常 に大きな値をとることがしばしば見られる。 セラミック Ceramics:焼結体。一般に無機材料科学において、単結晶化が難しい素材 の多結晶、あるいはアモルファス状態での焼結体を言う。陶器、磁器がその 典型例であり、素材の組あわせにより多くの機能を生み出してきた。 (001)基板 ミラー面指数の記法ではＺ軸正方向に基板の面法線が一致することを言う。 通常電子デバイスはしかるべき基板結晶面の上にエピタキシャル成長した 薄膜の上に動作部を形成させる。ここではダイヤモンド(001)面にドーピング を行うことを言う。 (0001)C 面 グラファイト、h-SiC のように 6 方晶系(Hexagonal)の結晶面を表すミラー指数 は(hkil)の 4 数字を用いるのが慣例。底面に 3 方向の軸を設定して、h+k+i=0 であり、これらは 1 次独立ではない。C は h-SiC の炭素が表面に出ているこ とを示す。 3 前駆物質 目的とする生成物質がいくつかの反応を経て生成するとき、生成物質の一 つ前の段階の物質のことを指す。プリカーサー参照。 第一原理計算手法 実験値などの経験的なパラメターを用いず、原子の価数、電子数等の基本 的なパラメターのみから計算する手法。 電界効果トランジスタ 半導体などの表面の電位を外部からの電圧で変化させ、電子や正孔の通る 道（チャネル）の抵抗を変化させることができる３端子素子。制御するための 電極をゲート（門）といい、電流を流すための電極２つをソース（供給側）とド レイン（排出側）という。 電荷交換効果 荷電粒子と電気的中性粒子との衝突により電荷が移動する現象。イオンビ ーム装置では高束のイオンと低速の残留気体分子との衝突により、低速イ オンと高速中性気体分子が発生し、制御性が劣化する。 電極還元 還元反応を電気化学的におこなうこと。ハロゲンのような電子を取り込みや すい原子を含む化合物で生じやすい。 電子エネルギー損失分光 高速電子ビームは波動性を持ち光と同様な扱いが出来る。ＥＥＬＳ(Electron Energy Loss Spectroscopy)：電子エネルギー損失分光は光学的吸収スペク トルに対応するもので、非弾性散乱エネルギー損失を測定する。軽元素分 析にも有効。 電磁界解析 荷電粒子(電子、イオン、プラズマ等)は電界、磁界により力を受ける。数値計 算により電界、磁界の分布をシミュレートすることで、装置内での荷電粒子 の振る舞いが予測できる。 電子親和力 真空中で陰イオンから電子を引き離すに要する仕事量。炭素１原子につい ては C-+1.27ev→C+ｅ-。電子親和力 EA(Electron Affinity)が正であるので真 空中では陰イオンの状態が安定。しかし原子集合状態を作っているときは EA が負になって右辺が安定の場合もある。電子親和力が負の材料ほど電 子放出能が大きくなることが期待できる。 電子放出能 一定の駆動電界を与えたときの電子放出の効率。ディスプレイや走査・透過 電子顕微鏡等電子利用のデバイスに応用するためにはスペックに適合する 性能が必要とされる。 導電層 半導体デバイスにおいて、動作部とが外部配線との接続を良好な電気伝導 状態、いわゆるオーミックコンタクトにしなければならない。トンネル効果を利 用した金属配線接続には高濃度ドーピングが必要であり、電子デバイスの 課題である。 ドーピング 半導体化するためにキャリアーの供給源として、ドナーあるいはアクセプター として不純物を導入すること。ダイヤモンドは 4 価であるから 5 価の P をドー プすると余分の電子 1 個が自由電子として振る舞いｎ型の導電性を示す。 Torr トール：圧力の単位。イタリアの科学者トリチェリにちなむ。彼は細管に水銀 を詰め大気圧のもとで水銀が 760mm だけ上昇することを観測した。これから １Torr=1mmHg と記すことがある。M.K.S.単位で表すと 1Torr=133Pa（パスカ ル）。 4 ナノ構造 1～1000 ナノメートル（10 億分の 1 メートル）程度の微細な構造。ナノチュー ブ、フラーレン、量子井戸、量子細線などはナノ構造を有する。 ナノチューブ カーボンナノチューブの場合はグラファイトシートが管状に丸まったもの。先 端部は sp2 以外の結合も含まれる。1991 年飯島澄男氏が発見。単層ナノチ ューブは径 1～2ｎｍ、多層ナノチューブは径数十ｎｍ。炭素以外の原子から 構成されたナノチューブも発見されている。 ナノチューブキャップ ナノチューブは筒状の構造であるが、その端は、球状に閉じている。この球 状の部分をキャップと呼ぶ。 ナノホーン グラファイト一層からなるグラフェンシートを円錐状に丸めた構造を持つナノ メートルサイズの物質。1999 年、ナノチューブを発見した飯島澄男博士によ り合成、発見された。安定に生成することができ、冷陰極や水素吸蔵物質と しての応用等、様々な方面から期待されている新炭素物質のひとつ。 二次電池 充電により再使用可能な電池。蓄電池。 熱 CVD 法 CVD 法の一種で原料ガスの分解を高温により行う方法。 燃料電池 水を電気分解すると水素と酸素ができるが、逆に水素と酸素を反応させて、 電気を取り出すことができる。この現象を利用して発電する電池を燃料電池 と言う。水素原子を多量に蓄積する技術や安全に取り出し、反応させる工夫 が必要となっている。 非晶質 結晶化していない、即ち周期的構造を持たない物質を言う。ガラスが典型 例。アモルファス（Amorphous：不定形）状態とも言う。ダイヤモンドライクカー ボンを（a-C）と記すことがある。 PVD 法 physical vapor deposition の略、物理的蒸着法。真空蒸着、イオンビーム蒸 着、スパッタリング等の方法があり、固体等から原子、イオンを生成させ薄膜 形成に使用する。 プロトタイプ Prototype:試作品、第一号機のこと。研究開発の段階で素材をデバイス化、 あるいは部材を実用機に組み上げるなど実用化の段階に入ったときの最初 の成果を言う。それまでの研究において気のつかなかった特長、欠点が顕 在化し、また他の研究者への波及効果も大きい。 ベンチスケール流通式反応 反応ガスを流しながら行うナノチューブ合成反応器で、大きさが実験室スケ 器 ールのもの。 ベンチプラント 商用プラントを目標とした実験室規模のプラント。通常、開発過程おいては ベンチプラント、パイロットプラント、商用プラントの順に進む。 ラマン分光 物質の格子振動は量子化されて赤外光吸収される。選択則は赤外吸収とは 相補的であるが、単色レーザー光を入射したときは非弾性散されたラマンシ フトとして観測される。共鳴効果によるシグナル増強など物質同定の基本技 術として確立されている。 5 量子トランジスタ デバイスのサイズが小さくなってくると電子（正孔）の振る舞いが量子的にな り、不連続の抵抗、電子（正孔）の移動度の向上など、量子化に特有な現象 が現れ、トランジスタの ON、OFF だけでなく多値機能を持たせたり、高速動 作が実現する。 量子力学 ニュートン力学やマクスウェル電磁気学に代表される粒子や波を区別して取 り扱う理論が古典力学と言うのに対して、電子などが非常に微小な領域を振 る舞う場合、粒子と波の性質を同時に取り扱う必要があり、その理論が量子 力学である。 冷陰極電子源 電界放出の機構を利用して電子源とすることを言う。従来の真空管に見られ るようなフィラメントを加熱して熱電子放出させるものに比べ、格段の消費電 力低下、電子ﾋﾞｰﾑの微細化が図れる。Mo、Si などの尖鋭チップに対抗して ナノチューブ、ダイヤモンドの優位性が期待できる。 レーザーアブレーション法 固体材料表面に強度の大きなレーザー光を照射すると、材料表面が瞬時に 溶融、蒸発し、イオン、原子等を放出する。放出された原子、イオン等により 基板上に再構成させた薄膜を形成できる。 レーザーデポジッション レーザーアブレーションを利用した薄膜堆積法 6 別紙 成果リスト 学 会 ＮＯ 発表日 主著者 所属 題名 1 2002/7/6 本郷廣生 NEC(電) Chemical Vapor Deposition of Single-Walled Carbon Nanotubes on Fe-coated Sapphire Substrates 2 2002/9/6 本郷廣生 NEC(電) サファイア基板上の単層カーボンナノチューブのCVD成長 3 2002/9/12 中嶋直敏 長崎大 ﾌﾗｰﾚﾝ、ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの超構造、薄膜及び電気化学 4 2002/9/16 Seongyop Lim 九州大 Preparation of High Surface Area Carbon Nanofibers 5 2002/9/18 金子克美 千葉大 Adsorption Mechanism of Hydroben and Methane on Single Wall Carbon Nanohorns 6 2002/10/2 奥園真吾 長崎大 芳香族基をもつポリマーを利用した単層カーボンナノチューブの可溶化とキャラクタリゼーション 7 2002/10/2 友成安彦 長崎大 芳香族分子のSidewall吸着を利用した単層カーボンナノチューブの可溶化とキャラクタリゼーション 8 2002/10/3 田中泰彦 長崎大 芳香族分子のSidewall吸着を利用したﾌﾗｰﾚﾝ内包ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの可溶化とｷｬﾗｸﾀﾘｾﾞｰｼｮﾝ 9 2002/11/27 楠美智子 JFCC カーボンナノチューブ配向膜の構造選択的生成法とメカニズム 10 2002/12/5 田中秀樹 千葉大 単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾎｰﾝの低温水素吸着 11 2002/12/6 林 成燁 九州大 カーボンブラック担持Fe-Ni系触媒を用いた炭素ナノファイバの高収率合成 12 2002/12/13 楠美智子 JFCC SiC表面分解によるｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ 13 2003/1/7 中嶋直敏 長崎大 ﾅﾉｶｰﾎﾞﾝと超分子化学 14 2003/1/8 二瓶史行 NEC(電) A Top-gate Carbon-nanotubu Field-effect Transistor 15 2003/1/9 中嶋直敏 長崎大 Solubilization of SWNTs with Water-Soluble Polymers bearing Aromatic Groups 16 2003/1/9 村上裕人 長崎大 Solubilization and Characterization of SWNTs with DNA 17 2003/1/9 村上裕人 長崎大 Solubilzation of Carbon Nanotubes in Organic Solvents 18 2003/1/12 A.Shimizu 九州大 Synthesis of Thinner Carbon Nanofibers Using Carbon Black Supported Iron-Nickel catalyst 19 2003/3/7 二瓶史行 NEC(電) Top-gate Carbon-nanotube Field-effect Transistors with Titanium-dioxide Insulator 20 2003/3/20 大滝美子 山形大 自己集積化カーボンナノチューブ超薄膜の物性評価 21 2003/3/20 久保田和宏 山形大 マイクロ波を利用したカーボンナノチューブの化学修飾 22 2003/3/27 二瓶史行 NEC(電) 触媒化学気相成長カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ 23 2003/3/27 二瓶瑞久 富士通 Ni/Ti積層膜を用いたｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ/低抵抗ｺﾝﾀｸﾄの同時形成 24 2003/3/29 二瓶史行 NEC(電) トップゲート構造カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ 25 2003/4/28 中嶋直敏 長崎大 Surface Modification and Solubilization of Single-walled Carbon Nanotubes in Water with π-Aromatic Compounds 26 2003/5/10 楠美智子 JFCC SiC表面分解法によるﾅﾉｶｰﾎﾞﾝ構造制御 27 2003/5/26 二瓶史行 NEC(電) ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ 28 2003/5/28 久保田和弘 山形大 ﾏｲｸﾛ波によるｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの化学修飾 29 2003/5/29 楠美智子 JFCC 高配向ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ膜の合成と応用 30 2003/5/29 中嶋直敏 長崎大 DNAを用いたSWNTsの可溶化とｷｬﾗｸﾀﾘｾﾞｰｼｮﾝ 31 2003/5/29 中嶋直敏 長崎大 ポルフィリンを利用したSWNTsの可溶化とｷｬﾗｸﾀﾘｾﾞｰｼｮﾝ 32 2003/6/8 楠美智子 JFCC SiC表面分解法によるﾅﾉｶｰﾎﾞﾝ構造制御 33 2003/6/13 粟野祐二 富士通 ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽ応用を目指したｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞのＣＶＤ成長技術 34 2003/6/13 楠美智子 JFCC ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ配向膜のカイラリティー選択性 35 2003/6/18 粟野祐二 富士通 カーボンナノチューブのLSI電極コンタクト、ビアホール結線への応用 NEC(電) ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞによるﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ形成への応用 36 2003/6/18 二瓶史行 37 2003/6/27 粟野祐二 富士通 カーボンナノチューブの配線、トランジスタへの応用 38 2003/7/1 二瓶史行 NEC(電) ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ 39 2003/7/4 粟野祐二 富士通 カーボンナノチューブの配線、電極への応用 40 2003/7/8 佐藤愛美 山形大 Electrical Properties of Self-asssembled Carbon Nanotube Ultra-thim Films 学 会 ＮＯ 発表日 主著者 所属 題名 41 2003/7/17 粟野祐二 富士通 Carbon Nanotube Technologies for Future lsis 42 2003/7/22 楠美智子 JFCC SiC表面分解法によるｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの成長機構 43 2003/7/22 山口智彦 産総研(体) ｶｰﾎﾞﾝ材料ﾌﾟﾛｼﾞｪｸﾄに携わる一関係者のｺﾒﾝﾄ 44 2003/7/23 糟屋大介 NEC(量) Mechanochemical structere control of single-wall carbon nanohorn aggrebates 45 2003/7/23 久保佳実 NEC(化) ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾎｰﾝの燃料電池応用 46 2003/7/23 山口智彦 産総研(体) Structured Knowledge and Carbon Nanotubes:Growing Mechanism 47 2003/7/23 莇丈史 NEC(量) 48 2003/7/24 N.Nakajima 長崎大 How to dissolve carbon nanotubes in solutions? 49 2003/7/24 久保田和弘 山形大 ﾏｲｸﾛ波によるｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの化学修飾 50 2003/7/24 佐藤愛美 山形大 自己集積化ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ超薄膜の導電特性 51 2003/8/30 佐藤信太郎 富士通 単分散触媒金属ﾅﾉ粒子からのｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ成長 52 2003/8/30 二瓶瑞久 富士通 無電解めっき法を用いて形成したNi膜からのｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ成長 53 2003/8/30 堀部雅弘 富士通 ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞへの機械研磨ﾌﾟﾛｾｽの適用 54 2003/9/8 内海重宜 千葉大 磁気掃引性ｶｰﾎﾞﾝナノカプセルの創製 55 2003/9/16 二瓶瑞久 富士通 Simultaneous formation of multi-wall carbon nanotubes and their low-resistance 56 2003/9/18 佐藤愛美 山形大 Self-assembled Carbon Nanotube Ultra-thin Films 57 2003/9/18 二瓶史行 NEC(電) Top-Gate Carbon-Nanotube Field-Effect Transistors with Very High Intrinsic Transconductance 58 2003/9/20 末永和知 産総研(評) ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞに内包された金属内包ﾌﾗｰﾚﾝ 59 2003/9/25 大久保貴広 千葉大 EXAFS法による制約ﾅﾉｲｵﾝ溶液の局所構造解析 60 2003/9/25 奥園真吾 長崎大 DNA可溶化カーボンナノチューブの構造と特性 61 2003/9/25 久保田和弘 山形大 ﾏｲｸﾛ波加熱によるｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの化学修飾 62 2003/9/26 中嶋直敏 長崎大 ポルフィリン可溶化カーボンナノチューブの構造と特性 63 2003/10/2 落合幸徳 NEC(電) ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ 64 2003/10/7 粟野祐二 富士通 Carbon Nanotube Technologies For Future Lsis ｶｰﾎ ﾝﾅﾉﾎｰﾝの量産技術開発 Mass-Production of Carbon Nanohorns ohmiccontacts for future ULSI via interconnects 65 2003/10/7 清水哲夫 産総研(電) Electric Transport Measurement of multi-walled carbon nanotubes in Scanning transmission electron microscope 66 2003/10/7 清水哲夫 産総研(電) Electric Transport Measurement of multi-walled carbon nanotubes in Scanning transmission electron microscope 67 2003/10/8 N.Nakajima 長崎大 Solubilization and Functionalization of Carbon Nanotubes with Polycyclic Aromatic Compounds in Water 68 2003/10/9 中嶋直敏 長崎大 Solubilization and Functionalizatipn of Carbon Nanotubes with polycyclic Aromatic Compounds in Water 69 2003/10/13 村上祐人 長崎大 DNAによる単層カーボンナノチューブの可溶化とキャラクタリゼーション 70 2003/10/15 末永和知 産総研(評) 単原子観測への挑戦 71 2003/10/17 粟野祐二 富士通 CNTのCVD成長と電子ﾃﾞﾊﾞｲｽへの応用 72 2003/10/21 粟野祐二 富士通 CNTのCVD成長と電子ﾃﾞﾊﾞｲｽへの応用 73 2003/10/21 末永和知 産総研(評) 金属フラーレンピーポッド内の単原子の観察 74 2003/11/4 Y.Tanaka 長崎大 Solubilization of C70 encapsulated single-walled carbon nanotubes in water 75 2003/11/4 Y.Tomonari 長崎大 Water Soluble Single-Walled Carbon Nanotubes via Noncovalent Sidewall-Functionalization with Pyrene-Carrying Amphiphiles 76 2003/11/10 粟野祐二 富士通 Carbon nanotube interconnection technologies future LSIs 77 2003/11/12 阿部秀和 産総研(電) Electric transport and mechanical strength measurements of carbon nanotubes in scanning electron microscope 78 2003/11/12 清水哲夫 産総研(電) Electric Transport Measurement of multi-walled carbon nanotubes in Scanning transmission electron microscope 79 2003/11/13 二瓶史行 NEC(電) ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ 80 2003/11/26 楠美智子 JFCC SiC表面分解法によるｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの成長ﾒｶﾆｽﾞﾑ 学 会 ＮＯ 発表日 主著者 所属 題名 81 2003/11/27 二瓶史行 NEC(電) ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ 82 2003/11/27 山口智彦 産総研(体) カーボンナノチューブ合成と知識の構造化 83 2003/12/6 瓜田幸幾 千葉大 Single wall Carbon Nanohornへの水蒸気吸着による電気伝導度変化 84 2003/12/6 清水篤史 九州大 無担持触媒を用いたｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの熱CVD法による大量合成 85 2003/12/12 楠美智子 JFCC SiC表面分解法のによるｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの成長機構 86 2004/1/7 吾郷浩樹 持田研 Strong Metal-Support Interaction in Iron Nanoparticles Supported on MgO Catalyst 87 2004/1/7 高橋邦充 産創研 気相合成反応容器中の微粒子合成挙動と容器内温度分布の検討 88 2004/1/7 弓削亮太 NEC(化) preeferential 89 2004/1/8 阿部秀和 産総研(電) Change of electric conductivity of carbon nanotubes by applying axial force 90 2004/1/9 清水哲夫 産総研(電) 走査型透過電子顕微鏡によるｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの電子輸送特性 91 2004/2/26 楠美智子 JFCC ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの構造制御技術と応用の可能性 92 2004/3/7 村上裕人 中嶋研 カーボンナノチューブ可溶化多核芳香族ポリマーの簡便合成 93 2004/3/22 河合孝純 NEC(化) Computional diagnostics for the core structure of carbon nanohorn formation processes and electronic properties 94 2004/3/24 弓削亮太 NEC(化) Preferential deposition of Pt nanoparticles Single-Wall Carbon Nanohorns 95 2004/3/27 吾郷浩樹 持田研 MgOに担持させた鉄ナノ粒子からの単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ成長 96 2004/3/27 阿部吉章 山形大 電場吸着によるｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ薄膜の形成 97 2004/3/27 佐藤愛美 山形大 自己集積化ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ超薄膜の形成挙動 98 2004/3/27 中村和浩 持田研 サイズ制御した鉄ナノ粒子からのカーボンナノチューブ成長 99 2004/3/27 村上裕人 中嶋研 カーボンナノチューブおよびフラーレンピーポッドが形成する超構造 100 2004/3/27 村上裕人 中嶋研 ポルフィリン−切断ナノチューブ複合体の作製と機能特性 101 2004/3/28 阿部秀和 産総研(電) 湾曲をきかせたｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの電気伝導測定 102 2004/3/28 阿部吉章 山形大 ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ「めっき」法の開発 103 2004/3/28 河合孝純 NEC(化) グラフェンリボンを骨格とした新規物質の形成と物性・カーボンナノホーンの核部分の構造 104 2004/3/28 川端章夫 富士通 ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの低温成長における触媒金属依存性 105 2004/3/28 佐藤信太郎 富士通 LSI配線ﾋﾞｱ内に導入した触媒微粒子からのｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ成長 106 2004/3/28 清水哲夫 産総研(電) 多層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの電気伝導度測定 107 2004/3/28 二瓶瑞久 富士通 Ti電極間に低抵抗ｵｰﾐｯｸ接続したｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ束の電気伝導評価 108 2004/3/28 堀部雅弘 富士通 カーボンナノチューブ／Cu混載LSI配線の開発 109 2004/3/29 村上裕人 中嶋研 ナノカーボン超分子化学 110 2004/3/30 楠美智子 JFCC SiC表面分解によるｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの構造・位置の制御 111 2004/4/18 楠美智子 JFCC SiC表面分解法によるｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの構造と位置の制御 112 2004/4/22 粟野祐二 富士通 ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの電子ﾃﾞﾊﾞｲｽへの応用－特性と応用展開 113 2004/4/26 粟野祐二 富士通 CNTの電子ﾃﾞﾊﾞｲｽへの応用 114 2004/5/11 楠美智子 JFCC 大面積・高密度・高配向ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ膜の合成と応用 115 2004/5/26 石橋歩 中嶋研 カーボンナノチューブ薄膜の作成とキャラクタリゼーション 116 2004/5/26 中嶋直敏 中嶋研 カーボンナノチューブ超構造体 117 2004/5/26 中嶋直敏 中嶋研 二重らせんDNA可溶化カーボンナノチューブ 118 2004/5/26 村上裕人 中嶋研 スチレンコポリマーを利用したカーボンナノチューブ新規可溶化剤の開発 119 2004/6/7 楠美智子 JFCC Patterning of High-density Carbon Nanotube on SiC Wafers 120 2004/6/9 二瓶瑞久 富士通 Carbon nanotube vias for future Lsi interconnects deposition of Pt nanoparticles inside Single-Wall Carbon Nanohorns 学 会 ＮＯ 発表日 121 2004/6/15 二瓶史行 主著者 NEC(電) 所属 ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞﾄﾗﾝｼﾞｽﾀの可能性 題名 122 2004/6/21 吾郷浩樹 持田研 カーボンナノチューブの合成技術と応用展開 123 2004/7 山口智彦 産総研(体) Dissipative-Structure Assisted Self-Assembly 124 2004/7/1 阿部秀和 産総研(電) Reliable connections between CNT and electrode for electric devices 125 2004/7/1 安藤淳 産総研(電) Formation and Characterization of Carbon Nanotube－Metal Electrode Contact in Scanning Electron Microscopy 126 2004/7/1 清水哲夫 産総研(電) Electric conductivity of a MWNT by Titanium Nickel contacts 127 2004/7/7 楠美智子 JFCC 大面積・高密度ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ膜の構造制御と応用 128 2004/7/9 河合孝純 NEC(化) ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾎｰﾝの構造と形成に関する理論予測 129 2004/7/9 二瓶瑞久 富士通 ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞのCVD成長とLSI配線への応用 130 2004/7/11 Seongyop Lim 持田研 Investigation on Formation of thin Carbon Nanofibers over Bimetallic Ni catalysts Non-supported and Supported on CB 131 2004/7/14 Seongyop Lim 持田研 Catalyst-Induced 132 2004/7/16 藤岡祐一 三菱重工 石炭ｶﾞｽ化を応用したｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの製造 133 2004/7/17 中村和浩 持田研 カーボンナノチューブの成長機構ー鉄ナノ粒子と基板の相互作用ー 134 2004/7/19 吾郷浩樹 持田研 Role of Metal-Support Interaction in the CVD Growth of Carbon Nanotubes Studied with Size-Controlled Nanoparticles 135 2004/7/19 河合孝純 NEC(化) The atomic structure of carbon nanohorn dahlia particle at the core: Numerical simulations for Y-junctions formation. 136 2004/7/20 戸室亮 山形大 Electroplating 137 2004/7/28 大金邦成 産総研(体) 単層カーボンナノチューブ成長の数理モデル 138 2004/7/28 中嶋直敏 中嶋研 Helical Peapods and Empty Single-Walled Carbon Nanotubes in Water 139 2004/7/28 中嶋直敏 中嶋研 基板上でのSWNTs/DNA 薄膜形成 Carbon Nanofiber Assenbly of carbon nanotubes 140 2004/7/28 畠賢治 産総研(量) 単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ大量生産への新しい試み： 超長尺高密度単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの低温合成 141 2004/7/28 水野耕平 産総研(量) A systematical investigation on matching of catalysts and carbon sourece in chemical vapor deposition groeth of wall carbon nanotubes 142 2004/7/29 戸室亮 山形大 めっき法によるｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ薄膜の作製 143 2004/7/30 落合幸徳 NEC(電) CNTの電子物性と電子ﾃﾞﾊﾞｲｽへの応用 144 2004/7/30 佐藤愛美 山形大 自己集積化単層カーボンナノチューブ 145 2004/9/1 落合幸徳 NEC(電) 高性能カーボンナノチューブトランジスタの実現に向けて 146 2004/9/1 近藤大雄 富士通 フェリチンを用いた多層カーボンナノチューブのTi薄膜上での成長とその評価 147 2004/9/1 佐藤信太郎 富士通 二元系触媒微粒子からのカーボンナノチューブ成長 148 2004/9/2 戸室亮 山形大 カーボンナノチューブめっき膜の構造とめっき機構 149 2004/9/3 安藤淳 産総研(電) 局所電子線照射によるカーボンナノチューブ－金属電極接合の改質 150 2004/9/4 石田真彦 NEC(電) SWNT成長に向けたnm級Fe微粒子の高精度位置制御 151 2004/9/4 藤枝正 産総研(電) ローレンツ顕微鏡法による単一カーボンナノチューブからの電界放出その場観察 152 2004/9/7 吾郷浩樹 持田研 Synthesis and Electronic Applications of Carbon Nanotubes 153 2004/9/7 楠美智子 JFCC 大面積・高密度ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ膜の構造制御と応用 154 2004/9/9 阿部吉章 山形大 ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ「めっき」法の開発 155 2004/9/12 河合孝純 NEC(量) カーボンナノチューブの核部分の構造と形成に関するＭＤシミュレーション 156 2004/9/15 粟野祐二 富士通 Carbon nanotube technologies for future ULSI via interconnects 157 2004/9/16 佐藤愛美 山形大 自己集積化単層カーボンナノチューブ超薄膜の形成機構 158 2004/9/16 戸室亮 山形大 カーボンナノチューブめっき膜の構造評価 159 2004/9/20 石田真彦 NEC(電) Size- and site-controlled synthesis of nanoparticles in a resist pattern 160 2004/9/29 楠美智子 JFCC 「CNTの特長と新しい合成法による構造制御」 学 会 ＮＯ 発表日 161 2004/10/3 今井英人 主著者 NEC(化) 所属 Structural and Electronic Properties of Platinum Nanoparticle Surface Studied by in situ x-ray Diffraction and in situ x-ray Absorption Spectroscopy 題名 162 2004/10/5 H.Igarashi 中嶋研 Dissolution of Carbon Nanotubes in Aqueous Double-Stranded DNA Solution 163 2004/10/5 H.Murakami 中嶋研 PORPYRIN / SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBES COMPOSITES IN DMF SOLVENT 164 2004/10/5 H.Murakami 中嶋研 TOPOLOGICAL STRUCTURES OF C70-PEAPODS AND EMPTY SINGLE-WALLWD CARBON NANOTUBES IN WATER 165 2004/10/5 中嶋直敏 中嶋研 Dissolution of Carbon Nanotubes in Aqueous Double-Stranded DNA Solution 166 2004/10/8 粟野祐二 富士通 カーボンナノチューブ成長制御技術とその配線応用 167 2004/10/13 大金邦成 産総研(体) カーボンナノチューブの成長モデル 168 2004/10/14 K.Hata 産総研(量) Fully controlled synthesis of impurity-free single-walled carbon nanotubes 169 2004/10/14 Y.Tomonari 中嶋研 Solubilization of Single-walled Carbon Nanotubes in Water with π-Aromatic Compounds 170 2004/10/15 大金邦成 産総研(体) A Mathematical Model of SWNT Growth 171 2004/10/21 中嶋直敏 中嶋研 カーボンナノチューブ可溶化とその応用 172 2004/10/25 粟野祐二 富士通 Carbon Nanotube CVD-Growth Technology for Future ULSI Interconnects 173 2004/11/8 楠美智子 JFCC SiC表面分解法によるカーボンナノチューブの構造・位置の制御 174 2004/11/9 中嶋直敏 中嶋研 溶媒可溶化ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ 175 2004/11/11 今井英人 NEC(化) Structural and Electronic Properties of Platinum Nanoparticle Studied by in situ x-ray Diffraction and in situ x-ray Absorption Spectroscopy 176 2004/11/12 楠美智子 JFCC SiC表面分解法によるカーボンナノチューブの成長メカニズム 177 2004/11/15 粟野祐二 富士通 Carbon nanotube via technologies for future ULSI interconnects Computer Simulations for Formation of Graphitic-Y-Junctions and its Application to Nanotube T-Junctions 178 2004/11/15 河合孝純 NEC(量) 179 2004/11/16 楠美智子 JFCC 最近のﾅﾉｶｰﾎﾞﾝ材料の現状と応用 180 2004/11/17 K.Hata 産総研(量) “Super Growth” - Highly Efficient Synthesis of Impurity-Free Single-Walled Carbon Nanotubes 181 2004/11/18 中嶋直敏 中嶋研 カーボンナノチューブへの化学的アプローチ 182 2004/12/1 落合幸徳 NEC(電) ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの魅力と電子ﾃﾞﾊﾞｲｽ応用 183 2004/12/1 二瓶史行 NEC(電) CNTの電子物性と電子ﾃﾞﾊﾞｲｽへの応用 184 2004/12/9 落合幸徳 NEC(電) ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの魅力と電子ﾃﾞﾊﾞｲｽ応用 185 2004/12/16 二瓶瑞久 富士通 ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの配線ﾋﾞｱへの応用 186 2005/1/7 莇丈史 NEC(量) 小さくグラフィテック構造の発達したナノホーン 187 2005/1/7 大淵真理 富士通 Ab-initio Molecular Dynamics Study of Carbon Nanotube Growth Process: Chemical Effects of H2,H2O and O2Molecules 188 2005/1/7 落合幸徳 NEC(電) SWNTの成長点と直径のﾄｯﾌﾟﾀﾞｳﾝ制御 189 2005/1/7 高橋邦充 産創研 レーザーＣＶＤによるｶｰﾎﾞﾝﾌｧｲﾊﾞｰのポイント合成 190 2005/1/7 弓削亮太 NEC(化) カーボンナノホーンにおけるC60の内包と放出の制御 191 2005/1/8 佐藤雄太 産総研(評) A TEM Study on the Interactions between Metal Atoms and Defected Fullerene Cages in Nanopeapods 192 2005/1/9 K.Mizuno 産総研(量) Transparent and Conductive SWNT-polymer Films 193 2005/1/9 T.Saito 産総研(量) 金属超微粒子を触媒とした単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの気相流動合成 194 2005/1/9 畠賢治 産総研(量) Super-Growth:How and Why 195 2005/1/9 二葉ドン 産総研(量) Super-Growth:SWNT Growth Kinetics ｽｰﾊﾟｰｸﾞﾛｰｽＣＶＤ法によるＳＷＮＴ成長ﾒｶﾆｽﾞﾑの動的解析 196 2005/1/22 二瓶史行 NEC(電) Possibility 197 2005/1/25 近藤大雄 富士通 ナノバイオ分子単体を用いた単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの直径制御 198 2005/2/8 斎藤毅 産総研(量) 単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの直噴熱分解合成と直径制御 199 2005/2/18 石田真彦 NEC(電) CNTﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ開発に向けたCNT精密成長技術：LANS 200 2005/2/18 佐藤信太郎 富士通 チタン・コバルト二元系微粒子からのｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ成長 of higt-performance CNT transistor with CVD-grown CNT 学 会 ＮＯ 発表日 201 2005/2/18 中嶋直敏 主著者 中嶋研 所属 溶媒に融けるカーボンナノチューブ 題名 202 2005/2/21 二葉ドン 産総研(量) SUPER-GROWTH: A BREAKTHROUGH IN SINGLE WALLED CARBON NANOTUBE SYNTHESIS 203 2005/2/23 二葉ドン 産総研(量) 画期的なｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ合成法ｽｰﾊﾟｰｸﾞﾛｰｽ 204 2005/2/25 二瓶瑞久 富士通 Carbon Nanotube Vias for Multilevel Interconnects Using CMP Techniques 205 2005/3/2 落合幸徳 NEC(電) ﾅﾉﾁｭｰﾌﾞのﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ応用 206 2005/3/3 石田真彦 NEC(電) ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ ーﾃﾞﾊﾞｲｽ化に向けた精密成長制御ー 207 2005/3/13 Don Futaba 産総研(量) Growth kinetics of water-assisted single-walled carbon nanotube synthesis 208 2005/3/13 K.Hata 産総研(量) Water-assisted highly efficient synthesis of impurity-free single-walled carbon nanotubes 209 2005/3/14 K.Hata 産総研(量) “Super Growth” - Highly Efficient Synthesis of Impurity-Free Single-Walled Carbon Nanotubes 210 2005/3/21 弓削亮太 NEC(化) C60-Incorporated Carbon Nanohorns: Control of Filling and Releasing 211 2005/3/24 Don.N.Futaba 産総研（量） Growth Kinetics of Water-Assisted Single-Walled Carbon Nanotube Synthesis-"Super-Growth" 212 2005/3/24 K.Hata 産総研（量） Water-Assisted Highly E±cient Synthesis of Impurity- Free Single-Walled Carbon Nanotubes-"Super-Growth" 213 2005/3/24 畠賢治 産総研（量） ナノチューブの高純度大量合成 214 2005/3/26 宇田徹 ＮＯＫ 山形大 電場を利用したｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ薄膜の形成 215 2005/3/26 中嶋直敏 中嶋研 カーボンナノチューブへの化学的アプローチ 216 2005/3/27 齊藤毅 産総研（量） ナノカプセル型触媒を用いた単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの直噴熱分解合成と直径制御 217 2005/3/27 村井剛次 日機装 気相流動法によるSWCNT製造装置 218 2005/3/28 中嶋直敏 中嶋研 カーボンナノチューブ研究への科学的ｱﾌﾟﾛｰﾁ 219 2005/3/28 宮本淳一 千葉大 薬品担持賦活による単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾎｰﾝの構造変化とｷｬﾗｸﾀﾘｾﾞｰｼｮﾝ 2005/3/29 鵜澤祐樹 産創研 産総研 レーザー集光スポットでのサブミクロンカーボンファイバー合成 221 2005/3/29 宇田徹 ＮＯＫ 山形大 電場を利用したｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ薄膜の形成 222 2005/3/29 佐藤信太郎 富士通 配向ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの密度評価 223 2005/3/29 二瓶史行 NEC(電) 「単層カーボンナノチューブの抵抗率・コンタクト抵抗分離評価」 224 2005/3/30 安藤淳 産総研（電） 自己検出型カンチバレーを用いたナノ構造の機械的強度測定 220 225 2005/4/1 S.kazaoui 産総研（電） photoconductivity and photovoltaic properties of SWNTs despersed in polymer mstrices. 226 2005/4/1 阿部秀和 産総研（電） ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞを用いた架橋構造の製作とその特性評価 227 2005/4/1 中嶋直敏 中嶋研 カーボンナノチューブの化学 基礎と応用 228 2005/4/1 水野耕平 産総研（量） SWNTsネットワークの埋め込みによる透明導電性フィルムの作成 229 2005/4/8 石田真彦 NEC(電) Lithographically anchored nanoparticle synthesis for diameter and position control of SWNT 230 2005/4/8 畠賢治 産総研（量） Super Growth” - Highly Efficient Synthesis of Impurity-Free Single-Walled Carbon Nanotubes, 231 2005/4/19 畠賢治 産総研（量） 画期的な単層カーボンナノチューブ合成法－スーパーグロース 232 2005/4/19 八名純三 日機装 気相流動法による単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの合成 233 2005/5/8 岡崎俊也 産総研（電） As-grown 単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞからの発光および共鳴ﾗﾏﾝﾏｯﾋﾟﾝｸﾞ 234 2005/5/20 落合幸徳 NEC(電) 高性能ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの可能性 235 2005/5/25 宇田徹 ＮＯＫ 山形大 電場を利用したｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ薄膜の形成 236 2005/5/26 H.Tsuchiya 千葉大 Ultramicropore characterization of single wall nanocarbons of reconstructed nanostructures with superwide pressure range adsorption technique 237 2005/5/26 中嶋直敏 中嶋研 カーボンナノチューブらせん超構造体の形成 238 2005/5/26 中嶋直敏 中嶋研 コール酸およびデオキシコール酸ミセルによるSWNTs可溶化 239 2005/5/26 中嶋直敏 中嶋研 反応性カーボンナノチューブ可溶化剤の設計・開発 240 2005/6/2 石田真彦 NEC(電) Lithographically anchored nanoparticle synthesis for SWNT growth control 学 会 ＮＯ 発表日 241 2005/6/8 二瓶瑞久 主著者 所属 題名 富士通 Low-resistance Multi-walled Carbon Nanotube Vias using Parallel Channel Conduction of Inner Shells “Super Growth” – A Revolution in Carbon Nanotube Synthesis 242 2005/6/21 Don.N.Futaba 産総研（量） 243 2005/6/24 落合幸徳 NEC(電) Possibility of CNT Transistor -Process and Device Characteristics- 244 2005/6/26 F.Nihey NEC(電) Separate Evaluation of Resistivity and Contact Resistance of Single-Wall Carbon Notubes with Multiple Electrodes 245 2005/6/26 大淵真理 富士通 Ab-initio Molecular Dynamics Study of Carbon Nanotube Growth Process: Chemical Effects of H2, H2O and O2 Molecules 246 2005/6/26 河合孝純 NEC(化) Destructive Adsorption of Oxygen Molecule on Thin Carbon Nanotubes Depending on Chiralities: A DFT Approach. 247 2005/6/27 石田真彦 NEC(電) Single walled carbon nanotube growth from lithographically defined nanoparticle 248 2005/6/28 K.Kaneko 千葉大 Electrical Conductivity Changes of Single Wall Carbon Nanohorns on Gas Adsorption 249 2005/6/28 吾郷浩樹 持田研 Aligned growth of isolated single-walled carbon nanotubes programmed by atomic-arrangement of crystalline surfaces 250 2005/6/28 中嶋直敏 中嶋研 DNA-Carbon Nanotube Hybrids-Aqueous Solutions and Ultra Thin Films 251 2005/6/28 中嶋直敏 中嶋研 Reactive Carbon Nanotube Solubilizers 252 2005/6/29 上原直保 持田研 CVD growth of single-walled carbon nanotubes with narrow diameter distribution over Fe/MgO catalyst and their fluorescence spectroscopy 253 2005/6/30 S.kazaoui 産総研（電） Photovoltaic and photoconductor devices using SWNT in polymer films. 254 2005/7/2 上原直保 持田研 in situガス分析を通じた単層カーボンナノチューブの高収率合成 255 2005/7/6 A.Ando 産総研（電） Simultaneous Mechanical and Electrical Measurments of Nanostructures by Self-sensing Piezoresistive Cantilever in Scanning Electron Microscope 256 2005/7/7 K Hata 産総研（量） “Super Growth” - Highly Efficient Synthesis of Impurity-Free Single-Walled Carbon Nanotube, 2005/7/25 吾郷浩樹 持田研 Aligned Growth of Isolated Single-Walled Carbon Nanotubes Programmed by Atomic Arrangement of Crystalline Surface 258 2005/7/25 宇田徹 ＮＯＫ 山形大 電着法による多層カーボンナノチューブの薄膜化 259 2005/7/25 岡崎俊也 産総研（化） Dispersion effects on the photoluminescence mapping of single-walled carbon nanotubes in micellar solutions 260 2005/7/25 河合孝純 NEC(化) Destructive Deformation of thin Carbon Nanotubes by Singlet Oxygen Molecule Adsorption: Reaction Barrier Evaluation by DFT-LDA 261 2005/7/25 河合孝純 NEC(化) Formation of Nanotubes with Topological Defects by C2 Molecule implantation:Tight-Binding Molecular Dynamics Simulations 262 2005/7/25 齊藤毅 産総研（量） Screening Study of Catalyst Compositions by using Supramoleclar Catalysts for the Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes 263 2005/7/25 齊藤毅 産総研（量） Selective Diameter-Control of Single-Walled Carbon Nanotubes by the Enhanced Direct-Injection-Pyrolytic-Synthesis(DIPS)Method 264 2005/7/25 高橋邦充 産創研 Growth mechanism of carbon nano-fiber balls synthesized by LCVD 265 2005/7/25 松浦宏治 産総研（量） Diameter Selective Individual Dispersion of Single-Walled Carbon Nanotubes Coated with Proteins 266 2005/7/25 弓削亮太 NEC(化) ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞにおけるC６０の内包と放出の制御 267 2005/7/27 S.kazaoui 産総研（電） 薄膜を用いたｴﾚｸﾄﾛﾙﾐﾈｾﾝｽ及び光伝導ﾃﾞﾊﾞｲｽの作製と特性 268 2005/8/26 吾郷浩樹 持田研 インクジェットによるカーボンナノチューブのパターニングと応用 ― 金属ナノ粒子触媒のパターニングとナノチューブの応用研究 ― 269 2005/8/26 楠美智子 ＪＦＣＣ SiC表面分解法による高密度・高配向CNT膜の合成と応用 270 2005/8/27 吾郷浩樹 持田研 カーボンナノチューブ －成長機構とマイクロスケールでの応用－ 271 2005/9/7 齊藤毅 産総研（量） 単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの直噴熱分解合成における金属超微粒子触媒のｻｲｽﾞ制御 272 2005/9/7 齊藤毅 産総研（量） 直噴熱分解合成法を用いた単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの選択的直径制御 273 2005/9/7 佐藤信太郎 富士通 直径が制御された触媒微粒子からの単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ成長 274 2005/9/8 畠賢治 産総研（量） 単層カーボンナノチューブのスーパーグロース技術 275 2005/9/8 斎藤 毅 産総研（量） 単層カーボンナノチューブの直噴熱分解合成における金属超微粒子触媒のサイズ制御 276 2005/9/8 斎藤 毅 産総研（量） 直噴熱分解合成法を用いた単層カーボンナノチューブの選択的直径制御 277 2005/9/9 吾郷浩樹 持田研 結晶表面の原子配列によってプログラムされた単層カーボンナノチューブの配向成長 278 2005/9/10 本郷廣生 NEC(電) 局所電界CVD成長による高精度水平配向SWNTs 279 2005/9/12 畠賢治 産総研（量） “Super Growth” - Highly Efficient Synthesis of Impurity-Free Single-Walled Carbon Nanotubes 280 2005/9/15 Don N. Futaba 産総研（量） 257 Revolution in Carbon Nanotube Synthesis –“Super Growth” 学 会 ＮＯ 発表日 281 2005/9/17 岡崎俊也 主著者 産総研（量） 所属 ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ構造評価法としての近赤外発光ﾏｯﾋﾟﾝｸﾞ 題名 282 2005/9/17 齊藤毅 産総研（量） 単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭーﾌﾞの選択的直径制御合成 283 2005/9/17 松浦宏治 産総研（化） 水溶性蛋白質で被覆された単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ複合材料 284 2005/9/19 鵜澤祐樹 産創研 レーザー集光スポットでのサブミクロンカーボンファイバー合成 285 2005/9/22 楠美智子 ＪＦＣＣ ”高密度・高配向ＣＮＴ膜の合成と応用” 286 2005/9/27 楠美智子 ＪＦＣＣ SiC表面分解法による高密度カーボンナノチューブ膜の構造制御 287 2005/9/28 斎藤 毅 産総研（量） 単層カーボンナノチューブの選択的直径制御合成 288 2005/10/10 畠賢治 産総研（量） “Super Growth” - Highly Efficient Synthesis of Impurity-Free Single-Walled Carbon Nanotubes 289 2005/10/26 本郷廣生 NEC(電) Highly ordered horizontally directional SWNTs grown by thermal CVD with a local electric field 290 2005/10/27 畠賢治 産総研（量） “Super Growth” - Highly Efficient Synthesis of Impurity-Free Single-Walled Carbon Nanotubes and its application 291 2005/11/1 吾郷浩樹 持田研 カーボンナノチューブの成長と応用 －構造制御と化学への応用を目指して－ 292 2005/11/1 大堂良太 持田研 結晶表面の原子配列によってプログラムされた単層カーボンナノチューブの配向成長 293 2005/11/4 Ayumi Ishibashi, 中嶋研 Layer-by-Layer Assembly of RNA-wrapped Single-Walled Carbon Nanotubes on a Solid Substrate 294 2005/11/4 Hisayoshi Takam中嶋研 Formation of Helical Superstructures of Soluble Single-Walled Carbon Nanotubes and Fullerene Peapods 295 2005/11/4 Kaori Narimatsu 中嶋研 Synthesis and characterization of reactive carbon nanotube solubilizers 296 2005/11/4 Shouhei Toyoda 中嶋研 Separation of Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotubes using a Long-Chain Benzenediazonium Compound 297 2005/11/4 Yasuhiko Tomon中嶋研 Noncovalent Sidewall-Functionalization of Single-Walled Carbon Nanotubes with Pyrene-Carrying Amphiphile 298 2005/11/4 畠賢治 産総研（量） “Super Growth” - Highly Efficient Synthesis of Impurity-Free Single-Walled Carbon Nanotubes and its application 299 2005/11/4 阿部秀和 産総研（電） Precise placement of a Multi-walled carbon nanotube using Nanomanipulator in SEM 300 2005/11/8 楠美智子 ＪＦＣＣ ”高密度・高配向ＣＮＴ膜の作製” 301 2005/11/9 阿子島めぐみ 産総研（量） レーザーフラッシュ方によるスーパーグロースCNTの熱拡散率測定 302 2005/11/16 吾郷浩樹 持田研 Aligned Growth of Isolated Single-Walled Carbon Nanotubes Programmed by Atomic Arrangement of Crystalline Surface 303 2005/11/16 棚池修 産総研（量） スーパーグロース法で作製したカーボンナノチューブのキャパシタ特性 304 2005/11/17 清水哲夫 産総研（電） カーボンナノチューブチップ探針の作製と応用 305 2005/11/18 清水哲夫 産総研（電） ナノ物質の物性計測技術 306 2005/11/25 吾郷浩樹 持田研 カーボンナノチューブの成長法の進展と応用研究 307 2005/11/27 Takeo Yamada 産総研（電） Tailored Synthesis of Double Walled Carbon Nanotubes by Super-Growth 308 2005/11/30 K.Takahashi 産創研 Synthesise of Carbon Nanofiber-Ball by Laser Chemical Vaper Deposition 309 2005/11/30 楠美智子 ＪＦＣＣ 高密度・高配向ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの開発（招待講演） 310 2005/11/30 八名純三 日機装 気相流動法による単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの合成 311 2005/12/15 今井英人 ＮＥＣ（量） Electrochemical oxidation and reduction processes of platinum nanoparticles probed by conventional and time-resolved dispersive x-ray absorption spectroscopy 312 2005/12/16 楠美智子 ＪＦＣＣ 高密度・高配向ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの合成と応用をめざして 313 2005/12/19 日浦英文 NEC(電) Charge Transfer Doping to Carbon Nanotube Transistors 314 2006/1/7 莇 丈史 ＮＥＣ（量） Large Scale Production of Carbon Nanohorns with High Purity 315 2006/1/7 河合孝純 ＮＥＣ（量） Molecular Dynamics Simulations for Formations and Properties of Various Defects on Carbon Nano-Structures 316 2006/1/7 弓削亮太 ＮＥＣ（量） 穴の開いたﾅﾉﾎｰﾝの酢酸ｶﾞﾄﾞﾘﾆｳﾑによるｷｬｯﾌﾟ効果 317 2006/1/9 吾郷浩樹 持田研 Synthesis of Horizontally-Aligned SWNTs with Controllable Density on Sapphire Surface and their Polarized Raman Spectroscopy 318 2006/1/9 上原直保 持田研 Gas Analysis of CVD Processes for High-Yield Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes 319 2006/1/9 齊藤毅 産総研（量） 直噴熱分解合成法による単層カーボンナノチューブの選択的直径制御 320 2006/1/9 松浦宏治 産総研（化） ミセル内に可溶化された半導体単層カーボンナノチューブのビオローゲン添加におけるバンドギャップ変化 学 会 ＮＯ 発表日 321 2006/3/13 河合孝純 主著者 ＮＥＣ（量） 所属 Computer Simulations for a Novel Topological Defect on Carbon Nanotube 題名 322 2006/3/14 楠美智子 ＪＦＣＣ SiC表面分解法によるｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの直径制御 323 2006/3/15 楠美智子 ＪＦＣＣ 高密度・高配向ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの開発と応用（招待講演） 324 2006/3/17 久保佳実 NEC マイクロ燃料電池用材料（招待講演） 325 2006/3/27 久保佳実 NEC 携帯機器用燃料電池開発の現状と今後の課題（招待講演） 326 2006/3/27 吾郷浩樹 持田研 単結晶基板の表面原子配列によってプログラムされた単層カーボンナノチューブの配向成長 327 2006/7/25 近藤大雄 富士通 Growth of Single-Walled Carbon Nanotubes with Diameter-Controlled Metal Catalyst Nanoparticles by Chemical Vapor Deposition 特 許 No 1 出願日 主著者 2002/8/2 本郷廣生 所属 出願番号 題名 ＮＥＣ(電) 特願2002-226020 触媒担持基板およびそれを用いたカーボンナノチューブの成長方法 ならびにカーボンナノチューブを用いたトランジスタ 2 2003/2/10 莇丈史 ＮＥＣ(量) 特願2003－031927 ﾅﾉｶｰﾎﾞﾝの製造方法及び製造装置 3 2003/4/30 莇丈史 ＮＥＣ(量) 特願2003-125844 ﾅﾉｶｰﾎﾞﾝ製造装置およびナノカーボンの製造方法 4 2003/5/20 莇丈史 ＮＥＣ(量) 特願2003-142321 ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾎｰﾝ集合体の製造方法 5 2003/5/20 莇丈史 ＮＥＣ(量) 特願2003-142450 ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾎｰﾝ製造装置及びｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾎｰﾝの製造方法 6 2003/6/2 糟屋大介 ＮＥＣ(量) 特願2003-156219 触媒担持体および吸蔵体、並びにこれらの製造方法 7 2003/6/6 八名純三 日機装 特願2003-162918 六方晶BCXNの製造方法、六方晶BCXN、及び立方晶BCXN ＮＥＣ(量) 特願2003-179047 ナノカーボンの製造装置 2003/7/7 中嶋直敏 長崎大 特願2003-292642 ＤＮＡおよびオリゴヌクレオチドを用いる水溶性カーボンナノチューブの 製造方法 10 2003/8/8 莇丈史 ＮＥＣ(量) 特願2003-289863 ナノカーボンの製造装置 11 2003/8/11 宝田亘 東ﾚ 特願2003-207053 多孔性炭素繊維及びその製造方法 12 2003/8/20 莇丈史 ＮＥＣ(量) 特願2003-296227 ﾅﾉｶｰﾎﾞﾝ製造装置およびナノカーボンの製造方法 8 9 2003/6/24 莇丈史 13 2003/9/8 斎藤隆司 レイヨン 特願2003-315729 個体電解コンデンサおよびその製造方法 14 2003/9/10 斎藤隆司 レイヨン 特願2003-318348 熱転写受像ｼｰﾄ及びその製造方法 15 2003/9/10 斎藤隆司 レイヨン 特願2003-318349 導電性包装材料、その製造方法および電子部品用容器 16 2003/9/10 斎藤隆司 レイヨン 特願2003-318350 ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ含有繊維およびその製造方法 17 2003/9/19 莇丈史 ＮＥＣ(量) 特願2003-327260 カーボンナノホーンを用いた空気浄化部材およびﾌｨﾙﾀ 18 2003/9/26 柳澤隆 ｸﾚｵｽ 特願2003-336089 細胞培養用担体および細胞培養方法 19 2003/9/30 二瓶瑞久 富士通 特願2003-340404 半導体装置及びその製造方法 20 2003/10/17 前田義明 ＮＯＫ 特願2003-357200 燃料電池用セパレータ 21 2003/10/21 粟野祐二 富士通 特願2003-361071 炭素元素からなる円筒形物質の形成方法及びその形成装置 22 2003/11/6 楠美智子 ＪＦＣＣ 特願2003-377427 ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞを用いたガス分離膜材およびその製造方法 23 2004/2/5 前田義明 ＮＯＫ 特願2004-028904 燃料電池用セパレータ 24 2004/2/5 前田義明 ＮＯＫ 特願2004-034460 燃料電池用セパレータ 25 2004/2/5 前田義明 ＮＯＫ 特願2004-039813 燃料電池用セパレータ ﾅﾉｶｰﾎﾞﾝﾉ製造方法および製造装置 (国内出願2003-031927 03/2/10) 26 2004/2/10 莇丈史 ＮＥＣ(量) PCT/JP/2004/ 001381 27 2004/2/27 齊藤隆司 レイヨン 特願2004-055050 カーボンナノチューブの物性評価方法 28 2004/3/1 齊藤隆司 レイヨン 特願2004-056201 カーボンナノチューブ含有組成物、これからなる塗膜を有する複合体、 及びそれらの製造方法 29 2004/3/10 二瓶瑞久 富士通 10/796146 Semiconductor Device and Manufacturing Method thereof 30 2004/3/31 齊藤隆司 レイヨン 特願2004-104558 カーボンナノチューブ含有重合体、これからなる塗膜を有する複合体、 及びそれらの製造方法 31 2004/5/27 齊藤隆司 レイヨン 特願2004-157700 カーボンナノチューブ含有組成物、これからなる塗膜を有する複合体、 及びそれらの製造方法 32 2004/6/7 齊藤隆司 レイヨン 特願2004-168382 カーボンナノチューブ含有繊維およびその製造方法 2004/6/8 堀部雅弘 富士通 ＪＦＣＣ 特願2004-170180 炭化珪素材料エッチング方法 33 34 2004/7/27 宇田徹 ＮＯＫ 特願2004-218148 炭素材料薄膜の製膜方法 35 2004/7/27 畠賢治 産総研(量) 特願2004-219346 カーボンナノチューブおよび配向単層カーボンナノチューブ構造体 ならびにそれらの製造方法 特 許 No 出願日 主著者 所属 出願番号 題名 36 2004/8/5 百瀬扶美乃 レイヨン 特願2004-229549 導電性成形体の製造方法、及び導電性成形体 37 2004/8/5 前田晋一 レイヨン 特願2004-229550 ｶﾗｰ導電性ﾌﾟﾗｲﾏｰ組成物、ｶﾗｰ導電性ﾌﾟﾗｲﾏ－の形成方法、 および静電塗装方法 38 2004/8/12 清水哲夫 産総研(電) 特願2004-235040 ナノサイズ材料の設置方法 39 2004/8/30 宝田亘 東ﾚ 特願2004-250139 樹脂組成物及びブレンド繊維 40 2004/8/31 佐藤信太郎 富士通 特願2004-252751 炭素元素からなる線状構造物質の形成体及び形成方法 41 2004/9/9 百瀬扶実乃 レイヨン 特願2004-262339 ナノ物質含有組成物、その製造方法及びそれを用いた複合材 ナノカプセル型構造体 42 2004/9/17 斎藤毅 産総研(量) 特願2004-271751 43 2004/9/17 畠賢治 産総研(量) 特願2004-271645 透明導電性カーボンナノチューブフィルムの製造方法 44 2004/10/1 二瓶瑞久 富士通 特願2004-289720 配線接続構造及びその形成方法 45 2004/11/17 畠賢治 産総研(量) 特願2004-333683 カーボンナノチューブおよび配向単層カーボンナノチューブ構造体ならびにそれらの製造方法（特願 2004-219346優先権主張） 46 2004/11/18 瀬戸口稔彦 三菱重工 産総研 特願2004-334627 カーボン材料の製造方法及び装置 47 2004/12/8 前田義明 ＮＯＫ 特願2004-354822 炭素材料薄膜の製膜方法（特願2004-218148優先権主張） 48 2004/12/13 湯村守雄 日機装 産総研 特願2004-360009 カーボンナノチューブの製造方法およびカーボンナノチューブ製造装置 49 2004/12/21 齊藤隆司 レイヨン 特願2004-369130 カーボンナノチューブ含有組成物、これからなる塗膜をゆうする複合体 およびそれらの製造方法 50 2004/12/21 間鍋徹 レイヨン 特願2004-369131 アクリル繊維、その製造方法および炭素繊維 51 2004/12/24 清水哲夫 産総研 ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの構造体 富士通 11/024,756 FORMED PRODUCT OF LINE-STRUCTURED SUBSTANCE COMPOSED OF CARBON ELEMENT, AND METHOD OF FORMING THE SAME 産総研(量) 特願2005-000279 ナノカプセル型構造媒体 52 53 2004/12/30 佐藤信太郎 2005/1/4 斎藤毅 54 2005/1/20 百瀬扶実乃 レイヨン 特願2005-12803 ナノ物質含有組成物、その製造方法及びそれを用いた複合材 55 2005/2/16 河合孝純 ＮＥＣ(化) 特願2005-038910 Ｔ型構造のﾅﾉﾁｭｰﾌﾞおよび電界効果トランジスタ並びにそれらの製造方法 56 2005/2/21 田中敦 三菱重工 特願2005-044836 ナノカーボン材料 57 2005/2/21 瀬戸口稔彦 三菱重工 特願2005-044837 ナノカーボン材料 58 2005/2/21 瀬戸口稔彦 三菱重工 特願2005-044838 ナノカーボン材料 特願2005-045486 ﾅﾉｶｰﾎﾞﾝ材料製造用触媒、触媒微粒子、ﾅﾉｶｰﾎﾞﾝ材料製造用触媒の製造方法 特願2005-047841 ﾅﾉｶｰﾎﾞﾝ材料製造用触媒粒子の製造方法、ﾅﾉｶｰﾎﾞﾝ材料製造用触媒粒子 産総研 九大 三菱重工 産総研 三菱重工 59 2005/2/22 湯村守雄 60 2005/2/23 湯村守雄 61 2005/2/23 田中敦 三菱重工 特願2005-047842 ﾅﾉｶｰﾎﾞﾝ材料の製造装置及びｶｰﾎﾞﾝ材料の製造ｼｽﾃﾑ 62 2005/2/24 末永和也 三菱重工 特願2005-049463 ﾅﾉｶｰﾎﾞﾝ材料製造用触媒、その製造方法ﾅﾉｶｰﾎﾞﾝ材料の製造装置 63 2005/2/25 湯村守雄 三菱重工 特願2005-051645 ﾅﾉｶｰﾎﾞﾝ材料生成用担体の製造方法、ﾅﾉｶｰﾎﾞﾝ材料製造装置 64 2005/2/25 瀬戸口稔彦 三菱重工 特願2005-51646 産総研(量) 特願2005-063704 ﾅﾉｶｰﾎﾞﾝ材料製造用触媒、触媒微粒子。ﾅﾉｶｰﾎﾞﾝ材料製造用触媒の製造方法 及びｶｰﾎﾞﾝ材料製造ｼｽﾃﾑ 単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞおよび配向単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ構造体 ならびにそれらの製造方法 65 2005/3/8 畠賢治 66 2005/3/9 齊藤隆司 レイヨン 特願2005-064943 カーボンナノチューブ含有重合体、これからなる塗膜を有する複合体、 及びそれらの製造方法 67 2005/3/10 飯島澄男 産総研 九大 三菱重工 特願2005-67380 カーボン材料製造装置 68 2005/3/15 二瓶瑞久 富士通 11/079,108 配線接続構造およびその形成方法 69 2005/3/29 S.KAZAOUI 産総研(電) 特願2005-085282 単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ含有薄膜、同薄膜の製造方法、 同薄膜を備えた光電変換材料及び光電変換材料及び 光電変換素子並びに電界発光材料及び電界発光素子 70 2005/3/31 塩谷広樹 富士通 特願2005-105237 炭化珪素材料を加工する方法 特 許 No 出願日 主著者 所属 出願番号 題名 71 2005/4/26 田中敦 三菱重工 特願2005-127987 ナノカーボン材料の精製方法及びナノカーボン材料 72 2005/5/30 百瀬扶実乃 レイヨン 特願2005-157472 硬化性樹脂組成物、積層体、およびそれらの製造方法 特願2005-165004 電気的接続構造、その製造方法および半導体集積回路装置 73 2005/6/6 佐藤信太郎 富士通 74 2005/7/8 齊藤毅 産総研（構） 特願2005-199781 極細単層カーボンナノチューブからなる炭素繊維集合体及びその製造方法 75 2005/7/20 松浦宏治 産総研（化） 特願2005-209360 水分散性蛋白質－ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ複合体、その製造方法及びその用途 76 2005/7/27 畠賢治 産総研(量) 94125527 (2005-063704) 単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞおよび配向単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ・ﾊﾞﾙｸ構造体ならびに それらの製造方法・装置および用途 77 2005/7/27 畠賢治 産総研(量) PCT/JP2005/014239 単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞおよび配向単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ構造体 ならびにそれらの製造方法・装置及び用途 78 2005/8/17 前田義明 ＮＯＫ 特願2005-236314 炭素材料薄膜の製造方法 79 2005/8/19 棚池修 産総研(電) 特願2005-239209 電気化学キャパシタ及びそれに用いる電極材料 80 2005/8/24 百瀬扶実乃 レイヨン 特願2005-242389 ﾅﾉ物質含有組成物、その製造方法及びそれを用いた複合材 81 2005/8/24 齊藤隆司 レイヨン 特願2005-242390 ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ含有硬化性組成物、及びその硬化塗装を有する複合体 82 2005/8/31 斎藤毅 産総研(量) PCT/JP2005/15909 ﾅﾉｶﾌﾟｾﾙ型構造体 83 2005/9/1 齊藤隆司 レイヨン 特願2005-253995 ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ含有硬化性組成物、及びその硬化塗装を有する複合体 84 2005/9/9 百瀬扶実乃 レイヨン PCT/JP2005/16588 ﾅﾉ物質含有組成物、その製造方法及びそれを用いた複合材 85 86 2005/9/16 畠賢治 産総研(量) PCT/JP2005/017549 透明導電性カーボンナノチューブフィルムとその製造方法 2005/10/31 日浦英文 NEC（電） 産総研 特願2005-315627 半導体装置およびその製造方法 87 2005/11/7 佐藤信太郎 富士通 10-2005-0105990 （2005-165004) 88 2005/11/17 佐藤信太郎 富士通 11/280,269 89 2005/11/25 畠賢治 産総研(量) 特願2005-341099 90 特願2005-351481 ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ含有組成物、複合体、およびそれらの製造方法 91 2005/12/12 八名純三 日機装 産総研 PCT/JP2005/22768 気相流動法による単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの合成 92 レイヨン 特願2005-358609 アクリル繊維、その製造方法および炭素繊維 富士通 特願2006-001166 微粒子サイズ選別装置 ＮＯＫ 特願2006-002387 炭素材料薄膜の後処理方法 ＮＥＣ(電) 特願2006-057538 カーボンナノチューブの精製方法及び精製装置 93 2005/12/6 百瀬扶実乃 レイヨン ELECTRICAL CONNECTION STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE (電気的接続構造、その製造方法および半導体集積回路装置) ELECTRICAL CONNECTION STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE (電気的接続構造、その製造方法および半導体集積回路装置) 二層カーボンナノチューブおよび配向二層カーボンナノチューブ・バルク 構造体ならびにそれらの製造方法・装置および用途 2005/12/13 間鍋 徹 2006/1/6 佐藤信太郎 94 2006/1/10 前田義明 95 2006/3/6 河合孝純 論 文 No 掲載(予定)日 主著者 所属 発表先 題名 1 2002/3/23 Seongyop Lim 九州大 Carbon Selective Synthesis of Thinner Carbon Nanofibers over Iron-Nickel Alloy Supported on Carbon Black 2 2002/4/10 本郷廣生 ＮＥＣ電気 Chem. Phys. Lett. 361(2002)349-354 Chemical vapor deposition of single-wall carbon nanotubes on Iron-Film-coated sapphire substrate 3 2002/8/2 二瓶史行 ＮＥＣ電気 JJAP, 41,(2002)L1049 A Top-Gate Carbon-Nanotube Field-Effect Transistor with Titanium-Dioxide Insulator 4 2002/9/1 楠美智子 ＪＦＣＣ ｱｸﾞﾈｽ技術ｾﾝﾀｰ 「金属」 SiC表面分解法によるｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの配向膜 5 2002/10/6 末永和知 産総研 Physical Review Letters Direct imaging of Sc2@C84 molecules encapsulated inside single-wall carbon nanotubes by high resolution electron micriscipy with atomic sensitivity 6 2002/11/20 楠美智子 ＪＦＣＣ Chem. Phys. Lett. Selective synthesis of zzigzag-type aligned carbon nanotubes on SiC(000-1)wafers 長崎大 Chemistry Lettters DNA Dissolves Single-walled Carbon Nanotubes in Water ＪＦＣＣ ＣＰＣ研究会研究報 SiCの分解法によるｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの配向膜の製造 7 8 2003/2/3 N. Nakashima 2003/3/15 楠美智子 9 2003/5/27 H.murakami 長崎大 10 2003/5/30 N.Nakashima 長崎大 Elsevier chemical Physics of Letters 378.481-485(2003) Electrochemical Society Fullerenes 13,277-284(2003) Noncovalent porphyrin-functionalized single-walled carbon nanotubes in solution and the formation of porphyrin-nanotube nanocomposites Surface Modification and Solubilization of Single-walled Carbon Nanotubes in Water with -Aromatic Compounds 11 2003/7/1 楠美智子 ＪＦＣＣ 結晶成長学会誌 Vol.30 No4 2003(316-321) SiC結晶面に形成された高配向ﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの構造選択性 12 2003/7/18 佐藤信太郎 富士通 Nano Letters Growth of diameter-controlled carbonn nanotubes using size-classified nickel nanoparticles as a catalyst ＮＥＣ（量） ﾚｰｻﾞｰ加工学会誌 Vol.10 No2 2003.8 Journal of physical chemistry B (2004),108(30),10651-10657 13 2003/8 吉武務 14 2003/8/6 M.Sunaga 15 2003/8/23 岡本穏治 ＮＥＣ（化） Chemical Physics Letters 377,236-242(2003) Comparative study of dehydrogenation of methanol at Pt(111)/water and Pt(111)/vacuum interfaces 16 2003/9/10 末永和知 産総研 Nanoletters Evidence for the Intramolecular Motion of Gd Atoms in a Gd2@C92 17 2003/9/23 大場友則 千葉大 Langmuir Micropore Structural Change of Single Wall Carbon Nanohorn Assemblies with High Temperature Treatment in vacuo 18 2003/9/26 H.Hongo NEC(電) 19 2003/10 F.nihey NEC(電) 20 2003/10 楠美智子 ＪＦＣＣ 21 2003/10/3 清水哲夫 産総研 SIA Electric transport measurement of multi-walled carbon nanotubes in scanning transparent electron microscope 22 2003/10/8 N.Nakashima 長崎大 Mater. Res. Soc. Jpn Trans. Mater. Res. Soc. Jpn Solubilization and Functionalization of Carbon Nanotubes with Polycyclic Aromatic Compounds in Water 千葉大 Chemical Phys.,Lette., 380(2003)158 Jpn.J.Appl.Phys Vol.42(2003) L1288 Jpn.J.Appl.Phys Vol.42(2003) No.12A pp.L1486-L1488 CO2レーザーアブレーション法を用いたｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾎｰﾝの生産技術開発 Nanostructure Characterization of Carbon Materials with Superwide Pressure Range Adsorption Technique with the Aid of Grand carlo Simulation Support materials based on converted aluminum films for chemical vapor deposition growth of single-wall carbon nanotubes carbon-Nanotube Field-Effect Trabsistors with Very High Intrinsic Transconductance Patterned Carbon Nanotube Films by Surface Decomposition of SiC Wafers Electric transport measurement of multi-walled carbon nanotubes in scanning transparent electron microscope Electric transport and mechanical strength measurements of carbon nanotubes in scanning electron microscope 23 2003/11/15 清水哲夫 産総研 PHYSICAE 24 2003/12/12 阿部秀和 産総研 PHYSICAE 25 2004/1/30 弓削亮太 ＮＥＣ（化） ADVANCED MATERIALS preeferential deposition of Pt nanoparticles inside Single-Wall Carbon Nanohorns 26 2004/2/16 吉武務 ＮＥＣ（化） 高圧ｶﾞｽ ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾎｰﾝの燃料電池応用 27 2004/3/ N.Nakashima 中嶋研 Trans. Mater. Research Soc. Jpn Solubilization and Functionalization of Carbon Nanotubes with Polycyclic Aromatic Compounds in Water 28 2004/4/ S.Y.Lim 九州大 Carbon Prepartion of thinner carbon nanofibers on Fe-Ni alloy of Finner particles 29 2004/4/ S.Y.Lim 九州大 Carbon High yield synthesis of thinner carbon nanofibers from ethylene using carbon brack supported iron-nickel cartalyst 30 2004/5/31 橋本綾子 産総研（評） PNAS June 8.2004 Vol.101 No23 (8527-8530) Selective deposition of a gadolinium(Ⅲ) cluster in a hole opening of single-wall carbon nanohorn 中嶋研 Chem. Phys. Lett., 392, 529-532 (2004). Sol Purification and characterization of zeolite-supported single-walled carbon nanotubes catalytically synthesized from ethanol 持田研 Chem. Phys. Lett., 391 (4-6), 308-313 (2004). Growth of double-walled carbon nanotubes with diameter-controlled iron oxide nanoparticles supported on MgO 31 2004/6/ H. Igarashi 32 2004/6/21 吾郷浩樹 33 2004/7/9 橋本綾子 34 2004/7/31 粟野祐二 35 2004/8/1 Atsushi Ando Physical Review Letters 94 (2005) 045504 (4 pages) 技術情報協会 富士通 「Material stage」 ELSEVIER SCIENCE (PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL 産総研（電） SYSTEMS & NANOSTRUCTURES (24 巻 1-2 号 6 頁～ 9 頁)) 産総研（評） Atomic Correlation Between Adjacent Graphene Layers in Double-Wall Carbon Nanotubes ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽ応用を目指したｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞCVD成長技術と配線ビア応用 Improvement of Electrical Contact at Carbon Nanotube/Pt by Selective Electron Irradiation 論 文 No 掲載(予定)日 主著者 所属 発表先 題名 36 2004/8/1 X.P. Zou ELSEVIER SCIENCE (PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL 産総研（電） SYSTEMS & NANOSTRUCTURES (24 巻 1-2 号 14 頁～ 18 頁)) 37 2004/8/1 末永和知 産総研（評） 化学と工業 高分解能TEMを用いたナノカーボン材料の原子レベル構造評価 Direct evidence for atomic defects in graphene layers Defect-Induced Atomic Migration in Carbon Nanopeapod Tracking the Single-Atom Dynamic Behavior 38 2004/8/19 橋本綾子 Nture 産総研（評） Vol.430 19 August 2004 (870-873) 39 2004/9/26 瓜田幸幾 産総研（評） Nano Letters 40 2004/9/27 Lunhui Guan 41 2004/9/30 石田真彦 42 2004/10/9 K.Oogane 43 2004/11 楠美智子 44 2004/11/1 岡本穏治 Simple thermal chemical vapor deposition synthesis and electrical property of multi-walled carbon nanotubes Physical Review Letters 94 (2005) 045502 (4 pages) JJAP Express Letter, Jpn. J. ＮＥＣ（電） Appl. Phys PT 2 Vol 43 No 10B 産総研（体） ｊｏｕｒｎａｌ of Applied Physics A mathematical model of SWCNT growth ＪＦＣＣ Ceramic Transactions “Controlling the Structure of Aligned Carbon Nanotubes on Silicon Carbide Wafers” NEC（化） Chemical Physics Letters Finding optimum compositions of catalysts using ab initio calculations and data mining 産総研（評） Direct Imaging of the Alkali Metal Site in K-Doped Fullerene Peapods Diameter-Controlled Carbon Nanotubes Growth from Lithographically Defined Nanoparticles” 45 2004/11/19 畠賢治 産総研（量） Ｓｃｉｅｎｃｅ Water-Assisted Highly Efficient Synthesis of Impurity-Free Single-Walled Carbon Nanotubes 46 2004/11/29 R.Mezaki 産総研（体） New Diamond and Frontier Carbon Roles of Iron Carbides for SWNT Growth by Catalytic Chemical Vapor Phase Deposition In situ observation of field emissions from an individual carbon nanotube by Lorenzmicroscopy 47 2004/12/4 T.Fujieda Applied Physics Letters 産総研（電） 85(5739-5741)2004 48 2004/12/9 吾郷浩樹 持田研 J. Phys. Chem. B, 108 (49), 18908-18915 (2004). Roles of Metal-Support Interaction in Growth of Single- and Double-Walled Carbon Nanotubes Studied with Diameter-Controlled Iron Particles Supported on MgO 49 2004/12/31 佐藤信太郎 富士通 Elsevier Science Carbon nanotube growth from titanium-cobalt bimetallic particles as a 千葉大 J.Phys.Chem.B.,2005,in press Quasi One-Dimensional Nanopores in Single-Wall Carbon Nanohorn Colloids Using Grand CanonicalMonte Carlo Simulation Aided Adsorption Technique 50 2005/1/17 T.ohba Curr. Appl. Phys., 5 (4-6), 128-132 (2004). Journal of physical chemistry B, 産総研（量） 109(2005)p2632 Formation mechanism of carbon nanotubes in the gas-phase synthesis from colloidal solutions of nanoparticles Japanese Journal of Applied Physics The Journal of Physical Chemistry 産総研（量） B, 109(2005)10647-10652 Japanese Journal of 富士通 Applied Physics Diameter-controlled growth of multi-walled carbon nanotubes by hot filament chemical vapor deposition with ferritin as a catalyst on a silicon substrate 持田研 産総研 51 2005/2 吾郷浩樹 52 2005/2/24 K.Mizuno 53 2005/3/21 近藤大雄 54 2005/3/29 T.Saito 55 2005/4/15 二瓶瑞久 56 2005/5/1 岡本穏治 NEC（化） Chemical Physics Letters Density-functional calculations of atomic and molecular adsorptions on 55-atom metal clusters : comparison with (111) surfaces 57 2005/5/2 S.KAZAOUI 産総研（電） Journal of Applied Physics 98, 084314 (2005) Near-infrared photoconductive and photovoltaic devices using single-wall carbon nanotubes 58 2005/6 吾郷浩樹 持田研 Chem. Phys. Lett., 408(4-6), 433-438 (2005) Aligned growth of isolated single-walled carbon nanotubes programmed by atomic arrangement of substrate surface 富士通 Selective Matching of Catalyst Element and Carbon Source in Single-Walled Carbon Nanotube Synthesis on Silicon Substrates "Size-control of metal nanoparticle catalysts for the gas･phase synthesis of single-walled carbon nanotubes" Electrical properties of carbon nanotube bundles for future via interconnects 59 2005/6/13 S.KAZAOUI 産総研（電） Applied Physics Letters 98, 084314 (2005) Near-infrared electroluminescent devices using single-wall carbon nanotubes thin films 60 2005/6/15 河合孝純 NEC（化） APS New Carbon 3D Architecture Formed by Intersectional Collision of Graphene Patches. 61 2005/6/20 佐藤信太郎 富士通 ｴｱﾛｿﾞﾙ研究 金属ﾅﾉ粒子を利用したｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ成長 NEC（化） Chemical Physics Letters 404,354-357(2005) Density-functional calculations of graphene interfaces with Pt(111) and Pt (111)/RuML surfaces Journal Physical Chemistry Opening mechanism of internal nanoporosity of single-wall carbon nanohorn 62 2005/7/1 岡本穏治 63 2005/7/13 S.Utsumi 千葉大 64 2005/7/29 Don N.Futaba 産総研（量） PRL 95,056104(2005) Kinetics of Water-Assisted Single-Walled Carbon Nanotube Synthesis Revealed by a Time-Evolution Analysis 65 2005/8/29 楠美智子 ＪＦＣＣ Appl.phys.Lett SiC表面分解法による高密度ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ膜の構造制御 66 2005/9/20 Abdou. Hassanien 産総研（電） Synthetic metals 152, issues 1-3, Sept 2005. coherence of electron waves on carbon nanotubes at room temperature 67 2005/10/11 Hongwei Zhu John Wiley & Sons, Inc 産総研（量） Small 68 2005/11/19 岡崎俊也 産総研（化） Nano Letters 69 2006/3/20 楠美智子 70 2006/1 Ayumi Ishibashi ＪＦＣＣ 中嶋研 Atomic-Resolution Imaging of the Nucleation Points of Single-Walled Carbon Nanotubes Photoluminescence Mapping of "As-Grown" Single-Walled Carbon Nanotubes: A Comparison with Micelle-Encapsulated Nanotube Solutions 日本金属学会 単行本「材料開発のための顕微鏡と 高密度・高配向カーボンナノチューブ膜創製 応用写真集」 Layer-by-layer assembly of RNA/single-walled Chemical Physics Letters carbon nanotube nanocomposites 論 文 No 掲載(予定)日 主著者 所属 発表先 題名 71 2006/1 瀬戸口稔彦 重工 三菱重工技報 流動層反応器によるｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ製造技術開発 72 2006/2 Ayumi Ishibashi 中嶋研 Bull. Chem. Soc. Japan Strong Chemical Structure Dependence for Individual Dissolution of Single-Walled Carbon Nanotubes in Aqueous Micelles of Biosurfactants 73 2006/5 吾郷浩樹 持田研 J. Phys. Chem. B, 109 (20), 10035-10041 (2005). CVD growth of single-walled carbon nanotubes with a narrow diameter distribution and their optical properties 74 未定 吾郷浩樹 持田研 Chem. Phys. Lett.（審査中） Synthesis of horizontally-aligned single-walled carbon nanotubes with controllable density and polarized Raman spectroscopy 75 未定 S.Y.Lim 九州大 Carbon(Special Issue,2004) High Yield Preparation of Tubylar Cabon nanofibers Over Supported Co-Mo catalysts 新 聞・テレビ No 掲載予定日 発表者 所属 掲載先 題名 日経ナノテクノロジー (Web) 「長崎大、カーボンナノチューブ様々な新機能を持たせる研究を本格化」 2002/10/23 楠美智子 ＪＦＣＣ 日刊工業新聞 ｼﾞｸﾞｻﾞｸﾞ型ＣＮＴ 高率・選択的に生成－SiC表面分解法で 2002/10/28 中嶋直敏 長崎大 日本経済新聞 「カーボンナノチューブ水溶性質持たせる、長崎大、分離精製容易に」 1 2002/7/24 中嶋直敏 長崎大 2 3 4 2002/11/8 二瓶史行 ＮＥＣ電気 日刊工業新聞 トップゲート構造カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ 5 2002/11/8 二瓶史行 ＮＥＣ電気 日経産業新聞 トップゲート構造カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ 6 2002/11/12 二瓶史行 NEC電気 電波新聞 トップゲート構造カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ 7 2002/11/18 楠美智子 ＪＦＣＣ 日経産業新聞 ﾅﾉﾁｭｰﾌﾞに新製法 半導体用だけ均質生産 8 2002/11/22 本郷廣生 NEC電気 日刊工業新聞 単層ＣＮＴの化学気相成長法 9 2003/2 藤岡祐一 三菱重工 日本経済新聞 ﾅﾉｶｰﾎﾞﾝ技術の量産技術 10 2003/2/15 中嶋直敏 長崎大 Insight:S&T in Japan Nagasaki Univ. Team Devises Carbon Nanotube(CNT)Soluble in Wathe 11 2003/2/27 久保 日本工業新聞、 日刊工業新聞他多数 nanotech 2003 展示会関係報道 12 2003/5/17 中嶋直敏 長崎大学 日経ﾅﾉﾃｸﾉﾛｼﾞｰ（web版） 長崎大、ナノチューブがＤＮＡ水溶に溶解する現象を発見、医学での 利用可能性の研究へ 13 2003/6/2 粟野祐二 富士通 日経・化学技術部 LSIの層間配線に－富士通など歩留まり向上－ 14 2003/6/11 粟野祐二 富士通 ＮＥＣ 半導体産業新聞 ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞを半導体の多層配線ﾋﾞｱに埋め込む ノートパソコン内蔵燃料電池の開発 15 2003/7/1 久保佳実 ＮＥＣ（化） 日経、日経産業、 化学工業日報 朝日新聞、Web 16 2003/7/1 二瓶史行 ＮＥＣ（電） 化学工業日報 カーボンナノチューブトランジスタ 17 2003/7/28 馬場寿夫 ＮＥＣ（電） 半導体産業新聞 半導体TrへのCNTの応用 18 2003/8/7 粟野祐二 富士通 日本経済新聞 単層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの直径制御に道～ﾅﾉ微粒子技術と低温成長技術を融合 19 2003/9/1 粟野祐二 富士通 日刊工業新聞 多層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの位置と長さ制御にめっき技術と研磨技術を適用 20 2003/9/1 落合幸徳 ＮＥＣ（電） 日経エレクトロニクス カーボンナノチューブトランジスタ 21 2003/9/10 粟野祐二 富士通 ｻｲｴﾝｽＺＥＲＯ NHKﾃﾚﾋﾞ サイエンスＺＥＲＯ 22 2003/9/10 村井剛次 日機装 ＮＨＫ（ｻｲｴﾝｽｱｲ） 気相流動法によるＳＷＣＮＴ製造方法 23 2003/9/11 清水哲夫 産総研 ｻｲｴﾝｽＺＥＲＯ テレビ取材 24 2003/9/19 二瓶史行 ＮＥＣ（電） 日本経済新聞 カーボンナノチューブトランジスタの超高性能を実証 25 2003/12/5 粟野祐二 富士通 日刊工業新聞 ﾄﾞﾗｲﾌﾟﾛｾｽにより高純度な単分散ナノ金属微粒子の作製に成功 ～カーボンナノチューブの直径制御に応用 26 2003/12/8 楠美智子 ＪＦＣＣ 日刊工業新聞 SiC表面分解法によるカーボンナノチューブのパターニング化 27 2004/1/28 粟野祐二 富士通 朝日新聞 カーボンナノチューブの配線応用技術について 28 2004/2/21 清水哲夫 産総研 フジテレビ 未来予測ＴＶ２ 29 2004/2/26 落合幸徳 ＮＥＣ（電） 30 2004/3/19 楠美智子 ＪＦＣＣ 31 2004/3/29 柳澤隆 32 GSIｸﾚｵｽ 日刊工業新聞 （同紙の単層断面ｺﾗﾑ向け） 日刊工業新聞 日経 化学工業日報 中部経済新聞 読売新聞 ＣＮＴﾄﾗﾝｼﾞｽﾀの概況について Sicを基板上にＣＮＴ高配向・高密度を形成 日刊工業新聞 細胞の高増殖と長寿命化を確認 2004/4/28 佐野正人 山形大 日経ﾅﾉﾃｸﾉﾛｼﾞｰ ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞを「めっき」する技術を発見 33 2004/8/19 末永和知 産総研（評） 常陽新聞 炭素分子構造の変形を直接観察 34 2004/8/19 末永和知 産総研（評） 日経産業 「配列」「乱れ」観察 35 2004/8/19 末永和知 産総研（評） 日刊工業 CNTの構造・欠陥 原子ﾚﾍﾞﾙで直接観察 新 聞・テレビ No 掲載予定日 発表者 所属 掲載先 題名 36 2004/8/20 末永和知 産総研（評） 化学工業日報 炭素分子構造の変形を直接観察 37 2004/8/20 中嶋直敏 中嶋研 日刊工業新聞 フラーレン内包のCNTでらせん状微小構造体を作製 日経マイクロデバイス、産経 日経、日経産業、日刊工 フジサンケイビジネスアイ、 電波、電気、時事通信など Website: Infoworld 雑誌、 IT World 雑誌、 IDG Website Singapore カーボンナノチューブを用いた電子ﾃﾞﾊﾞｲｽの実現に 大きく貢献する位置および直径制御技術を開発 日経産業 カーボンナノチューブトランジスタの可能性 38 2004/9/3 落合幸徳 ＮＥＣ（電） 39 2004/9/14 馬場寿夫 ＮＥＣ（電） 40 2004/10/20 久保佳実 ＮＥＣ（化） 日経、日刊工業 燃料電池一体型ノートパソコンを開発 41 2004/11/19 畠賢治 日経、朝日、日経産業、 化学工業、日刊工業、読売 画期的な単層カーボンナノチューブ合成技術を開発 42 2004/11/29 楠美智子 ＪＦＣＣ 日経産業 炭化ｹｲ素からｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ形成 43 2005/2/19 中嶋直敏 中嶋研 日経ﾅﾉﾃｸﾉﾛｼﾞｰｳｪﾌﾞ新聞 可溶化ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞがもつﾎﾟﾃﾝｼｬﾙ 44 2005/3/15 粟野祐二 富士通 日刊工業新聞 カーボンナノチューブ密度を定量測定 45 2005/6/8 二瓶瑞久 富士通 日刊工業新聞 多層ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの内装伝導を利用した低抵抗配線ﾋﾞｱを実現 産総研（量） 46 2005/9/20 畠賢治 産総研 化学工業日報 日刊工業新聞 高密度キャパした電極に利用 −世界最長CNT開発へ − 47 2005/12/2 ＮＥＣ 日本経済新聞 高純度ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞの量産技術確立とｻﾝﾌﾟﾙ提供開始 48 2005/12/5 富士通 日刊工業新聞 日経産業 LSI放熱にはじめて活用