関 係 各 位 広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所 副所長 ナノ

関 係 各 位
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所 副所長
ナノテクノロジー・ネットワーク責任者
横山 新
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
ナノテクノロジー・ネットワーク広島大学主任 福山 正隆
山口大学産学公連携・イノベーション推進機構
ナノテクノロジー・ネットワーク山口大学主任 山本 節夫
平成 21 年度ナノテクノロジー・ネットワーク
「シリコンナノ加工と高品質真空利用技術に関する支援」
による共同研究･装置利用･技術代行の公募について
ごあいさつ
広島大学では、これまで第一期のナノテクノロジー総合支援を、平成 14 年度から 18 年度の 5 年間実施してきまし
た。これまでに、企業、大学、財団等、約 100 件の支援を実施し、その成果の中には、ものづくり大賞奨励賞受賞に
繋がったもの、学会賞を受賞したものなどがあり、日本のナノテクノロジーの発展に少なからず貢献できたものと自
負しております。
平成 19 年度からは、高品質真空利用技術において実績のある山口大学と共同で、第 2 期ナノテク支援を実施する事
になりました。広島大学では主にシリコン系に関する支援、山口大学では非シリコン系に関する支援を実施致します。
今後とも、是非本支援プロジェクトをご利用いただき、日本のナノテクノロジー発展に貢献できれば幸いと存じます。
下記の通り公募いたしますので、貴機関の関連研究者に周知くださるようお願いします。なお、ホームページ
(http://home.hiroshima-u.ac.jp/nanotech/) には本要項記載の内容及び申請書式が掲載されておりますので、ダウ
ンロードしてご利用ください。
概要
文部科学省のナノテクノロジー・ネットワークプロジェクトの一環として、広島大学（ナノデバイス・バイオ融合
科学研究所・先端物質科学研究科）と山口大学（産学公連携・イノベーション推進機構）の連携で、超微細構造形成
のための支援を行います。
広島大学では、研究所の保有する、電子ビーム露光装置を用いたゲート長数十 nm の超微細トランジスタの設計・製
作技術を支援に活用すると共に、ナノ構造形成プロセスおよびそれを利用した超微細デバイスに関する技術相談(随時
受付)にも応じます。支援内容は、(1)ナノ構造加工プロセス設計、(2)薄膜形成・不純物導入、(3)ナノ構造パターン
設計、および(4)シリコンナノドット関連の支援を行います。
山口大学では、高品質真空利用技術を主な支援対象とし、クリーンルーム等に設置された電子線描画装置、マスク
アライナ、イオンビームエッチング装置などの一連の微細加工装置一式を支援に利用します。ここの設備では、主に
非シリコン系材料、すなわち超伝導材料、誘電体材料、磁性体材料などを支援対象としています。これに加えて、教
員が個々に管理している新方式のスパッタ装置など、高品質で高清浄な真空環境のもとで高品質な多層薄膜材料の作
成とデバイス試作のための微細加工を可能にする装置類、さらに高品質な真空環境を実現するための真空材料の開発
や真空コンポーネントの開発に必要な超高感度ガス放出速度測定装置なども支援に利用します。
広島大学、山口大学いずれも、(A) 共同研究、(B) 装置利用、および（C）技術代行の支援を行います。
利用できる装置につきましては、添付の装置リストまたは上記ホームページをご覧ください。
山口大学の支援の詳細につきましては、ホームページ（http://www.nanotech.sangaku.yamaguchi-u.ac.jp/）をご
参照ください。
記
1．公 募 事 項
（A）共同研究
(平成 21 年 4 月-平成 22 年 3 月分)
（B）装置利用
(平成 21 年 4 月-平成 22 年 3 月分)
（C）技術代行
(平成 21 年 4 月-平成 22 年 3 月分)
希望される方は、添付「ナノテクネットワーク支援申込書」を用いてお申し込み下さい。
2．申 込 資 格： 産学官のナノテクノロジー関連研究者（国立大学法人・公・私立大学及び国立法人・公立
研究等の研究機関の研究者、民間企業の研究者、大学院博士課程在学中の学生も含む）
。
3．申 込 方 法： 申込書は 1 部同封してありますが、インターネット上でダウンロードすることも可能で
す（PDF 版、Word 版）
。(http://home.hiroshima-u.ac.jp/nanotech/)
4．申 込 期 間： 随時受け付けます。
5．採
択： 採否は、本支援プロジェクト実行委員会において決定します。
6．採否決定の通知： 申込後、1 ヶ月以内に連絡いたします。
7．所 要 経 費： 当面無料とします（有料化を検討中です。決定次第ご連絡いたします）。
8．申込書送付先：
郵送,FAX, e-mail 添付File（捺
印書類の pdf 版）いずれ
でも結構です
住所 〒739— 8527 東広島市鏡山 1— 4— 2
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
ナノテクノロジー・ネットワーク支援事業主任 福山正隆（客員教授）
FAX
（082）424— 3499
E-mai1 [email protected]
9．支援に関する相談窓口： ナノテクノロジー・ネットワーク支援に関わる事務的、技術的相談は下記
連絡先にて 受け付けます。
マシンタイム調整等が必要ですので、正式申し込み前にご相談ください。
TEL （082）424— 6287（福山正隆）
FAX （082）424— 3499
E-mai1 [email protected]
10. 被支援者の義務： 文部科学省の規定により、翌年度5月までにA4、2枚の実績報告書の提出が義務付けられて
おります。また、知的財産権において今後のトラブルを未然に防ぐために、被支援者と広島
大学又は山口大学との間において覚書を取り交わします。
（注）支援タイトルにつきましては、ナノテクネットワークのホームページ(http://home.hiroshima-u.ac.jp/nanotech/)に公
開されますので、ご了承願います。
平成 21 年度広島大学・山口大学
ナノテクネットワーク支援申込書
平成
広島大学・山口大学 ナノテクネットワーク責任者
年
月
横山 新 殿
所 属
職 名
ふりがな
氏 名
印
○
所在地 〒
TEL
FAX
E･mai1
下記のとおり貴大学ナノテクネットワーク支援プロジェクトを申し込みます。
記
① 研究課題
② 希望する支援プログラム (次の 3 つのうちひとつを○で囲んで下さい。)
（A）共同研究
（B）装置利用
（C）技術代行
③ 施設利用希望 (確定している場合は、次の 3 つのうちひとつを○で囲んで下さい。不明な場合は記入不要。)
（1）広島大学
（2）山口大学
（3）広島大学・山口大学の両方
④ 研究の具体的内容
日
⑤ (B) 装置利用の場合、利用しようとする装置名
装 置 名
⑥ 被 支 援 期 間
平成
年
月
日 〜 平成
年
月
日（見込み）
⑦ 希望事項
⑧ 広島大学・山口大学内で照会可能な教員･職員がいる場合、その氏名と職名
氏
名
職
名
⑨ 研究実験補助のために共同利用者を伴う場合、氏名、所属及び職名
氏
名
所
属
職名（学年）
⑩ 民間の研究者及び学生の場合は、所属長または指導教員の承認を受けて下さい。
上記ナノテクネットワーク支援の申込を承認する。
ふりがな
申込者の所属長または指導教官氏 名
所 属
職 名
印
表 1-1
本支援事業に活用する装置の概要（広島大学）
全体に関するご相談は、本プロジェクト主任の福山教授(TEL 082-424-6287,
e-mail: [email protected]）まで
注：全ての装置は 2 インチシリコンウェハ対応
支援内容
装置等名
機能及び性能
電子ビーム露光装置(日立 HL700)
可変成形型,加速 50kV、最小線幅 50nm
電子ビーム露光装置(日本電子 JBX-5D)
ポイントビーム型、最小スポットサイ
ズ 80nm
i 線ステッパ(ニコン i8a)
エッチャー（ECR ゲート用、神戸製鋼）
ナノ構造
加工・プロ
セス設計
詳細問合せ教員
最小線幅 350nm
Cl2, O2, N2, HBr 使用可能、30nm 加
工実績有り
エッチャー（RIE コンタクト用、神戸製鋼） CF4, H2 使用可能
エッチャー（RIE Al 用、神戸製鋼）
エッチャー（ICP Al 用、YOUTEC）
Cl2, BCl3, N2 使用可能、2μm 加工実
績有り
Cl2, BCl3, N2 使用可能
エッチャー（CDE SiN 用、神戸製鋼）
CF4, O2, N2 使用可能
エッチャー（Ashing 用、神戸製鋼 ）
O2, N2 使用可能
エッチャー（ICP コンタクト用、神戸製鋼 ）
Cl2, O2, N2, HBr 使用可能、30nm 加
工実績有り
エッチャー（poly-Si ゲート用、YOUTEC）
Cl2, O2, N2, HBr 使用可能
酸化炉 3 台（東京エレクトロン）
最高使用温度 1150℃
福山 正隆教授
ウェル拡散炉（東京エレクトロン）
最高使用温度 1150℃
(TEL 0824-24-6287,e-mail:
[email protected])
インプラ後アニール炉（東京エレクトロン） 最高使用温度 1150℃
リン拡散炉（神港精機）
汎用熱処理装置（光洋サーモシステム）
最高使用温度 900℃
各種材料窒素アニール用（400～1000℃
Post Metallization Anneal 炉（神港精機） 最高使用温度 900℃
Rapid Thermal Anneal 装置（サムコ）
薄膜形
成・不純物
導入
イオン注入装置（アルバック）
Al スパッタ装置（エイコー）
汎用スパッタ装置(エイコー)
昇温速度最大 200℃/s
5keV-150keV, B, As, P, Si, F, Ar, I
Sb, N, He 等注入可能
超高真空仕様,Al 以外に Ti, TiN の
スパッタが可能
各種材料スパッタ用（3 ｲﾝﾁﾀｰｹﾞｯﾄ
交換により広範な材料に対応）
スパッタガス（Ar・O2・N2）
LPCVD 装置(poly-Si 用)（東京エレクトロン） モノシランの熱分解、650℃
LPCVD 装置(SiN 用)（東京エレクトロン）
LPCVD 装置(SiO2 用)（東京エレクトロン）
常圧 SiO2CVD 装置（天谷製作所）
ジクロルシランとアンモニアの反応、
基板温度 750℃
モノシランと一酸化窒素混合モード、
TEOS+オゾンの２つのモード可能、
最高温度 850℃
基板温度 400℃、P および B ドープ可能
これらの設備はクラス 0.1mm、クラス 10〜100 のクリーンルーム（総面積約 870ｍ2）
備考
表 1-2
本支援事業に活用する装置の概要（広島大学）続き
注：全ての装置は 2 インチシリコンウェハ対応
支援内容
装置等名
機能及び性能
ナノ構造パターン
設計
設計・T-CAD 用
ワークステーション
Cadence, Synopsys 社などの主要CAD ベン
ダーの CAD ツールやプロセスデバイスシ
ミュレーションソフトを搭載した高性能
ワークステーション多数
透過電子顕微鏡（日立）
走査電子顕微鏡（日立）
詳細問合せ教員
加速電圧 200kV,格子分解能 0.102nm、電
界放出型
冷陰極電界放出型電子銃、最高分解能
1.5nm
クリーンルーム内に設置
二次イオン質量分析機（アルバック Cs,O ガン装備四重極型質量分析機、一次
ファイ）
イオン最小加速エネルギー1kV
分解能：z:0.01nm, Ｘ、Ｙ：0.1nm, 視
原子間力顕微鏡（セイコーインスツ
野最小 5nm 角、最大 20mm 角
ルメンツ SPI3800）
クリーンルーム内に設置
分析・評価・測定
可視光及び紫外光光源、多層膜対応解析
干渉式膜厚計（日本ナノメトリク
ソフト搭載
（試作の過程および
ス）
クリーンルーム内に設置
最終的に完成した段
測定可能最小膜厚 10nm
階で使用)
エリプソメータ（タイラン）
分光エリプソメータ(J.A.
Woollam, Japan)
クリーンルーム内に設置
(TEL 0824-24-6287,e-mail:
測定可能最小膜厚10nm,分光波長範囲193 [email protected])
〜1000nm
クリーンルーム内に設置
デバイス測定装置（ＨＰ4156、3 台、トランジスタ特性測定、電源 3 ユニット、
プローバ 3 台含む）
最小測定電流 0.1pA
低温測定装置（Desert HYTT-01）
ロジックアナライザ他
液体 He 使用、最大試料系 2 インチ、測定
用プローブ 4 本
Agilent 社などの世界の主要 LSI 測定装
置メーカの高性能ロジック・アナライザ
２台他
X 線光電子分光装置
薄膜の組成・化学結合状態の定量
（ダブルモノクロメーター有り）
光電子収率分光装置
絶縁膜の欠陥準位密度の定量
シリコンナノドット
関連
原子間力顕微鏡
PECVD
福山 正隆教授
表面形状像、表面電位像、表面電流像
アモルファス系Si/Ge 薄膜の堆積
備考
表 1-3
本支援事業に活用する装置の概要（山口大学）
全体に関するご相談は、本プロジェクト主任の山本教授(TEL 0836-85-9979,
e-mail: [email protected]）まで
支援内容
デバイス
開発支援
装置等名
機能及び性能
対向ターゲット式スパッタ装置
ボックス回転式6 元
反応性エッチング装置
枚葉式、フロン系ガス
電子ビーム励起支援プラズマ装置
エッチング用
アライナ
両面対応型
電界放出型透過電子顕微鏡（ＪＥＯＬ）
最大加速電圧 200kV, 格子像 0.1nm
詳細問合せ教員
電界放出走査型電子顕微鏡（日立）
走査型電子顕微鏡（日立）
50000X
走査型プローブ顕微鏡（セイコー電子）
超高真空蒸着装置
5x10-11 Torr
電子線描画装置（エリオニクス）
LaB6, 最小線幅50nm
マスクアライナ（カールズース）
0.7μm L/S, g 線，密着露光
山本 節夫教授
プロセス
開発支援
ＥＣＲスパッタ装置（NTT アフティ）
DC, RF, 円筒型ターゲット
ＥＣＲスパッタ装置（島津製作所）
DC
マグネトロンスパッタ装置（アネルバ）
3元
エッチング装置（エリオニクス）
ECR 型イオン銃
エッチング装置（ｺﾓﾝｳｪﾙｽﾞｻｲｴﾝﾃｨﾌｨｯｸ）
カウフマン型電子銃
触針式表面形状測定器（Dektak）
放電プラズマ焼結装置 (SPS ｼﾝﾃｯｸｽ)
20mmφ
振動試料型磁力計（理研電子）
薄膜対応可
電磁界解析 FEM ｼﾐｭﾚｰﾀ（日本総研）
JMAG
高周波電磁界解析 FEM ｼﾐｭﾚｰﾀ（Ansoft）
変位電流も取扱い可
マイクロプローバ（エヌピイエス）
GT1000R
ネットワークアナライザ（ｱｼﾞﾚﾝﾄ）
6GHz
超高周波透磁率測定装置（凌和電子）
2GHz
これらの設備の多くは、クラス 1000 および 10000 のクリーンルーム
(TEL:0836-85-9979，
e-mail:
[email protected]
)
備考
表 1-4
本支援事業に活用する装置の概要（山口大学）続き
支援内容
装置等名
機能及び性能
ガス放出速度測定装置
（アルパック）
昇温脱離ガス分析装置
高真空
技術支援
チタン製 RF マグネトロン
スパッタリング成膜装置
チタン製レーザーアブレーション
装置（ユニソク）
到達圧力:上流 10-9 Pa 以下,
下流 10-10 Pa 以下
測定下限: 6×10-13 Pa m/s
到達圧力: 2×10-8 Pa 以下、
測定可能イオン電流 10-14A
測定可能質量数1～100
到達圧力: 1×10-7Pa 以下、
最大投入電力: 300 W
ICP によるプラズマアシスト可能
到達圧力: 1×10-7Pa 以下、
ロードロック室有
レーザー:YAG レーザー( 1W @ 355nm)
詳細問合せ教員
山本 節夫教授
(TEL:0836-85-9979，
e-mail:
[email protected]
)
試料温度:10K～RT、
分光器測定分解能:0.1 nm、
励起レーザー: ナノ秒パルス YAG レ
ーザー、He-Cd レーザー(cw)
発光測定装置
支援担当職員
【 広島大学 】
●ナノデバイス・バイオ融合科学研究所 教授 福山正隆（主任）
、横山 新、吉川公麿、三宅 亮
准教授 芝原健太郎、中島安理、
助教 田部井哲夫、奥山 清
研究員 坂本 憲児、高倉 亮
事務補佐員 藤本 美佳
●先端物質科学研究科
教授 宮崎誠一
准教授 東 清一郎
助教 村上秀樹
【 山口大学 】
●産学公連携・イノベーション推進機構
教授
准教授
山本節夫（主任/支援部門長）
、諸橋信一
栗巣普揮、浅田裕法
研究員 高田 直己
事務補佐員 渡辺郁恵
備考