APP_SM3320A_J

SM3320A
光センサ IC
Application Note
1. 概要
紙幣等の印刷物に複数の波長の光を順次照射し、その反射光または透過光を検出してイメージを得る
システムに SM3320 を使い、受光部を構成する方法を紹介します。
2. SM3320 の特長
SM3320 は、以下の素子を内蔵した光センサ IC です。少ない外付け部品でセンサモジュールを構成す
ることができます。
・ 波長対感度特性が滑らかなフォトダイオード(以下 PD と表記)
・ 蓄積時間制御部を内蔵した電荷蓄積型 IV 変換器
・ 利得を可変できるポストアンプ
・ アナログ出力マルチプレクサ
Postamplifier
Preamplifier
Multiplexer
OUT
Charge Storage type
Variable Gain
VDD
GND
OE
SE
DATA
CLK
A1
Serial Interface
A0
REF
Reference
Voltage
Source
A2
Photodiode
図 1. SM3320 機能ブロック図
SEIKO NPC CORPORATION - 1
SM3320A
3. イメージセンシング
3.1. システム概要
光センサ ( 反射光測定）
LED
紙幣
光センサ ( 透過光測定）
紙搬送機構
図 2. イメージセンシング概要
SM3320 は、図 2 のように光源および光センサならびに紙搬送装置で構成される紙幣認証等のイメー
ジセンシングシステムを構成するために作られた IC です。高インピーダンスの PD とプリアンプが同一
チップに入っている為、ノイズを拾いにくく、クリアな画像を得ることができます。また、シリアルイ
ンターフェースや出力マルチプレクサを内蔵している為、マルチスポットセンサを少ない外付け部品で
構成することができます。
3.2. 検出方法
SM3320 は、広い範囲の波長の光を検出することができます。その反面、SM3320 単体では色(波長)の識
別はできません。そこで、単色の光源で対象物に光を照射し、その反射光や透過光を検出する方法をと
ります。照射する光の波長を変えることにより、各色ごとのイメージデータを得ることができます。
PD分光感度特性
0.6
受光感度[A/W]
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
300
400
500
600
700
800
波長[nm]
900
1000
1100
1200
図 3. 分光特性
SEIKO NPC CORPORATION - 2
SM3320A
光源とセンサを一組にして使うことができます。図 4 では透過光の検出の例を示していますが、図 5
のように LED と同じ側に置くと反射光の検出ができます。また、図 6 のように導光板を使ってエッジラ
イト方式で照射する方法もあります。
light3
light2
light1
light3
light2
light1
light3
light2
light1
light3
light2
light1
LED
紙幣
SM3320
To A/D Converter
図 4. 個別照射(透過光検出)
SM3320
SM3320
LED
LED
SM3320
LED
SM3320
LED
To A/D Converter
light3
light2
light1
light3
light2
light1
light3
light2
light1
light3
light2
light1
紙幣
図 5. 個別照射(反射光検出)
light3
light3
LED エッジライト方式導光板
light2 LED
light2
light1
紙幣
light1
SM3320
To A/D Converter
図 6. エッジライト方式
SEIKO NPC CORPORATION - 3
SM3320A
3.3. 受光モジュール構成
複数のセンサを使う時の制御方法を紹介します。SM3320 の A0,A1,A2 端子を VDD または VSS に接続し、
各 IC に個別のアドレスを与えます。接続される IC のアドレスは全て別個のアドレスでなくてはなりま
せん。1 つのモジュールで最大 8 個まで IC を接続することができます。
OE,SE,DATA,CLK 端子には、CPU から同一の信号を与えます。OUT 端子も全て共通に接続して AD コンバ
ータ(ADC)に接続します。
CPU から SM3320 に指示を与える際に、アドレスデータと設定データを一緒に送り、アドレスの一致し
た IC だけが指示された機能を実行します。
REF
A0
A1
A2
OUT
REF
A0
A1
A2
OUT
REF
A0
A1
A2
OUT
REF
A0
A1
A2
OUT
Address "0"
Address "1"
Address "2"
Address "3"
DATA
OE
CLK
SE
DATA
OE
CLK
SE
DATA
OE
CLK
SE
Address "6"
Address "7"
REF
A0
A1
A2
OUT
REF
A0
A1
A2
OUT
REF
A0
A1
A2
OUT
DATA
OE
CLK
SE
Address "5"
REF
A0
A1
A2
OUT
DATA
OE
CLK
SE
DATA
OE
CLK
SE
DATA
OE
CLK
SE
DATA
OE
CLK
SE
Address "4"
ADC
CPU
図 7. 受光モジュール結線図例
3.4. 制御のしくみ
SM3320 はシリアルインターフェースを使い制御を行います。シリアルインターフェースにより以下の
動作を行います。
① プリアンプ･トランスインピーダンス選択、ポストアンプゲイン設定(レジスタ書込み)
② 選択されたトランスインピーダンス、ゲインデータ読出し(データ読出し)
③ 指定された IC のアナログ信号出力(OUT 端子)
シリアルデータは、R/W ビット、アドレスデータ、設定データ(プリアンプ･トランスインピーダンスお
よびポストアンプゲイン)で構成され、アドレスデータが一致した IC だけが指定された機能を実行します。
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3.5. シリアルデータ構成
3.5.1. トランスインピーダンス･ポストアンプゲイン設定
16 ビット構成です。MSB ファーストで入力します。OE 端子“L”または“OPEN“の時、この構成に
なります。
表1
MSB
LSB
アドレス
don’t
care
0:W アドレス
R/W A2
A1
データ
A0
NC
NC
NC
NC
プリアンプトランス
ポストアンプ
インピーダンス
ゲイン
帰還容量 変換時間
CS1 CS0 TS1 TS0 GS3 GS2 GS1 GS0
帰還容量：プリアンプ電荷蓄積部の蓄積容量のこと
MSB の R/W ビットを“0”にすると、アドレスが一致した IC にトランスインピーダンス、ポストア
ンプゲインが書込まれます。トランスインピーダンスおよびポストアンプゲインの説明は 5 章で行いま
す。
3.5.2. トランスインピーダンス･ゲイン読込
表2
MSB
LSB
アドレス
don’t
care
1:R アドレス
R/W A2
A1
データ
A0
NC
NC
NC
NC
プリアンプトランス
ポストアンプ
インピーダンス
ゲイン
帰還容量 変換時間
CS1 CS0 TS1 TS0 GS3 GS2 GS1 GS0
MSB の R/W ビットを“1”にすると、アドレスが一致した IC に設定されたトランスインピーダンス、
ポストアンプゲインを読取ることができます。
3.5.3. アナログ信号出力
8 ビット構成です。MSB ファーストで入力します。OE 端子“H”の時、この構成になります。
表3
アドレス
１：R
アドレス
０：W
R/W A2
A1
don’t
care
A0
NC
NC
NC
NC
OE 端子を“OPEN”にすると、SM3320 の OUT 端子にはアナログ信号が常時出力となります。これは 1
個の IC だけ単独に使う時の為で、複数の SM3320 をワイヤードオアで使う時には、OE 端子を“OPEN”
にしないでください。
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4. イメージ信号読取
4.1. 読取シーケンス
14us+17us＋変換時間最大値*2　最短約91us
出
力
ゲイン
設定
SIF
光照射
アンプ
波長１　照射
波長１　測定
出
力
ゲイン
設定
波長２　照射
約14us以上
波長３　照射
波長２　測定
IC
出力
出力
出
力
ゲイン
設定
波長３　測定
IC
出力
IC
出力
60、120、240、480us以上
約17us以上
OE
SE
DATA
CLK
CLK　10MHz
CLK　10MHz
IC1 IC2 IC3 IC4 IC5 IC6 IC7 IC8 60us(コード00） 120us(コード01)
設定 設定 設定 設定 設定 設定 設定 設定 240us（コード10) 480us（コード11)
各IC出力命令
OUT
8out
7out
6out
5out
4out
3out
2out
1out
図 8. 読取シーケンス
イメージ信号を読取るシーケンスは以下のようになります。
① 照射する波長に合せたトランスインピーダンス･ポストアンプゲイン設定。(この値は実験等であらか
じめ調べておく必要があります。)
② 光照射、変換時間の最大値の 2 倍以上の時間が必要です。上限はありません。
③ アナログ信号出力命令、SM3320 の出力が安定するまでセトリングタイム 2us 以上待ってから出力さ
れたアナログ信号を AD コンバータで読取る。
④ 光照射 OFF、その後、次の波長の①トランスインピーダンス･ゲイン設定へ移行する。
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4.2. トランスインピーダンス・ゲイン設定
この機能は、光照射の有無に関係なく設定することができます。連続で設定する場合、次の設定まで
の間に 100ns 空けてから設定してください。
OE
"L" or "OPEN"
1740nsMIN
100nsMIN
SE
40nsMIN
DATA
W
A2 A1 A0
don't care
CS1 CS0 TS1 TS0 GS3 GS2 GS1 GS0
140nsMIN
40nsMIN
100nsMIN（ｆｃｋ10MHｚMAX)
100nsMIN
CLK
OUT
OE:"L"
"Hi-Z"
OUT
OE:
OPEN
"Enable"
図 9. トランスインピーダンス･ポストアンプゲイン設定
4.3. トランスインピーダンス・ポストアンプゲイン読込
トランスインピーダンス･ゲインデータの読出しも、設定と同じく光照射の有無に関係なく設定する
ことができます。
OE
"L" or "OPEN"
SE
1740nsMIN
SM3320 DATA端子出力モード
100nsMIN
40nsMIN
DATA
R
A2 A1 A0
40nsMIN
don't care
CS1 CS0 TS1 TS0 GS3 GS2 GS1 GS0
100nsMIN
100nsMIN
CLK
OUT
OE:"L"
"Hi-Z"
OUT
OE:"OPEN"
"Enable"
図 10. トランスインピーダンス･ポストアンプゲイン読込
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4.4. 光測定(電荷蓄積)
光照射から最初の IC の読取までに、変換時間の 2 倍以上の時間を確保する必要があります。変換時
間はトランスインピーダンス設定ビット TS1,TS0 の値により異なります。変換時間は、SM3320 内蔵の
CR 発振器のバラツキ等の影響で幅があります。[00]の時 20us(typ),30us(max)、[01]の時 40us(typ),60us(max)、
[10]の時 80us(typ),120us(max)、[11]の時 160us(typ),240us(max)です。
光照射
読取が終わるまで照射する
変換時間最大値の2倍以上の時間
OE
ｾﾄﾘﾝｸﾞﾀｲﾑ(2us)以上
SE
DATA
A2 A1 A0
don't care
A2 A1 A0
don't care
A2
CLK
OUT
図 11. 光測定(電荷蓄積)
4.5. アナログ信号出力
アナログ信号出力の場合、アドレスを含んだ 8 ビットのデータを送ります。SE 信号の立下りに同期し
て OUT 端子に信号が出力されます。新たなアドレスが送られてきた時、その IC は OUT 端子が High-Z
になり、新しいアドレスに一致した IC の信号が出力されます。OE 端子が“L”になると、全ての IC の
OUT 端子が High-Z になります。
光照射
2000nsMIN
40nsMIN
OE
SE
40nsMIN
900nsMIN
DATA
A2 A1 A0
don't care
A2 A1 A0
don't care
100nsMIN
100nsMIN
CLK
セトリング時間 2us
OUT
1st IC　Signal
2nd　IC　Signal
ディセーブル時間　0.1us
図 12. アナログ信号出力
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5. トランスインピーダンス・ポストアンプゲイン設定方法
5.1. トランスインピーダンス
SM3320 のプリアンプは、図 13 に示す電荷蓄積型の IV 変換器です。図の SW は SM3320 内部で制御
されていて、外から与える必要はありません。TS1,TS0 によって 4 つの内から 1 つを選ぶことができま
す。SW が閉じている時は、アンプ出力は 0V です。SW が開いてからの時間を t とすると、アンプの出
力⊿V は、⊿V=ip*t/C となります。アンプ出力は、光電流 ip および蓄積時間 t に比例し、容量 C に反比
例します。光電流に比例する出力電圧が得られるので、あたかもインピーダンスのように扱うことがで
きるので、Zt=t/C をトランスインピーダンスと呼んでいます。
SW
C
ip
∆V=
-
∆V
+
AGND
ip*t
C
トランスインピーダンス Zt
t
Zt=
C
-Bias
図 13. 電荷蓄積型 IV 変換器
この蓄積時間(Typ)は、変換時間(Typ)から 10us 引いた時間です。トランスインピーダンスは、容量と
変換時間の影響を受けますが、これを上手く打消す構成をとっています。CR 発振器の発振容量と蓄積容
量には同じ構造の容量を用いています。単位容量が大きくなった時は、発振周波数が下がり、蓄積時間
が長くなります。また、単位容量が小さくなった時は、発振周波数が上がり、蓄積時間が短くなります。
発振容量と蓄積時間は比例している為、トランスインピーダンスは、容量のばらつきを打消すことがで
きます。
SM3320 は、サンプルアンドホールド回路を内蔵している為、電荷蓄積中であっても、その前に蓄積
した信号を保持していますので、内部タイミングに関係なく、いつでも信号を得ることができます。内
部タイミングと光照射の同期を取ることができないので、蓄積時間いっぱいに光照射された信号を得る
為には、必要測定時間として変換時間(Max)の 2 倍の時間が必要になります。また、光照射はアナログ信
号読取が終了するまで続けてください。
蓄積
時間
Typ
Max
Typ
0
0
20us
30us
10us
0
1
40us
60us
30us
1
0
80us 120us 70us
1
1
160us 240us 150us
trd：アナログ信号読取時間
TS1
TS0
変換
時間
表 4. トランスインピーダンス
必要測定
光照射
トランスインピーダンス
時間
時間
Min
Min
CS[00]
CS[01]
CS[10]
CS[11]
60us
60us+trd
0.5MΩ
1.0MΩ
2.0MΩ
4.0MΩ
120us
120us+trd
1.5MΩ
3.0MΩ
6.0MΩ
12.0MΩ
240us
240us+trd
3.5MΩ
7.0MΩ
14.0MΩ 28.0MΩ
480us
480us+trd
7.5MΩ
15.0MΩ 30.0MΩ 60.0MΩ
各時間の関係は以下のようになっています。
変換時間(Typ)=蓄積時間+10us
変換時間(Max)=変換時間(Typ)×1.5
必要測定時間＝変換時間(Max)×2
光照射時間＝必要測定時間＋アナログ信号読取時間
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5.2. ポストアンプゲイン
4 ビットのデータでポストアンプのゲインを設定することができます。トランスインピーダンスの刻み
よりも小さな刻みで微調整を行えます。
GS[3:0]
GS3
0
0
0
0
0
0
0
0
設定データ
GS2
GS1
0
0
0
0
0
1
0
1
1
0
1
0
1
1
1
1
GS0
0
1
0
1
0
1
0
1
表 5. ポストアンプゲイン
ゲイン
(倍)
GS3
1.00
1
1.08
1
1.17
1
GS[3:0]
1.27
1
1.38
1
1.50
1
1.63
1
1.78
1
設定データ
GS2
GS1
0
0
0
0
0
1
0
1
1
0
1
0
1
1
1
1
GS0
0
1
0
1
0
1
0
1
ゲイン
(倍)
1.94
2.13
2.33
2.57
2.85
3.17
3.55
4.00
5.3. 設定の基本的な考え方
トランスインピーダンスは、0.5MΩ～60MΩと選べる範囲が広く、刻みは粗くなっています。さらに、
TS1,TS0 の選択は、光照射時間に制限を与えます。
一方、ポストアンプゲインは、1 ステップで約 1.09 倍の近似等比級数となっています。
そこで、感度が大きく変わる、波長や観測方法(透過光、反射光)ごとにトランスインピーダンスを選び、
微調整をポストアンプゲインで変えることを推奨します。
また、照射する光量を変えることでも調整できます。
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5.4. 設定手順
図 14. 設定フローチャート
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5.5. 光電流の推定方法
光電流がどれ位になるかは、実験で求める必要がありますが、既に Si フォトダイオードのディスクリ
ート部品でシステムを構成している場合、フォトダイオードの代わりに SM3320 を使った時に得られる
光電流を大まかではありますが推測することができます。
単位面積あたりの光感度は、フォトダイオードを構成している素材の物性でほぼ決まりますので、同
一の光を照射した時の単位面積あたりの光電流は、ほぼ同等と考えることができます。ディスクリート
部品の受光面積と光電流が分かっていれば、SM3320 の光電流を計算で推測できます。SM3320 の受光面
積は 1mm2 です。
推測例を表 6 に示します。
表 6. 明部分の光電流推測例
光の種類
透過
反射
透過
赤
反射
透過
緑
反射
透過
青
反射
透過
紫外
反射
赤外
SM3320
ディスクリートPD
受光面積 光電流
受光面積 光電流
(uA)
(uA)
(mm2)
(mm2)
1
0.2
0.8
4
1
0.5
2
4
1
0.15
4
0.6
0.65
1
4
2.6
1
0.1
4
0.4
1
0.6
4
2.4
1
0.05
4
0.2
1
4
0.3
1.2
1
4
0.005
0.02
1
4
0.2
0.8
5.6. 設定例
ここで紹介するのは、ディスクリート部品で構成されていた、イメージセンシングシステムに SM3320
を使用する場合の設定例です。
5.6.1. 要求仕様
測定波長数: 5(IR,R,G,B,UV,透過)
センサ数: 8
紙送り速度: 200mm/s
紙送りピッチ: 0.5mm(5 波長測定する間に進む長さ、SM3320 の受光が 0.5mm であるので、見ない部分
を作らない)
1 ラインあたりの測定時間: 2.5ms
SIF クロック周波数: 1MHz(設定 18us/1 波長、信号出力 9us/1 波長)
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5.6.2. 光電流の推定
ディスクリート部品受光面積: 4mm2
表 7. 光電流推定表
光の種類
赤外
赤
緑
青
紫外
透過
透過
透過
透過
透過
ディスクリートPD
受光面積
光電流
(mm2)
(uA)
4
4
4
4
4
受光面積
(mm2)
0.8
0.6
0.4
0.2
0.02
SM3320
光電流
(uA)
1
1
1
1
1
0.2
0.15
0.1
0.05
0.005
5.6.3. ポストアンプのフルレンジの設定(目標値)
電源電圧: 5V にします。
OUT 端子の出力電圧が保障されるのが 0.7*VDD で、基準電圧が 0.1*VDD なので、出力電圧としては
0.7*5-0.1*5=3V になりますので、フルレンジ 3V にします。
5.6.4. ポストアンプゲインの仮選択
中間値の 1.94 倍 GS[3:0] 1000(8Hex)とします。
5.6.5. プリアンプのフルレンジの計算
3÷1.94≒1.546V
プリアンプのフルレンジ 1.546V
5.6.6. トランスインピーダンスの選択
各波長ごとのトランスインピーダンスを計算して、近いものを選択します。TS[1:0]は同じものを使っ
た方が制御が楽なので、できるだけ揃える。UV は、短い時間では無理なので、TS[1:0][11]を選択します。
表 8. トランスインピーダンス選択
目標値
選択値
変換時間
ZT
明電流
ZT
(uA)
計算値(MΩ) TS[1:0] Max(us) CS[1:0] (MΩ)
0.2
7.73 [10]
120 [01]
0.15 10.30666667 [10]
120 [10]
0.1
15.46 [10]
120 [10]
0.05
30.92 [10]
120 [11]
0.005
309.2 [11]
240 [11]
7
14
14
28
60
プリアンプ
フルレンジ
1.4
2.1
1.4
1.4
0.3
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5.6.7. ポストアンプゲインの選択
ポストアンプのフルレンジが、目標値に近くなるようなゲインを選択します。
UV は最大のトランスインピーダンスおよびゲインにしてもフルレンジ 1.2V しか得られませんが、こ
れ以上の電圧が必要な場合は、照射する光パワーを上げる必要があります。
表 9. ポストアンプゲイン選択
光の種類
赤外
赤
緑
青
紫外
透過
透過
透過
透過
透過
プリアンプ
ポストアンプ 必要測
PD
明電流 ZT フルレンジ ゲイン フルレンジ 定時間
0.2
7
1.4 1.94
2.716
240
0.15 14
2.1 1.38
2.898
240
0.1 14
1.4 1.94
2.716
240
0.05 28
1.4 1.94
2.716
240
0.005 60
0.3
4
1.2
480
設定コード
CS TS
GS
0110
1000
1010
0100
1010
1000
1110
1000
1111
1111
5.6.8. 総処理時間の確認
クロックを 1MHz にした場合、トランスインピーダンスおよびゲイン設定に 1 つの IC で 18us 必要に
なります。8 個セットすると 144us、同様にアナログ出力で 9*8=72us 必要です。
表 10. 処理時間チェック
光の種類 CS TS
赤外
赤
緑
青
紫外
透過
透過
透過
透過
透過
0110
1010
1010
1110
1111
GS
1000
0100
1000
1000
1111
フルレンジ 設定時間 測定時間 読取時間
(V)
(us)
(us)
(us)
2.716
144
240
72
2.898
144
240
72
2.716
144
240
72
2.716
144
240
72
1.2
144
480
72
総処理時間
(us)
456
456
456 2520
456
696
目標の 2.5ms を超えてしまいました。
対策としては、もっと短い変換時間にするか、シリアルインターフェースクロック周波数を上げる等
が考えられますが、もっと短い変換時間にするという対策を採ることにします。
IR の変換時間(Max)を 60us とし、ZT を 6MΩポストアンプゲインを 2.33 に設定します。
その修正を入れた結果が表 11 で、処理時間も目標の 2.5ms に収めることができました。
表 11. 再設定結果
光の種類 CS TS
赤外
赤
緑
青
紫外
透過
透過
透過
透過
透過
1001
1010
1010
1110
1111
GS
1010
0100
1000
1000
1111
フルレンジ 設定時間 測定時間 読取時間
(V)
(us)
(us)
(us)
2.796
144
120
72
2.898
144
240
72
2.716
144
240
72
2.716
144
240
72
1.2
144
480
72
総処理時間
(us)
336
456
456 2400
456
696
SEIKO NPC CORPORATION - 14
SM3320A
6. 実装に関する情報
6.1. フットパターン参考例
図 15. フットパターン参考例
SEIKO NPC CORPORATION - 15
SM3320A
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2012.09
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