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NIMS微細加工プラットフォームの概要 Support for
NIMS微細加工プラットフォームの概要 Support for Innovation 国立研究開発法人物質・材料研究機構微細加工プラット フォーム（以下、NIMS 微細加工 PF）は、世界最高水準の 微細加工プロセッシング装置、ナノスケール観察・測定評 価装置が完備された 450m2 のクリーンルームを主要施設 として運用し、文部科学省ナノテクノロジー・ネットワー ク共用設備事業における「超微細加工」分野を担う共用施 設として発展してきました。これまでに、電子材料・素子、 光学材料・素子、ナノマイクロ構造作製、環境・エネルギー、 および生体・医工連携など、多様な分野への研究支援を実 施してきました。 ナノテクノロジープラットフォームではこれまでの実績・ 経験を踏まえ、研究支援の質・量ともに拡充し、民間企業 や大学、公的研究機関に対して平等な利用機会を提供し、 利用者の成果創出に向けた取り組みを加速させていきます。 特に、材料研究の国策執行機関である特徴を活かし、半導 体材料、酸化物材料、誘電体材料、磁性材料、金属材料、 有機材料、生体材料、および複合材料など様々な材料への 微細加工支援や、電子デバイスおよび光デバイスの作製支 援を通じて、多岐にわたる研究分野へのイノベーション創 出に貢献します。 生体・医工連携分野 （バイオセンサー、他） Bioengineering (Biosenser, etc.) その他材料開発（高分子材料、ソフトマテリアル、他） Various Materials R&D(Polymer, Soft materials, etc.) 6% 15% 42% 16% 20% ナノマイクロ構造作製 （MEMS、3 次元構造体、FIB 加工、等） Nano & Micro structure fabrication （MEMS, 3D structure, FIB process, etc.） 電子材料・素子 （量子ドット、ナノワイヤー、 ナノシート、半導体素子、他） Electronic materials & devices （Quantum dot, Nanowire, Nanosheet,Semiconductor devices, etc.） 光学材料・素子 （フォトニック結晶、プラズモニック素子、 メタマテリアル、等） Optical materials & devices （Photonic crystal, Plasmonic device, Metamaterials, etc.） NIMS Nanofabrication Platform has been providing opportunity to use advanced nanofabrication tools in the cleanroom since 2008. Until now, we have given support to various research fields such as nanoelectronics, nanophonics, MEMS, and life science. And from now on, we will continuously develop our facilities and technical supporting systems, and contribute to a lot of technological innovation through various nanofabrication support. 特徴 Research Environment 千現地区 材料信頼性実験棟 Materials Reliability Bldg. in NIMS Sengen-site NIMS微細 構造解析PF （一部） NIMS分子・物質合成PF NIMS微細加工PF 2 ■ 40台以上の微細加工・評価・計測装置群をアンダー ワンルーフに集約 ■ 多種多様な材料加工に対応可能な微細加工装置を 整備 ■ 専門的な知識，経験を有した専任の支援スタッフ よる充実した研究・技術サポート環境 ■ 同じ建屋内に併設されている NIMS 分子・物質合 成 PF，NIMS 微細構造解析 PF（一部）との横断 的融合研究が実施可能な環境 ■ More than 40 kinds of processing tools for nanofabrication, characterization, and measurement are located in one building. ■ Various materials can be processed. ■ Valuable technical support can be taken through the expert staff. ■ NIMS Molecule & Material Synthesis Platform and NIMS Microstructual Characterization Platform are located in the same building. 施設紹介 Facility Map ご利用いただける施設 Available Facilities ■ ■ ■ ■ ■ ■ クリーンルーム（微細加工装置群） 一般実験室（切削・研磨／電気測定装置群） ユーザー共用デスク Cleanroom Cutting & Polishing Room User’s desk （Ⅰ）NIMS 微細加工 PF クリーンルーム Cleanroom （Ⅲ）ユーザー共用デスク User’s desk （Ⅱ）切削・研磨装置等 Cutting & Polishing Room 自動スクライバー 25 Auto Scriber ブレイキング装置 42 Breaking Cutter 室温プローバーシステム 27 Room Temp. Prober 26 28 スタッフルーム CMP 研磨装置 CMP System Staff Room 29 ワイヤーボンダー Wire Bonder 極低温プローバーシステム Cryogenic Prober クリーンルーム装置レイアウト Equipment / Cleanroom Layout 急速赤外線アニール炉 RTA System ダイシングソー Dicing Saw 24 シリコン酸化・熱処理炉 Oxide Furnace 16 20 UV オゾンクリーナー UV Ozone Cleaner レーザー露光装置 Maskless Lithography プラズマアッシャー Plasma Asher 高速マスクレス露光装置 Scanning Maskless Lithography 19 33 31 30 32 5 4 エキシマクリーナー レジスト塗布用ドラフト Excimer Cleaner 10 Fumehood for Spincoating 超高真空電子銃型蒸着装置 34 UHV E-gun Evaporator マスクアライナー レジスト現像用ドラフト 18 Mask Aligner Fumehood for Development ウエハ RTA 装置 6 3 Wafer RTA System ナノインプリント装置 超高真空スパッタ装置 Nanoimprint Lithography UHV Sputter-depo. System 酸化膜ドライエッチング装置 （フッ素系ガス ICP−RIE 装置） ICP-RIE (F gas) System クラス1000 15 シリコン深掘エッチング装置 Si Deep RIE System 12 プラズマ CVD 装置 PECVD System 化合物ドライエッチング装置 （塩素系ガス ICP−RIE 装置）14 ICP-RIE (Cl gas) System 多目的ドライエッチング装置 （フッ素系ガス CCP−RIE 装置）13 CCP-RIE (F gas) System 1 36 酸アルカリドラフト Fumehood for Acid-alkaline Chemicals 8 原子層堆積装置 35 11 ALD System 有機ドラフト Fumehood for Organic Chemicals 12 連電子銃型蒸着装置 E-gun Evaporator 9 見学エリア 全自動スパッタ装置 Sputter-depo. System 7 125kV 電子ビーム描画装置 125kV-EB Writer クラス100 100kV 電子ビーム描画装置 100kV-EB Writer 2 手動スクライバー 41 Manual Scriber 走査電子顕微鏡 FE-SEM 21 17 FIB-SEM ダブルビーム装置 FIB-SEM 自動エリプソメータ Ellipsometer 37 触針式表面段差計 Surface Profiler 38 3 次元測定レーザー顕微鏡 23 オスミウムコータ 3D Laser Microscope Os Coater 40 39 イオンスパッタ クラス10000 原子間力顕微鏡 22 Pt & C Coater AFM 更衣室 3 装置紹介 Lab Equipment リソグラフィー装置群 Lithography 1 2 100kV 電子ビーム描画装置 100kV-EB Writer ■ メーカー名 (Manufacturer) エリオニクス Elionix ■ メーカー名 (Manufacturer) エリオニクス Elionix ■ 型番 (Model number) ELS-F125 ■ 型番 (Model number) ELS-7000 ■ 用途 (Use) 高速高精細ナノパターニング High speed nanopatterning ■ 用途 (Use) 高精細ナノパターニング nanopatterning 装置仕様 (Equipment specification) 装置仕様 (Equipment specification) ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ 電子銃：ZrO/W 熱電界放射型 最大加速電圧：125kV (25kV ステップで可変 ) フィールドつなぎ精度：< 25nm (600µm フィールド） 重ね合わせ精度：< 30nm (600µm フィールド） 試料サイズ：最大φ6インチ その他：汎用 CAD（dxf, gds）にも対応 Emitter：ZrO/W thermal field emitter Max acceleration voltage：125kV Field stitching accuracy：Less than 25nm Superposition accuracy：Less than 30nm Max sample size: φ6inch CAD format: dxf, gds 3 ナノインプリント装置 Nanoimprint Lithography 電子銃：ZrO/W 熱電界放射型 最大加速電圧：100kV (25kV ステップで可変 ) フィールドつなぎ精度：< 40nm 重ね合わせ精度：< 40nm 試料サイズ：最大φ6インチ その他：汎用 CAD（dxf, gds）にも対応 Emitter：ZrO/W thermal field emitter Max acceleration voltage：100kV Field stitching accuracy：Less than 40nm Superposition accuracy：Less than 40nm Max sample size：φ6inch CAD format：dxf, gds 4 高速マスクレス露光装置 Scanning Maskless Lithography ■ メーカー名 (Manufacturer) 東芝機械 TOSHIBA Machine ■ メーカー名 (Manufacturer) ナノシステムソリューションズ Nanosystem Solutions ■ 型番 (Model number) ST50 ■ 型番 (Model number) DL-1000 / NC2P ■ 用途 (Use) 高速ナノパターニング Imprint lithography ■ 用途 (Use) 高速高精度マスクレスパターニング High speed maskless patterning 装置仕様 (Equipment specification) 装置仕様 (Equipment specification) ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ インプリント方式：紫外線インプリント 光源：365nm LED 照射範囲：φ3インチ プレス力：最大 50kN 試料サイズ：最大φ4インチ その他：ステップ＆リピート機能有り Imprint method：UV imprint Light source：365nm LED Irradiation area：φ3inch Pressing power：Max 50kN Max sample size：φ4inch Step & Repeat action 5 4 125kV 電子ビーム描画装置 125kV-EB Writer レーザー露光装置 Maskless Lithography 光源：405nm LED（ 線） 照度：1W/cm2 位置決め精度：±100nm 以下 重ね合わせ精度：±100nm 以下 試料サイズ：最大 8インチ角 その他：スキャニング高速露光，自動／手動アライメント機能 汎用 CAD ／画像ファイル読込可 Light source：405nm LED Illuminance：1W/cm2 Position accuracy：Less than 100nm Superposition accuracy：Less than 100nm Max sample size：8inch sq. Auto alignment, Scanning action, Grayscale lithography 6 マスクアライナー Mask Aligner ■ メーカー名 (Manufacturer) ナノシステムソリューションズ Nanosystem Solutions ■ メーカー名 (Manufacturer) ズース・マイクロテック SUSS MicroTec ■ 型番 (Model number) DL-1000 ■ 型番 (Model number) MA6 BSA ■ 用途 (Use) マスクレスマイクロパターニング Maskless patterning ■ 用途 (Use) 高スループットマイクロパターニング High throughput micropatterning 装置仕様 (Equipment specification) 装置仕様 (Equipment specification) ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ 光源：405nm 半導体レーザー（ 線） 照度：300mW/cm2 位置決め精度：±1µm 以下 重ね合わせ精度：±1µm 以下 試料サイズ：最大 4インチ角 その他：自動／手動アライメント機能，汎用 CAD ／画像ファイル読込可 Light source：405nm semiconductor laser Illuminance：300mW/cm2 Position accuracy：Less than 1µm Superposition accuracy：Less than 1µm Max sample size：4inch sq. Auto alignment, Grayscale lithography 露光方式：バキューム，ハードコンタクト，ソフトコンタクト，プロキシミティ 光源：ブロードバンド UV ランプ（350-450nm） 解像度：最小 1µm アライメント精度：表面 0.5µm，裏面 1µm 以下 試料サイズ：最大φ6インチ その他：両面アライメント露光 Contact mode：Vacuum, Hard, Soft, Proximity Light source：Broadband UV lamp ( - line) Resolution：Min. 1µm Alignment accuracy：1µm Max sample size：φ6inch Both-side alignment lithography 薄膜形成装置群 Thin Film Deposition 7 全自動スパッタ装置 Sputter-depo. System 8 超高真空スパッタ装置 UHV Sputter-depo. System ■ メーカー名 (Manufacturer) アルバック ULVAC ■ メーカー名 (Manufacturer) ビームトロン Biemtron ■ 型番 (Model number) J sputter ■ 型番 (Model number) LS-420R ■ 用途 (Use) 金属・絶縁薄膜形成 Metal and insulator deposition ■ 用途 (Use) 垂直対向スパッタによる薄膜形成 Metal and insulator deposition 装置仕様 (Equipment specification) 装置仕様 (Equipment specification) ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ スパッタ方式：DC/RF マグネトロンスパッタ，反応性／ 2 元同時／逆スパッタ可能 電源出力：最大 500W カソード：φ4インチ ×4 式 プロセスガス：Ar，O2，N2 試料サイズ：最大φ6インチ その他：試料ステージ水冷／加熱可（最大 300 度） Sputtering mode：DC-, RF-, Reactive-, 2 cathode-, Reverse-sputtering DC/RF power：Max 500W Cathode：φ4inch x 4sets Gas：Ar, O2, N2 Max sample size：φ6inch Temperature：Max 300deg C 9 12 連電子銃型蒸着装置 E-gun Evaporator スパッタ方式：DC/RF マグネトロンスパッタ 電源出力：DC：最大 1kW ／ RF：最大 300W カソード：φ2インチ ×4 式 プロセスガス：Ar，O2 試料サイズ：最大φ3インチ その他：試料ステージ加熱可（最大 800 度） Sputtering mode：DC-, RF-sputtering DC/RF power：Max 1kW (DC), Max 300W (RF) Cathode：φ2inch x 4sets Gas：Ar, O2 Max sample size：φ3inch Temperature：Max 800deg C 10 超高真空電子銃型蒸着装置 UHV E-gun Evaporator ■ メーカー名 (Manufacturer) アールデック R-DEC ■ メーカー名 (Manufacturer) エイコーエンジニアリング EIKO Engineering ■ 型番 (Model number) RDEB-1206K ■ 型番 (Model number) ■ 用途 (Use) リフトオフ向け金属薄膜形成 Metal evaporation ■ 用途 (Use) リフトオフ向けアルミ薄膜形成 Metal evaporation 装置仕様 (Equipment specification) 装置仕様 (Equipment specification) ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ 蒸着方式：電子銃型 ×1 式 ターゲット：12 連式（Ti, Cr, Au, Pt, Ni, Pd, 他） 到達真空度：1.0e-5 Pa TS 間距離：500mm 試料サイズ：最大φ6インチ その他：水冷式試料ステージ Evaporation method：E-gun type Target source：12 materials (Ti, Cr, Au, Pt, Ni, Pd, etc.) Pressure：1.0e-5 Pa TS distance：500mm Max sample size：φ6inch 11 原子層堆積装置 ALD System 蒸着方式：電子銃型 ×1 式 ターゲット：5 連式（Ti，Au，Al×3） 到達真空度：1.0e-7 Pa TS 間距離：500mm 試料サイズ：最大φ3インチ その他：試料ステージ傾斜／回転可能 Evaporation method：E-gun type Target source：3 materials (Ti, Au, Al) Pressure：1.0e-7 Pa TS distance：500mm Max sample size：φ3inch Shadowing deposition, Sample rotation 12 プラズマ CVD 装置 PECVD System ■ メーカー名 (Manufacturer) アルテック（Picosun） ALTECH（Picosun） ■ メーカー名 (Manufacturer) サムコ SAMCO ■ 型番 (Model number) SUNALE R-100B ■ 型番 (Model number) PD-220NL ■ 用途 (Use) 高品質絶縁膜形成 Al2O3 or HfO2 deposition ■ 用途 (Use) 高品質 SiO2 薄膜形成 SiO2 deposition 装置仕様 (Equipment specification) 装置仕様 (Equipment specification) ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ 成膜材料：Al2O3，HfO2 原料：TMA，TEMAHf，H2O 成膜温度：100-450 度 成膜レート：0.1nm/cycle 試料サイズ：最大φ4インチ Materials：Al2O3, HfO2 Source：TMA, TEMAHf, H2O Deposition Temperature：100-450deg C Deposition rate：0.1nm/cycle Max sample size：φ4inch プラズマ方式：平行平板型 電源出力：30-350W 原料：TEOS 成膜温度：400 度以下 試料サイズ：最大φ8インチ Plasma mode：Capacitive coupled plasma RF power：30-350W Source：TEOS Deposition Temperature：Max 400deg C Max sample size：φ8inch 5 装置紹介 Lab Equipment ドライエッチング装置群 Dry Etching 13 多目的ドライエッチング装置（フッ素系ガス CCP−RIE） CCP-RIE (F gas) System ■ メーカー名 (Manufacturer) サムコ SAMCO ■ 型番 (Model number) RIE-200NL ■ 用途 (Use) 多種材料のドライエッチング Multipurpose etching 装置仕様 (Equipment specification) ■ ■ ■ ■ ■ 14 プラズマ励起方式：平行平板型 電源出力：最大 300W プロセスガス：CHF3，CF4，SF6，Ar，O2，N2 試料ステージ温度：室温 試料サイズ：最大φ8インチ ■ ■ ■ ■ ■ Plasma mode：Capacitive coupled plasma PF Power：Max 300W Gas：CHF3, CF4, SF6, Ar, O2, N2 Stage temperature：Room temp. Max sample size：φ8inch 化合物ドライエッチング装置（塩素系ガス ICP−RIE） ICP-RIE (Cl gas) System ■ メーカー名 (Manufacturer) サムコ SAMCO ■ 型番 (Model number) RIE-101iPH ■ 用途 (Use) 化合物半導体・金属薄膜のドライエッチング Ⅲ-Ⅴ semiconductor and metal etching 装置仕様 (Equipment specification) ■ ■ ■ ■ ■ 15 プラズマ励起方式：誘導結合型 電源出力：ICP 出力：最大 1kW バイアス出力：最大 300W プロセスガス：Cl2，BCl3，Ar，O2，N2 試料ステージ温度：200 度以下 試料サイズ：最大φ3 インチ ■ ■ ■ ■ ■ Plasma mode：Inductively coupled plasma PF Power：Max 1kW (ICP), Max 300W (Vias) Gas：Cl2, BCl3, Ar, O2, N2 Stage temperature：Max 200deg C Max sample size：φ3inch シリコン深堀エッチング装置 Si Deep RIE System ■ メーカー名 (Manufacturer) 住友精密工業 Sumitomo Precision Products ■ 型番 (Model number) MUC-21 ASE-SRE ■ 用途 (Use) MEMS 等，シリコン深堀エッチング Si deep etching 装置仕様 (Equipment specification) ■ ■ ■ ■ ■ 16 プラズマ励起方式：誘導結合型 電源出力：ICP 出力：最大 1kW バイアス出力：最大 100W プロセスガス：SF6，C4F8，Ar，O2 試料ステージ温度：室温 試料サイズ：最大φ3インチ ■ ■ ■ ■ ■ Plasma mode：Inductively coupled plasma PF Power：Max 1kW (ICP), Max 100W (Vias) Gas：SF6, C4F8, Ar, O2 Stage temperature：Room Temp. Max sample size：φ3inch 酸化膜ドライエッチング装置（フッ素系ガス ICP−RIE 装置） ICP-RIE (F gas) System ■ メーカー名 (Manufacturer) 住友精密工業 Sumitomo Precision Products ■ 型番 (Model number) MUC-21 RV-APS-SE ■ 用途 (Use) SiC, SiN, SiO2 や各種酸化膜の高速エッチング SiC, SiN, and SiO2 etching 装置仕様 (Equipment specification) 17 FIB-SEM ダブルビーム装置 FIB-SEM ■ ■ ■ ■ ■ ■ プラズマ励起方式：誘導結合型 電源出力：ICP 出力：最大 3kW バイアス出力：最大 1kW プロセスガス：CHF3，CF4，C4F8，SF6，Ar，O2，He 試料ステージ温度：−10 ∼ +40 度 試料サイズ：最大φ6インチ その他：SiO2 エッチングレート：0.5µm/min 以上 終点検出機能装備 ■ メーカー名 (Manufacturer) SII ナノテクノロジー SII Nanotechnology ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ 型番 (Model number) Xvision200DB Plasma mode：Inductively coupled plasma PF Power：Max 3kW (ICP), Max 1kW (Vias) Gas：CHF3, CF4, C4F8, SF6, Ar, He, O2 Stage temperature：-10 - +40 deg C Max sample size：φ6inch End point detector ■ 用途 (Use) TEM 試料作製，イオン照射による直接加工 TEM sample fabrication, Direct etching 装置仕様 (Equipment specification) ■ ■ ■ ■ ■ ■ 6 イオン源：Ga 液体金属 FIB 加速電圧：1-30kV 電子銃：ZrO/W 熱電界放射型 SEM 加速電圧：1-30kV 試料サイズ：最大φ8インチ その他：FIB：試料ステージに直交 SEM：FIB に対して 54 度傾斜 カーボンデポジションシステム マイクロプロービングシステム ■ ■ ■ ■ ■ ■ Ion source：Ga liquid metal FIB acceleration voltage：1-30kV Emitter：ZrO/W thermal field emitter SEM acceleration voltage：1-30kV Max sample size：φ8inch Carbon deposition, Micro-probing system 熱処理装置群 Annealing 18 プロセス評価・計測装置群 Process Characterization ウエハ RTA 装置 Wafer RTA System 21 走査電子顕微鏡 FE-SEM ■ メーカー名 (Manufacturer) ハイソル (Allwin21) HiSOL (Allwin21) ■ メーカー名 (Manufacturer) 日立ハイテク Hitachi High-Technologies ■ 型番 (Model number) AccuThermo AW610 ■ 型番 (Model number) S-4800 ■ 用途 (Use) 小片∼φ6 インチの急速アニール Wafer annealing ■ 用途 (Use) ナノ加工・構造・材料の観察・計測 Nanostructure observation 装置仕様 (Equipment specification) 装置仕様 (Equipment specification) ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ 加熱方式：赤外線ランプ加熱方式 プロセス温度：1250 度以下 昇温速度：150 度／秒以下＠Si ウエハ , 40 度／秒以下＠SiC サセプタ プロセスガス：N2, Ar, Ar+3%H2, O2 試料サイズ：最大φ6インチ Heater：Infrared ramp heating Max temperature：1250deg C Heating rate：Less than 150deg C / sec. (Si wafer) 40deg C / sec. (SiC susceptor) Annealing atmosphere：Ar, N2, Ar+3%H2, O2, Max sample size：φ6inch 19 急速赤外線アニール炉 RTA System 電子銃：ZrO/W 電界放射型 加速電圧：0.1-30kV 2 次電子像分解能：1.0nm（ノーマル：15kV），1.4nm（リターディング：1.0kV） 試料ステージ：5 軸モーター駆動 試料サイズ：最大φ6インチ その他：各種試料ホルダー装備 Emitter：ZrO/W thermal field emitter Acceleration voltage：0.1-30kV Resolution：1.0nm (15kV) Sample stage：5-axis motor drive Max sample size：φ6inch 22 原子間力顕微鏡 AFM ■ メーカー名 (Manufacturer) アルバック理工 ULVAC RIKO ■ メーカー名 (Manufacturer) SII ナノテクノロジー SII Nanotechnology ■ 型番 (Model number) QHC-P410 ■ 型番 (Model number) L-traceⅡ ■ 用途 (Use) 合金化，急速アニール Alloying, RTA ■ 用途 (Use) ナノ加工・構造・材料の観察・計測 Nanostructure measurement 装置仕様 (Equipment specification) 装置仕様 (Equipment specification) ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ 加熱方式：放物面反射赤外線管状加熱方式 プロセス温度：1150 度以下 昇温速度：40 度／秒以下 アニール雰囲気：Ar, N2, Ar+3%H2 試料サイズ：20mm 角以下 ×4 Heater：Infrared ramp heating Max temperature：1150deg C Heating rate：Less than 40deg C / sec. Annealing atmosphere：Ar, N2, Ar+3%H2 Max sample size：20mm x 4sets 20 シリコン酸化・熱処理炉 Oxide Furnace 測定モード：AFM，DFM，FFM，PM，SIS 走査範囲：90µm ステージ移動範囲：X：±75mm ／ Y：+105mm 分解能：垂直：0.01nm 試料サイズ：最大φ6インチ その他：カンチレバー自動交換機能，レシピ登録自動測定機能 Measurement mode：AFM, DFM, FFM, PM, SIS Scanning area：90µm Stage moving area：X=±75mm, Y=+105mm Height resolution：0.01nm Max sample size：φ6inch 23 ３次元測定レーザー顕微鏡 3D Laser Microscope ■ メーカー名 (Manufacturer) 光洋サーモシステム Koyo Thermo System ■ メーカー名 (Manufacturer) オリンパス Olympus ■ 型番 (Model number) MT-2-6X20-A ■ 型番 (Model number) LEXT OLS4000 ■ 用途 (Use) 小片シリコン酸化，長時間アニール Silicon oxidation, Long time annealing ■ 用途 (Use) 非接触 3 次元形状観察・計測 Non-contact 3D structure measurement 装置仕様 (Equipment specification) 装置仕様 (Equipment specification) ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ 加熱方式：細線ヒーター加熱方式 プロセス温度：300-1000 度 酸化雰囲気：O2 ドライ酸化，バブリングウエット酸化 アニール雰囲気：O2，N2 試料サイズ：最大φ2インチ Heater：Wire heating Heating temperature：300-1000deg C Oxidation atmosphere：O2 gas, Water bubbling Annealing atmosphere：O2, N2 Max sample size：φ2inch 光源：405nm 半導体レーザー 分解能：XY：0.12µm ／ Z：0.01µm 繰り返し性：XY：3σ=0.02µm, ／ Z：1σ=0.012µm（対物レンズ 100 倍時） 観察モード：レーザー観察，白色光明視野，微分干渉観察 試料サイズ：100mm 角以下 Light source：405nm semiconductor laser Resolution：0.12µm (XY), 0.01µm (Z) Reproducibility：3σ=0.02µm (XY), 1σ=0.012µm (Z) Observation mode：Laser, White light, Differential interference observation Max sample size：100mm sq. 7 装置紹介 Lab Equipment 切削・研磨装置群 Cutting & Polishing 24 ダイシングソー Dicing Saw 電気測定装置群 Electric Measurement 27 室温プローバーシステム Room Temp. Prober ■ メーカー名 (Manufacturer) ベクターセミコン， アジレント・テクノロジー Vector semiconductor Agilent Technologies ■ メーカー名 (Manufacturer) ディスコ DISCO ■ 型番 (Model number) DAD322 ■ 型番 (Model number) MX-200/B，B1500A ■ 用途 (Use) シリコン／石英／サファイア基板の小片化 Dicing for silicon, silica, and sapphire wafer ■ 用途 (Use) I-V/C-V 特性評価 I-V, C-V measurement 装置仕様 (Equipment specification) 装置仕様 (Equipment specification) ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ 切削刃：ダイヤモンドブレード 切削範囲：XY=162mm 以下 スピンドル回転数：3000-40000rpm 顕微鏡：モニタ上倍率 27 倍／ 270 倍電動切替 試料サイズ：最大φ6インチ その他：オート／セミオート／マニュアルアライメント機能 Dicing blade：Diamond blade Dicing area：Less than 162mm (XY) Stage moving area：X=±75mm, Y=+105mm Max sample size：φ6inch Auto, semiauto, and manual alignment 25 自動スクライバー Auto Scriber プローブ：同軸プローブ マニピュレータ：4 基 I-V 測定端子：4 ユニット C-V 測定端子：1 ユニット 試料サイズ：最大φ4インチ その他：試料ステージ電圧印加可，除振台／シールドボックス装備 Probe：Coaxial probe Manipulator：4sets I-V SMU：4units C-V CMU：1unit Max sample size：φ4inch 28 極低温プローバーシステム Cryogenic Prober ■ メーカー名 (Manufacturer) ダイトロンテクノロジー Daitron Technology ■ メーカー名 (Manufacturer) ナガセテクノエンジニアリング ケースレーインスツルメンツ Nagase Techno-Engineering Keithlay Insturuments ■ 型番 (Model number) GRAIL10-308-6-4K-LV-SCM， 4200-SCS ■ 用途 (Use) 4K 台から室温までの I-V/C-V 特性評価 I-V, C-V measurement at 4K ∼ RT ■ 型番 (Model number) DPS-301R ■ 用途 (Use) 半導体基板の小片化 Scribing for semiconductor wafer 装置仕様 (Equipment specification) 装置仕様 (Equipment specification) ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ 切削刃：ダイヤモンドポイントカッター 切削範囲：XY=110mm 以下 ステージ駆動分解能：1µm カッター荷重：10-30g 試料サイズ：最大φ4インチ その他：自動ブレーキング可 Scribing tool：Diamond point cutter Scribing area：Less than 110mm (XY) Stage driving resolution：1µm Cutter load：10-30g Max sample size：φ4inch 26 8 CMP 研磨装置 CMP System 試料冷却方式：無冷媒式 プローブ：同軸プローブ マニピュレータ：6 基 I-V 測定端子：6 ユニット 試料サイズ：最大 20mm 角 その他：試料ステージ電圧印加可， 液体ヘリウム移送式超伝導マグネット装備 （±1.5T） ※液体ヘリウムはユーザー負担 Cooling method：Mechanical 4K refrigerator Probe：Coaxial probe Manipulator：6sets I-V SMU：6units Max sample size：20mm sq. 29 ワイヤーボンダー Wire Bonder ■ メーカー名 (Manufacturer) ハイソル（Logitech) HiSOL (Logitech) ■ メーカー名 (Manufacturer) ハイソル (West Bond) HiSOL (West Bond) ■ 型番 (Model number) PM5 ■ 型番 (Model number) 7476D ■ 用途 (Use) 半導体基板の薄片化／平坦化 CMP for semiconductor wafer ■ 用途 (Use) チップキャリアへのボンディング Sample bonding to chip carrier 装置仕様 (Equipment specification) 装置仕様 (Equipment specification) ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ プレート材質：ガラス／鉄／クロス プレート径：φ12インチ プレート速度：1-70rpm スラリー：アルミナパウダー（3µm, 9µm） 試料サイズ：最大φ3インチ Plate material：Glass, Iron, Cloth Plate diameter：φ12inch Rotation speed：1-70rpm Slurry: Alumina powder (3µm, 9µm) Max sample size：φ3inch ボンディング方式：超音波／熱圧着ウェッジボンド方式 ボンディングウェッジ：45 度，90 度 ワイヤー材質：金線，アルミ線 ワークホルダー温度：300 度以下 試料サイズ：50mm 角以下，DIP パッケージ Bonding method：Wedge bonding Bonding wire：Au, Al Holder temperature：Less than 300deg C Max sample size：50mm sq. 付帯装置群 Supplementary Tools 30 プラズマアッシャー Plasma Asher 31 UV オゾンクリーナー UV Ozone Cleaner ■ メーカー名 (Manufacturer) ヤマト科学 Yamato Scientific ■ 型番 (Model number) PB-600 ■ 用途 (Use) 基板クリーニング，レジスト剥離 Ashing, Cleaning 32 エキシマクリーナー Excimer Cleaner ■ メーカー名 (Manufacturer) サムコ SAMCO ■ 型番 (Model number) UV-1 ■ 用途 (Use) 基板クリーニング，表面改質 Surface cleaning 33 レジスト塗布用ドラフト Fumehood for Spincoating ■ メーカー名 (Manufacturer) マルチプライ Multiply ■ 型番 (Model number) EXC-1201 ■ 用途 (Use) 基板精密クリーニング，表面改質 Surface cleaning 34 レジスト現像用ドラフト Fumehood for Development ■ メーカー名 (Manufacturer) ヤマト科学 Yamato Scientific ■ 型番 (Model number) LDS-150 ■ 用途 (Use) レジスト塗布 Resist coating 35 有機ドラフト Fumehood for Organic Chemicals ■ メーカー名 (Manufacturer) ヤマト科学 Yamato Scientific ■ 型番 (Model number) LDS-180 ■ 用途 (Use) レジスト現像 Resist development 36 酸アルカリドラフト Fumehood for Acid-alkaline Chemicals ■ メーカー名 (Manufacturer) ヤマト科学 Yamato Scientific ■ 型番 (Model number) LDS-180 ■ 用途 (Use) リフトオフ、レジスト剥離 Lift off process, Resist removal 37 自動エリプソメータ Ellipsometer ■ メーカー名 (Manufacturer) ヤマト科学 Yamato Scientific ■ 型番 (Model number) CYV-180Z ■ 用途 (Use) 基板洗浄、ウェットエッチング Wafer cleaning, Wet etching 38 触針式表面段差計 Surface Profiler ■ メーカー名 (Manufacturer) ファイブラボ Five lab ■ 型番 (Model number) MARY-102FM ■ 用途 (Use) 絶縁膜形成評価 Thin film characterization 39 イオンスパッタ Pt & C Coater ■ メーカー名 (Manufacturer) ヤマト科学（KLA Tencor） Yamato Scientific (KLA Tencor) ■ 型番 (Model number) Alpha Step IQ ■ 用途 (Use) 接触式段差測定 Surface profiling 40 オスミウムコータ Os Coater 41 ■ メーカー名 (Manufacturer) メイワフォーシス MEIWAFOSIS ■ 型番 (Model number) Neoc-Pro ■ 用途 (Use) SEM，FIB-SEM の前処理 Pretreatment for FE-SEM and FIB-SEM 42 ■ メーカー名 (Manufacturer) 日立ハイテク Hitachi High-Technologies ■ 型番 (Model number) E-1045 ■ 用途 (Use) SEM，FIB-SEM の前処理 Pretreatment for FE-SEM and FIB-SEM 手動スクライバー Manual Scriber ■ メーカー名 (Manufacturer) 共和理研 KYOWARIKEN ■ 型番 (Model number) K-604S100 ■ 用途 (Use) 半導体基板の小片化 Wafer cutting ブレイキング装置 Breaking Cutter ■ メーカー名 (Manufacturer) ダイトロンテクノロジー Daitron Technology ■ 型番 (Model number) DBM-401R ■ 用途 (Use) 半導体基板のへき開 Wafer cleavage 9 利用方法 How to Use 利用に際しての事前確認事項 Prior confirmation to use the facility 利用報告書の提出 Submission of report ナノテクノロジープラットフォーム事業における研究支援は、支援終了後「利用報告 書（A4/１ページ）」を提出する必要があります。利用報告書の提出が難しいと思われ る方は、別途ご相談下さい。 It is necessary to submit a report (A4/1page) after using our facility. If you cannot submit any reports, please contact us separately. 料金請求 Charging and accounting system 利用に際しては，利用に応じた料金が発生し，各月ごとに請求いたします。 It is necessary to pay a monthly usage charge in the next month. 利用手順 Usage procedure STEP 01 初めて利用を検討される方はまずホームページからお問い合わせ下 さい。 Firstly, please contact us through our web site. STEP 02 成果発表の報告 Duty of information regarding publication ユーザー登録 User registration 利用相談後，研究支援を希望される方は「ユーザー登録」を行って下さい。 Please complete user registration to use our facility. 謝辞への記載 Description to acknowledgement 研究支援を受けて得られた成果を論文や学会等で公表する場合は，謝辞に必ず以下の 文言を掲載下さい。 It is necessary to write the following description as acknowledgement when you publish a result obtained by our research support. （和文）本研究（の一部）は，文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業 （NIMS 微細加工プラットフォーム）の支援を受けて実施されました。 （英文）（A part of）This study was supported by NIMS Nanofabrication Platform in Nanotechnology Platform Project sponsored by the Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology (MEXT), Japan. 利用相談 Consultation for usage STEP 03 課題申請 Subject application ユーザー登録後，研究支援管理システムにログインし，新規課題申請を 行なって下さい。 After user registration, please submit your subject application through the web site. STEP 04 課題審査・結果通知 Judge & Result notification 課題申請後，審査を行い，結果を通知いたします。申請を受理されたのち， 利用可能となります。 The judging result is notified by e-mail. After your application is accepted, you can use the facility. 論文や学会，特許等で成果を公表する（した）場合は，その旨を必ず報告して下さい。 It is necessary to inform us about a publication of a thesis, a patent, and so on. STEP 05 支援形態について Usage Type 機器利用 Self-operating use NIMS 微細加工 PF スタッフにより「機器利用ライセンス」を付与されたユーザーが自 身で装置予約，装置利用を行う支援形態。 You can use equipment and make a reservation by yourself when you got the license of our facility. 研究支援実施 Start of support 希望支援形態に準じた支援を実施いたします。 Your research can be carried out in our cleanroom. STEP 06 研究支援終了 End of support 1 課題に対する支援は最長でも年度単位で終了となります。継続利用を 希望される場合でも，次年度に再度課題申請を行なっていただく必要が あります。 The research support is finished at the end of a financial year. 技術補助 Operation and technical support NIMS 微細加工 PF スタッフの指導を受けながら装置利用を行う支援形態。ユーザー自 身での装置予約はできません。技術補助を数回行い，NIMS 微細加工 PF スタッフが単 独利用可能と判断した場合は機器利用ライセンスが付与されます。 You can receive operation and technical support by the expert staff. After a few times training, you can get the license. 技術代行 Manufacture by comissioning ユーザーとの打合せに沿って NIMS 微細加工 PF スタッフが作製代行し，試料作製を 行う支援形態。ユーザー自身での装置予約はできません。 You can ask us to fabricate a sample. But, we cannot guarantee a result to a request. 10 STEP 07 課金請求手続き Charge payment 各月ごとに利用実績に応じた利用料金をお支払いいただきます。 It is necessary to pay a monthly usage charge in the next month. STEP 08 利用報告書提出 Submission of a report 研究支援の内容や得られた成果について１ページ（A4）の報告書を提 出していただきます。 It is necessary to submit a report (A4/1page) after using our facility. 利用料金 Usage Charge 詳細および最新の情報はホームページをご覧下さい。 Please check the latest information on the web site. No. 装置 Equipment ※ 平成 27 年度における 1 時間あたりの利用単価（税抜） ※ Usage charge per 1 hour in FY2015 (Excluding tax) アカデミア（大学、公的研究機関等） Academia 民間企業 Company Lithography リソグラフィー装置群 機器利用 Self use 技術補助・技術代行 The others 機器利用 Self use 技術補助・技術代行 The others 薄膜形成装置群 Thin Film Deposition ドライエッチング装置群 Dry Etching 熱処理装置群 Annealing プロセス評価 切削・研磨装置群 計測装置群 Cutting & Process Polishing Characterization 電気測定装置群 Electric Measurement The others その他 1 125kV 電子ビーム描画装置 125kV-EB Writer ￥3,650 ￥4,850 ￥7,300 ￥9,700 2 100kV 電子ビーム描画装置 100kV-EB Writer ￥2,150 ￥3,350 ￥4,300 ￥6,700 3 ナノインプリント装置 Nanoimprint Lithography ￥1,650 ￥2,850 ￥3,300 ￥5,700 4 高速マスクレス露光装置 Scanning Maskless Lithography ￥1,150 ￥2,350 ￥2,300 ￥4,700 5 レーザー露光装置 Maskless Lithography ￥1,150 ￥2,350 ￥2,300 ￥4,700 6 マスクアライナー Mask Aligner ￥1,150 ￥2,350 ￥2,300 ￥4,700 7 全自動スパッタ装置 Sputter-depo. System ￥1,150 ￥2,350 ￥2,300 ￥4,700 8 超高真空スパッタ装置 UHV Sputter-depo. System ￥1,150 ￥2,350 ￥2,300 ￥4,700 9 12 連電子銃型蒸着装置 E-gun Evaporator ￥1,150 ￥2,350 ￥2,300 ￥4,700 10 超高真空電子銃型蒸着装置 UHV E-gun Evaporator ￥1,150 ￥2,350 ￥2,300 ￥4,700 11 原子層堆積装置 ALD System ￥1,150 ￥2,350 ￥2,300 ￥4,700 12 プラズマ CVD 装置 PECVD System ￥1,150 ￥2,350 ￥2,300 ￥4,700 13 多目的ドライエッチング装置 CCP-RIE (F gas) System ￥1,150 ￥2,350 ￥2,300 ￥4,700 14 化合物ドライエッチング装置 ICP-RIE (Cl gas) System ￥1,150 ￥2,350 ￥2,300 ￥4,700 15 シリコン深掘エッチング装置 Si Deep RIE System ￥1,150 ￥2,350 ￥2,300 ￥4,700 16 酸化膜ドライエッチング装置 ICP-RIE (F gas) System ￥1,650 ￥2,850 ￥3,300 ￥5,700 17 FIB-SEM ダブルビーム装置 FIB-SEM ￥2,150 ￥3,350 ￥4,300 ￥6,700 18 ウエハ RTA 装置 Wafer RTA System ￥1,150 ￥2,350 ￥2,300 ￥4,700 19 急速赤外線アニール炉 RTA System ￥1,150 ￥2,350 ￥2,300 ￥4,700 20 シリコン酸化・熱処理炉 Oxide Furnace ￥1,150 ￥2,350 ￥2,300 ￥4,700 21 走査電子顕微鏡 FE-SEM ￥1,150 ￥2,350 ￥2,300 ￥4,700 22 原子間力顕微鏡 AFM ￥1,150 ￥2,350 ￥2,300 ￥4,700 23 3 次元測定レーザー顕微鏡 3D Laser Microscope ￥1,150 ￥2,350 ￥2,300 ￥4,700 24 ダイシングソー Dicing Saw ￥1,150 ￥2,350 ￥2,300 ￥4,700 25 自動スクライバー Auto Scriber ￥500 ￥1,700 ￥1,000 ￥3,400 26 CMP 研磨装置 CMP System ￥500 ￥1,700 ￥1,000 ￥3,400 27 室温プローバーシステム Room Temp. Prober ￥500 ￥1,700 ￥1,000 ￥3,400 28 極低温プローバーシステム Cryogenic Prober ￥500 ￥1,700 ￥1,000 ￥3,400 29 ワイヤーボンダー Wire Bonder ￥500 ￥1,700 ￥1,000 ￥3,400 - CAD 作成支援 CAD preparing support - ￥1,700 - ￥3,400 - ウェットプロセス支援 Wet processing support - ￥2,350 - ￥4,700 11 NIMS微細加工PFへのアクセス 1. NIMS千現地区正門 Main entrance of NIMS Sengen-site Access to NIMS Nanofab. PF 2. 構内外周道路 Peripheral road in the campus 3. 材料信頼性実験棟へ To Materials Reliability Bldg 守衛所 正門守衛所にて入構受付を行い，外来者用カードキーを借 りて下さい。材料信頼性実験棟の管理区域は【E】です。 Please check in at guard office and receive a card key of“E”area for visitors. 入構受付後、正門を背に右折し、案内板に従って「材料信頼 性実験棟」に向かって下さい。 Please walk to Materials Reliability Building. 案内板に従ってお進み下さい。 Please walk to Materials Reliability Building according to the guide board. 1 4. 材料信頼性実験棟入口 Entrance of Materials Reliability Bldg N 千現地区正門 守衛所 2 カードリーダー カードキーで建屋に入り，スタッフルーム（1 階 114 室） までお越しください。 After entering the building, please visit Room114 at the first floor. 3 4 NIMS微細加工PF （材料信頼性実験棟） つくばエクスプレス「つくば駅」からの地図 Access from Tsukuba station to NIMS Sengen-site ■ TX「つくば」駅を利用 つくば駅 つくばエクスプレス Walk to NIMS from Tsukuba station Tsukuba station 西武 百貨店 土浦学園線 つくば センタービル つくば クレオスクエア つくばエクスプレス 郵便局 大清水 公園 By highway bus from Tokyo station 東大通り 西大通り デイズ タウン 竹園東 小学校 竹園西 小学校 つくば国際 会議場 〒305-0047 茨城県つくば市千現 1-2-1 （1-2-1 Sengen, Tsukuba 305-0047, Japan） ■ 東京駅から高速バスを利用 つくば 中央署 つくば カピオ 南大通り 「つくば駅」下車 A3 出口より徒歩 15 分 It takes 15 minutes on foot from Exit #3 of Tsukuba station to NIMS. 中央通り 東京駅八重洲南口ハイウェイバス 2 番のりばから高速バス 「特急つくば号」乗車後、「千現一丁目」下車徒歩 5 分。 Japan Railway (JR) Co. and Kanto Railway Co. operate shuttle bus services between Tokyo and Tsukuba. It takes about 90 minutes to Tsukuba depending on the traffic. Take a bus, then get off at“Sengen ichome”. 国立研究開発法人 物質・材料研究機構 NIMS NIMS微細加工プラットフォーム事務局 Office of NIMS Nanofabrication Platform 〒305-0047 茨城県つくば市千現 1-2-1 （1-2-1 Sengen, Tsukuba 305-0047, Japan） T E L：029-859-2797 F A X：029-859-2309 Email：NIF-offi[email protected] U R L：http://www.nims.go.jp/nfp/index.html 平成 27 年 7 月1日 初版発行