ガラスインターポーザ - シリコンセンシングシステムズジャパン

■ ガラスインターポーザ ■
シリコンセンシングシステムズのガラスインターポーザ（GIP）は、
車載用ジャイロセンサＣＲＧ20のプロセス（ウエハレベルパッケージ）の
実績より、高い信頼性及び高価な貫通電極付基板を使用せずに
ブラスト加工で形成し、安価でお客様に提供いたします。
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CRG20構造
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ＧＩＰ構造部分
ジャイロセンサ
ＣＲＧ２０
Upper Glass
Silicon Ring
Lower Glass
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ファインピッチタイプ
ガラス厚
300um
廉価タイプ
300um-1000um
ピッチ
Min 150um
Min 300um
最小径
Φ100um
Φ300um
Ｖｉａ抵抗
ウエハサイズ
構造図
1Ω/Via未満
1Ω/Via未満
※メタライズ膜厚により変わります。
※メタライズ膜厚により変わります。
4～6インチ
4～6インチ
（両面加工）
（片面加工）
■■■■■■■■ TSVとGIPのプロセス比較 ■■■■■■■■
ＴＳＶ プロセス
①シリコン穴開け加工 (Deep RIE)
②基板絶縁化 (熱酸化 or CVD)
③シード層形成 (スパッタ)
④メッキ埋め込み (メッキ)
⑤メッキ金属研磨 (CMP)
ガラスインターポーザ プロセス
①表面ガラス穴開け加工 (ブラスト加工)
②裏面ガラス穴開け加工 (ブラスト加工)
③表面電極形成 (成膜)
④裏面電極形成 (成膜)
⑤両面電極パターニング (ウエットエッチング)
⑥表面電極形成 (成膜)
ガラスインターポーザのメリット
⑦表面電極パターニング (エッチング)
★安価なブラストにて加工
★Deep RIE、メッキ、研磨
などの高額なプロセスが不要
⑧裏面電極形成 (成膜)
コスト削減 (TSVの１/３)
⑨裏面電極パターニング (エッチング)
プロセスの簡素化を実現
歩留まり向上
（お問い合わせ先）
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