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電源スイッチ用 2 素子内蔵複合トランジスタ
EMF23/UMF23N トランジスタ 電源スイッチ用 2 素子内蔵複合トランジスタ EMF23/UMF23N EMT6,UMT6 パッケージに 2SA1774 と DTC114E を独立して内蔵。 z外形寸法図(Units:mm) z用途 パワーマネージメント回路 0.22 (5) (6) (1) 0.5 各端子とも同寸法 標印略記号 :F23 ROHM : EMT6 1.3 2.0 0.65 (1) (6) (5) (2) (4) (3) 0.65 UMF23N 0.2 z構造 エピタキシャルプレーナ形複合トランジスタ (2) 1.2 1.6 0.13 z特長 1) 電源スイッチ回路を 1 パッケージ化。 2) 実装コスト及び面積が半減できる。 (3) (4) 0.5 0.5 1.0 1.6 EMF23 1.25 z内部等価回路図 (2) 0.9 (1) 0.1Min. 0∼0.1 (3) 0.7 0.15 2.1 各端子とも同寸法 DTr2 Tr1 R1 ROHM : UMT6 EIAJ : SC-88 標印略記号 :F23 R2 (4) (5) (6) R1=10kΩ R2=10kΩ zパッケージ、標印及び包装仕様 Type EMF23 UMF23N パッケージ名 EMT6 UMT6 標印 包装記号 F23 T2R F23 TR 基本発注単位 8000 3000 1/4 EMF23/UMF23N トランジスタ z絶対最大定格 (Ta=25°C) Tr1 Symbol Limits Unit コレクタ・ベース間電圧 VCBO −60 V コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO −50 V エミッタ・ベース間電圧 VEBO −6 V Parameter コレクタ電流 IC −150 mA コレクタ損失 PC 150 (TOTAL) mW 接合部温度 保存温度範囲 Tj 150 C Tstg −55∼+150 C ∗ 1素子あたり120mWを超えないこと。 ∗ DTr2 Limits Symbol 50 VCC VIN −10~+40 100 IC 50 IO 150(TOTAL) PC Tj 150 Tstg −55~+150 Parameter 電源電圧 入力電圧 コレクタ電流 出力電流 コレクタ損失 接合部温度 保存温度 Unit V V mA mA mW C C ∗1 ∗2 ∗1 構成トランジスタの特性です。 ∗2 1素子当たり120mWを超えないこと。 各端子を推奨ランドに実装した場合。 z電気的特性 (Ta=25°C) Tr1 Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions コレクタ・ベース降伏電圧 BVCBO −60 − − V IC=−50µA コレクタ・エミッタ降伏電圧 BVCEO −50 − − V IC=−1mA エミッタ・ベース降伏電圧 BVEBO −6 − − V IE=−50µA コレクタしゃ断電流 ICBO − − −0.1 µA VCB=−60V エミッタしゃ断電流 IEBO − − −0.1 µA VEB=−6V VCE (sat) − − −0.5 V IC/IB=−50mA/−5mA hFE 180 − 390 − VCE=−6V, IC=−1mA fT − 140 − Cob − 4 5 コレクタ・エミッタ飽和電圧 直流電流増幅率 利得帯域幅積 コレクタ出力容量 MHz VCE=−12V, IE=2mA, f=100MHz pF VCB=−12V, IE=0A, f=1MHz DTr2 Parameter Symbol Min. Typ. Max. VI(off) − − 0.5 VI(on) 3 − − 出力電圧 VO(on) − 0.1 0.3 V 入力電流 II − − 0.88 mA VI=5V 出力電流 入力電圧 Unit V Conditions VCC=5V, IO=100µA VO=0.3V, IO=10mA lO / Il=10mA / 0.5mA IO(off) − − 0.5 µA VCC=50V, VI=0V 直流電流増幅率 GI 30 − − − VO=5V, IO=5mA 入力抵抗 R1 7 10 13 kΩ 抵抗比率 R2/R1 0.8 1 1.2 − fT − 250 − MHz 利得帯域幅積 − − VCE=10V, IE=−5mA, f=100MHz ∗ ∗ 構成トランジスタの特性です。 2/4 EMF23/UMF23N トランジスタ z電気的特性曲線 Tr1 −5 −2 −1 −0.5 −0.2 −0.1 −0.2 −0.4 −0.6−0.8 −1.0−1.2−1.4 −1.6 −24.5 −14.0 −7.0 −2 −1.6 −1.2 IB=0 −2.0 100 50 −100 −1 −2 −3 −4 IB=0 −5 COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE(V) Fig.2 エミッタ接地出力静特性(Ⅰ) Fig.3 エミッタ接地出力静特性(Ⅱ) Ta=100℃ −40℃ 200 100 50 −1 Ta=25℃ −0.5 −0.2 IC/IB=50 −0.1 20 10 −0.05 −0.2 −0.5 −1 −2 −5 −10 −20 −50−100 VCE=−6V −5 −10 −20 −50−100 −0.2 −0.5 −1 −2 COLLECTOR CURRENT : IC(mA) −0.2 −0.5 −1 −2 −0.5 −0.2 −0.1 Ta=100℃ 25℃ −40℃ −0.05 −0.2 −0.5 −1 −2 −5 −10 −20 −50−100 COLLECTOR CURRENT : IC(mA) Fig.7 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 −コレクタ電流特性(Ⅱ) Ta=25℃ VCE=−12V 500 200 100 50 0.5 1 2 5 10 20 50 100 EMITTER CURRENT : IE(mA) Fig.8 利得帯域幅積−エミッタ電流特性 Fig.6 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 −コレクタ電流特性(Ⅰ) COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE : Cob(pF) EMITTER INPUT CAPACITANCE : Cib(pF) lC/lB=10 TRANSITION FREQUENCY : fT(MHz) 1000 −1 −5 −10 −20 −50−100 COLLECTOR CURRENT : IC(mA) COLLECTOR CURRENT : IC(mA) Fig.4 直流電流増幅率−コレクタ電流特性(Ⅰ) Fig.5 直流電流増幅率−コレクタ電流特性(Ⅱ) COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat)(V) −50μA 0 25℃ 200 −150 COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE(V) 500 VCE=−5V −3V −1V −0.8 −200 −20 −3.5μA −0.4 −250 −40 −10.5 0 DC CURRENT GAIN : hFE DC CURRENT GAIN : hFE −21.0 −17.5 −4 Ta=25℃ −500 −80 −450 −400 −350 −300 −60 −28.0 −6 Fig.1 エミッタ接地伝達静特性 Ta=25℃ −100 −31.5 −8 BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE(V) 500 −35.0 Ta=25℃ COLLECTOR CURRENT : IC(mA) COLLECTOR CURRENT : IC(mA) COLLECTOR CURRENT : Ic(mA) −10 VCE=−6V Ta=100℃ 25℃ −20 −40℃ −10 COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat)(V) −50 20 Ta=25℃ f=1MHz IE=0A IC=0A Cib 10 Co b 5 2 −0.5 −1 −2 −5 −10 −20 COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB(V) EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB(V) Fig.9 コレクタ出力容量−コレクタ・ベース間電圧特性 エミッタ入力容量−エミッタ・ベース間電圧特性 3/4 EMF23/UMF23N トランジスタ z電気的特性曲線 DTr2 10m 5m VO=0.3V OUTPUT CURRENT : Io (A) INPUT VOLTAGE : VI(on) (V) 50 20 10 Ta=−40°C 25°C 100°C 5 2 1 500m 200m 100m 100µ 200µ 500µ 1m 2m 5m 10m 20m 50m 100m 2m 1m 500µ 1k VCC=5V Ta=100°C 25°C −40°C 200µ 100µ 50µ 20µ 10µ 5µ 2µ 1µ 0 VO=5V 500 DC CURRENT GAIN : GI 100 200 Ta=100°C 25°C −40°C 100 50 20 10 5 2 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 1 100µ 200µ 500µ1m 2m 5m 10m 20m 50m100m OUTPUT CURRENT : IO (A) INPUT VOLTAGE : VI(off) (V) OUTPUT CURRENT : IO (A) Fig.1 入力電圧−出力電流 (ON特性) Fig.2 出力電流−入力電圧 (OFF特性) Fig.3 直流電流増幅率 −出力電流特性 1 lO/lI=20 OUTPUT VOLTAGE : VO(on) (V) 500m Ta=100°C 25°C −40°C 200m 100m 50m 20m 10m 5m 2m 1m 100µ 200µ 500µ 1m 2m 5m 10m 20m 50m 100m OUTPUT CURRENT : IO (A) Fig.4 出力電圧−出力電流特性 4/4 Appendix ご 注 意 ● 本資料の一部または全部を弊社の許可なく、転載・複写することを堅くお断りします。 ● 本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。 本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用にあたりましては、別途仕様書 を必ずご請求の上、ご確認下さい。仕様書をご確認されることがなかった場合、万一ご使用機 器に瑕疵が生じましても、弊社はその責を負いかねますのでご了承下さい。 ● 記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な動 作や使い方を説明するものです。従いまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考 慮していただきますようお願いいたします。 ● ここに記載されております製品に関する応用回路例、情報、諸データは、あくまで一例を示 すものであり、これらに関します第三者の工業所有権等の知的財産権、及びその他の権利に 対して、権利侵害がないことの保証を示すものではございません。従いまして(1)上記第三 者の知的財産権の侵害の責任、又は、(2)これらの製品の使用により発生する責任につきまし ては弊社は、その責を負いかねますのでご了承ください。 ● 本資料に記載されている製品の販売に関し、その製品自体の使用、販売、その他の処分以外には 弊社の所有または管理している工業所有権など知的財産権またはその他のあらゆる権利 について明示的にも黙視的にも、その実施または利用を買主に許諾するものではありません。 ● 本品は、特定の機器・装置用として特別に設計された専用品とみなされるため、その機器・ 装置が外為法に定める規制貨物に該当するか否かを判断していただく必要があります。 ● 本製品は「シリコン」を主材料として製造されております。 ● 本製品は「耐放射線設計」はなされておりません。 本資料に掲載されている製品は、一般的な電子機器(AV機器、OA機器、通信機器、家電 製品、アミューズメント機器など)への使用を意図しています。極めて高度な信頼性が要求 され、その製品の故障や誤動作が直接人命に関わるような機器・装置(医療機器、輸送機器、 航空宇宙機、原子力制御、燃料制御、各種安全装置など)へのご使用を検討される際は、事前 に弊社営業窓口までご相談願います。 ●日本における輸出貿易管理令について 本資料に掲載した製品は、輸出貿易管理令別表1の16項に定める関税定率法別表第85類の貨物の対象とな りますので、輸出する場合には、大量破壊兵器などの不拡散のためのキャッチオール規制に基づく客観要 件又はインフォーム要件に該当するか否かを判定願います。 Appendix1-Rev1.0