汎用小信号半導体

半導体カタログ 2015-4
汎用小信号半導体
SEMICONDUCTOR
&
STORAGE PRODUCTS
http://toshiba.semicon-storage.com/jp/
東芝の小信号半導体
最先端のプロセス技術とパッケージング技術で、お客さまのセットの高機能化・省電力化を進め、
システムの更なる進化に貢献します。
ＬＤＯレギュレータ
ロードスイッチIC
（ロードロップアウトレギュレータ）
超低オン抵抗で各種保護機能内蔵の
超低損失、低電圧出力可能な
ワンチップスイッチ・ソリューション
500 mA出力タイプを追加
WCSP4
SDFN4
WCSP6B
ESV
(SOT-553)
10、11ページ
6、7ページ
MOSFET
パワーマルチプレクサ
保護機能付きで高性能な、
超低オン抵抗+超小型パッケージで電子機器の
電源の切り替え用IC
低損失化をサポート
WCSP9
WCSP16C
UDFN6B
(SOT-1220)
8、9ページ
–2–
SOT-23F
12、13ページ
ESD保護用ダイオード
車載用途向けMOSFET
高速インタフェース対応の低容量タイプに、
車載用リレーおよびLED駆動用をラインアップ
動作抵抗低減タイプを追加、さらに保護性能をアップ
SL2
DFN5
UFM
14、15ページ
車載インタフェース用
ESD保護用ダイオード
車載用CAN/LINのESD保護用ダイオードを
ラインアップ
USC
(SOD-323)
USM
(SOT-323)
SOT-23F
18、19ページ
モバイル機器
アプリケーション例
4ページ
車載機器
アプリケーション例
5ページ
車載向けAEC-Q100/101
適合製品情報
20ページ
Webシミュレータの
ご紹介
21ページ
パッケージ情報
22、23ページ
16、17ページ
カタログ掲載製品も含め、多彩な製品ラインアップを当社Webにて紹介しています。
Oディスクリート:
MOSFET、バイポーラトランジスタ、抵抗内蔵型トランジスタ、
ショットキバリアダイオード、ESD保護用ダイオード、スイッチングダイオード
OリニアIC:
ロードスイッチIC、パワーマルチプレクサ、LDOレギュレータ、
オペアンプ、
コンパレータ、磁気センサ
OロジックIC:
CMOSロジックIC、
ワンゲートロジック
(車載用途：AEC-Q100/101適合製品、高温保証対応汎用ロジックIC) 最新情報は当社Webサイトをご覧ください。http://toshiba.semicon-storage.com/
–3–
先進の機能と性能で、あらゆる電子機器の進化を支える、
アプリケーション
モバイル機器
今後も市場の伸張が予測されるスマートフォンやタブレット。これらの機器に搭載される、カメラ・WiFi・NFC/FeliCaTM
などの多機能化によって、バッテリの高容量化が進んでいます。このようなモバイル機器向けに、高性能・高機能なデバ
イスを提案します。
NFC：Near Field Communication 近距離無線通信
※ FeliCaは、
ソニー株式会社の登録商標です。
2系統セレクト 2 A充電回路
2系統セレクト 3 A充電回路
2入力充電回路を、電源制御ICで構成
制御ICで、3 Aまでの電流充電に対応
マイクロUSB
ワイヤレス
給電
INA
マイクロUSB
パワー
マルチ
プレクサ
VOUT
INA
PMIC
パワー
マルチ
プレクサ
VOUT
FLAG
ワイヤレス
給電
INB
TCK32シリーズ
2入力1出力タイプ
INB
PMIC
パワー
マルチ
プレクサ
TCK30シリーズ
1入力1出力タイプ
8、9ページに掲載
8、9ページに掲載
ESD保護回路
大電流充電回路
高速I/F対応、ICをESDから保護
低オン抵抗MOSFETで、3 A以上の電流充電に対応
VBUS
コネクタ
DF2B7SL
USB3.0
コントローラ
D+
DD+
マイクロUSB
PMIC
INA
D-
SSM6J507NU
DF5G7M2N
14、15ページに掲載
12、13ページに掲載
内部電源回路①
内部電源回路②
低電圧動作、各種保護機能を搭載
ノイズ性に優れ、安定した電圧を出力
ロード
スイッチIC
PMIC
LDO
レギュレータ
メモリ
TCR3D/TCR5AM シリーズ
TCK206/7/8G
ロード
スイッチIC
カメラ
PMIC
LDO
レギュレータ
外部メディア
NFC/FeliCaTM
TCR2L シリーズ
TCK104/5G
7、8ページに掲載
10、11ページに掲載
PMIC: Power Management IC
–4–
東芝の汎用小信号半導体
別推奨製品の例
車載機器
自動車の電子制御の高度化により、搭載される半導体の数が増大しています。そのため、高密度実装が要求され、小型
パッケージ品のニーズが高まっています。各種車載アプリケーションに対応し、さらに、車載に必要な信頼性を満足した
小型パッケージ製品群を提供します。
ESD保護回路
LEDコントロール回路
高い保護性能により車載システムの信頼性を向上
LEDの直列駆動に適した60 V耐圧MOSFET
CAN-H
CAN
IC
Vin
CAN
IC
CAN-L
ロードスイッチ用
SSM3K318R
/SSM3K2615R
DF3D18/29FU
MCU
LIN
モータなど
CAN/LIN
Gateway
SSM3K318R
/SSM3K2615R
DF2B18/29FU
16、17ページに掲載
18、19ページに掲載
ドライブ回路
メカリレー/ソレノイド駆動回路
MCUから直接駆動可能な低電圧駆動MOSFET
リレーなどの誘導負荷に強いアクティブクランプ構造を採用
負荷
IGBT
SSM3K337R
/SSM3H137TU
MCU
MCU
負荷
SSM3K2615R
半導体リレー
(Power MOSFET)
18、19ページに掲載
18、19ページに掲載
バッテリセルバランス回路
低オン抵抗特性により、バランス電流の大電流化に対応
セルバランス回路
バッテリ
モニタ
MCU
シグナル
コンディショナ
セルバランス回路
当社Webサイトでも、
バッテリ
モニタ
各種アプリケーション回路を紹介しています。
SSM6N24TU/SSM6N39TU
SSM6P54TU/SSM6P39TU
最新情報は 当社Webサイトをご覧ください。
http://toshiba.semicon-storage.com/
18、19ページに掲載
–5–
ロードスイッチIC
ロードスイッチICは、電源システムの緻密な制御による低消費電力化を目的とした電源用ICです。広範囲な動作電圧、
低オン抵抗を特長とし、さらに、様々な付加機能を搭載しています。省スペース化が必要な携帯機器向けとして、1mm
角クラスの超小型パッケージ品を中心にラインアップしています。
特長
１．
幅広い動作電圧範囲
0.75 Vの低電圧から最大5.5 Vまで、幅広い電源電圧ラインで動
50
作が可能です。
P-ch MOSFET
イメージ特性
２．
低オン抵抗特性
プロセスの微細化と独自の回路技術により、低オン抵抗特性を実
現しています。システムの低損失化に貢献します。
RON (typ.) [m1]
40
30
TCK207G(ロードスイッチIC)
20
３．
付加機能を搭載
ディスクリート素子で構成した場合には回路設計が煩雑となる
様々な機能を搭載しているため、電源回路の設計が容易です。
TCK112G(ロードスイッチIC)
10
0
0.5
1.5
O 付加機能
2.5
3.5
4.5
5.5
V IN (V GS) [V]
O
突入電流抑制機能
O
出力ディスチャージ機能
O
逆流電流防止機能
O
過電流保護機能
O
過熱保護回路
ロードスイッチICの低オン抵抗特性
Q アプリケーション例：電源分配制御回路
Q アプリケーション例：電源供給源選択回路
ロード
スイッチ IC
負荷A
ON/OFF
ロード
スイッチ IC
負荷B
ON/OFF
PMIC
入力
(3.3 V)
入力
(1.8 V)
個別のコントロール制御、および、出力ディスチャージ機能により最適な
シーケンス制御を可能にします。
ON/OFF
ロード
スイッチ IC
ON/OFF
ロード
スイッチ IC
負荷
逆流防止機能により複数の電源を配置可能にします。
４．
超小型パッケージ
WCSPパッケージの採用で、
省スペース化を図れます。
WCSP4
WCSP4C
WCSP6B
WCSP6C
(0.79 × 0.79 mm)
(0.9 × 0.9 mm)
(0.8 × 1.2 mm)
(1.0 × 1.5 mm)
2つの電源系統を切り替えて使用したい場合 パワーマルチプレクサ ...................... P.8∼P.9
さらに、低オン抵抗のロードスイッチ回路を構成する場合 MOSFET ................. P.12∼P.13
–6–
新製品
逆流防止、過熱保護機能付 3 A出力タイプ ロードスイッチIC
TＣK11 シリーズ
Q 電気的特性：超低オン抵抗特性
RON = 8.5 m1 (typ.) @VIN = 1.1 V, IOUT = ‒1.5 A
RON = 8.3 m1 (typ.) @VIN = 5.0 V, IOUT = ‒1.5 A
Q 製品ラインアップ
付加機能
品番
TCK111G
パッケージ
動作電圧
(V)
IOUT
(A)
WCSP6C
1.1∼5.5
3
突入電流
抑制
出力
ディスチャージ
逆流電流防止
−
TCK112G
過電流保護
過熱保護
コントロール
−
Active H
−
Active H
超低電圧0.75 V駆動 逆流防止機能付き 小型ロードスイッチIC
TＣK20 シリーズ
Q 電気的特性：超低オン抵抗特性
RON = 18.4 m1 (typ.) @VIN = 0.75 V, IOUT = ‒1.5 A
RON = 18.1 m1 (typ.) @VIN = 3.3 V, IOUT = ‒1.5 A
Q 製品ラインアップ
付加機能
品番
パッケージ
動作電圧
(V)
IOUT
(A)
突入電流
抑制
出力
ディスチャージ
TCK206G
TCK207G
逆流電流防止
−
WCSP4C
0.75∼3.6
2
TCK208G
過電流保護
過熱保護
コントロール
−
Active H
−
Active H
−
Active L
低消費電流、超小型ロードスイッチIC
TＣK10 シリーズ
Q 電気的特性：低消費電流
IQON = 0.08 +A (typ.) @VIN = 5.0 V (TCK106/7/8G)
IQON = 8 +A (typ.) @VIN = 5.0 V (TCK101/2G)
超低オン抵抗特性
RON = 49 m1 (typ.) @VIN = 5.0 V (TCK106/7/8G)
RON = 50 m1 (typ.) @VIN = 5.0 V (TCK101/2/4/5G)
Q 製品ラインアップ
付加機能
品番
パッケージ
動作電圧
(V)
TCK101G
TCK102G
IOUT
(A)
突入電流
抑制
出力
ディスチャージ
1
WCSP6B
−
1.1∼5.5
過熱保護
コントロール
逆流電流防止
過電流保護
−
−
Active H
−
−
Active H
TCK104G
0.5
−
Active H
TCK105G
0.8
−
Active H
TCK106G
TCK107G
−
WCSP4
1.1∼5.5
1
TCK108G
–7–
−
−
−
Active H
−
−
−
Active H
−
−
−
Active L
パワーマルチプレクサ
パワーマルチプレクサは、モバイル機器向けに、2つの入力電源を切り替えることができるICです。昨今の充電仕様の多
様化に伴い、多入力の充電システムを簡易制御でサポートします。本製品を使用することにより、自動で、あるいは、外部
セレクト信号により、電源供給先を選択することができます。
パワーマルチプレクサ
電源1
PMIC
電源2
特長
１．
電源自動選択機能(オートセレクトモード）
オートセレクトモードでは、
VINAに電圧が入力されるとVINB電圧のアウトプットを止め、VINA電圧を出力します。
TCK321/2Gタイミングチャート
(t:10 ms/div)
VINA C1
(10 V/div)
VINBを選択
(10 V)
VINB C2
(10 V/div)
VINAを選択
(5 V)
VINA
VOUT C3
(10 V/div)
FLAG
(2 V/div)
測定条件:
VINA = 0 ←→ 5 V, VINB = 0 ←→ 10 V
CINA = CINB = 1 +F, CL = 1 +F, RL = 1.5 k1
FLAG = 2 V pull-up, Ta = 25˚C
VINB
C4
tHD
(15 ms)
VOUT
TCK321G
TCK322G
FLAG
tBBM
(15 ms)
VSEL端子, CNT端子はOPEN
入力チャタリング発生時でもtHD/tBBM*
により安定した電圧を供給
FLAG出力により選択している
入力側を判別することができます
(*BBM :Break-Before-Make)
２．
外部入力による電源選択機能(マニュアルセレクトモード)
VSEL端子によりVINA電圧とVINB電圧のどちらを出力するか選択可能。
TCK321/2Gタイミングチャート
(t : 10 ms/div)
VINBを出力 (10 V)
VSEL
(2 V/div)
VINAを出力 (5 V)
測定条件：
VINA = 5 V, VINB= 10 V, VSEL =0 ←→ 2 V
CINA = 1 +F, CINB = 1 +F, CL = 1 +F, RL = 50 1,
CNT = 2 V, FLAG = 2 V pull-up, Ta = 25℃
VINA
VOUT
(5 V/div)
FLAG
(2 V/div)
tBBM
(15 ms)
tBBM
(15 ms)
VINB
VOUT
TCK321G
TCK322G
FLAG
CNT
VSEL
FLAG出力により2つの入力電
圧が適正な範囲にあるか判別
することができます。
小形パッケージで各種保護機能を搭載 ロードスイッチIC ....................................... P.6∼P.7
–8–
新製品
2電源入力系統を自立制御可能な36 V耐圧充電回路用パワーマルチプレクサ
TCK321G/322G/323G
Q 主要特性
Q 特長
デュアル入力/シングル出力
O入力電圧 VIN(max): 36 V
Oオート/マニュアルセレクションモード
O各種保護機能
O
出力電流 IOUT(DC): 2 A
オン抵抗：
RON = 98 m1(typ.)(@VIN = 4.5 V, IOUT = ‒1.0 A)
OUVLO電圧 = 2.9 V、
OVLO電圧 = 12 V/15 V
O
WCSP16Cパッケージ
O
1.9 x 1.9 mm
Q UVLO (Under Voltage Lockout)
Q OVLO (Over Voltage Lockout)
UVLOを下回る電圧が入力された時、製品は出力電圧をオフします。
OVLOを上回る電圧が入力された時、
製品は出力電圧をオフします。
Main : 125 k
Main : 125 k
VIN: 5 V → 20 V
VIN: 5 V → 0 V
VIN
VIN
20 V
5V
VOVLO = 15 V
5V
VUVLO = 2.9 V
VOUT
VOUT
0V
5V
出力オフ
（オープン）
5V
出力オフ
（オープン）
FLAG端子出力 (オートセレクションモード時)
OVLO電圧
品番
VINA
(V)
VINB
(V)
TCK321G
12.0
TCK322G
15.0
TCK323G
15.0
モニタリング端子
アクティブ時の信号レベル
12.0
VINA
Low
15.0
VINA
Low
15.0
VINB
Low
3Aの電流制御が可能なパワーマルチプレクサ
TCK301G/302G/303G/304G/305G
Q 特長
シングル入力 / シングル出力
出力電流 IOUT(DC): 3 A
O各種保護機能
O
WCSP9パッケージ
O
1.5 x 1.5 mm
Q 主要特性
入力電圧 VIN(max): 28 V
オン抵抗 RON = 73 m1(typ.)(@VIN = 4.5 V, IOUT = ‒1.0 A)
OUVLO電圧 = 2.9 V
OOVLO電圧 = 6.5 V/10.5 V/15.5 V
O
電源1
O
品番
OVLO電圧
(V)
VCT制御
FLAG端子出力
(アクティブ時(*)の
信号レベル)
TCK301G
6.6
アクティブ High
Low
TCK302G
10.5
アクティブ High
Low
TCK303G
15.5
アクティブ High
Low
TCK304G
6.6
アクティブ Low
Low
TCK305G
10.5
アクティブ Low
Low
VOUT
VIN
CIN1
TCK301G/302G/303G
VCT
GND
CL
FLAG
PMIC
VOUT
VCT
TCK301G/302G/303G
電源2
CIN2
VIN
GND
FLAG
Pull up
使用例：2電源制御回路(TCK301G/302G/303Gのいずれかを使用)
(*)アクティブ時とは、入力電圧VINがUVLO<VIN<OVLOの状態を指します。
–9–
LDOレギュレータ (ロードロップアウトレギュレータ)
LDOレギュレータ (Low Drop Out regulator) は、小型面実装パッケージの電源用ICです。
一般的な汎用タイプから、低ノイズ、高出力安定性などを要求されるアナログ回路に最適な高性能タイプまでさまざま
な製品をラインアップしています。
特長
1．
低ドロップアウト特性
新世代プロセスを用いることにより、従来プロセスに比べて、
およそ
500
1/2に改善しています。
ドロップアウト電圧 VIN-VOUT (mV)
従来プロセス
2．
高速負荷過渡応答特性
全ての製品で高速負荷応答回路を搭載しています。急峻な出力電
流の変化に対しても安定した電圧を供給します。
3．
低ノイズ特性
小型携帯機器などの高周波製品やアナログ製品に最適です。
4．
パッケージラインアップ
大幅に改善
400
300
新世代プロセス
200
100
汎用タイプから、1.0 x 1.0 mm以下の超小型タイプまで、豊富な
0
ラインアップでスペースの有効活用に貢献します。
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
出力電流 IOUT (mA)
5．
付加機能
新世代プロセスによるドロップアウト電圧特性改善
過電流保護回路や出力ディスチャージ機能のほか、過熱保護回路や
突入電流抑制回路を搭載し、製品と回路を保護します。
製品ラインアップ
TCR5AMシリーズ
NEW
TCR3Dシリーズ
NEW
TCR2Lシリーズ
NEW
TCR2Eシリーズ
500 mA
300 mA
200 mA
200 mA
低入出力電圧
低ドロップアウト
低ノイズ、
高速応答
低ドロップアウト、低ラッシュ電流
低消費電流 (<2 +A)
低ノイズ, 高速応答
TCR3DF
TCR2LF
TCR2EF
SOT-25
(2.8 × 2.9 mm)
SOT-25
(2.8 × 2.9 mm)
SOT-25
(2.8 × 2.9 mm)
TCR5AM
TCR3DM
TCR2LE
TCR2EE
DFN5B
(1.2 × 1.2 mm)
DFN4
(1.0 × 1.0 mm)
SOT-553
(1.6 × 1.6 mm)
SOT-553
(1.6 × 1.6 mm)
TCR2LN
TCR2EN
SDFN4
(0.8 × 0.8 mm)
SDFN4
(0.8 × 0.8 mm)
– 10 –
200
新製品
低電圧入力時における低ドロップアウト特性を実現し、電源使用効率を高める500 mAタイプLDOレギュレータ
TCR5AMシリーズ
Q 特長
Q TCR5AMシリーズ ドロップアウト特性
TCR5AMシリーズは外部バイアス電源電圧端子
(V BAT )を備え、V BAT へ電圧印加することで低ド
2.0
VBATでの消費電流は35 +A(typ.)と低消費電流。
VBAT
1 +F
TCR5AM
入力
VIN
GND
M
se
rie
s
1.5
TC
R
5A
Q 推奨回路
CONTROL
VBAT
2.5 V
3.3 V
VIN
VOUT
外部バイアス電源電圧
（VBAT）
ロップアウトを実現。
最小入力電圧
（V）
出力電圧：0.55 V∼3.6 V
O低ドロップアウト: 0.090 V(typ.)
VOUT = 1.0 V, VBAT = 3.3 V, IOUT = 300 mA
O低消費電流: 35 +A(typ.)
O保護機能内蔵
過電圧保護、過電流保護
過熱保護、低電圧誤動作防止
O
1.0
出力
ou
u
np
e
:I
in
ll
0.5
ea
VOUT
GND
ut
tp
t=
Id
1 +F
IOUT = 300 mA
2.2 +F
0
0
CONTROL
0.5
1
1.5
出力電圧
（V）
リップル圧縮度、
ノイズ特性が優れており、カメラセンサなど高精度な電圧が必要なアプリケーションに最適
TCR3Dシリーズ
Q 主要特性
Q 特長
VOUT: 1.0∼4.5 V(50 mV ステップ)
O
低出力ノイズ電圧: 38 +Vrms(typ.) @2.5 V
O
O
出力電流 IOUT(DC): 300 mA
O
ドロップアウト電圧: 210 mV(typ.) @2.5 V、300 mA
Q ドロップアウト電圧 - 出力電流特性
リップル圧縮度: 70 dB(typ.) @1 kHz、2.5 V
O
Q 推奨回路
VOUT = 2.5 V
ドロップアウト電圧 VIN - VOUT (mV)
300
CIN = 1 +F, COUT = 1 +F
250
CONTROL
200
TCR3D
入力
150
VIN
GND
出力
VOUT
付加機能
100
過電流保護機能
過熱保護機能
O低ラッシュ電流化機能
O出力ディスチャージ機能
O
1 +F
50
1 +F
O
0
0
50
100 150 200 250 300
入力電圧 IOUT (mA)
消費電流が小さく、NFCなど待機時間が長いアプリケーションの省電力化に最適
TCR2Lシリーズ
Q 特長
Q 主要特性
O
低 Iq (ON)：2 +A max (全温度)
O
O
出力電流 IOUT(DC): 200 mA
O
VOUT: 0.8∼3.6 V (50 mV ステップ)
ドロップアウト電圧: 150 mV(typ.) @3.3 V、150 mA
Q 消費電流 - 入力電圧特性
Q 推奨回路
VOUT = 1.8 V
CIN = 0.1 +F, COUT = 0.1 +F
IOUT = 0mA
2.0
消費電流 IB (+A)
CONTROL
1.5
TCR2L
入力
VIN
1.0
0.1 +F
0.5
GND
出力
VOUT
0.1 +F
付加機能
過電流保護機能
出力ディスチャージ機能
O
0
0
1
2
3
4
入力電圧 VIN (V)
5
O
6
– 11 –
MOSFET
東芝では、オン抵抗・耐圧・パッケージなど多彩なシリーズをラインアップしており、様々な用途に最適なMOSFETを選
択可能です。
特長
１．数A∼十数Aの電流に対応した小型パッケージ製品
オン抵抗10 m1(*)からラインアップしており、低オン抵抗化により、大電流動作時の損失を低減し、電源の高効率化に貢献します。
£ 低オン抵抗シリーズ
２．ドレイン耐圧30 V以上の製品を多数ラインアップ
ドレイン耐圧30 V∼60 Vの製品を大幅に拡充。同時に、
低オン抵抗品を多数ラインアップし、耐圧と同時に高い電流ドライブ能力が
求められるアプリケーションでの要求に答えます。
£ 30 V/40 V/60 V耐圧シリーズ
小型化、低オン抵抗化の両立を実現
新製品 NEW
SSM6J507NU
当社 従来品
SSM3J334R
オン抵抗：105 m1
オン抵抗：28 m1
最新のトレンチプロセス技術を採用したことで、
オン抵抗を70%以上低減。
さらに、小型パッケージの採用により、40%以上の小型化を実現しています。
(Pch VDSS = ‒30 V品 当社従来品との比較)
３．高密度実装に対応した超小型パッケージ
1.0 mm x 1.0 mm以下の超小型パッケージに搭載することで実装面積を削減し、機器の小型化に貢献します。
ドライブ回路や通信
ラインの汎用スイッチとして、実装箇所を気にすることなく使用できます。
£ 超小型パッケージシリーズ
保護機能を搭載した電源ON/OFFデバイスを使用したい場合 ロードスイッチIC ... P.6∼P.7
– 12 –
新製品
低オン抵抗、大電流ドライブにおける電源ラインの損失を低減
低オン抵抗シリーズ
Q特長
最新トレンチプロセスを採用し、
オン抵抗を最小で10 m1(*)まで低減しました。小型高許容損失のパッケージに搭載することで、発熱や実装
箇所を気にすることなく配置することが可能です。
*SSM6J511NU：RDS(ON) (max) = 10 m1
（@VGS = 4.5 V）
Q製品ラインアップ
回路構成
品番
パッケージ
VDSS (V)
VGSS (V)
ID (A)
RDS(ON)(max)(m1)
@VGS = –4.5 V
P-ch
SSM6J511NU**
UDFN6B (SOT-1220)
–12
±10
–14
10
P-ch
SSM6J512NU**
UDFN6B (SOT-1220)
–12
±10
–10
19
P-ch
SSM3J338R**
SOT-23F
–12
±10
–6
22
P-ch
SSM6J414TU
UF6
–20
±8
–6
22.5
P-ch
SSM6J216FE
ES6 (SOT-563)
–12
±8
–4.8
32
P-ch
SSM6J771G
WCSP6C
–20
±12
–5
35
**: 開発中につき仕様は暫定となります。
耐圧30 V∼60 Vまでのラインアップを拡充
30 V/40 V/60 V耐圧シリーズ
Q特長
30 V∼60 V耐圧の製品で、低オン抵抗品を多数ラインアップしています。耐圧が高いため、電源ラインやUSBラインなどでの過渡的な電圧
変動を気にすることなく、
低損失のドライブが可能です。
Q製品ラインアップ
パッケージ
VDSS (V)
VGSS (V)
ID (A)
RDS(ON)(max)(m1)
VGS (V)
UFM
60
±20
1.8
580
3.3
SOT-23F
60
±20
2
580
3.3
SOT-23F
60
±20
2.5
145
4.5
CST3B
40
±12
2
228
4.5
ES6 (SOT-563)
40
±12
1.8
208
4.5
SOT-23F
40
±12
2
198
4.5
±20
9
26
4.5
–25/+20
–10
28
–4.5
回路構成
品番
N-ch
SSM3K2615TU**
N-ch
SSM3K2615R
N-ch
SSM3K318R
N-ch
SSM3K59CTB
N-ch
SSM6K217FE
N-ch
SSM3K339R
N-ch
SSM6K504NU
UDFN6B (SOT-1220)
30
P-ch
SSM6J507NU
UDFN6B (SOT-1220)
–30
**: 開発中につき仕様は暫定となります。
1.0 mm x 1.0 mm以下の超小型パッケージへ搭載
超小型パッケージシリーズ
Q特長
t = 0.38 mm
新開発した0.8 mm × 0.6 mmの超小型パッケージCST3Cに搭載することで、実装面積を
0.6
Q製品ラインアップ
回路構成
0.8
小型のため、高密度実装に最適です。
mm
削減し、機器の小型化に貢献します。業界標準のSOT-723パッケージと比べて面積が1/3と
mm
CST3C
品番
パッケージ
VDSS (V)
VGSS (V)
ID (A)
RDS(ON)(max)(m1)
@IVGSI = 4.5 V
20
±10
0.25
1100
N-ch
SSM3K35CTC
CST3C
N-ch
SSM3K72CTC
CST3C
60
±20
0.15
4700
P-ch
SSM3J35CTC**
CST3C
–20
±10
–0.25
1100
**: 開発中につき仕様は暫定となります。
– 13 –
ESD保護用ダイオード
低動作抵抗と超低容量の両立、さらに、低クランプ電圧を組み合わせることにより、高速インタフェース回路を静電気
からしっかりと保護します。また、通信・情報システムの信頼性向上のため、IEC61000-4-2 level4規格をさらに上回
る高い保護性能を持つ製品を開発しました。USB3.0/3.1、HDMI TM 、DisplayPort TMなどの高速インタフェースの
ESD保護に最適です。
※ HDMIは、HDMI Licensing LLC の商標または登録商標です。
※ DisplayPort はVideo Electronics Standards Association の商標または登録商標です。
特長
ESDパルス吸収性能
I[A]
30
新製品
25
従来品
20
15
従来品に対し
ESDの吸収性を向上
(動作抵抗を50%低減)
10
5
0
0
10
20
30
40
50
V[V]
最新ESD保護デバイス(車載デバイスも含む)の特長は下記の通りです。
1. 超低動作抵抗と低容量を両立し、高い保護性能と信号品質を確保します。
ESDパルスを瞬時に吸収し、高速インタフェースのレシーバICを保護します。
2. 低クランプ電圧化によりESDエネルギーを抑制します。
独自のスナップバック技術により、
レシーバICをしっかり保護します。
3. 通信・情報システムの信頼性が向上します。
IEC61000-4-2 Level4規格をさらに上回るESD耐量を提供します。
4. 高密度実装に最適、実装レイアウト設計が容易です。
多彩なパッケージ(シングル∼マルチフロースルー)をラインアップしています。
車載インタフェースCAN/LIN/FlexRayTM向けESD保護デバイス ............ P.16∼P.17
– 14 –
新製品
業界トップクラスの保護性能を実現した新世代プロセス
DF2B5M4SL/DF2B6M4SL：SL2パッケージ
ESDパルスを瞬時に吸収させる動作抵抗を大幅に低減させることで、保護性能が向上しました。さらに、低クランプ化したことにより、
レシー
バICをしっかり保護します。
Q特長: DF2B5M4SL代表
O
業界トップレベルの動作抵抗：RDYN = 0.5 1(typ.)
O
低クランプ電圧：Vclamp = 6 V(typ.) (IEC61000-4-5準拠，
@IPP = 1 A)
O
最高のESDイミュニティレベル：VESD = ≧ ±20 kV (IEC61000-4-2 Level4 準拠）
Q電気的特性
項目
定格電圧
（VRWM）
条件
–
逆方向降伏電圧
（VBR）
IBR = 1 mA
逆電流
（IR）
VRWM 電圧値
DF2B5M4SL
DF2B6M4SL
3.6 V(max)
5.5 V(max)
4.5 V(min)
6 V(min)
100 nA(max)@3.6 V
100 nA(max)@5.5 V
0.5 1
動作抵抗(RDYN)
tp = 100 ns
端子間容量
（Ct）
VR = 0 V、f = 1 MHz
ESD耐量
（VESD）
IEC61000-4-2(接触放電)
0.2 pF(typ.)
≧±20 kV
高速インタフェースに最適な低容量小型マルチ・フロースルータイプ
DF5G7M2N(4in1)：DFN5パッケージ
配線インダクタンスを気にすることなく、
フロースルーレイアウトが可能です。高い信号品質と保護性能を確保します。
Q特長
O
実装レイアウト設計が容易。
Q電気的特性
項目
定格電圧
（VRWM）
DF5G7M2N(4 bit)
条件
–
逆方向降伏電圧
（VBR）
IBR = 1 mA
逆電流
（IR）
VRWM = 5.5 V
5.5 V(max)
6 V(min)
0.5 +A(max)
11
動作抵抗(RDYN)
tp = 100 ns
端子間容量
（Ct）
VR = 0 V、f = 1 MHz
ESD耐量
（VESD）
IEC61000-4-2(接触放電)
0.2 pF(typ.)
≧±12 kV
業界トップクラスの低容量の超小型・薄型パッケージ(0.4 x 0.2 mm)
DF2B5M4CL/DF2B6M4CL：CL2パッケージ
超小型・薄型パッケージでも、
従来と同様の保護性能を確保しています。
Q特長
O
高密度実装に最適。
Q電気的特性
項目
定格電圧
（VRWM）
条件
–
逆方向降伏電圧
（VBR）
IBR = 1 mA
逆電流
（IR）
VRWM 電圧値
DF2B5M4CL
DF2B6M4CL
3.6 V(max)
5.5 V(max)
4.5 V(min)
6 V(min)
100 nA(max)@3.6 V
100 nA(max)@5.5 V
0.4 1
動作抵抗(RDYN)
tp = 100 ns
端子間容量
（Ct）
VR = 0 V、f = 1 MHz
ESD耐量
（VESD）
IEC61000-4-2(接触放電)
0.2 pF(typ.)
– 15 –
≧±20 kV
車載インタフェース用 ESD保護用ダイオード
CAN(*1)/LIN(*2)/FlexRayTMなどのバスラインを代表とする車載インタフェースには、静電気・ノイズに対する信頼性向
上が求められており、ISO10605等のシステムESD試験の導入も進められています。このようなバスラインの静電気
保護には、主に、ESD保護用ダイオードが使用されています。東芝のESD保護ダイオードは、業界トップクラスの低動
作抵抗による高い保護性能で、
トランシーバICを静電気からしっかり保護し、システムの信頼性向上に貢献します。
(*1) CAN：Controller Area Network
(*2) LIN：Local Interconnect Network
※ FlexRayは、
Daimler Chrysler AG の登録商標です。
■ 応用回路例
（CAN/LIN バスライン保護）
CAN-H
CAN
トランシーバ
コネクタ
CAN-L
CAN/LIN
ゲートウェイ
DF3D18FU
DF3D29FU
LIN
トランシーバ
コネクタ
MCU
（制御）
DF2B18FU
DF2B29FU
LINバス
CANバス
ECU1
MCU
（制御）
ECU2
特長
Q業界トップクラスの低動作抵抗による高い保護性能
O
RDYN = 0.8 1(typ.) (DF2B18FU, DF3D18FU)
O
RDYN = 1.1 1(typ.) (DF2B29FU, DF3D29FU)
Q高ESD耐量、高信頼性
O
ISO10605(接触放電) VESD = ±30 kV以上
O
AEC Q101準拠
USC
(SOD-323)
(2.5 x 1.25 x 0.9 mm)
USM
(SOT-323)
(2.0 x 2.1 x 0.9 mm)
Q低容量による幅広いバス規格に対応
O
Ct = 9 pF(typ.)(@VR = 0 V, f = 1 MHz)
O
LIN(10 kbps)∼FlexRayTMバスライン(10 Mbps)対応
O
使用部品の統一に貢献
Q業界標準の小型パッケージ(SOD-323/SOT-323)
情報／通信系向けESD保護用デバイス ......................................................... P.14∼P.15
– 16 –
新製品
車載アプリケーションに最適な小型・高性能ESD保護ダイオード
業界トップクラスの保護性能で車載システムの信頼性向上に貢献します。
DF2B18FU／DF2B29FU (1in1タイプ)
DF3D18FU／DF3D29FU (2in1タイプ)
Q主な用途
車載ネットワーク
（LIN、CAN、FlexRayTM バスライン）
のトランシーバICの保護
Q製品ラインアップ／主要特性
LINバスラインや柔軟なレイアウトに対応する１in1タイプ、
CAN、
FlexRayTMバスラインに最適な小型2in1タイプをラインアップしています。
内部接続
VRWM
(V)
品番
VBR(min∼max)
@IBR = 1 mA
(V)
IR(max)@VRWM
(nA)
Ct @0 V(typ.)
(pF)
RDYN @8-16 A
(typ.)(1)
VESD
@ISO10605(*3)
12
DF2B18FU
16.2∼20.5
100
9
0.8
±30 kV min
24
DF2B29FU
26.0∼32.0
100
9
1.1
±30 kV min
12
DF3D18FU
16.2∼20.5
100
9
0.8
±30 kV min
24
DF3D29FU
26.0∼32.0
100
9
1.1
±30 kV min
(*3) ISO10605準拠
（330 pF/2 k1/10回印加、接触放電）
Q代表特性
（ESD保護動作波形）
（参考データ）
DF2B29FU ISO10605準拠(330 pF/2 k1/接触放電）
+15 kV
–15 kV
Vertical scale = 50 V/div
Horizontal scale = 400 ns/div
Vertical scale = 50 V/div
Horizontal scale = 400 ns/div
– 17 –
車載用途向けMOSFET
メカリレー駆動やLED駆動をはじめとして、様々な車載用途に最適な製品を提供します。
特長
１．
すべての車載向けMOSFETは、AEC-Q101に適合しています。
２．
高耐圧／低電圧駆動
最新のトレンチプロセスを使用し、車載用に対応した40 V、60 V耐圧と低電圧駆動製品を
SOT-89
ラインアップしました。
放熱性能は
そのまままで
実装面積を
64%低減
３．
小型パッケージ
放熱性に優れたSOT-23Fパッケージを採用したことにより、従来のSOT-89パッケージ品
に比べて、放熱性はそのままに実装面積を64%低減しています。
４．
複合機能化
外付け抵抗や保護用ツェナ―ダイオード等の周辺部品を取り込んで、複合化しています。
リレー駆動などの誘電負荷に強い、アクティブクランプ用のツェナーダイオードを内蔵し、
SOT-23F
MOSFETの破壊を回避します。
QMOSFET
Qツェナーダイオード内蔵MOSFET
バッテリ
メカニカル
リレー
バッテリ
メカニカル
リレー
負荷
負荷
VDS
VDS
VGS
VGS
VCC
MCU
VCC
MCU
動作波形
（参考）
動作波形
（参考）
アクティブクランプにより
MOSFETがセルフON
VGS
VGS
MOSFETアバランシェブレークダウン
チップ発熱し破壊に至る
ツェナーがブレークダウン
MOSFETアバランシェ
ブレークダウンなし
VDS
VDS
ID
ID
– 18 –
新製品
低オン抵抗および低電圧駆動可能な60 V耐圧 N-ch MOSFET
<用途>
LEDモジュール
液晶バックライト
など。
SSM3K318R/SSM3K2615R
60 VとLEDの直列駆動に十分な耐圧を持ったN-ch MOSFETです。
大電流の駆動を可能とする低オン抵抗性能を持つSSM3K318Rと、3.3 Vの低電圧駆動を
可能とするSSM3K2615Rの2製品をラインアップしています。
Q特長
SSM3K318R
SSM3K2615R
制御
IC
O
ドレイン・ソース間電圧：60 V
O
AEC-Q101適合
O
小型2.4 x 2.9 mm、高許容損失1W(DC)のSOT-23Fパッケージに搭載
Q製品ラインアップ
特長
VDSS
(V)
VGSS
(V)
ID
(A)
低オン抵抗
60
±20
3.3 V低電圧駆動
60
±20
品番
SSM3K318R
SSM3K2615R
RDS(ON)(max)
Ciss
(pF)
パッケージ
107
235
SOT-23F (2.9 × 2.4 mm)
300
150
SOT-23F (2.9 × 2.4 mm) VGS = 3.3 V
(m1
VGS = 4.0 V
(m1
VGS = 10 V
(m1
2.5
–
145
2
580
440
メカリレー/ソレノイド駆動用アクティブクランプMOSFET
SSM3K337R/SSM3H137TU
リレーなどの誘導負荷に強いアクティブクランプ構造を採用したMOSFETです。
従来品
（TPCP8R01）
に比べオン抵抗を約1/2に低減し、小型で放熱性のよいSOT-23Fパッケージに搭載したSSM3K337Rと、小型かつ
高ESD耐量のSSM3H137TUをラインアップしています。
Q特長
O
ドレイン-ゲート間にツェナ―ダイオードを内蔵。
O
AEC-Q101適合
Q製品ラインアップ
RDS(ON)(max)
VGS = 4.0 V
(m1
VGS = 10 V
(m1
ESD
（実力値）
(kV)(Air)
パッケージ
2
200
150
±23
SOT-23F (2.9 × 2.4 mm)
2
295
240
±30
UFM (2.1 × 2.0 mm)
特長
VDSS
(V)
VGSS
(V)
ID
(A)
SSM3K337R
アクティブクランプ構造
43±5
±20
SSM3H137TU
アクティブクランプ構造
小型、高ESD耐量
36±2
±20
品番
セルバランス用 MOSFET
低オン抵抗シリーズ
電気自動車用リチウムイオン電池の各セル充電量の平滑化を行うセルバランス用MOSFET
セルバランス
です。
Q特長
O
バッテリ
モニタ
低オン抵抗特性により、
セルバランス電流の大電流化に対応
Q製品ラインアップ
構成
VDSS
(V)
VGSS
(V)
ID
(A)
RDS(ON)(max)
SSM6N60TU**
Nch x 2
20
±8
0.8
470 [email protected] V
SSM6N39TU
Nch x 2
20
±20
1.6
247 [email protected] V
SSM6P54TU
Pch x 2
–20
±8
–1.2
555 m1@–1.5 V
SSM3J328R
Pch
–20
±8
–6.0
88.4 m1@–1.5 V
SSM3J332R
Pch
–30
±12
–6.0
144 m1@–1.8 V
SSM3K324R
Nch
30
±12
4.0
109 [email protected] V
SSM3K329R
Nch
30
±12
3.5
109 [email protected] V
品番
パッケージ
セルバランス
UF6
(2.1 × 2.0 mm)
バッテリ
モニタ
SOT-23F
(2.9 × 2.4 mm)
**: 開発中
– 19 –
車載向けAEC-Q100/101適合製品情報
東芝では小信号半導体の車載対応品である、AEC-Q100、AEC-Q101適合製品の拡充を積極的に進めています。
AEC適合製品の最新情報は、当社Webサイトをご覧ください。
汎用ロジックIC AEC-Q100 適合製品
汎用ロジックICは、AEC-Q100 (Grade1) への適合化を進め、動作温度範囲を125℃へ順次拡大していきます。
汎用ロジックIC
シリーズ
CMOS
ロジックIC
VHCシリーズ
品番
74VHC
74VHCT
74VHCV
ワンゲート
ロジックIC
(L-MOS)
TC7SH
VHSシリーズ
TC7SET
TCSZ
SHSシリーズ
FT
FT
FT
パッケージ
動作電圧範囲
(V)
出力電流
(mA)
入力
動作温度範囲
(℃)
TSSOP14B
TSSOP16B
TSSOP20B
(JEDEC準拠)
2.0 ∼ 5.5
±8
CMOS
–40 ∼ 125
4.5 ∼ 5.5
±8
TTL
–40 ∼ 125
1.8 ∼ 5.5
±16
CMOS
–40 ∼ 125
2.0 ∼ 5.5
±8
CMOS
–40 ∼ 125
FU
FU
USV
(SOT-353)
FU
4.5 ∼ 5.5
±8
TTL
–40 ∼ 125
1.8 ∼ 5.5
±24
CMOS
–40 ∼ 125
※ 対応スケジュール：2015年4月から順次対応を開始します。
※ 正式品名、及びAEC-Q100適合品名については、担当営業にお問い合わせください。
小信号ディスクリート半導体 AEC-Q101 適合製品
小信号ディスクリート半導体においては、AEC-Q101適合製品の拡充を進めています。
種類
バイポーラトランジスタ
品番（代表製品）
パッケージ
2SA1162
S-Mini
(SOT-346)
(SC-59)
2SC2712
2SA1586
2SC4116
MOSFET
SSM3K337R
USM
(SOT-323)
(SC-70)
SOT-23F
SSM3K2615R
1SS184
1SS193
1SS226
スイッチングダイオード
1SS301
1SS352
1SS403
S-Mini
(SOT-346)
(SC-59)
USM
(SOT-323)(SC-70)
USC
(SOD-323)
RN1401
RN1402
RN1403
RN1404
RN1406
抵抗内蔵型トランジスタ
(BRT)
RN1407
RN2401
S-Mini
(SOT-346)
(SC-59)
RN2402
RN2404
RN2407
RN2409
– 20 –
Webシミュレータのご紹介
MOSFET、
ロードスイッチＩＣ、LDOレギュレータの回路シミュレーションができるオンラインツールです。
O電圧や温度などさまざまな条件下で、
MOSFETの特性を確認することができます。
OAC/DCコンバータ、
DC/DCコンバータでのスイッチング波形が解析可能です。
OPFC、
フルブリッジ、
フライバック、同期整流型バックコンバータのシミュレーションが可能です。
OロードスイッチICとLDOレギュレータの動作解析が可能です。
※ Web Simulator のご利用にあたっては、
ユーザ登録が必要です。
MOSFET
QInteractive Datasheet ＜デバイス特性シミュレーション＞
任意の条件を指定して、
データシートの特性カーブを確認できます。
シミュレーション可能な特性
ID-VDS 特性／ID-VGS 特性／RDS(ON)-VGS 特性／RDS(ON)-ID 特性／RDS(ON)-Ta 特性／
IDR-VDS 特性／C-VDS 特性／Qg 特性 など。
QInteractive Application Designer ＜回路シミュレーション＞
AC/DCコンバータ、
DC/DCコンバータにおけるMOSFETの回路シミュレーションが行えます。
適用可能な電源トポロジー方式
PFC
（Power Factor Correction：力率改善）
回路
O
フルブリッジ
（Full Bridge）
方式
O
O
フライバック
（Flyback）
方式
バックコンバータ
（Buck Converter）
方式など。
O
ロードスイッチIC／LDOレギュレータ
QInteractive Design Note ＜回路シミュレーション＞
ロードスイッチIC、
または、
LDOレギュレータの回路シミュレーションが可能です。
解析可能なシミュレーション
過渡解析(Transient Analysis)
O
スタートアップ解析
（Startup Analysis）
O
RDS(ON)-VIN特性／RDS(ON)-IOUT特性
O
O
突入電流
（Inrush Current）
など。
– 21 –
パッケージ情報
2ピンパッケージ
SL2
CL2
0.4
USC
(SOD-323)
5
8
MOQ: 10000 pcs
0.9
0.6
0.4
MOQ: 10000 pcs
1.7
1.2
1.2
0
ESC
0.8
1.
65
38
5
MOQ: 10000 pcs
(SOD-523)
1.6
0.4
0.
0.
38
25
0.
0.
MOQ: 10000 pcs
CST2C
8
0.3
0.3
0.3
MOQ: 10000 pcs
0
0.6 .8
0.6 1.0
2 0.6
2
0.3
2
0.1
SOD-923
(SOD-882)
2 0.6
0.3
0.2
0.8
CST2
SC2
5
6
2.
1.
95
0.
MOQ: 10000 pcs
MOQ: 8000 pcs
MOQ: 3000 pcs
3ピンパッケージ
1.2
1.7
1.
2.1
3
3
2.1
2.9
0.7
2.4
MOQ: 3000 pcs
1.6
0.8
0.7
MOQ: 8000 pcs
0
1.6
1.
0.
8
0.5
MOQ: 3000 pcs
S-Mini
SOT-23F
0.9
MOQ: 3000 pcs
0.
UFM
2.0
5
1.2
MOQ: 10000 pcs
1.
2.0
MOQ: 10000 pcs
0.8
SSM
(SOT-416)(SC-75)
(SOT-346)(SC-59)
1.8
1.5
2.9
0.8
1.1
9
(SOT-323)(SC-70)
5
2.5
9
USM
0.6
1.
MOQ: 10000 pcs
1.2
8
0.4
45
5
(SOT-723)(SC-105AA)
0.8 1.2
8
0.3
0.6
0.
35
0.5
1.
0.6 0
35
8
0.3
0.
0.
0.6 8
VESM
CST3B
MOQ: 3000 pcs
1.
CST3
(SOT-883)
CST3C
MOQ: 3000 pcs
4ピンパッケージ
WCSP4
WCSP4C
9 0.79
0.7
4
0.5
0.9
SDFN4
0.9
0.8
0.8
65
48
MOQ: 3000 pcs
8
0.5
0.
0.
0.
5
1.0
1.0
8
0.3
0.5
4
0.
MOQ: 3000 pcs
DFN4
MOQ: 10000 pcs
MOQ: 10000 pcs
5ピンパッケージ
.38
1.2
8
MOQ: 5000 pcs
1.6
MOQ: 4000 pcs
SMV
(SOT-25)(SC-74A)
2.8
1.6
1.1
0.
95
2.9
5
0.5
0
0.
MOQ: 5000 pcs
1.6
MOQ: 3000 pcs
– 22 –
2.0
2.1
1.2
2.0
5
1.7
0.7
0.9
MOQ: 3000 pcs
2.1
65
1.2
UFV
0.
1.2
(SOT-353)(SC-88A)
65
5
7
0.3
USV
(SOT-553)(SC-107BB)
5
0.8
0.
45
1.3
ESV
0.
DFN5B
0.
DFN5
MOQ: 3000 pcs
6ピンパッケージ
WCSP6B
0.8
1.0
1.5
4
0.6
UDFN6
(SOT-1118)
DFN6
5
1.2
1.0
UDFN6B
(SOT-1220)
2.0
2.0
2.0
0.5
5
0.7
(SOT-363)(SC-88)
1.2
5
2.0
2.0
5
1.7
0.9
1.1
MOQ: 3000 pcs
65
2.8
0.
65
2.1
MOQ: 3000 pcs
MOQ: 3000 pcs
8ピンパッケージ
9ピンパッケージ
US8
(SOT-765)
SM8
(SOT-505)
2.3
WCSP9
2.8
2.9
0.7
4
0.5
0.
0.
5
65
5
0.
4.0
MOQ: 3000 pcs
10ピンパッケージ
MOQ: 5000 pcs
16ピンパッケージ
14ピンパッケージ
DFN10
1.5
1.5
1.1
MOQ: 3000 pcs
TSSOP14B
5.0
1.0
2.5
1.6
2.9
0.7
0.
0.
5
2.1
MOQ: 4000 pcs
3.1
0.
65
(SOT-26)(SC-74)
1.2
0.5
2.0
0.
65
SM6
UF6
95
US6
MOQ: 3000 pcs
0.
ES6
1.6
MOQ: 3000 pcs
0.
4
0.
MOQ: 3000 pcs
(SOT-563)(SC-107C)
1.6
MOQ: 3000 pcs
5
0.
MOQ: 3000 pcs
2.0
5
0.7
0.5
4
1.2
WCSP6C
WCSP16
4.4
5
1.6
0.5
TSSOP16B
5.0
1.6
1.2
1.2
5
0.
4
0.6
6.
4
6.
0.
5
4.4
5
0.
65
0.
65
4
MOQ: 3000 pcs
MOQ: 2500 pcs
MOQ: 5000 pcs
20ピンパッケージ
TSSOP20B
6.5
4.4
1.2
0.
65
4
6.
MOQ: 2500 pcs
パッケージ寸法単位：mm
– 23 –
MOQ: 2500 pcs
半導体カタログ
2015-4
汎用小信号半導体
BCJ0109B
製品取り扱い上のお願い
本資料に掲載されているハードウエア、
ソフトウエアおよびシステム
（以下、本製品という）
に関する情報等、本資料の掲載内容は、技術の進歩などによ
り予告なしに変更されることがあります。
当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体・ストレージ製品は一般に誤作動または故障する場合があります。本製品をご使用頂く場合は、本製
品の誤作動や故障により生命・身体・財産が侵害されることのないように、お客様の責任において、お客様のハードウエア・ソフトウエア・システムに必要な安
全設計を行うことをお願いします。なお、設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報
（本資料、仕様書、
データシート、
アプリケーションノート、半
導体信頼性ハンドブックなど）および本製品が使用される機器の取扱説明書、操作説明書などをご確認の上、これに従ってください。また、上記資料
などに記載の製品データ、図、表などに示す技術的な内容、
プログラム、アルゴリズムその他応用回路例などの情報を使用する場合は、お客様の製品単
独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。
本製品は、特別に高い品質・信頼性が要求され、
またはその故障や誤作動が生命・身体に危害を及ぼす恐れ、膨大な財産損害を引き起こす恐れ、
もしくは社
会に深刻な影響を及ぼす恐れのある機器（以下
“特定用途”
という）
に使用されることは意図されていませんし、保証もされていません。特定用途には原
子力関連機器、航空・宇宙機器、医療機器、車載・輸送機器、列車・船舶機器、交通信号機器、燃焼・爆発制御機器、各種安全関連機器、昇降機器、電力機器、
金融関連機器などが含まれますが、本資料に個別に記載する用途は除きます。特定用途に使用された場合には、当社は一切の責任を負いません。なお、
詳細は当社営業窓口までお問い合わせください。
本製品を分解、解析、
リバースエンジニアリング、改造、改変、翻案、複製等しないでください。
本製品を、国内外の法令、規則及び命令により、製造、使用、販売を禁止されている製品に使用することはできません。
本資料に掲載してある技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するためのもので、その使用に際して当社及び第三者の知的財産権その他の権利に対
する保証または実施権の許諾を行うものではありません。
別途、書面による契約またはお客様と当社が合意した仕様書がない限り、当社は、本製品および技術情報に関して、明示的にも黙示的にも一切の保証
（機能動作の保証、商品性の保証、特定目的への合致の保証、情報の正確性の保証、第三者の権利の非侵害保証を含むがこれに限らない。）
をしており
ません。
本製品、または本資料に掲載されている技術情報を、大量破壊兵器の開発等の目的、軍事利用の目的、あるいはその他軍事用途の目的で使用しな
いでください。また、輸出に際しては、
「外国為替及び外国貿易法」、
「米国輸出管理規則」等、適用ある輸出関連法令を遵守し、それらの定めるところによ
り必要な手続を行ってください。
本製品のRoHS適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず当社営業窓口までお問い合わせください。本製品のご使用に際しては、特定の物質
の含有・使用を規制するRoHS指令等、適用ある環境関連法令を十分調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守
しないことにより生じた損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
最新のデータシートやカタログを下記ホームページでも公開しています。
http://toshiba.semicon-storage.com/jp/
【お問い合わせ先】
旧版 BCJ0109A
2015
汎用小信号半導体
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