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論 文 80 Gb/s 光 I/O インタフェース ATM スイッチ MCM の開発 川野 龍介†∗a) 大木 山中 直明† 大木 英司† 岡崎 勝彦† 明† An 80 Gb/s Optical I/O Interface ATM Switch MCM Ryusuke KAWANO†∗a) , Naoaki YAMANAKA† , Eiji OHKI† , Katsuhiko OKAZAKI† , and Akira OHKI† あらまし 本格的なマルチメディア通信の普及のためには，伝送/アクセス系の技術に加えてノード システム の高速・大容量化が必要である．ノード システムの性能は，LSI の技術進展に合わせて向上してきたが，この急 速な技術進展により，LSI インタコネクションがボトルネックとなり，ノード システムの性能を制限しかねない 状況にある．この状況を解決し ，最大限に LSI の能力を引き出す手段としてマルチチップモジュール（ MCM ） 技術がある．この技術により，MCM 内では高速・多並列の信号伝送が実現できる．しかしながら，この MCM に信号の入出力を行おうとする場合，従来の電気 I/O を用いる限り接続距離，ケーブル物理量，伝送速度，フレ キシビリティー，対雑音性などの点でボトルネックを生じる．筆者らは，この配線ボトルネックを解消するため， 直接 MCM に光信号を入出力できる光 I/O インタフェース ATM スイッチ MCM を開発した．このモジュール は，0.25 µm CMOS LSI 技術，40 層セラミック MCM 技術，超多並列光インタコネクション技術及び冷却技術 よりなり，220 × 174 × 15 mm3 の大きさで 80 Gb/s のスイッチスループットを有する．更に，開発した光 I/O インタフェース ATM スイッチ MCM は，ラックにブックシェルフ実装を行い，その基本動作を確認した． キーワード ATM，MCM，光 I/O，並列光インタコネクション，配線ボトルネック スイッチ LSI は ，極めて多数の高速信号の接続を必 1. ま え が き 要とするという性質から LSI 自体の進展にもかかわ 通信の本格的マルチメデ ィア化に伴い，これまでの らず，LSI の実装技術がボトルネックとなってきてい 主流であった音声トラヒックに加えて，けた違いの情 る．具体的には，高速信号のインタコネクション技術 報量を流通させるインフラが必要になると考える．伝 である．つまり電気技術を用いて高速 I/O LSI 間を 送では WDM（ Wave Division Multiplexing ）技術， 接続することは接続距離及び伝送速度の点で非常に難 アクセス系では FTTH という光技術による進展が目 しくなってきており，単位スイッチを拡張していくこ 覚ましい．情報流通のためには，これらに加えて，高 とが制限されている状況にある．このボトルネックを 速・大規模スイッチの開発が必要であり，伝送技術や 解消するため筆者らは ，LSI の I/O から電気コネク アクセス系の技術との整合を考えると，今後，数 Tb/s タ及びケーブルをいっさい使用せず，これまでに実現 以上の高速・大規模スイッチが必要になることも考え された報告のない，直接光でスイッチ信号の入出力が られる [1]．スイッチ性能も他の電子装置と同様に LSI 可能な 80 Gb/s のスイッチスループットを有するマル 技術の進展とともにその 性能を向上させてきた．そ チチップモジュール（ MCM ）技術を用いた光 I/O イ して，数 Tb/s 以上のスイッチシステムのためには数 ンタフェース ATM スイッチ MCM を開発した．開発 百 Gb/s 級の単位スイッチが必要と考える．ところが， した光 I/O インタフェース ATM スイッチ MCM は， † NTT ネットワークサービ スシステム研究所，NTT 通信エネルギー 220 × 174 × 15 mm3 の大きさで 80 Gb/s というスイッ 研究所，武蔵野市 チ容量を有する．本論文では，大容量単位スイッチ実 NTT Network Service Systems Laboratories, NTT Tele- 現の課題，80 Gb/s 光 I/O イン タフェース ATM ス communications Energy Laboratories, 3-9-11 Midori-cho, Musashino-shi, 180–8585 Japan ∗ 現在，NTT エレクトロニクス超高速モジュール事業部，厚木市 イッチ MCM によるそのブレークスルー，80 Gb/s 光 I/O インタフェース ATM スイッチ MCM のラック実 a) E-mail: [email protected] 電子情報通信学会論文誌 B Vol. J83–B No. 4 pp. 471–478 2000 年 4 月 471 電子情報通信学会論文誌 2000/4 Vol. J83–B No. 4 装によるシステム化，基本動作評価結果及び今後の展 望について述べる． 2. 大容量スイッチ実現のためのハード ウェア技術 2. 1 モジュール化のコンセプト 数 Tb/s クラスの大容量スイッチのハード ウェアと いえども，ミクロに見るとスイッチ LSI の接続による 集合体であると考えることができる．したがって，論 理的にはこれらを接続していくことで可能であるが ， 実際には，システムを実現するうえでの技術的難易度 などの観点から，その時点での技術レベルから考えら Fig. 1 図 1 MCM による単位スイッチの構成 Unit switch construction using an MCM technology. れる最適な実現手段を追求することが必要となる．現 時点での LSI 技術，実装技術，光技術の三つのシステ ム構成上のキーとなる技術を考えると，最も小型化・ 高性能化に適するシステムの構成手段は，図 1 に示 すようにその時代の先端 LSI 技術を用いて，高機能集 積し ，更にそのピンネック解消のためその LSI に高速 I/O インタフェースをもたせ，これらの隣接接合には， その高集積化及び LSI I/O 信号の伝送に優れる MCM （ Multi-chip Module ）で構成する形態と考えられる． MCM 化に際しては，どれだけ多くのチップを搭載で きるかという MCM の製造技術の制約と，発熱の集中 という二つの条件から許容できる大きさが決まると考 Fig. 2 図 2 10 Tb/s スイッチの構成例 Example of 10 Tb/s switch construction. えられる．したがって，大容量スイッチはこの MCM を基本単位として接続して構成するのが，最もコンパ クトに実現するのに適した方法と考える．コンパクト のアーキテクチャを用いて 32 波長 WDM インタコネ に実現できることはコストの低減にも有効である． クションと組み合わせれば 10 Tb/s のスイッチシステ 2. 2 スケーラブル 80 Gb/s スイッチ MCM 単位スイッチの小型化を実現するため，40 チップ の LSI をセラ ミック技術を 用いて MCM 化するこ ムを構成することができる． とに よって ，1 枚の MCM で ，ス イッチ スループッ 3. 320 Gb/s 単位スイッチの実現手段 前述の 80 Gb/s スイッチ MCM が 先端の 0.25 µm トとし て 80 Gb/s を実現し ，また スイッチ規模拡大 CMOS によるスイッチ LSI を使用しても 8 個で構成 のた めの 拡 張部まで 含め ると ，ト ータル 160 Gb/s されているように，現状で 320 Gb/s のスイッチ LSI の I/O スループットを有する単位スイッチ [2], [3] が を 1 チップで実現することは，集積度の点，LSI 端子 開発されており，640 Gb/s の OPTIMA（ Optically 数及び発熱の観点から不可能である．したがって，こ Interconnected Distributed Multi-stage Tb/s ATM switching Network Architecture ）システム [4] のキー コンポーネントの一つとなっている．この 80 Gb/s 単 位スイッチを構成する LSI は，拡張性に優れる SDA （ Scalable Distributed Arbitration ）[5] を採用してお の 80 Gb/s の単位スイッチを 4 倍の 320 Gb/s に拡張 り，更なる単位スイッチの拡張が可能である．システ ムの大容量化が急務であり，320 Gb/s の単位スイッチ が実現できれば ，例えば図 2 に示すように OPTIMA 472 することを考えた場合，80 Gb/s 程度が MCM として 集積化するのに妥当な大きさの上限と考えると，これ 以上のスイッチ容量の拡大には MCM 間の接続が必要 になる． 3. 1 従来技術による 320 Gb/s 単位スイッチの実 装上の問題点 高速信号を扱える MCM 基板はセラミック焼成技術 論文／ 80 Gb/s 光 I/O インタフェース ATM スイッチ MCM の開発 であるため，現状の 80 Gb/s のスループットの単位ス 能になると考える．そして，この場合，ボードが分割 イッチを実現する程度の大きさがほぼ限界と考えられ され ，冷却もボード 1 枚ご とに行えば よくなるので ， る．したがって，図 3 に示すように分割数を 16 として， 80 Gb/s スイッチ MCM を 16 枚敷きつめて 320 Gb/s の単位スイッチを実現することになる．MCM 基板内 の LSI 隣接間では，高速多並列信号伝送が可能である が信号が MCM 間を渡るときには，伝送特性上，隣接 パワー及び発熱の集中を回避することができる． そして，更に今後も LSI 技術の進展によりピンネッ ク解消のため LSI I/O 信号の高速化が進むことが予想 され る．したがって，図 5 に示すような LSI の I/O する 80 Gb/s スイッチ MCM 間の数 cm の距離を接続 するのが限界である．したがって，この接続距離が制 約となってしまう．また，MCM は高集積化のゆえに そこにパワーが集中することになる．したがって，16 枚の MCM を搭載するボード は極めて大容量の電力を 扱うことが必要であり，このようなボード の実現は非 常に困難になると考えられる．そこで，図 3 の実装形 態では，前述の接続距離制約による発熱及びパワー集 中の観点から実現するのが困難となる． 3. 2 光接続によるブレークスルー技術 図 4 は ，図 3 で 示し たよ うに 80 Gb/s ス イッチ MCM を 16 枚用いて 320 Gb/s の単位スイッチを 1 枚 のボ ード で実現するのではなく，16 枚のボ ード に分 割して構成する形態を示している．80 Gb/s スイッチ MCM の周囲に光 I/O インタフェースを有していれ ば ，先述の MCM 間接続距離が数 cm という制約をな くすことができるため，図 4 に示す “本棚” のような 形態で 320 Gb/s の単位スイッチを構成することが可 図 3 電気接続による 320 Gb/s 単位スイッチの実現案 Fig. 3 320 Gb/s unit switch construction using electrical interconnection. 図 4 光接続による 320 Gb/s 単位スイッチの構成法 Fig. 4 320 Gb/s unit switch construction using optical interconnection. 図 5 光モジュールを使用した従来方式による MCM への 信号入出力方法 Fig. 5 Optical I/O method using conventional optical interconnection module. 473 電子情報通信学会論文誌 2000/4 Vol. J83–B No. 4 部から電気コネクタ及びボード 内配線を介して光信号 ネル当り 622 Mb/s で動作し ，モジュール当り 40 ch を送受する方式では，ど うしてもプ リント基板上の高 を有しており 20 Gb/s のスループットを実現できる． 速多並列電気配線や電気コネクタをなくすことができ ここでは ，MCM との一体化にあたり小型化・低ス ないので，この部分の信号伝送が高速伝送特性の観点 キュー化を施した専用モジュールを用いた [8], [9]．冷 や配線エリアの観点からボトルネックとなると考えら 却構造は，消費電力の大きい MCM と温度条件の厳 れる．そこで，この電気コネクタ/ボード 内配線をいっ しい光モジュールを一体化するにあたり，MCM 周辺 さい排除することが “光 I/O MCM” のコンセプトで に光モジュールの支持と放熱をかねるメタルフレーム ある． で囲み，メタルフレームごと液冷ジャケットによって 高性能な冷却を実現した．光ファイバは，多心テープ 4. 80 Gb/s 光 I/O インタフェース ATM スイッチ MCM ファイバを用いて 10 mm 程度の幅で 20 Gb/s の信号 4. 1 要素技術の概要 光モジュールはコネクタによって接続され，挿抜が可 前述のコンセプトに基づき開発した 80 Gb/s 光 I/O 能である． 伝送が可能である．また，このテープファイバとこの イン タフェー ス ATM ス イッチ MCM を 図 6 に 示 4. 2 要素技術の詳細 す．光 I/O 部が MCM と一体化されており，LSI から 図 6 に示した 80 Gb/s ATM コアスイッチ部は 40 いっさいの電気コネクタ/ケーブルによる接続を用い 層のセラミック MCM 技術（ MCM-C ）によって実現 ずに MCM 間の光による直接接続を可能にした．光 している．中央の 8 個の LSI がスイッチ機能部であり， I/O インタフェース ATM スイッチ MCM は大きく分 0.25 µm CMOS 技術で実現している．周囲の LSI は入 出力インタフェース LSI である [2]．超多並列光インタ コネクション部は，わずか幅 39 mm で 20 Gb/s 分の 信号スループットを有する．レーザ素子には VCSEL けて， （ 1 ）80 Gb/s ATM コアスイッチブ ロック， （ 2） 超多並列 イン タコネクション モジュール（ ParaBIT （ Parallel inter-Board optical Interconnection Tech- nology ）[6] ） （ ， 3 ）冷却構造の三つの部分より構成され る．80 Gb/s コア ATM スイッチブロックは，40 層の （ Vertical Cavity Surface Emitting Laser ）アレーが セラミック基板上に 0.25 µm CMOS スイッチ LSI [7] を省略した固定レベルしきい値方式であり，回路の簡 及び Si バイポーラインタフェース LSI を搭載してい 素化・省電力化を行っている．また，MCM セラミッ る．超多並列インタコネクションモジュールは，チャ ク基板のパッド 間隔と同一の 150 µm というファイン 用いられている．また，受信側回路は DEMUX 回路 ピッチで超多並列光インタコネクションモジュール部 のパッド も形成している．図 7 は，超多並列光インタ コネクションモジュールと MCM 基板との接合断面図 である．両者は，冷却構造をかねたフレームを支持台 として固定され，信号接続はワイヤボンデ ィングを用 いて行っている．図 8 は，80 Gb/s ATM コアスイッチ 図 6 開発し た 80 Gb/s 光 I/O インタフェース ATM ス イッチ MCM Fig. 6 80 Gb/s optical I/O interface ATM switch MCM. 474 図 7 光モジュールと MCM 基板との接合断面図 Fig. 7 Cross section of the MCM. 論文／ 80 Gb/s 光 I/O インタフェース ATM スイッチ MCM の開発 部と光 I/O 部である超多並列光インタコネクションモ を伸ばすことによって，超多並列信号伝送の場合はス ジュールの信号接続方法を図示したものである．物理 キューが問題となる．ここでは，並列光インタコネク 的には，両者はワイヤボンディングによって接続され， ションモジュールは，レーザの発振遅延の抑制，チャ 1 リンク 10 Gb/s 分のデータは，クロック及びフレー ムを並走させる方式で 622 Mb/s の物理速度で 16 本に ネル間のパワーばらつきの抑制が施されている．また， 展開することで伝送している． ここで，クロックの並 幅 5 ps 以下の低スキューのものを用いた [8]．また，超 走にあたっては，クロックの周波数はデータの 2 倍で 多並列光インタコネクションモジュールから MCM へ あることから，送信側で 1/2 速度に低減し，受信側で 入った信号は，入力インタフェース LSI からスイッチ LSI 及び出力インタフェース LSI までパイプライン処 2 逓倍する方式を採用している．光によって接続距離 接続に用いた多心テープファイバは 10 m でスキュー 理を行っている．これらのタイミングはすべて配線の 等長設計によって実現している．冷却には，図 9 に示 すような図 6 で示したモジュールのフレームごと高性 能に冷却する液冷ジャケット用いている．冷却装置の 冷却能力は熱抵抗で 0.082◦ C/W と光モジュール部の 温度が最大でも 45◦ C 以下に押さえられる設計となっ ている． 5. システム化 80 Gb/s 光 I/O インタフェース ATM スイッチ MCM を用いて，これらがブックシェルフ形態で実装可能な システムラックも開発した．図 10 は側板を取り去り， ラックを横から見た写真である．システムラックは， 主に電源系，冷却系，制御系，MCM 搭載ボード から 構成される．MCM 搭載ボードは，FR4 基板を用いて， 高速信号以外の制御信号及び電源を専用コネクタ [10] 図 8 光 I/O 部と 80 Gb/s ATM コアスイッチ部との電気 接続の構成 Fig. 8 Detail interconnection method between the optical I/O part and the AMM switch MCM. 図 9 高性能液冷ジャケット Fig. 9 Liquid cooling jacket. 図 10 ラックに実装された 80 Gb/s 光 I/O インタフェー ス ATM スイッチ MCM Fig. 10 80 Gb/s optical I/O interface ATM switch MCM mounted on the rack. 475 電子情報通信学会論文誌 2000/4 Vol. J83–B No. 4 Fig. 12 Fig. 11 図 12 電気・光信号変換装置 Electrical signal to optical signal converter. 図 11 MCM 搭載ボード の拡大写真 Enlargement of the mother-board of the MCM. を通し て MCM へ供給する．また，冷却系は ，液冷 ジャケットによる冷却を使用し ており，熱交換部は ， システムラックから離れたところにあるため，体積が ラック内でかさば ることがなく，液冷ジャケットの厚 みも 7 mm であるため，ボード は隣接して配置するこ とが可能となる [11]．また，スイッチの制御は，MCM 搭載ボード 上に設けた制御用サブボード を介して PC と接続されており，これによりスイッチの制御を行う． 図 11 は MCM 搭載ボード 部の拡大写真である． 6. 評 価 結 果 図 13 1 リンク 10 Gb/s 分の出力波形の一部 Fig. 13 Output waveform of the MCM. 上記に述べたプロトタイプシステムは，すべての回 線信号が光であるため，従来の電気の信号発生器や測 定器が使用できないため，入出力信号を図 12 に示す 装置を用いてすべて光信号に変換して測定を行った． 開発した 80 Gb/s 光 I/O インタフェース ATM スイッ いないが，正しく出力していることを確認した． 7. 今後の光 I/O MCM の展望 冒頭にも述べたように，LSI の急速な技術進展を大 チ MCM の 1 リンクに 10 Gb/s の光 ATM セルを入 容量スループット実現のためのキー技術として最大限 力し ，出力ポートより，10 Gb/s 分の光 ATM セルが にその能力を引き出すためには，ある程度の大きさま ルーチングの後，出力され ることを確認した．図 13 で MCM 化を行うことが有利であると考える．しか は，上段より，クロック，フレーム及び 10 Gb/s の 1 リ しながら，MCM 内部に機能が集約することにより， ンクを構成する 622 Mb/s の 16 本分のデータのうち 6 MCM からの信号入出力スループットは極めて大きく 本の信号のみを示している．残りの 10 本の 622 Mb/s なり，これを取り扱うことが 可能な MCM の高速信 のデータは，測定器の同時表示限界でここではのせて 号 I/O 部の実装技術が非常に重要になる．高速大容 476 論文／ 80 Gb/s 光 I/O インタフェース ATM スイッチ MCM の開発 量の MCM の I/O インタフェースを実現するために [4] E. Oki, and T. WDM interconnection,” Proc. ISS ’97, pp.255–260, 難になることが予想される．したがって，ここで述べ 1997. [5] E. Oki and N. Yamanaka, “A high-speed ATM switch based on scalable distributed arbitration,” IEICE 気コネクタ及び電気ケーブルを排除した接続のフレキ Trans. Commun., vol.E80-B, no.9, pp.1372–1376, シビリティーに富む光 I/O MCM によるスイッチ拡張 がますます期待される．近年，多並列光インタコネク S. Yasukawa, tem architecture: Based on highly statistical optical 要があり，I/O 速度が 600 MHz を超えると急激に困 たように，LSI の I/O 部分からの接続にいっさいの電 N. Yamanaka, Kawamura, “OPTIMA: TB/S ATM switching sys- は，狭ピッチで高速の超多並列信号伝送を実現する必 1997. [6] K. Katsura, M. Usui, N. Sato, A. Ohki, N. Tanaka, ション技術もチャネル当りのスピード を上げてきてお N. Matsuura, T. Kagawa, K. Tateno, M. Hikita, り，1.2 Gb/s 以上のものも報告 [12] されている．この R. Yoshimura, and Y. Ando, “Packaging for a 40-channel parallel optical interconnection module ような，チャネル当りの速度の向上には，進展を続け with over-25-Gb/s throughput,” Proc. 48th ECTC, る LSI 技術に負うところが大きい．また，LSI 技術は 微細化の進展によって，1 チップで実現できる機能も pp.755–761, 1998. [7] (1.25Gb/s × 8) 4 × 2 CMOS/SIMOX ATM switch,” 飛躍的な進展を続けている．そこで，LSI チップ I/O ISSCC Digest of Technical Papers, TA 9.6, pp.170– 部周囲に，多並列伝送の問題の一つであるスキュー補 正機能を小さく作り込むなども可能と考える．このよ 172, 1999. [8] [9] 張の限界を打破するキー技術として今後重要になって す び [10] [11] 信学総大，B-6-55, 1999. 岡崎勝彦，海津勝美，杉浦伸明，“高速伝送・大電流給電 岡崎勝彦，山中直明，原田昭男，佐々木伸一，“80-Gbit/s ATM スイッチ MCM 用液冷システム， ” 1999 信学全大， て，0.25 µm CMOS LSI 技術，多層セラミック MCM 技術，40 ch 622 Mb/s の超多並列光インタコネクショ 川野龍介， 山中直明， 大木 明， 碓氷光男， 佐藤信夫， ” 信学技報，EMD97-84, pp.17–22, 用 MCM コネクタ， 1998. 320 Gb/s 以上への単位スイッチ拡張に対してのボ トルネックとそれを解消するブレークスルー技術とし 浩輔， 松浦伸昭，桂 浩輔，安東泰博，“80 Gb/s 光 I/O インタ フェース MCM ATM スイッチモジュールの開発， ” 1999 いくと考える． 8. む 大木 明，碓氷光男，佐藤信夫，松浦伸昭，桂 川野龍介，山中直明，安東泰博，“80 Gb/s-MCM 搭載用 ParaBIT の開発， ” 1999 信学総大，SC-5-7, 1999. うに LSI 技術の進展も取り込みながら，光 I/O MCM 技術は電気インタコネクションによる単位スイッチ拡 E. Oki, N. Yamanaka, and Y. Ohtomo, “A 10 Gb/s B-6-56, 1999. [12] H. Karstensen et al., “Parallel Optical Link ン技術及びモジュール冷却技術によって 80 Gb/s のス (PAROLI) for multichannel gigabit rate interconnec- イッチスループットを有する光 I/O インタフェース tions,” Proc. 48th ECTC, pp.747–754, 1998. ATM スイッチ MCM を開発した．更に，これらをブッ （ 平成 11 年 5 月 21 日受付，9 月 29 日再受付） クシェルフ形態で実装することによりシステム化を行 い，その基本動作を確認した．LSI 技術の今後の更な る進展を生かす技術として，光 I/O MCM が今後のス イッチ大容量化のなかで重要な技術となると考える． 文 [1] 献 光テクノロジーロード マップ情報通信分野，デバイスおよ び基盤材料技術ワークショップ講演資料（ 光産業技術振興 協会主催） ，Dec. 19, 1997. [2] E. Oki, N. Yamanaka, S. Yasukawa, R. Kawano, and 龍介 （ 正員） 昭 62 阪府大・工・電子卒．平 1 同大大学 院博士前期課程了．同年日本電信電話（ 株） 入社．以来，超高速デ ィジタル回路設計に 関する研究開発及び超高速 ATM ノード シ ステムの研究開発に従事．現在，NTT ネッ cal WDM technologies for 640-Gbit/s ATM switching トワークサービスシステム研究所研究主任． 第 8 回マイクロエレクトロニクスシンポジウム最優秀論文賞受 system,” Proc. IEEE ICC, 20B.1, June 1999. 賞．IEEE ，IMAPS ，JIEP 各会員． K. Okazaki, “Merging advanced electronic and opti- [3] 川野 K. Okazaki, N. Sugiura, A. Harada, N. Yamanaka, and E. Oki, “80-Gbit/s MCM-C technologies for high-speed ATM switching systems,” IMAPS, Proc. International Conference on High-Density Packaging and MCMs ’99, pp.284–288, 1999. 477 電子情報通信学会論文誌 2000/4 Vol. J83–B No. 4 山中 直明 （ 正員） 昭 56 慶大・理工・計測卒．昭 58 同大大 学院修士課程了．同年日本電信電話公社 （ 現，日本電信電話（ 株 ））武蔵野電気通 信研究所入所．以来，将来の Broardband ISDN，高速・広帯域交換方式の研究開発， ATM 網におけるトラヒックマネージ メン トに関する研究，超高速 ATM ノード シ ステムの研究開発に 従事．現在，NTT ネットワークサービ ス研究所グループ リー ダ・主幹研究員．工博．平 2，6，11 IEEE ECTC 40th, IEEE ECTC 44th 及び IEEE ECTC 49th Best Paper Award， 平 7 IEEE CPMT Part・B The Best Transaction Paper Award，平 7 電気通信普及財団テレコムシステム技術賞，平 10 マイクロエレクトニクスシンポジウム最優秀論文賞，平 11 1998 IEMT/IMT Best Paper Award，平 11 本会論文賞受 賞．IEEE Communication Serveys Broard Band Network Area Editor ，本会英文誌エデ ィタ．IEEE シニア メンバ． 大木 英司 （ 正員） 平 3 慶大理工・計測卒．平 5 同大大学院 修士課程了．同年日本電信電話（ 株）入社． 以来，ATM ネットワークアーキテクチャ， トラヒック制御法，超高速スイッチに関す る研究に従事．現在，NTT ネットワーク サービ スシステム研究所研究主任．工博． 平 10 本会交換シ ステム研究賞，平 11 同論文賞受賞．IEEE 会員． 岡崎 勝彦 （ 正員） 平 5 電通大・電気通信・電子物性卒．平 7 同大大学院同研究科同専攻博士前期課程了． 同年日本電信電話（ 株）入社．以来，通信 装置における高速・高密度実装技術の研究 に従事．現在，NTT ネットワークサービ スシステム研究所勤務．IMAPS ，JIEP 各 会員． 大木 明 （ 正員） 昭 59 名大・理・物理卒．昭 61 同大大学 院工学研究科博士前期課程了．同年日本電 信電話（ 株）入社．以来，化合物半導体の 結晶成長，青緑色 LD 子の開発及び並列光 インタコネクションモジュールの開発に従 事．現在，NTT 通信エネルギー研究所主 任研究員．応用物理学会員． 478