薄膜材料カタログ

Manufacturing Co., Ltd.
Materials system division
Sputtering target/Functional ceramics/
MOCVD precursor
株式会社豊島製作所
主要製品カタログ
Contents
Battery
電 池 分 野
リチウムイオン電池材料
Lithium ion battery materials
p4
太陽電池材料
Solar cell materials
p5
燃料電池材料
Fuel cell materials
p5
Energy device
エ ネ ル ギ ー デ バ イス
熱 電 変 換 材 料・ ぺ ル チ ェ 用 素 子
Thermoelectric conversion materials
p6
超電導材料
High-temperature superconducting materials
p8
Advanced functional oxide
Sputtering Target
Powder
MOCVD precursor
先 進 機 能 性 酸 化 物
光学系機能性材料
Optical functional materials
p9
強誘電体材料
Piezoelectric ferroelectric materials
p10
M R A M・ 磁 気 デ バ イ ス 材 料
Magnetic RAM & device materials
p11
MOCVD材料
MOCVD
p12
MODコート材料
MOD coating
p13
Research support
Total Support For
Advanced Material Research
MOD coating solution
Sputtering support
先 進 材 料 研 究 のト ー タ ル サ ポ ート
株 式 会 社 豊島 製 作 所 マテリアルズシステム事 業 部は 、お客 様 のご 要 望に沿った
幅 広い 材 料 提 供 を 通じて先 進 的な研 究・開 発をサポート致します 。
社内 一貫 製 造により短 納 期 対応を実 現しております 。
Materials system division at Toshima manufacturing company supports your advanced study and development with providing
several kinds of material which of your requests. We can materialize it with short delivery time by continual production in company.
研 究 サ ポ ー ト
ラジアントテクノロジー社製品
Radiant Technologies products
p14
圧 電 定 数 測 定 装 置・ 卓 上 恒 温 槽
Piezoelectric constant meter & Desktop thermostat
p15
受 託 成 膜（ ス パ ッ タ リ ン グ ）
Sputter coating service
p16
受託分析
Analysis support
p17
材料共同開発
Joint development
p18
Continual production system
Procurement
Checkweigh・mixture
Bonding
Sintering・hot pressing
Checkout
Machining
設 備 紹 介 Facilities
p18
会 社 概 要 Company profile
p19
Checkout・analyses
Shipping
Solar cell materials
Lithium-ion battery materials
リチウムイオン電池材料
太陽電池材料
リチウムイオン電 池 用 材 料 をご 希望の 粉 末 、薄 膜 用ターゲット材 、シート状にて提 供可 能です 。
C IG S(Cu, In, Ga, Se多元 系 化合 物 半 導 体 )太 陽 電 池 用を中心に製 造・販 売しております 。
We can provide powder, sputtering target for thin film or sheet types of Lithium ion battery materials.
We provide a wide variety of materials for CIGS (Cu, In, Ga, Se multi-compound semiconductors) solar cell.
Powders
Targets
Sheets
光 吸 収 層 Light-absorbing layer
CuGa (Na)
CuGaln(Na)
CuZnSn
CulnTe2
A model of CIGS solar cell
バッファ層 Buffer layer
In2 S3
・単 相を作 製 可 能
・形 状：各 種サイズ を作 製 可 能
・50×50mm まで 実 績あり
Preparable single phase structure
・粒 径 1 ∼ 数μm
Machinable to any size at your request
・密 度 約 4.34 ∼ g/cm
（ 理 論 値 5.11g/cm3 ）
Particle size distribution data :
D50 : 1∼10μm
・ Ta 、Nb置換、組成比等、
カスタマイズ 対応可能
Sintered density : 4.34∼g/cm3
( TD : 5.11g/cm3 )
Densely-sintered product is
available
・150μm 厚まで 作 製 可 能
・相対 密 度 90% 以 上 実 績あり
Ta, Nb-substituent type or any
customized type is available.
Available up to 50X50mm size
・高密 度品を作 製 可 能
3
Thinnest until 150μm is available
by polishing processing.
Relative density : 90%
AR layer
ZnS
ZnOS
ZnO-Al
半 絶 縁 層 Semi-insulating layer
ZnO
Semi-insulating layer
ZnO
（+MgO）
ZnO-MgO
Buffer layer
ZnS
透 明 電 極 TCO layer
AZO
Light-absorbing layer
BZO
GZO
TiO2 -Nb
反 射 防 止 膜 AR layer
作 製 可 能 な 代 表 例 Feasible example
※ 組 成 は 一 例 で す 。Composition is example.
MgF2
MgF2
TCO layer
SiN
TiO2
Nb2 O X
CIGS
Back plate
Mo
（+NaF）
Soda-lime glass substrate
Feel free to contact us if you have any other inquiries besides above.
正 極 材 料 Cathode active materials
LiNiO2
LiCoO2
LiCo 1/3 Ni 1/3 Mn1/3 O2
LiNbO3
LiMnPO4
LiMn2O4
LiCo 0.5Mn1.5 O4
LiNi 0.5Mn1.5 O4
Li 2MnO3
Li 2Mn2O4
LiFePO4
LiCoPO4
LiNiPO4
LiCo1-X Fe X PO4
固 体 電 解 質 Solid electrolyte
Li 7La3Zr2O12
Li 7La3 Zr2-X Nb X O12
Li 7La3 Zr2-X Ta X O12
Li 5La 3Ta2O12
Li 0.33La 0.55TiO3
Li 1.5 Al 0.5 Ge1.5 P3O12
Li 1.3 Al 0.3 Ti 1.7 P3O12
Li 3PO4(LiPON)
Li 4 SiO4 -Li 3 PO4
Li 4 SiO4
Li 3BO3
Nb2 O5
Sn (+α)
燃料電池材料
昨 今 、住 宅・自動 車・携 帯 用 途 など 、高 エネル ギ ー 効 率 のプ ロトン 伝 導タイプの 開 発 が 盛 ん に行 わ
れております 。当社では 固 体 酸 化 物系 材 料 を、固 相・共 沈・ゾル ゲル 等 、各 種 方 法で 合 成と製 造し、
ご 提 供しております 。
Nowadays, proton conduction type of solid state oxide is developed for application of house, motorcar and cell
phone, because it has high energy efficiency. Toshima is developing and synthesizing the solid state oxide materials
by using some kinds of making process such as solid reaction, coprecipitation and sol-gel methods.
負 極 材 料 Anode active materials
Li 4Ti 5O12
Fuel cell materials
C
SiO X
SiOC
S O F C 燃 料 電 池 SOFC fuel cell
空 気 極 材 料 Cathode
XRD result of LLZ target
LSM
SSC
LSC-YSZ
SSC- SDC
Intensity (a.u.)
電 解 質 材 料 Electrolyte
BCY
BZY
SZY
YSZ
SDC
LSGM
NiO-BZY
NiO-YSZ
NiO-SDC
Ni-YSZ
Ni-SDC
燃 料 極 材 料 Anode
NiO-BCY
5
4
LSC
25
45
2θ
65
85
5
T
C
hermoelectric
onversion materials
Evaluation of homogeneity about BiTe-base materials sintered by hot pressing method
50 C (323K)
10 -5Ωm
A
エネル ギーハーベストを目的とした 熱 電 変 換 材 料が 注目されております 。豊島 製 作 所で は 10 年 以 上
の 材 料 開 発 のノウハウを基に、新しい 熱 電 変 換 材 料 を提 供しております 。
P
Thermoelectric conversion attracts attention as energy harvest. On the basis of technical know-how of material
developing, Toshima provides new thermoelectric conversion materials.
B
金 属 系 [ N タ イ プ ] Metal type [ N-type ]
A
CoSb 2.85Te 0.15
N
Mg 2Si
B
金 属 系 [ P タ イ プ ] Metal type [ P-type ]
Bi 0.3 Sb 1.7Te3
CoSb 3
ρ
Type Group
熱 電 変 換 材 料・ ペ ル チ ェ 用 素 子
Bi 2Te3
100 C (373K)
〇
MnSi 1.73
酸 化 物 系 Oxide type
S
150 C (423K)
〇
S 2/ρ
ρ
10 -6 V/K 10 -3W/mK2 10 -5Ωm
S
〇
S 2/ρ
ρ
10 -6 V/K 10 -3W/mK2 10 -5Ωm
S
S 2/ρ
10 -6 V/K 10 -3W/mK2
AVE.
1.047
182.5
3.18
1.328
193.9
2.83
1.660
201.2
2.44
S.D.
0.026
1.4
0.07
0.033
1.0
0.05
0.041
1.2
0.05
AVE.
1.089
183.1
3.08
1.357
193.2
2.75
1.693
200.2
2.37
S.D.
0.021
1.7
0.07
0.025
1.9
0.05
0.031
1.5
0.04
AVE.
0.850
-131.7
2.04
1.053
-144.3
1.98
1.276
-151.4
1.80
S.D.
0.010
1.5
0.05
0.012
1.0
0.04
0.014
1.0
0.03
AVE.
0.893
-131.8
1.95
1.088
-143.2
1.89
1.321
-150.2
1.71
S.D.
0.007
1.7
0.06
0.009
1.4
0.05
0.011
1.4
0.04
Kawamoto et al. ( 2009 ) Evaluation of homogeneity about
BiTe-base materials sintered by hot pressing method.
Annual meeting of the Thermoelectrics Society of Japan 2012.
Na X CoO y
Ca 3Co 4O9
SrTiO3(with dopant)
接 合 タ イ プ Joint type
MnSi 1.73
Bi 2Te3 - Joint material - CoSbTe
Charactoristics
・Relative density : 90%up
・This sample : 4.81g/cm3 : 93%
・Stracture : Single phase（This chart）
BiSbTe - Joint material - CoSb 3
Electrode material - Supplied material or trial piece - Electrode material
An example of Junction material
Intensity
Electrode material - Bi-base material, Co-base material - Electrode material
Bi 2Te 3（N-type）& Bi0.3Sb1.7Te3（P-type）
Bi 2Te 3
Direct
junction
Al
Mg 2Si
Charactoristicsl
・Relative density : 90%up
・This sample : 1.9g/cm3 : 93%
・Stracture : Single phase（This chart）
Segment type
Fe-base
material
Bi 2Te 3
CoSb 2.85Te 0.15
6
Intensity
Cu electrode
7
H igh-Temperature
Superconducting materials
Optical functional materials
超電導材料
光学系機能性材料
豊 島 製 作 所で は長 年にわたり高 温 酸 化 物 超 伝 導 材 料 を提 供してまいりました 。添 加 材 等 を 含めたカ
スタマイズ品や 量 産に幅 広く対 応 可 能です 。
I G Z O の 登 場によって注目を集 めている透 明 酸 化 物 半 導 体 材 料 。豊 島 製 作 所 で は 長 年に渡り蓄 積し
た専門 知 識により、様々な酸 化 物 や 化合 物 材 料に対 応しております 。
Toshima has continued supplying a high temperature superconducting materials to market for many years. We can
provide a wide variety of the materials as mass production and/or custom-made products.
Transparent oxide semiconductor materials are attracting attention due to IGZO. Toshima deals with some kind of
oxide and compound materials by long experience and technical knowledge.
超 電 導 体 Superconducting material
透 明 酸 化 物 半 導 体 Transparence oxide semiconductor
YBCO
GdBCO
SmBCO
BSCC
BZO
中 間・ バ ッ フ ァ 層 Interfacial/buffer layer material
CeO2
Gd2 Zr2 O7
Ce
NiO
YSZ
InGaZnO4
InZnSnOX
ZnO-SnO2
SEMICONDUCTOR
ZnO
SnO
Cu 2O
P TYPE
NiO
CuAlO2
SrCu2O2
CuCrO2
ZnIr 2O4
透 明 導 電 膜 Transparence conductive film materials
下 地 膜 Under layer
Ni-alloy
TAOS
MgO
SrTiO3
Al 2 O3
Feel free to contact us if you have any other inquiries besides above.
Structure of superconducting tape
ITO
Mg
Meissner effect
Stabilizing layer
Ag-alloy
a few
μm
100
μm
Ti O2
Al2O3
Ta2O5
Ti O2/Si O2
GaN
InN
ATO
ITO
ZnO
反 射 防 止 膜 Anti-reflective film materials
MgF2
Interfacial layer
SnO2 (+α)
SnO2
熱 線 反 射 膜 Solar energy reflecting film materials
Superconducting layer
Substrate
ZnO
Nb2OX
反 射 膜 Reflective film materials
Ag-alloy
Al-alloy
L E D Materials widely use for LED
ITO
TiO2:Nb
a few mm
光 メ デ ィ ア 記 録 膜 Materials for Optical media
CuSi
GeSbTe
タッチパネルを始め各 種光学用途において、多層化に伴なう光学的障害を解決する材料の要求が 増
えております。豊島製作所では、波長域に応じた屈折率調整材料を開発・提 供しております。
For various optical applications as touch panel, requests that optical mismatching with multilayer is solved are
increasing. Toshima is developing and providing flexibility matching materials according to wavelength band.
For
Nb2O5
layer
Additive dependance of Jc min at 77K and 3T for BMO doped
GdBCO CCs, compared with pure GdBCO CCs.
Thickness dependance of Ic at 77K and 3T for BHO doped GdBCO CCs
compared with BSO and BZO doped GdBCO CCs and pure GdBCO CCs.
Reference : H Tobita, K Notoh, K Higashikawa, M Inoue, T kiss, T Kato, T Hirayama, M Yoshizumi, T Izumi and Y Shiohara
Supercond. Sci. Technol. 25 (2012) 062002
8
For
SiOx
layer
Materials
Properties
Refractive
index
at 550nm
Resistivity
(Ω・cm)
Heat
conductivity
( W/m・K)
Thermal
expansion
coefficient
(10-6/K)
Flexural
strength
( Mpa)
Nb2Ox
Nb12O29
2.35*
≦0.03
4.0
2.0
ー
Nb2Ox-Al2O3
70:30 mol%
2.0*
≦0.5
ー
ー
ー
Si-C*
69.7:30.3mol%
1.46 ∼ 1.47*
≦0.02
110
2.9
240
Si-Al*
95:5 wt%
1.48*
≦0.5
ー
ー
ー
Si ( B dope) *
Crystalline
1.44*
≦0.02
ー
ー
77 ∼ 85
* On O2 reactive process
9
Piezoelectric
F erroelectric materials
M agnetic RAM and
D evice materials
強誘電体材料
磁 気 R A M・ 磁 気 デ バ イ ス 材 料
豊島製作所では圧電 M E M s 、マルチフェロイック材料、非鉛系強 誘電体 材料を幅広く提 供しております。
MR A Mや MR素 子 等 の 磁 気デバイス向け薄 膜 材 料について幅 広く材 料 を提 供しております 。
Toshima provides wide kinds of materials such as Piezoelectric MEMs, multiferroic and lead-free ferroelectric
materials.
We offer materials for the magnetic devices such as MRAM and MR device widely.
M R A M 材 料 Magnetic RAM materials
強 誘 電 体 Ferroelectric materials
P ( L ) ZT ( N)
SBT
KNN/KN/KT
NBT
BFO
ゲ ー ト 絶 縁 膜 Gate insulator materials
HfSiO( N )
HfO2
HfO2 -Al 2 O3
La 2 O3
La 2 O3-Al 2 O3
CoMnSi
CoMnAl
CoMnSb
CoFeB
CoFeMnGe
CoFeGaGe
FePt
IrMn
Ru
Ta
Cu
Ni-Fe
MgO
電 極 Electrode materials
Pt
Ir
IrO2
SrRuO3
LaNiO3
TiN
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Memory : MTJ
Current
P-E Hysteresis loops
Nb-PZT
800
20
10
0
-200
-150
-100
-50
CoFeB
( Free layer)
MgO( Tunnel insulator)
CoFeB
( Fixed layer)
30
-10
0
-20
50
100
150
200
600
displacement (nm)
P(μC/cm2)
PZT
Multi
recording
layer
1000
50
40
Free layer
Tunnel insulator
Fixed layer
MTJ＊
Butterfly curve
400
Gate
200
-40
-30
-20
-10
0
0
10
20
30
Drain
40
Cobalt, Ferrum, Boron,
Magnesium, Oxygen
Transistor
Source
-200
-30
-40
-400
Volt (V)
-50
E (kV/cm)
＊
MTJ : Magnetic Tunnel Junction
Reference：Low-power Electrics Association & Project
http://www.leap.or.jp/base3.html
The Butterfly curve of PZTN
Field Coil
試 料 の 磁 場 応 答 を 電 荷 変 化 とし て
高精 度に検出するシステムを米国
ラジ ア ント 社 が 開 発 致しまし た 。
H-Field
Sensor
HVA
日本総代理店を務める豊島製作所
で は 、同 シ ス テ ム の 販 売 を 行 っ て
おります 。
PZTN Target
BFO Target
SBT Target
Radiant technologies inc. in USA
developed high precision measurement
system for magnetic reaction of
materials. Toshima, Japan sole agency
of Radiant, sells the system.
I 2C DAC
Current Amplifier
DRIVE
I 2C Port
Helmholtz
Coil
RETURN
SENSOR 2
USB to
host
Radiant Premier II
Please refer to “Magnet bundle system” on page 14 in this catalog.
10
11
MOCVD precursor
MOD coating materials
MOCVD材料
MODコート材料
豊 島 製 作 所 で は 、気化 性 、分 解 性 、溶 解 性に差 異を持った 、多 様 な 種 類 の C V D 材 料 を取り揃えて
おり、お 客 様 の 装 置・成 膜 条 件に合った材 料 を提 供しております 。
We offer a variety of CVD materials (beta diketone complex) varying in vaporization characteristics and degradability
and solubility. We suggest materials suitable for the device and the film formation conditions of the customer.
組 成・濃 度 等 のカスタマイズ 可 能です 。実 験 的な先 進 材 料 の 作 製にも挑 戦してまいります 。
We can regulate composition or density depending on the demand of customer. We work on the development of
experimental materials.
酸 化 物 半 導 体・ 導 電 性 酸 化 物 Oxide semiconductor and conductive oxide materials
取 り 扱 い 元 素 Available line of elements
ZnO
He
H
Be
B
C
N
O
F
Ne
Na Mg
Al
Si
P
S
Cl
Ar
Li
V
K
Ca
Sc
Ti
Rb
Sr
Y
Zr
Nb Mo
Tc
Ru
Cs
Ba
Ln
Hf
Ta
Re
Os
Fr
Ra
Cr
W
Mn
Fe
Ni
Cu
Zn
Ga
Ge
As
Se
Br
Kr
Rh
Pd
Ag
Cd
In
Sn
Sb
Te
I
Xe
Ir
Pt
Au
Hg
Tl
Pb
Bi
Po
At
Rn
Co
In2 O3
Ce
Pr
Nd Pm Sm
Eu
Tb
Gd
Dy
Ho
Er
Tm
Yb
NiO
TiO2
LaNiO3
強 誘 電 体 Ferroelectric materials
PZT
SBT
BFO
BST
BaTiO3
LiNbO3
LSC
PCMO
KNN/KN/KT
Sr2 Nb [ Ta ] 2 O7
LiLaZrO
SrTiO3
そ の 他 Others
LSM
La
SnO2
Lu
P-V hysteresis loop of 300nm spincoated PZT film
Melting point and solubility of Zn complexes
Materials
m.p.(℃)
Zn(TMOD)2
Solubility
Toluene
Butyl Acetate
THF
48
S
A
S
Zn(DPM)2
141
A
B
A
Zn(IBPM)2
＜20
A
A
A
Zn(DIBM)2
80
S
A
S
Zn(acac)2
138
G
G
G
SEM image of spincoated LaNiO3 film
TG-DTA chart of LaNiO3 coating solution
Deposition conditions
> Thickness : ca.60nm
> 300nm thickness LaNiO3 has identified as its
resistivity 3x10E-4Ωcm
Dependance of Co deposition
rate on precursor temprature
12
XRD pattern of 200nm spincoated SrTiO3 film
Comparison of TG curves of
Incomplexes in Ar flow atmosphere
13
ラジアント社製強誘電体測定装置
ラジアント社製強誘電体ウェハー
Radiant Technologies ferroelectric materials tester
Coated ferroelectric thin film on Si wafer
ラジアント社は世界で初めて強 誘電体 測定装置を製 造・販 売したパイオニアです。
Speciality
Radiant technologies inc. is a pioneer in first make and sale of ferroelectric material analyzer in the world.
700 C まで 使 用可 能 な Pt 電 極 付き Si ウェハー。
〇
Customer can use coated Pt on Si wafer up to 700 C.
〇
Hysteresis Parameters
PZT だけで はなく、PLZT 、PNZT 等も作成 可 能 。
Available ferroelectric material: PZT, PLZT and PNZT.
50
RHyst μC/cm2
IV×2.5 μA/cm2
CV×10 μF/cm2
40
上 部・下 部 電 極 の 有 無 の 指 定も可 能 。
Selectable: top and bottom electrodes.
μC/cm2, μA/cm2, μF/cm2
30
20
10
0
-6
-4
-2
0
2
4
6
-10
-20
静荷重式圧電定数測定装置
-30
-40
Static loading type piezoelectric constant meter
Volts
この 測定 装 置は静 荷 重印加による圧電 体・強 誘 電 体 の電 荷応 答を計 測し、圧電 定 数 d（pC/N ）を求めます。
Parameter
Number of ADC Bits
Minimum Charge Resolution
Max Hysteresis Frequency
Min Hysteresis Frequency
Multiferroic
Premier II
LC
18
18
16
0.8fC
0.8fC
30.5fC
100kHz (9.9V)
100kHz (9.9V)
30kHz (200V)
5kHz (200V)
0.03Hz
0.03Hz
This measurement equipment collects electrical charge of piezoelectric and ferroelectric by using static loading.
Customer can calculate piezoelectric constant d (pC/N).
Speciality
薄 膜 材 料 の計 測 が 可 能 。
This system can measure thin film material.
2kHz (9.9V)
電 圧 印 加を行 わないため 、測 定による分 極 反 転を 伴いません 。
Polarization switching does not occur because this system does not apply voltage.
0.1Hz
外 部 変 位 計 測 器 が 不 要。
No need external displacement meter.
Radiant tester options
Option name
High voltage unit
Speciality
最 大 10kVまで の 電 圧 印 加に対 応します 。
The unit can generate up to
Piezo software
10kV as Vmax.
変 位 計と組み合 わ せで 、バタフライカーブ（ 圧 電 定 数 ）の 平均 測 定 が
可 能です 。
The sof tware is for piezostatic coefficient measurement with using
displacement meter.
卓上型恒温槽
Desktop type Temperature controlled bath
Speciality
Magnet bundle
外 部 磁 場 発 生 装 置との 組み合 わせで 、試 料 の 磁 場 影 響を測 定します。
This system measures magnetic effects of sample with using external
magnetic field generator.
-190 C から +500 C までの広い温 度 範 囲で 連 続 制 御 が 可 能です 。
〇
〇
This chamber can be continuous control from -190 C to +500 C.
〇
〇
優 れ た 温 度 調 整 精 度 、温 度 分 布 特 性 。
Chamber software
恒 温 槽 等との 組み合 わせで 焦電 係 数を測 定します。
The software is for pyroelectric coefficient measurement with using
hotchuck or thermostat.
14
Excellent temperature controling inside the chamber.
高 電 圧 印 加 や 複 数 個の試 料 冶具 等に対 応 可 能
Option: high voltage support multi test samle fixture.
15
受 託 成 膜（ ス パ ッ タ リ ン グ ）
受託分析
Sputter Coating Service
Analysis support
豊 島 製 作 所 は 薄 膜 材 料メーカーとして 、長 年に 渡って多 種 多 様 な 材 料 を取り扱ってまいりました 。高
試 作 成 膜 を 承ります 。豊 島 製 作 所 で は 3台 のス パッタリング 装 置を持ち 、基 板 加 熱 や 複 層 膜 の 堆 積
に対 応 可 能です 。
品 質 な 材 料 提 供 のため 、また 、最 先 端 材 料 開 発 のため 、様 々な 分 析 設 備 を 有し 、そして長 年 の 材 料
We can perform experimental manufacture by sputtering. We have three sputtering machines. We can fabricate
multilayer film deposition with using substrate heating.
でお困りになられていることが ありましたら、ぜ ひ 受 託 分 析をご 利 用ください 。
TM-3 機 能 性 セ ラ ミ ッ ク ス 薄 膜 の 成 膜 に 適 し た 装 置 分 析において身に付けた高 度 な分 析 技 術 が あります 。もしもお 客 様 の 研 究・開 発において、分 析 の面
We offer a variety of CVD materials (beta diketone complex) varying in vaporization characteristics and degradability
and solubility. We suggest materials suitable for the device and the film formation conditions of the customer. We
have three sputtering machines. We can fabricate multilayer film deposition with using substrate heating.
Sputtering system that is suitable for functional ceramics film
基板加熱や積層など、様々な成膜条件に対応可能な装置です。TCO 、TAOS 、薄膜 Li 電池向けなど、機能性セラ
受 託 分 析 の 流 れ Analysis flow
ミックス薄膜に対応可能です。 例 ： ITO, TNO, IGZO, LLZ, LCO, LiFePO4 , etc
Sputtering source : magnetron
Power source
: DC 1kW RF 500W
Cathode source
: 3 lines (Ar, O2 , N2 )
Substrate heating : 600 C (MAX)
分析の
ご相談
お見積
試料送付
前処理
観察・定性・
定量
解析
報告書発行
Inquiry
Quotation
Sample
acceptance
Pre treatment
Observation
Measurement
Analysis
Report
〇
Substrate size
: up to 50×50mm
Other
: reverse sputtering
分析事例
ICP発光分光分析装置
SEIKO instruments inc. SPS -3000
・薄 膜中の主 成 分 分 析（ Li 系 酸 化 膜・PZT 薄 膜 etc )
・金 属・合 金 の主 成 分 及び 微 量 成 分 分 析
・セラミックス中の主 成 分 及び 、微 量 成 分 分 析
そ の 他 の 分 析 機 器 Items of analysis
L560 生 産 性 の 高 い 中 規 模 チ ャ ン バ ー を 装 備 し た 装 置
Sputtering system with high productivity
金属膜や単膜で十分。大切なのはコストという要求に対応する、ハイコストパフォーマンスの装置です。
装飾膜や保護膜などに適しています。 例 ： Single element metal, TiN, SiO2 , Si3N4 , ZnO, etc
Instrument
Instrument
X-ray diffractometer
（ XRD)
Laser diffraction
particle size
distribution monitor
Type
Type
Rigaku TTRⅡ
NIKKISO
Microtrac MT3000
Sputtering source : magnetron
Power source
: DC 10kW RF 1kW
Cathode source
: 3 lines (Ar, O2 , N2 )
Substrate heating : 150 C
〇
Substrate size
16
: up to 50×50mm
お 客Instrument
様 のご 依 頼 例
Scanning electron
microscope（ SEM )
Instrument
X-ray fluorescence
spectrometer
（ XRF )
Type
Type
KEYENCE VE-7800
SHIMADZU EDX-720
Instrument
Instrument
Thermogravimetry
and Differential thermal
analysis（ TG-DTA )
Spectrophotometer
Type
Type
Bruker 2020SA
HITACHI U-1900
17
材料共同開発
Joint development for new material research
Company Profile
豊島 製 作 所は 材 料 粉 末 、ス パッタリングターゲット、MOCVDプレカーサや MOCVD 溶 液 等 の 薄 膜 製 品
全 般に対 する新 材 料 をサポートします 。新 材 料 開 発に秘 密 保 持 契 約 が 必 要 な 場 合で も対 応させ て頂
商 号
株式会社豊島製作所
従業員数
185 名（2011 年11 月現在）
設 立
昭 和 20 年 5 月15 日
事 業 所
埼玉県東松山市下野本1414
資 本 金
9,900 万円
敷 地
2 万 4,971.48m
代 表 者
代表取締役社長 木本健太郎
建 物
11,417.56 m
事業内容
1. 電子材料の製造販売
2. 冷間鍛造加工
取引銀行
東和銀行 東松山支店
武蔵野銀行 東松山支店
Company Name
Toshima Manufacturing Co.,Ltd.
Employees
185 as of March 2011
Established
May 1945
Capital Stock
99 million yen
Headquarter's
location
1414 Shimonomoto, Higashimatsuyama,
Saitama 355-0036, Japan
President
Kentaro Kimoto
Site area
24,952m2
Business
Segments
1. Production and sales of
materialsfor electronics
2. Cold-forging and pressing
（Machining and Assembly）
Building area
11,418m2
Main financing
banks
Towa Bank Higashimatsuyama branch,
Musashino Bank Higashimatsuyama branch
きます 。
Toshima supports new material development for whole thin film products such as powders, sputtering targets,
MOCVD precursors and MOD solutions. In case you need us to contract Non-Disclosure Agreement for developing
new materials, we will follow to your requirement without any problems.
Material development support
2007 真空プロセス向け耐 食 膜コート技 術の開発
2008 強 誘 電 体メモリ形 成 技 術に関する研 究 他 1 件
Inquiry
Consultation
2009 NDA execution
2011 Preproductioin
酸 化 物絶 縁 被 覆 技 術の開発 他 2 件
Li イオン 2次電 池電 解 質 材 料 開発 受 託 他 1 社 2012 PLD 法を用いたエピタキシャル 雲 母 薄 膜 の 作 製 条 件の 検 討 他 6 社
2013 ビ スマステル ル 系 熱 電デ バイス共同開発 他 5 社
2014 薄 膜 Li 電 池 形 成 共同開発 他 1 社 ( 2013 年12月現 在 )
Supply of sample
NG
Test and evaluation
Patent filling or technical right
GOOD
History
設 備 紹 介 Facilities
原 料 調 達 から粉 末 合 成 、焼 結 、成 形 加 工 、ボンディングに至るまで自社 内で 対 応をしております 。
Toshima adopts continual production system with including raw material procurement, powder synthesis, sintering,
machining, bonding etc.
Powdering
Machining
18
Continual production system
Calcination/Combustion
Checking
2
2
Close-out
社内一貫製造
会 社 案 内
Sintering
Bonding
沿 革 昭 和 20 年 5 月
先 代 社 長 木 本 宗 吉 が 東 京 都 豊 島 区 千 早 町 に お い て 豊 島 航 空 機（ 株 ）
を 設 立 。 ス ピー カ ー 磁 気 回 路 部 品（ ヨ ー ク ） を 製 造 。
昭 和 24 年 10 月
社 名 を（ 株 ） 豊 島 製 作 所 と 改 称
昭 和 46 年 12 月
本 社を 埼 玉 県 東 松 山 市 に 移 転
昭 和 57 年 11月
木本大作が社長に就任
平成 5年
9月
マ テリアルズ シス テム 事 業 部 を 新 設
平 成 11 年
4月
MOCVD部門を設 立
平 成 12 年
7月
I S O 9 0 0 1認 証 取 得
平 成 17 年 10 月
環 境 マ ネジメントシス テム K E S ス テ ッ プ 2 認 証 取 得
平 成 18 年
9月
量 産 用 ス パッタリン グタ ー ゲ ット 新 工 場 竣 工
平 成 23 年
1月
木 本健 太 郎が社長に就任
May 1945
Toshima Kokuki Company was established in Toshima ward in Tokyo by Sokichi Kimoto.
Oct 1949
Changed the corporate name to Toshima Manufacturing Company.
Dec 1971
Nov 1982
Moved to Higashimatsuyama in Saitama prefecture.
Daisaku Kimoto became the president.
Sep 1993
Established Materials System Division and began to produce sputtering targets.
Apr 1999
Established MOCVD section.
Jul
Certified ISO9001.
2000
Oct 2005
Certified KES environmental management system.
Sep 2006
New factory for mass production was operated.
Jan 2011
Kentaro Kimoto became the president.
Manufacturing Co., Ltd.
Materials system division
株 式 会 社 豊 島 製 作 所 マ テリア ル ズ シ ス テ ム 事 業 部
www.material-sys.com
FAX 0493-24-6715
〒355-0036 埼 玉 県 東 松 山 市 下 野 本 14 14 TEL 0493-24-6774
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1414 Shimonomoto, Higashimatsuyama, Saitama 3550036 JAPAN TEL 81-493-24-6774 FAX 81-493-24-6715 www.material-sys.com/en