SG-8002DB/ DCシリーズ

Crystal oscillator
プログラマブル高周波水晶発振器
SG-8002DB/ DCシリーズ
製品型番（２ページを参照）
Q3203DBxxxxxx00
Q3204DCxxxxxx00
PLL技術による幅広い周波数対応が可能
サンプル即納、量産短納期対応
● 優れた耐環境特性
● アウトプットイネーブル機能
（OE）、スタンバイ機能（ST）に
よる低消費電流対応が可能
● フルサイズ・ハーフサイズにピンコンパチブル
● 専用ライタ
（別売）でプログラム可能
● 鉛フ
リー実装対応
● 端子部鉛フ
リー対応可能製品
●
●
SG-8002DB
SG-8002DC
原 寸 大
■仕 様（特性）
項 目
記 号
出力周波数範囲
f0
電源電圧
温度範囲
最大供給電圧
動 作 電 圧
保 存 温 度
動 作 温 度
f / f0
消 費 電 流
ディセーブル時電流
スタンバイ時電流
lOP
lOE
lST
“H”レベル入力電圧
“L”レベル入力電圧
VIL
出 力 上 昇 時 間 ※1
出 力 下 降 時 間 ※1
3.3 V±0.3 V
2.7 V∼3.6 V: f0≦66.7 MHz(PC/SC)
単品での保存
P.50製品別周波数帯を参照してください
B,C:-20 ˚C∼+70 ˚C
-55 ˚C∼+125 ˚C
-40 ˚C∼+85 ˚C
-20 ˚C∼+70 ˚C(-40 ˚C∼+85 ˚C)
B：±50 × 10-6, C：±100 × 10-6
M:-40 ˚C∼+85 ˚C
ー
40 %∼60 %
CMOS負荷：
１/２ VDD レベル, 最大負荷時
40 %∼60 %
ー
VDD -0.4 V Min.
TTL負荷：1.4 Vレベル, 最大負荷時
IOH＝-16 mA（PT/ST,PH/SH）,-8 mA（PC/SC）
IOL＝16 mA（PT/ST,PH/SH）, 8 mA（PC/SC）
0.4 V Max.
ー
5 TTL Max.
25 pF Max.
15 pF Max.
2.0 V Min.
0.8 V Max.
ー
4 ns Max.
ー
4 ns Max.
tR
tF
無負荷、最大出力周波数範囲
OE=GND（PT,PH,PC）
ST=GND（ST,SH,SC）
28 mA Max.
16 mA Max.
45 mA Max.
30 mA Max.
50 µA Max.
VOL
N
CL
VIH
P.50製品別周波数帯を参照してください
-0.5 V∼+7.0 V
5.0 V±0.5 V
VOH
“L”レベル出力電圧
※1
出力負荷条件（T T L ）
※1
出力負荷条件（CMOS）
条 件
PC/ SC
M：±100 × 10-6
tW / t
“H”レベル出力電圧
※2
PH/ SH
1.0000 MHz
∼125.0000 MHz
VDD-GND
VDD
TSTG
TOPR
周波数安定度
デ ュ ー テ ィ ※1
仕 様
PT/ ST
最大出力周波数, 最大動作電圧範囲
15 pF Max.
0.7 VDD Min.
0.2 VDD Max.
OE端子,ST端子
CMOS負荷：20 %→80 %VDDレベル
TTL負荷：0.4 V→2.4 Vレベル
CMOS負荷：80 %→20 %VDDレベル
TTL負荷：2.4 V→0.4 Vレベル
最小値動作電圧の t を0とする
4 ns Max.
ー
4 ns Max.
ー
10 ms Max.
発振開始時間
tOSC
経 時 変 化
fa
±5 × 10-6 / 年 Max.
Ta=+25 ˚C，
VDD=5.0 V/ 3.3 V, 初年度
耐 衝 撃 性
S.R.
±20 × 10-6 Max.
硬木上750 mm × 3回または
29400 m/s2 × 0.3 ms × 1/2 Sine Wave × 3方向
※1 動作温度（-40
℃∼+85 ℃）、対応可能周波数、
デューティ、出力負荷条件については、50、51ページを参照してください。
※2 PLLカスケード接続、
ジッタ仕様等については、52ページを参照ください。
http://www.epsondevice.com / domcfg.nsf
インターネットによる「周波数確認プログラム」でも確認できます。
■外形寸法図
（単位：mm）
● SG-8002DBシリーズ
● SG-8002DCシリーズ
19.8 Max.
2.54 Min.
49
6.6
7.62
90
0.51
15.24
˚
5˚
10
EPSON
100.0000 C
9357B
2PH
＃1
0.2 Min.
#7
∼
5.3 Max.
#1
＃5
0.25
7.62
＃4
90
0.51
˚
5˚
10
7.62
■端子説明
OE端子（PT,PH,PC）
OE端子=“H”or“Open”
：OUT端子に所定の周波数を出力
OE端子=“L”
：出力停止、
OUT端子は、
ハイインピーダンス
No. ピン端子
1 OE or ST
GND
4
OUT
5
VDD
8
0.2 Min.
6.36
16.0000 C 2PH
EPSON 9357B
2.54 Min. 5.3 Max.
#8
＃8
∼
#14
13.7 Max.
No. ピン端子
1 OE or ST
GND
7
OUT
8
VDD
14
ST端子（ST,SH,SC）
ST端子=“H”or“Open”
：OUT端子に所定の周波数を出力
ST端子=“L”
：発振停止、
OUT端子は、
ウィークプルダウン
0.25
Crystal oscillator
■SG-8002およびHG-8002シリーズ製品別周波数帯
Page
機 種
43
SG-8002LA
SG-8002LB
46
48
49
SG-8002CA
SG-8002JA
SG-8002DB
SG-8002DC
47
45
SG-8002JC
SG-8002JF
周波数安定度
27 MHz
動作温度範囲 1 MHz
B
PH
C
SH 5.0 V±0.5 V
M
B
C
PC
SC 3.3 V±0.3 V
L
*2.7 V∼3.6 V：1.0 MHz∼66.7 MHz
M
PT
B
ST
C
PH 4.5 V∼5.5 V
SH
M
B
PC 3.0 V∼3.6 V
C
SC （2.7 V∼3.6 V）
*2.7 V∼3.6 V：1.0 MHz∼66.7 MHz
M
動作電圧
PT
ST
PH
SH
4.5 V∼5.5 V
B
C
*2.7 V∼3.6 V：1.0 MHz∼66.7 MHz
PT
ST
PH
SH
B
C
M
B
C
M
*2.7 V∼3.6 V：1.0 MHz∼66.7 MHz
B
C
M
B
C
M
*2.7 V∼3.6 V：1.0 MHz∼66.7 MHz
AV
BV
CX
AV
BV
CX
*2.7 V∼3.6 V：1.0 MHz∼66.7 MHz
PC 3.0 V∼3.6 V
SC （2.7 V∼3.6 V）
44
SG-8002CE
PT
ST
PH
SH
4.5 V∼5.5 V
PC 3.0 V∼3.6 V
SC （2.7 V∼3.6 V）
64
HG-8002JA
PT
ST
PH 5.0 V±0.25 V
SH
PC 3.0 V±0.165 V
SC
80 MHz
125 MHz
B
C
PC 3.0 V∼3.6 V
SC （2.7 V∼3.6 V）
4.5 V∼5.5 V
40 MHz 55 MHz
10-6
周波数安定度 B:±50 ×
(-20 ˚C∼+70 ˚C), C:±100 × 10-6 (-20 ˚C∼+70 ˚C), M:±100 × 10-6 (-40 ˚C∼+85 ˚C), L:±50 × 10-6 (-40 ˚C∼+85 ˚C)
動作温度範囲 AV:±20 × 10-6 (-20 ˚C∼+70 ˚C), BV:±25 × 10-6 (-20 ˚C∼+70 ˚C), CX:±30 × 10-6 (-40 ˚C∼+85 ˚C)
50
Crystal oscillator
■SG-8002およびHG-8002シリーズ主要スペック
Page 機 種
項 目
消費電流
動作電圧
出力負荷条件
PH
43
SG-8002LA
(SON 4-pin)
SG-8002LB
(SOJ 4-pin)
35 mA
4.5 V∼5.5 V 15 pF
SH
PC
28 mA
SC
3.0 V∼3.6 V
15 pF
（2.7 V∼3.6 V）
PT
SG-8002CA
(セラミックSMD)
46
48
49
ST
45 mA Max. 4.5 V∼5.5 V
SG-8002JA
(SOJ 4-pin)
PH
SG-8002DB
(DIP 14-pin)
SH
SG-8002DC
(DIP 8-pin)
PC
SC
PT
ST
47
SG-8002JC
(SOJ 4-pin)
PH
SH
PC
SC
PT
ST
45
SG-8002JF
(SOJ 4-pin)
PH
SH
PC
SC
PT
ST
44
SG-8002CE
(セラミックSMD)
15 pF(f0≦66.7 MHz/2.7∼3.6 V)
3.0 V∼3.6 V
15 pF(f0≦125 MHz/3.0∼3.6 V)
28 mA Max.
（2.7 V∼3.6 V）
30 pF(f0≦40 MHz/3.0∼3.6 V)
HG-8002JA
(SOJ 4-pin)
ST
PH
SH
PC
SC
51
45 %∼55 %(50 % VDD, CL=15 pF, VDD=3.0 V∼3.6 V, F0≦40 MHz)
4.0 ns Max.
40 %∼60 %(50 % VDD, CL=15 pF, VDD=3.0 V∼3.6 V, F0≦125 MHz)
（20 % to 80 % VDD / 80 % to 20 % VDD, CL=Max.）
↑ (50 % VDD, CL=15 pF, VDD=2.7 V∼3.6 V, F0≦66.7 MHz)
45 %∼55 %(50 % VDD, CL=25 pF, F0≦66.7 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
3.0 ns Max.
↑ (50 % VDD, CL=25 pF, F0≦40 MHz/-40 ℃∼+85 ℃)
（20 % to 80 % VDD / 80 % to 20 % VDD, CL≦25）
40 %∼60 %(50 % VDD, CL=25 pF, F0≦125 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
4.0 ns Max.
↑ (50 % VDD, CL=50 pF, F0≦66.7 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
（20 % to 80 % VDD / 80 % to 20 % VDD, CL=Max.）
↑ (50 % VDD, CL=15 pF, F0≦55 MHz/-40 ℃∼+85 ℃)
3.0 ns Max.
45 %∼55 %(50 % VDD, CL=30 pF, VDD=3.0 V∼3.6 V, F0≦40 MHz)
（20 % to 80 % VDD / 80 % to 20 % VDD, CL≦15）
40 %∼60 %(50 % VDD, CL=15 pF, VDD=3.0 V∼3.6 V, F0≦125 MHz)
4.0 ns Max.
↑ (50 % VDD, CL=15 pF, VDD=2.7 V∼3.6 V, F0≦66.7 MHz)
（20 % to 80 % V / 80 % to 20 % V , C =Max.）
DD
DD
L
45 %∼55 %(1.4 V, CL=5 TTL+15 pF, F0≦66.7 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
15 pF(f0≦125 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
2.0 ns Max.
40 %∼60 %(1.4 V, CL=5 TTL+15 pF, F0≦90 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
25 pF(f0≦66.7 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
（0.8 V to 2.0 V/2.0 V to 0.8 V, CL=Max.）
↑ (1.4
V, CL=25 pF, F0≦66.7 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
5TTL + 15 pF(f0≦90 MHz/-20 ℃∼+70 ℃) 4.0 ns Max.
↑ (1.4 V, CL=15 pF, F0≦125 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
15 pF(f0≦40 MHz/-40 ℃∼+85 ℃)
（0.4 V to 2.4 V/2.4 V to 0.4 V, CL=Max.）
↑ (1.4
V, CL=15 pF, F0≦40 MHz/-40 ℃∼+85 ℃)
45 mA Max. 4.5 V∼5.5 V
45 %∼55 %(50 % VDD, CL=25 pF, F0≦66.7 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
3.0 ns Max.
15 pF(f0≦125 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
40 %∼60 %(50 % VDD, CL=25 pF, F0≦90 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
（20 % to 80 % VDD / 80 % to 20 % VDD, CL≦25）
25 pF(f0≦90 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
↑ (50 % VDD, CL=50 pF, F0≦50 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
4.0 ns Max.
50 pF(f0≦50 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
↑ (50 % VDD, CL=15 pF, F0≦125 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
（20 % to 80 % VDD / 80 % to 20 % VDD, CL=Max.）
15 pF(f0≦40 MHz/-40 ℃∼+85 ℃)
↑ (50 % VDD, CL=15 pF, F0≦40 MHz/-40 ℃∼+85 ℃)
3.0 ns Max.
15 pF(f0≦66.7 MHz/2.7∼3.6 V)
45 %∼55 %(50 % VDD, CL=30 pF, VDD=3.0 V∼3.6 V, F0≦40 MHz)
（20 % to 80 % VDD / 80 % to 20 % VDD, CL≦15） 40 %∼60 %(50 % VDD, CL=15 pF, VDD=3.0 V∼3.6 V, F0≦125 MHz)
3.0 V∼3.6 V 15 pF(f0≦125 MHz/3.0∼3.6 V)
28 mA Max.
4.0 ns Max.
（2.7 V∼3.6 V）30 pF(f0≦40 MHz/3.0∼3.6 V)
↑ (50 % VDD, CL=15 pF, VDD=2.7 V∼3.6 V, F0≦66.7 MHz)
（20 % to 80 % VDD / 80 % to 20 % VDD, CL=Max.）
2.0 ns Max.
45 %∼55 %(1.4 V, CL=5 TTL+15 pF, F0≦66.7 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
5TTL + 15 pF(f0≦125 MHz/-20 ℃∼+70 ℃) （0.8 V to 2.0 V/2.0 V to 0.8 V, CL=Max.）
↑ (1.4 V, CL=5 TTL+15 pF, F0≦27 MHz/-40 ℃∼+85 ℃)
5TTL + 15 pF(f0≦27 MHz/-40 ℃∼+85 ℃) 4.0 ns Max.
40 %∼60 %(1.4 V, CL=5 TTL+15 pF, F0≦125 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
（0.4 V to 2.4 V/2.4 V to 0.4 V, C =Max.）
40 mA Max. 4.5 V∼5.5 V
L
15 pF(f0≦125 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
25 pF(f0≦100 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
25 pF(f0≦27 MHz/-40 ℃∼+85 ℃)
3.0 V∼3.6 V 15 pF(f0≦66.7 MHz/2.7∼3.6 V)
28 mA Max.
（2.7 V∼3.6 V）15 pF(f0≦125 MHz/3.0∼3.6 V)
PT
64
4.0 ns Max.
40 %∼60 %(50 % VDD, CL=15 pF, F0≦80 MHz/-40 ℃∼+85 ℃)
（20 % to 80 % VDD / 80 % to 20 % VDD, CL=Max.）
45 %∼55 %(1.4 V, CL=5 TTL+15 pF, F0≦66.7 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
2.0 ns Max.
5TTL + 15 pF(f0≦90 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
（0.8 V to 2.0 V/2.0 V to 0.8 V, CL=Max.） 40 %∼60 %(1.4 V, CL=5 TTL+15 pF, F0≦90 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
15 pF(f0≦125 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
↑ (1.4 V, CL=25 pF, F0≦66.7 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
4.0 ns Max.
25 pF(f0≦66.7 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
（0.4 V to 2.4 V/2.4 V to 0.4 V, CL=Max.） ↑ (1.4 V, CL=15 pF, F0≦125 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
45 mA Max. 4.5 V∼5.5 V
3.0 ns Max.
45 %∼55 %(50 % VDD, CL=25 pF, F0≦66.7 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
15 pF(f0≦125 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
（20 % to 80 % VDD / 80 % to 20 % VDD, CL≦25） 40 %∼60 %(50 % VDD, CL=15 pF, F0≦125 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
25 pF(f0≦90 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
4.0 ns Max.
↑ (50 % VDD, CL=25 pF, F0≦90 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
50 pF(f0≦66.7 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
（20 % to 80 % VDD / 80 % to 20 % VDD, CL=Max.） ↑ (50 % VDD, CL=50 pF, F0≦50 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
3.0 ns Max.
15 pF(f0≦66.7 MHz/2.7∼3.6 V)
3.0 V∼3.6 V
（20 % to 80 % VDD / 80 % to 20 % VDD, CL≦15） 45 %∼55 %(50 % VDD, CL=30 pF, VDD=3.0 V∼3.6 V, F0≦40 MHz)
28 mA Max.（2.7 V∼3.6 V）15 pF(f0≦125 MHz/3.0∼3.6 V)
40 %∼60 %(50 % VDD, CL=15 pF, VDD=3.0 V∼3.6 V, F0≦125 MHz)
4.0 ns Max.
30 pF(f0≦40 MHz/3.0∼3.6 V)
（20 % to 80 % VDD / 80 % to 20 % VDD, CL=Max.） ↑ (50 % VDD, CL=15 pF, VDD=2.7 V∼3.6 V, F0≦66.7 MHz)
SH
SC
Duty
45 %∼55 %(1.4 V, CL=5 TTL+15 pF, F0≦66.7 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
5TTL + 15 pF(f0≦125 MHz/-20 ℃∼+70 ℃) 2.0 ns Max.
↑ (1.4 V, CL=5 TTL+15 pF, F0≦40 MHz/-40 ℃∼+85 ℃)
25 pF(f0≦66.7 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
（0.8 V to 2.0 V/2.0 V to 0.8 V, CL=Max.） 40 %∼60 %(1.4 V, CL=5 TTL+15 pF, F0≦125 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
5TTL + 15 pF(f0≦40 MHz/-40 ℃∼+85 ℃) 4.0 ns Max.
↑ (1.4 V, CL=25 pF, F0≦66.7 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
15 pF(f0≦55 MHz/-40 ℃∼+85 ℃)
（0.4 V to 2.4 V/2.4 V to 0.4 V, CL=Max.） ↑ (1.4 V, CL=15 pF, F0≦55 MHz/-40 ℃∼+85 ℃)
25 pF(f0≦125 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
50 pF(f0≦66.7 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
15 pF(f0≦55 MHz/-40 ℃∼+85 ℃)
25 pF(f0≦40 MHz/-40 ℃∼+85 ℃)
PH
PC
出力上昇/下降時間
15 pF
2TTL + 15 pF
45 mA Max. 5.0 V±0.25 V
15 pF
28 mA Max. 3.0 V±0.165 V 15 pF
45 %∼55 %(50 % VDD, CL=25 pF, F0≦66.7 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
3.0 ns Max.
↑ (50 % VDD, CL=25 pF, F0≦27 MHz/-40 ℃∼+85 ℃)
（20 % to 80 % VDD / 80 % to 20 % VDD, CL=Max.）
40 %∼60 %(50 % VDD, CL=15 pF, F0≦125 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
45 %∼55 %(50 % VDD, CL=15 pF, VDD=3.0 V∼3.6 V, F0≦40 MHz)
3.0 ns Max.
（20 % to 80 % VDD / 80 % to 20 % VDD, CL=Max.） 40 %∼60 %(50 % VDD, CL=15 pF, VDD=3.0 V∼3.6 V, F0≦125 MHz)
↑ (50 % VDD, CL=15 pF, VDD=2.7 V∼3.6 V, F0≦66.7 MHz)
45 %∼55 %(1.4 V, CL=15 pF, F0≦66.7 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
2.0 ns Max.
↑ (1.4 V, CL=15 pF, F0≦55 MHz/-40 ℃∼+85 ℃)
（0.8 V to 2.0 V/2.0 V to 0.8 V, CL=Max.） ↑ (1.4 V, CL=2 TTL+15 pF, F0≦66.7 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
4.0 ns Max.
↑ (1.4 V, CL=2 TTL+15 pF, F0≦55 MHz/-40 ℃∼+85 ℃)
（0.4 V to 2.4 V/2.4 V to 0.4 V, CL=Max.） 40 %∼60 %(1.4 V, CL=15 pF, F0≦125 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
↑ (1.4 V, CL=2 TTL+15 pF, F0≦125 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
45 %∼55 %(50 % VDD, CL=15 pF, F0≦66.7 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
3.0 ns Max.
↑ (50 % VDD, CL=15 pF, F0≦55 MHz/-40 ℃∼+85 ℃)
（20 % to 80 % VDD / 80 % to 20 % VDD, CL=Max.）
40 %∼60 %(50 % VDD, CL=15 pF, F0≦125 MHz/-20 ℃∼+70 ℃)
45 %∼55 %(50 % VDD, CL=15 pF, F0≦40 MHz)
3.0 ns Max.
（20 % to 80 % VDD / 80 % to 20 % VDD, CL=Max.） 40 %∼60 %(50 % VDD, CL=15 pF, F0≦125 MHz)
制御
機能
OE
ST
OE
ST
OE
ST
OE
ST
OE
ST
OE
ST
OE
ST
OE
ST
OE
ST
OE
ST
OE
ST
OE
ST
OE
ST
OE
ST
OE
ST
OE
ST
OE
ST
Crystal oscillator
■SG-8002・HG-8002シリーズ
■PLLカスケード接続
本シリーズは水晶発振の源振からPLL (Phase Locked Loop)回路により、必要な出力周波数を作成しています。
本発振器の出力をさらにPLLにカスケード接続した場合ジッタがさらに大きくなることがあります。特に画像
処理用途や通信の同期用途などのアプリケーションへのご使用はお奨めできません。また、ご使用される場合
は、事前に十分なご確認のうえご採用ください。
（当発振器のジッタ量は250 ps/CL=15 pF Max.です。）
■電源ラインへのノイズ対策
電源ラインへの放射ノイズ対策としてのフィルタ素子等の挿入につきましては、
電源ラインの高周波インピーダンスが高くなり、
発振器が正常動作しない場合がありますので、
ご使用はお奨め出来ません。ご使用される際には回路構成、
素子等を十分
ご検証および十分な動作確認の上ご使用願います。
また、
電源立ち上り時間は、
150 μs 以上/VDD=0 % VDD∼90 % VDDと
してください。
ジッタ仕様
機種名
動作電圧
ジッタ項目
PT / PH
ST / SH
5 V±0.5 V
SC / PC
3.3 V±0.3 V
Cycle to cycle
Peak to peak
Cycle to cycle
Peak to peak
備 考
33 MHz ≦ f0 ≦ 125 MHz, CL＝15 pF
1.0 MHz ≦ f0 ＜ 33 MHz, CL＝15 pF
33 MHz ≦ f0 ≦ 125 MHz, CL＝15 pF
1.0 MHz ≦ f0 ＜ 33 MHz, CL＝15 pF
1.0 MHz ≦ f0 ≦ 125 MHz, CL＝15 pF
1.0 MHz ≦ f0 ≦ 125 MHz, CL＝15 pF
規格値
150 ps Max.
200 ps Max.
200 ps Max.
250 ps Max.
200 ps Max.
250 ps Max.
SG-8002 シリーズ 特性グラフ
Disable Current (VDD=5.0 V)
40
40
40
30
30
30
20
IST (µA)
50
10
20
40
60
80
100
120
Frequency (MHz)
0
140
Voltage coefficient [VDD vs IOP,IOE]
18
IOP(Va)=Times(Va)×IOP(5 V)
IOE(Va)=Times(Va)×IOE(5 V)
Additional Value (mA)
20
1.8
1.4
1.2
1.0
0.8
︵
︶
0.6
4.5
5.0
VDD (V)
5.5
50 pF
120
2.5
140
3.0
15 pF
8
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
VDD (V)
25 pF
55
15 pF
50 pF
50
30 pF
6
45
0
6.0
3.5
Duty 5 V CMOS Level
25 pF
10
2
4.0
100
12
0.2
3.5
80
14
4
3.0
60
Frequency (MHz)
60
16
0.4
2.5
40
CL vs Current consumption
2.0
1.6
20
Duty (%)
20
20
10
10
0
Times 倍
Stand-by current
50
IOE (mA)
IOP (mA)
Current consumption (VDD=5.0 V)
50
20
40
60
80
100
120
Frequency (MHz)
40
140
0
20
40
60
80
100
120
140
Frequency (MHz)
Output Rise time(CMOS Level)
Duty 5 V TTL Level
Duty 3.3 V CMOS Level
60
25 pF
15 pF
50
30 pF
50
15 pF
45
40
45
0
20
40
60
80
100
120
40
140
Frequency (MHz)
4.5 V
2.5
55
Rise Time (ns)
55
Duty (%)
Duty (%)
60
3.0
5.0 V
3.0 V
3.3 V
3.6 V
2.0
5.5 V
2.7 V
1.5
0
20
40
60
80
100
120
140
1.0
Frequency (MHz)
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
Load capacitance (pF)
Output Rise time(TTL Level)
Output Fall time(CMOS Level)
Output Fall time(TTL Level)
3.0
4.5 V
2.0
1.5
5.0 V
5.5 V
1.0
2.0
1.5
Fall Time (ns)
Fall Time (ns)
Rise Time (ns)
4.5 V
5.0 V
5.5 V
3.0 V
3.3 V
3.6 V
2.5
2.7 V
4.5 V
5.0 V
5.5 V
1.0
1.5
0.5
10
0.5
10
15
20
25
30
1.0
Load capacitance (pF)
15
20
25
30
Load capacitance (pF)
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
Load capacitance (pF)
52
Crystal oscillator
SG-8002シリーズ用プログラミングツール
SG-Writer
製品型番
Q91PR20W0101000
EPSON製プログラマブル水晶発振器SG-8002シリーズ
（ブランク）
の
周波数を書き込むことが可能
● USB対応によ
り電源フリー
● PCも
フレキシブルに対応
Windows98SE, 2000, Me, XPに対応可能（Windows 95, NTは対応不可）
● 小型化を実現し、
持ち運びも容易
●
■本体仕様
名称（製品型番）
EPSON製SG-8002シリーズ用SG-Writer(Q91PR20W0101000)
使用可能温度範囲（℃）
+10 ℃∼+40 ℃ 書き込み時（25 ℃±5 ℃以内）
電源
USBより供給
本体側接続端子
USB Type B
外形寸法（mm）
160（縦）×110（横）×36（高：textoolトップ面）
質量
700 g
付属品
SG-Writer本体
CD-ROM（ソフトウェア、取り扱い説明書）：日本語、英語
各書類：日本語、英語
ソフトウェア
※1
SG-Writer EPSON
USBドライバ
オプション
SMD用ソケット（JA, JC, CA, JF, CE, LA, LBタイプ）
※１ SG-Writerソフトウェアは弊社ウェブサイトでユーザ登録後、サイトからダウンロードしてください。
http://www.epsondevice.com/qd/SG8002CS
■推奨PC環境（書き込みにはPCとSG-Writerとの接続が必要です）
対応OS
Windows XP, Windows Me, Windows 2000, Windows 98SE
（Windows 95, NTでは動作しません）
推奨CPU
Pentiumプロセッサ200 MHz以上（300 MHz以上推奨）
推奨メモリ容量
64 MB以上を推奨
推奨ハードディスク空き容量
ハードディスクの空き容量40 MB以上が必要
その他に用意していただくもの
CD-ROMドライブ、USBケーブル（Type A
Type B）
その他SMD品の書き込みには別途ソケット※2
が必要です。
（別売）
※２ PROM Writerをお使いのお客様は現在のSMDソケットがそのままお使い頂けます。
53
半導体、
液晶表示体、
水晶デバイスなど幅広い電子デバイス
いま、産業界ではCO2の削減などによる温暖化対策をはじめ、
製品群を通じて、
エプソンがお客さまにお届けしている
“エナ
ジーセービング”
。それは3つのセービング技術の高次元の融合
地球環境保護への取り組みや、
「省エネルギー」
商品の開発が
です。低消費電力、
低電圧技術が実現する
“パワーセービン
グ”
。超微細加工、
高密度実装技術などで、
さまざまな製品の
重大テーマとなっています。環境問題という地球規模の問題
に対して、
エプソンが追求してきた
“エナジーセービング”
＝
さらなる小型化を実現する
“スペースセービング”
。そしてお客
「省」
の技術は、
ほんの小さなものかもしれません。しかし私た
ちは電子デバイス製品を通じて、
すこしでもお客さまの
「省エ
さまサイドでの開発・設計時間の短縮や短納期を実現させる
“タイムセービング”
。これらの高度なセービング技術の結晶
ネルギー」
製品開発のお手伝いができたらと願っています。そ
してエプソンは人に、
地球に優しい
「省エネルギー」
に貢献し
が、
“エナジーセービング”
＝
「省」
の技術なのです。そして、
ひ
とつひとつの製品にその技術を凝縮してお客さまにご提供し
ています。
ていきたいと願っています。
エプソンはエナジーセービングです。
環境問題への取り組み
セイコーエプソンは、1988年に世界に先駆けてフロレンス活動に取り組み、
1992年にこれを達成しました。フロレンス活動開始から10年目の1998年
を「第２の環境元年」と位置づけ、
「環境総合施策」を策定し、環境問題
に総合的に取り組んでいます。
1998年度末、人体に有害といわれている塩素系溶剤の全廃を達成、
また
1999年度、環境汚染の可能性が指摘されている鉛はんだについて、全廃
をめざして活動を開始しました。
世界標準の環境管理システムを推進
セイコーエプソングループは、環境活動のマネジメント強化のため、製造・
販売・ソフト開発等も含めた国内・海外の主要事業拠点（関係会社を含む）
におけるISO14001の認証取得を目指しています。
2001年5月25日現在、対象68拠点で認証を完了しました。
環境マーク
「自然との共生・共存」を基本姿勢にした
セイコーエプソンの環境マーク。
デザインは魚・花・水を用いてお互いが支え
合い共存（共生）
している姿を表現してい
ます。また、
キャッチコピー”Co-Existence”
は共生・共存の意味です。
ISO 14000とは：環境管理に関する国際規
格。地球温暖化、
オゾン層破壊、
森林資源
枯渇等が叫ばれるようになったのを背景に、
1996年に国際標準化機構が世界共通の
規格として制定しました。
品質向上への取り組み
セイコーエプソンはいち早く全社的なISO9000シリーズ認証取得活動に
取り組み、国内国外ともに計画した全ての事業単位においてISO9001ま
たはISO9002の認証を取得しています。また、水晶デバイス事業（伊那事
業所, EPM, SZE）では、
よりハイレベルなQS-9000の認証を取得しまし
た。
QS-9000とは：米国大手自動車メーカーが
品 質 保 証システムの 国 際 規 格 である
「ISO9000シリーズ」をもとに品質保証シス
テムを強化した規格です。
●本カタログのご使用につきましては、次の点にご留意願います。
1. 本カタログの内容については、予告なく変更することがあります。
2. 本カタログの一部、または全部を弊社に無断で転載、または、複製など他の目的に使用することは堅くお断りいたします。
3. 本カタログに記載された応用回路、プログラム、使用方法等はあくまでも参考情報であり、これらに起因する第三者
の権利（工業所有権を含む）侵害あるいは損害の発生に対し、弊社は如何なる保証を行うものではありません。また、
本カタログによって第三者または弊社の工業所有権の実施権の許諾を行うものではありません。
4. 特性表の数値の大小は、数値線上の大小関係で表します。
5. 本カタログに記載されている製品のうち、
「外国為替および外国貿易法」に定める規制物資に該当するものについては、
輸出する場合、同法に基づく輸出許可が必要です。
6. 本カタログに掲載されている製品は、一部車載用途向けを除き、一般電子機器（OA機器・AV機器・通信機器・計測
機器など）に使用されることを前提として設計されております。宇宙機器、原子力制御機器、生命維持装置などの医
療機器、その他極めて高い信頼性・安全性を要求される用途を前提としておりません。よって、弊社は製品をこれら
の用途にご使用された場合には、如何なる責任も負いかねます。また、車載用途および上記一般電子機器以外の用途
にご使用をご検討の場合は、事前に弊社営業窓口にご相談ください。
本カタログに記載されているブランド名または製品名は、それらの所有者の商標もしくは登録商標です。