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電源スイッチ用 2 素子内蔵複合トランジスタ

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電源スイッチ用 2 素子内蔵複合トランジスタ
EMF23/UMF23N
トランジスタ
電源スイッチ用
2 素子内蔵複合トランジスタ
EMF23/UMF23N
EMT6,UMT6 パッケージに 2SA1774 と DTC114E を独立して内蔵。
z外形寸法図(Units:mm)
z用途
パワーマネージメント回路
0.22
(5)
(6)
(1)
0.5
各端子とも同寸法
標印略記号 :F23
ROHM : EMT6
1.3
2.0
0.65
(1)
(6)
(5)
(2)
(4)
(3)
0.65
UMF23N
0.2
z構造
エピタキシャルプレーナ形複合トランジスタ
(2)
1.2
1.6
0.13
z特長
1) 電源スイッチ回路を 1 パッケージ化。
2) 実装コスト及び面積が半減できる。
(3)
(4)
0.5 0.5
1.0
1.6
EMF23
1.25
z内部等価回路図
(2)
0.9
(1)
0.1Min.
0∼0.1
(3)
0.7
0.15
2.1
各端子とも同寸法
DTr2
Tr1
R1
ROHM : UMT6
EIAJ : SC-88
標印略記号 :F23
R2
(4)
(5)
(6)
R1=10kΩ
R2=10kΩ
zパッケージ、標印及び包装仕様
Type
EMF23
UMF23N
パッケージ名
EMT6
UMT6
標印
包装記号
F23
T2R
F23
TR
基本発注単位
8000
3000
1/4
EMF23/UMF23N
トランジスタ
z絶対最大定格 (Ta=25°C)
Tr1
Symbol
Limits
Unit
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
−60
V
コレクタ・エミッタ間電圧
VCEO
−50
V
エミッタ・ベース間電圧
VEBO
−6
V
Parameter
コレクタ電流
IC
−150
mA
コレクタ損失
PC
150 (TOTAL)
mW
接合部温度
保存温度範囲
Tj
150
C
Tstg
−55∼+150
C
∗ 1素子あたり120mWを超えないこと。
∗
DTr2
Limits
Symbol
50
VCC
VIN
−10~+40
100
IC
50
IO
150(TOTAL)
PC
Tj
150
Tstg
−55~+150
Parameter
電源電圧
入力電圧
コレクタ電流
出力電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
Unit
V
V
mA
mA
mW
C
C
∗1
∗2
∗1 構成トランジスタの特性です。
∗2 1素子当たり120mWを超えないこと。
各端子を推奨ランドに実装した場合。
z電気的特性 (Ta=25°C)
Tr1
Parameter
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Conditions
コレクタ・ベース降伏電圧
BVCBO
−60
−
−
V
IC=−50µA
コレクタ・エミッタ降伏電圧
BVCEO
−50
−
−
V
IC=−1mA
エミッタ・ベース降伏電圧
BVEBO
−6
−
−
V
IE=−50µA
コレクタしゃ断電流
ICBO
−
−
−0.1
µA
VCB=−60V
エミッタしゃ断電流
IEBO
−
−
−0.1
µA
VEB=−6V
VCE (sat)
−
−
−0.5
V
IC/IB=−50mA/−5mA
hFE
180
−
390
−
VCE=−6V, IC=−1mA
fT
−
140
−
Cob
−
4
5
コレクタ・エミッタ飽和電圧
直流電流増幅率
利得帯域幅積
コレクタ出力容量
MHz VCE=−12V, IE=2mA, f=100MHz
pF
VCB=−12V, IE=0A, f=1MHz
DTr2
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
VI(off)
−
−
0.5
VI(on)
3
−
−
出力電圧
VO(on)
−
0.1
0.3
V
入力電流
II
−
−
0.88
mA
VI=5V
出力電流
入力電圧
Unit
V
Conditions
VCC=5V, IO=100µA
VO=0.3V, IO=10mA
lO / Il=10mA / 0.5mA
IO(off)
−
−
0.5
µA
VCC=50V, VI=0V
直流電流増幅率
GI
30
−
−
−
VO=5V, IO=5mA
入力抵抗
R1
7
10
13
kΩ
抵抗比率
R2/R1
0.8
1
1.2
−
fT
−
250
−
MHz
利得帯域幅積
−
−
VCE=10V, IE=−5mA, f=100MHz
∗
∗ 構成トランジスタの特性です。
2/4
EMF23/UMF23N
トランジスタ
z電気的特性曲線
Tr1
−5
−2
−1
−0.5
−0.2
−0.1
−0.2 −0.4 −0.6−0.8 −1.0−1.2−1.4 −1.6
−24.5
−14.0
−7.0
−2
−1.6
−1.2
IB=0
−2.0
100
50
−100
−1
−2
−3
−4
IB=0
−5
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE(V)
Fig.2 エミッタ接地出力静特性(Ⅰ)
Fig.3 エミッタ接地出力静特性(Ⅱ)
Ta=100℃
−40℃
200
100
50
−1
Ta=25℃
−0.5
−0.2
IC/IB=50
−0.1
20
10
−0.05
−0.2 −0.5 −1 −2
−5 −10 −20 −50−100
VCE=−6V
−5 −10 −20 −50−100
−0.2 −0.5 −1 −2
COLLECTOR CURRENT : IC(mA)
−0.2 −0.5 −1 −2
−0.5
−0.2
−0.1
Ta=100℃
25℃
−40℃
−0.05
−0.2 −0.5 −1 −2
−5 −10 −20 −50−100
COLLECTOR CURRENT : IC(mA)
Fig.7 コレクタ・エミッタ間飽和電圧
−コレクタ電流特性(Ⅱ)
Ta=25℃
VCE=−12V
500
200
100
50
0.5
1
2
5
10
20
50
100
EMITTER CURRENT : IE(mA)
Fig.8 利得帯域幅積−エミッタ電流特性
Fig.6 コレクタ・エミッタ間飽和電圧
−コレクタ電流特性(Ⅰ)
COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE : Cob(pF)
EMITTER INPUT CAPACITANCE
: Cib(pF)
lC/lB=10
TRANSITION FREQUENCY : fT(MHz)
1000
−1
−5 −10 −20 −50−100
COLLECTOR CURRENT : IC(mA)
COLLECTOR CURRENT : IC(mA)
Fig.4 直流電流増幅率−コレクタ電流特性(Ⅰ) Fig.5 直流電流増幅率−コレクタ電流特性(Ⅱ)
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat)(V)
−50μA
0
25℃
200
−150
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE(V)
500
VCE=−5V
−3V
−1V
−0.8
−200
−20
−3.5μA
−0.4
−250
−40
−10.5
0
DC CURRENT GAIN : hFE
DC CURRENT GAIN : hFE
−21.0
−17.5
−4
Ta=25℃
−500
−80 −450
−400
−350
−300
−60
−28.0
−6
Fig.1 エミッタ接地伝達静特性
Ta=25℃
−100
−31.5
−8
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE(V)
500
−35.0
Ta=25℃
COLLECTOR CURRENT : IC(mA)
COLLECTOR CURRENT : IC(mA)
COLLECTOR CURRENT : Ic(mA)
−10
VCE=−6V
Ta=100℃
25℃
−20
−40℃
−10
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat)(V)
−50
20
Ta=25℃
f=1MHz
IE=0A
IC=0A
Cib
10
Co
b
5
2
−0.5
−1
−2
−5
−10 −20
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB(V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE
: VEB(V)
Fig.9 コレクタ出力容量−コレクタ・ベース間電圧特性
エミッタ入力容量−エミッタ・ベース間電圧特性
3/4
EMF23/UMF23N
トランジスタ
z電気的特性曲線
DTr2
10m
5m
VO=0.3V
OUTPUT CURRENT : Io (A)
INPUT VOLTAGE : VI(on) (V)
50
20
10
Ta=−40°C
25°C
100°C
5
2
1
500m
200m
100m
100µ 200µ
500µ 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
2m
1m
500µ
1k
VCC=5V
Ta=100°C
25°C
−40°C
200µ
100µ
50µ
20µ
10µ
5µ
2µ
1µ
0
VO=5V
500
DC CURRENT GAIN : GI
100
200
Ta=100°C
25°C
−40°C
100
50
20
10
5
2
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
100µ 200µ 500µ1m 2m
5m 10m 20m 50m100m
OUTPUT CURRENT : IO (A)
INPUT VOLTAGE : VI(off) (V)
OUTPUT CURRENT : IO (A)
Fig.1 入力電圧−出力電流
(ON特性)
Fig.2 出力電流−入力電圧
(OFF特性)
Fig.3 直流電流増幅率
−出力電流特性
1
lO/lI=20
OUTPUT VOLTAGE : VO(on) (V)
500m
Ta=100°C
25°C
−40°C
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100µ 200µ
500µ 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
OUTPUT CURRENT : IO (A)
Fig.4 出力電圧−出力電流特性
4/4
Appendix
ご 注 意
● 本資料の一部または全部を弊社の許可なく、転載・複写することを堅くお断りします。
● 本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。
本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用にあたりましては、別途仕様書
を必ずご請求の上、ご確認下さい。仕様書をご確認されることがなかった場合、万一ご使用機
器に瑕疵が生じましても、弊社はその責を負いかねますのでご了承下さい。
● 記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な動
作や使い方を説明するものです。従いまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考
慮していただきますようお願いいたします。
● ここに記載されております製品に関する応用回路例、情報、諸データは、あくまで一例を示
すものであり、これらに関します第三者の工業所有権等の知的財産権、及びその他の権利に
対して、権利侵害がないことの保証を示すものではございません。従いまして(1)上記第三
者の知的財産権の侵害の責任、又は、(2)これらの製品の使用により発生する責任につきまし
ては弊社は、その責を負いかねますのでご了承ください。
● 本資料に記載されている製品の販売に関し、その製品自体の使用、販売、その他の処分以外には
弊社の所有または管理している工業所有権など知的財産権またはその他のあらゆる権利
について明示的にも黙視的にも、その実施または利用を買主に許諾するものではありません。
● 本品は、特定の機器・装置用として特別に設計された専用品とみなされるため、その機器・
装置が外為法に定める規制貨物に該当するか否かを判断していただく必要があります。
● 本製品は「シリコン」を主材料として製造されております。
● 本製品は「耐放射線設計」はなされておりません。
本資料に掲載されている製品は、一般的な電子機器(AV機器、OA機器、通信機器、家電
製品、アミューズメント機器など)への使用を意図しています。極めて高度な信頼性が要求
され、その製品の故障や誤動作が直接人命に関わるような機器・装置(医療機器、輸送機器、
航空宇宙機、原子力制御、燃料制御、各種安全装置など)へのご使用を検討される際は、事前
に弊社営業窓口までご相談願います。
●日本における輸出貿易管理令について
本資料に掲載した製品は、輸出貿易管理令別表1の16項に定める関税定率法別表第85類の貨物の対象とな
りますので、輸出する場合には、大量破壊兵器などの不拡散のためのキャッチオール規制に基づく客観要
件又はインフォーム要件に該当するか否かを判定願います。
Appendix1-Rev1.0
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