Adesto Technologies Corporation

Adesto Technologiesとは
 POST_Flash/EEPROM/DRAM技術として期待されるCBRAM(Conductive Bridging RAM=ReRAM)技術開
発で、世界をリードする次世代メモリー専業メーカーです。 (ReRAMの70%特許保有）
 CBRAM技術は、2種類のAdesto標準品製品（現行のEEPROM及びNor Flash）とライセンスビジネスに展
開される。従来品に比べて、高速、低消費電力と低コストが実現できる。
 標準品製品では、現在のEEPROM（2014年参入）とNor Flash（2016年参入）市場を代替する。
・日本向け量産販売中：32kb/64kb/128kb （中国向け 1Q13から販売中）
・独自の新シリーズ RM24/25EP(I2C/SPI) 追加販売中：耐放射線(>50 kGy)・耐電子線(>50kGy)
リフロー時での安全なコードデータ保持
 米国Department of Defense’s Defense Advanced Research Projects Agency (DARPA)と兵士向
けのWearable health sensors実験に参画。バッテリーなしで兵士の腕のモーション起電で動作。
 ライセンスでは、半導体大手企業の数社のMCU、SoCやFPGA内蔵メモリー用に技術ライセンス提供中
 AdestoはQ3’2012にATMEL* 社のFLASH部門を戦略的な目的で買収し、そのコア技術を独自に進化させ
DataFlashやFusion (Enhanced Flash)を開発・供給している。
これらは従来のシリアルFlashに比べて、システム全体コストやソフト開発コストの低減を実現できる。
（*ATMELは世界で初めてSerial FLASHを開発・販売開始）
Adestoは、IoT向けの次世代メモリーでリーダーに！
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Adesto, the Adesto Logo and CBRAM are Trademarks of Adesto Technologies Corporation
Mission and Corporate Overview
Corporate Overview:
Private Company founded in 2007 by semiconductor industry veterans
Locations: Headquarter in Silicon Valley, California / Offices in Asia, Europe
Headcount:
Status:
135 (engineering=110, sales/marketing=15, other=10)
$60M profitable business, supporting over 100 tier 1 customers
Business Model:
標準メモリー製品、CBRAM技術ライセンス
Technologies: CBRAM® ,
DataFlash® / Fusion / Serial Flash
− Conductive Bridging RAM: CBRAM – 革新的な次世代メモリー技術
− DataFlash, Fusion, Serial Flash: ETOXベースの独自技術
− Solid Intellectual Property（強固な知的財産）: 100以上の特許保有
Foundry : Flash Products _Fab – UMC/XMC(65nm), A/T - Amkor ：
全てISO/TS16949認証済み
CBRAM Products _Fab- Altis Semi., A/T - Amkor
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2
新しい市場の出現 = 新ニーズの出現！
1990’s
Era of
Computing
Gaming
Desktops
2000’s
2010’s
Communication
Mobility
Routers
Servers
Laptops
Cell
Phone
2020’s
Autonomy
Sensors
Smart
Phone
Wearables
M2M
IoT
Low Power and Low Energy
Performance
Device
Integration, Security, Connectivity
Component
Cost
Requirements
Low Cost of Ownership, Longer Battery Life
More Gbits, More GHz
Application Optimized Solutions
Off The Shelf Solutions for All Applications
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3
最適に “ the IoT ” をサポート
Process
“IoT”
= Intelligence in Everything = Store
Information
Collect
Communicate
現在ご使用のSerial Flash供給者は、
出現している IoT時代に対応できますか？
Adesto Technologiesは、出現している IoT時代
のベストなメモリー・ソリューションを提供できる！
1) DataFlash, Fusion (Flash技術・独自価値)
2) CBRAM
(次世代CBRAM技術・Only One価値)
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4
Conductive Bridging RAM (CBRAM®)
10x Lower Power Than
Flash Memory
低消費電力
Less than 1mA Write Capable 書込み < 1uA
Less than 0.6V Write Capable 書込み < 0.6V
1/3 Cost of Today’s
Flash Memory
低コスト
1xnm以下 process適用可能
積層セル実現
Scalable to 1xnm and Lower
Multi Level Cell Capable
CBRAMは従来の常識を超越した、画期的
なメモリー技術。何故ならば
highly
scalable
low power
high performance
< 50ns書込み速度
高速読出し/書込み
CBRAM:
Adesto’s Proprietary Memory Technology
Sub 50ns Write Capable
Large Dynamic Range Allowing Fast Access
Bit Accessible for Read and Write
高性能
10x – 100x Faster Than
Flash Memory
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CBRAM® – The Faster, Low-Cost, Low Power Solution
Non Volatile Implementation of CBRAM Technology
Today’s FLASH
Memory
Adesto’s CBRAM
(as Storage)
Power Consumption
1
0.1
Performance
1
10 to 100
Cost
1
0.33
(Relative Units)
(Relative Units)
Improvements
10 Times Lower Power
100 Times Faster Speed
1/3 Cost
DRAM Implementation of CBRAM Technology
Today’s DRAM
Memory
Adesto’s CBRAM
(as Working Memory)
Power Consumption
1
0.1
Performance
1
1
Cost
1
0.5 - 1
(Relative Units)
(Relative Units)
Improvements
10 Times Lower Power
At Par
Similar structure, but better
scaling
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Serial Flash_ Value Added Product Line – IoT Ready!
Features
DataFlash
Unique Value
• Byte Erase / Byte Write Serial Flash
• 1Mbit to 64Mbit ・・・
Premiere Product
- AT45DBxxx
IoT Optimised Memory
Fusion
• Page Erase / Byte Write
Serial Flash
• 256Kbit to 4Mbit
Enhanced Product
- AT25DFxxx / AT25DNxxx
Phoenix
• Block Erase Serial Flash
• 4Mbit to 128Mbit ・・・
Standard Product
- AT25SFxxx
Density
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7
Serial Flash_ Target Market_Value Added Product Line
DataFlash
Unique Value
Premiere Product
• データ更新/ロギング用途
• 低消費電力化
• EEPROMの低コスト置換え
- AT45DBxxx
IoT Optimised Memory
Fusion
• BLE/BT/ＷｉＦｉ用コード格納
• 低消費電力化
• EEPROMの低コスト置換え
Enhanced Product
- AT25DFxxx / AT25DNxxx
Phoenix
• 業界標準製品
Standard Product
- AT25SFxxx
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2014 Product Line Positioning_Flash Series
8-32Mbit
(65nm)
64/128Mbit in 2015
(65nm)
Features and Value
32Mbit
64Mbit
65nm 64Mb DataFlash Sample: 2Q’15
FusionXE: 4M Extra Wide VCC 1.65V to 4.4V VCC
8Mbit
16Mbit
2Mbit
4Mbit
1Mbit
EOL
8-32Mb in
2015
4Mbit
2Mbit
“DataFlash”
1Mbit
“Fusion/Fusion XE”
256K
512K
1Mbit
2Mbit
4Mbit
128Mbit
+
32Mbit
64Mbit
8Mbit
16Mbit
“Phoenix ”
64/32Mbit in
2015 (65nm)
128Mbit in
2015 (65nm)
DENSITY
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2014 Product Line Positioning_CBRAM
Features and Value
RM24EP/RM25EP
“ Medical ”
32K
64K
128K
256K
512K
32K
64K
128K
256K
512K
32K
64K
128K
256K
512K
32K
64K
128K
2M
10K Endurance
RM24UL/RM25UL
“ 1.2V ”
2M
10K Endurance
RM24CxxC-L
RM25CxxC-L
“ 1.65V-3.6V ”
2M
10K Endurance
RM24CxxA/B/C-B
RM25CxxA/B/C-B
“ 2.7V-3.6V ”
10K Endurance
DENSITY
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Adesto Technologies’ Offerings and Solutions
Value added Flash_DataFlash
& Fusion Product Line
CBRAM-Based
Product Line
•
コードやデータ格納用
•
標準製品の不揮発性メモリー
•
Tier 1 Customersでの使用実績
•
独自の革新的な CBRAM 技術
•
150MU/Year 以上の出荷
•
•
DataFlashを最初に発表(1979年）
消費電力、性能やコストでの大幅
な改善
•
マーケット: 民生用、産業用、自
動車用（Multi-Media) 、コン
ピューティング用、通信用
•
有望な次世代メモリー技術
•
早期マーケット: 民生用
•
次期マーケット: 通信用、コン
ピューティング用、産業用
CBRAM-Based Licensing
•
ライセンス用の技術プラット
フォーム
•
MCU、SoCや FPGAの内蔵
メモリー用
•
超高容量メモリー用途
•
マーケット: 民生用、コンピュー
ティング用、通信用
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“Adesto Serial Flash” Target Markets
DataFlash : 広範なVCC、超低消費電力
•
•
•
•
内蔵SRAMでシームレスなデータ (音声, 画像, ログ) やコードストレージ用途
産業用途（低消費電力要求機器）
バッテリー駆動ポータル機器
各種メーター
Enhanced BIOS Flash (Fusion) : 広範なVCC、超低消費電力
• ブートメモリ用途の EEPROM (32kb to 4Mb at 1.65-3.6V VCC) の置き換え
• BT/BLE, Wifi Direct, RF4CE / Zigbeeなど低消費電力のワイヤレス通信
• ウェラブル・デバイス (短距離ワイヤレス通信付)
Standard Serial Flash (Phoenix) : 低コスト、業界標準
• コードストレージ用途
• 民生 / コモディテー
• 低コストマーケット
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CBRAM, Fusion, DataFlashによる“EEPROM”代替提案
 提案：CBRAM: 32kb-512kb, I2C/SPI EEPROMの代替
Fusion/DataFlash: 256kb-1Mb, SPI EEPROMの代替
 CBRAM, Fusion/DataFlashの特徴（EEPROMに対して）
o
o
o
o
CBRAM：書き込み回数以外は低消費電力、高速処理、低コストで優位。現行ソフト変更不要
Fusion/DataFlash：Stand-By Current_200nA(typ)で大幅な低消費電力化可能
コスト・ダウン可能（Fusionは更に安価）
代替時に小規模なソフトウェア変更が必要（コマンドの追加）
・DataFlash：EEPROMに加えシリアルFlashも一緒に代替可能（更なるコストダウン可能！）
・DataFlash：書き込み回数は100万回以上も可能 （Fusionは10万回）
将来の安定調達可能：ICプロセスの微細化対応可能（EEPROMは進化ストップ状態）
データ更新・ロギング最適：EEPROM同等の内部バッファー （CBRAM：32byte, Fusion/DataFlash：256byte）
高
EEPROM
消
費
電
力
CBRAM Fusion
低
10k
100k
Data Flash
1M
書き込み回数
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コスト・消費電力の低減提案_DataFlash
従来方法
いかに “個別製品コスト” を下げるか？
DC-DC/FET
⇒自社の優位性が低い
PSU Reg.
Serial
Flash
MCU
EEPROM
Serial Flash
SRAM
<16kb
これからの方法
いかに “システムコスト” を下げるか？
バッテリー/スパーキャップの
より小容量・低コスト化
EEPROM/SRAM 機能も担う
MCU
DataFlash
MCUのより低性能・低コスト化
いかに “ソフト開発コスト” を下げるか？
いかに “消費電力” を下げるか？
⇒自社の優位性が高い
Data Flash
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“Enhanced Bios Flash (Fusion)” Products (AT25DF/DN Series)
Fusion の優位点
EEPROMの代替可能！
 システムコスト低減
システム
コスト 低減
消費電力
削減
-
DC-DC/FETの削減(FET機能ロジック内蔵)
外付けEEPROMの削減
バッテリー/Supper Capの低コスト
単品でもコストパフォーマンスが高い
(対 EEPROM)
 消費電力削減
- UDPDモード: 200nA(typ) (S/W 動作)
- DC-DC不要で、電圧変換ロスなし
- 低電圧 1.65V 動作
 バイト・プログラム (書込み)
 256バイト以下のデータ更新/ロギング、またはコン
フィグデータの奇数バイト書込みに最適
- 1 バイト書込み、256バイト(ページ) 消去
 1.65V-3.6V 動作
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“Enhanced Bios Flash (Fusion)” Products (AT25DF/DN Series)
 Enhanced Bios Flash Products (Fusion Series):
 メモリー容量：256kb, 512kb, 1Mb, 2Mb or 4Mb densities
 AT25DFxxx (256k - 4Mbit) – Wide VCC(1.65V-3.6V) : Flash 業界初の1.65V-3.6V動作！
 AT25DNxxx (256k - 1Mbit) – Std. VCC(2.3V - 3.6V ) : M25PExx(Micron) の代替可能 (一部ソフト要変更)
 8pin パッケージ：8pinSOIC(150mil), 8pinTSSOP, 8pinDFN (2mm x 3mm)
 Data Sheets/Samples: Now
 Target Markets : 各社チップセットに適用可能！
 チップセット：BLE(BT4), WiFi, WiFi Direct, Zigbee, Z-Wave, ULE(DECT), RF4CE etc,
from CSR, TI, Broadcom, Dialog, Nordic, Atmel, Greenpeak, Telink
⇒ CSR, Atmel, Broadcom, Greenpeak, Telink & Dialog: Fusion認定済み (一部近々予定)
 ブートメモリ用途の E²PROM (32kb to 2Mb at 1.65V-3.6V VCC) の置き換え
 Features :
 ソフトウェア制御による “Ultra Deep Power Down Mode @ 200nA” : 業界最低消費電力！
 バイト＆ページ (256バイト) のProgram/Write、ページ (256 バイト)のErase
 85MHz SPI, Dual Read 可能
 Fusion_ Super Wide Voltage “SUV”: 1.65V to 4.4V _ Lithium Battery Voltage _ CSR1012 chipset
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“Enhanced Bios Flash (Fusion)” Products (AT25DF/DN Series)
 Fusion Series優位点
vs. EEPROM
 ソフトウェア制御による “Ultra Deep Power Down Mode @ 200nA” : 業界最低消費電力！
 チップセット： CSR, Atmel, Broadcom & Dialog: Fusion認定済み (一部近々予定)
 コスト・パフォーマンスが高い（容量が大きくなるほどに顕著）
 メモリー容量が 256kb, 512kb, 1Mb, 2Mb or 4Mb まで同機能・特長を持ってサポート可能
 85MHz SPI, Dual Read 可能
 Fusion Series優位点
vs. Serial Flash
 AT25DFxxx – Wide VCC(1.65V-3.6V) : 業界初の1.65V-3.6V動作！
 ソフトウェア制御による “Ultra Deep Power Down Mode @ 200nA” : 業界最低消費電力！
 チップセット： CSR, Atmel, Broadcom & Dialog: Fusion認定済み (一部近々予定)
 バイト＆ページ (256バイト) のProgram/Write、ページ (256 バイト)のErase 動作可能
 85MHz SPI, Dual Read 可能
 他のSerial Flashは、Wide VCC、UDPD ModeやバイトProgram/Writeに対応不可 （参考）
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“FusionXE”: 新しいFusion Family
What is FusionXE
• FusionXE is a design optimised eXtreme Low Energy Device delivering further
Best in Class system and component level energy savings
• 512Kb, 1Mb, 2Mb, 4Mb Devices: Sampling Now
FusionXE Family Key Features
•
•
•
•
•
•
Wide VCC, 1.65V to 3.6V (Best in Class)
Ultra Deep Power Down, 200nA (Best in Class)
Lowest Programming and Erase Currents
Page erase – 256 Byte small page architecture (Best in Class)
Active Polling (Best in Class)
Industry Standard Architecture & Footprint
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“FusionXE”: 新しいFusion Family
What is FusionXE
• FusionXE is a design optimised eXtreme Low Energy Device delivering further
Best in Class system and component level energy savings
• 512Kb, 1Mb, 2Mb, 4Mb Devices: Sampling Now
FusionXE Family Key Features
•
•
•
•
•
•
Wide VCC, 1.65V to 3.6V (Best in Class)
Ultra Deep Power Down, 200nA (Best in Class)
Lowest Programming and Erase Currents
Page erase – 256 Byte small page architecture (Best in Class)
Active Polling (Best in Class)
Industry Standard Architecture & Footprint
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Apps例 : FusionXE for iBeacon
iBeacon
Application
Application:
iBeacon
BlueTooth Smart
Chipsets
Key
Features
Current
Solution
BlueTooth Smart based iBeacons require higher
density memory for OTA and message updates.
EEPROM is expensive and high power.
Broadcom, CSR and Dialog Semiconductor
Ultra Low Energy consumption, wide operating
voltage range and advanced page erase page
write features
512Kbit & 1Mbit EEPROM, Atmel, STM, Fudan,
ON Semi
Solution: FusionXE
Higher density(up to 4Mb+), Lower energy, Wide VCC range, lower cost solutions
•
•
•
FusionXE 1Mbit lower cost than EEPROM 1Mbit
FusionXE 1Mbit 200nA Deep Power Down versus Serial EEPROM 1uA StdBy.
FusionXE 256byte Page Erase, Byte/Page Write for superior OTA flexibility.
FusionXE can improve the system energy consumption, system cost and performance
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“Standard Serial Flash (Phoenix)” products (AT25SF/SL Series)
Standard Serial Flash
• AT25SFxxx
• AT25SLxxx
4/8Mbit & 16/32Mbit
64Mbit & 128Mbit
Samples Q1 2014& Q1 2015
Samples Q2 & Q3 2015
Q1’14 Launch
• Data Sheets Available
• Production ramp
Now (4Mbit to 32Mbit)
Q1’14
Device Specifications & Features
•
•
•
•
•
Std VCC 2.5V - 3.6V (AT25SF)
Low VCC 1.65V - 1.95V (AT25SL)
85Mhz SPI and Dual & QUAD I/O Capability
Industry Standard Architecture and Pin Out
8pin SOIC, TSSOP and DFN packages (subject to density)
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21
DataFlash Customer Benefits
画期的な顧客価値の提供！
Data Flashの優位点
 システムコスト低減

システムコスト低減
- DC-DC/FETの削減(FET機能ロジック内蔵)
システム
コスト 低減
ソフト開発
コスト低減
消費電力
削減
 256バイト以下のデータ更新/ロギング、またはコンフィグ
データの奇数バイト書込みに最適
 1kバイト以上データを待ち時間なく、連続書き込み可能
- DC-DC/FETの削減(FET機能ロジック内
- 外付けEEPROM/SRAMの削減
蔵)
- バッテリー/Supper Capの低コスト
- 外付けSRAMの削減
- MCUの低コスト化
- バッテリー/Supper Capの低コスト
（MCUの高速処理可能とメモリー容量削減）
- CPU/MCUやメモリーの低コスト化
 低消費電力化
（CPUの高速処理とメモリー容量削減）
- UDPDモード: 200nA(typ) (S/W 動作)
- DC-DC不要で、電圧変換ロスなし

低消費電力化
- MCU処理時間の削減
- ゼロパワーモード(コマンド動作)
- 1.65V 動作
- CPU処理時間の最小化
1.65V 動作
 ソフト開発コスト低減
- 豊富で効果的なコマンド（55-57個）
 ソフト開発コスト低減
- ソフトウェア・ステップ数やメモリー
容量の削減
- 豊富で効果的なコマンド（55-57個）
- ソフトウェア・ステップ数やメモリー
- ソフトウェア開発の短期化
容量の削減
 バイト・プログラム
(書込み)
- ソフトウェア開発の短期化
- 1 バイトの消去・書込み
 バイト・プログラム (書込み)
 1.65V-3.6V 動作
 1.65V-3.6V 動作
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DataFlash Intelligent Internal Algorithms
MCU TasksをDataFlashにオフロードし、他にMCU能力を使える
Traditional Flash
DataFlash “E”
Copy 4KB block to
CPU SRAM
Issue 0x58h Cmd.
with 1-PageN Bytes
Erase 4KB Block in
Memory
Poll
Device

Erase
Done?
低減
Program 4KBytes
SRAM Data 256byte
/ cycle

真のシリアル EEPROM 機能
MCU処理負荷の
Modify Data in
System SRAM
PGM.
Done?
優位点
=
システム消費電力
の削減
 DataFlash
最もシンプルなプログラミングアルゴリ
ステップ数Serial
• ズムと最少のS/W
バイト書き込み可能な最初の
Flash（従来、EEPROMのみ）
1-PageN バイトの書込みのために、
MCU処理が不要
•
メモリー制御についてのMCU処理を
大幅削減
Eシリーズは、Dシリーズ機能の上位互換
•
及びドロップイン置き換え可能
EEPROMの代替
低消費電力化
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23
データロッギングのMCU動作とシステム消費電力の関係_DataFlash
Memory R/W制御
に、MCUが深く
関与するケース
Memory R/W制御
に、MCUが部分的
に関与するケース
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24
システム消費電力とMCU実行時間の比較_DataFlash
•
各カーブの下側エリアが消費
される電力量を示す。
•
横軸(Time)は、MCU実行時間
を示す。
•
結論
•
–
DataFlashは、一般のSerial
Flashに比べて、MCUオーバー
ヘッドを大幅に軽減でき、シス
テム消費電力を大幅に低減で
きる。
–
DataFlashは、一般のSerial
Flashに比べて、MCU実行時間
を短縮できる。
比較データ
–
これは実際のベンチマークと
同じデータを示す。
消費電力
削減率
CPU実行時間
66
--
--
40% Less
Energy
20% Faster
Std. Serial Flash
Dataflash
41
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DataFlash & Serial Flash 比較
•コード/データストレージに最適
•1バイト及び256バイトの消去・書込み
•2個のSRAMバッファー（読み出しと
書き込み可能）
•1kバイト以上データを連続書き込み
•豊富なコマンドのSPI I/F
•優れたシステム機能
•最高のシステム効率
•低いシステム全体コスト
Block Erase Flash Memory Array
SCK
/WP
Control Logic
/CS
256 Byte SRAM Buffer
I/O Interface
SPI
RapidS
Dual I/O
Quad I/O
•コードシャドウには最適
•4Kバイトブロック消去・256バイト
書き込み
•1個のSRAM バッファー（書き込みのみ可能）
•単純なコマンド I/F
•低い部品コスト、但し低いシステム
全体コストではない
I/O (0-3)
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26
DataFlash ‘E’ Series の革新!
E Series Features
Read While Write
•プログラム時や消去時にデータ
アクセス可能
Sector Security
• 柔軟な不揮発
Extended VCC Range
• 1.65V – 3.6V
• 2.3V – 3.6V
セクター保護
NOR FLASH MEMORY ARRAY
Sector Lockdown
• 任意のセクターの
小ページ・アレイ構造
RESET
Higher Performance
• 104Mhz/133Mhz
SPI Clock
ページ容量 = バッファー容量
読出しのみ
Dual SRAM Buffers
• 各SRAMバッファー
＝1ページ容量
3% More Memory
WP
CS
BUFFER 2
BUFFER 1
SCK
I/O INTERFACE
Byte Write Capability
• 1 コマンドでバイト
消去＆書き込み
• メモリー容量の
3％増量
SI
SO
U.D.P.D. Mode
• 高度なパワーダウン
Software RST CMD.
• デバイスリセット
コマンドあり
Low Power Read
• <20MHzで読出し
Enhanced Interface Options
• RapidS, Dual IO, Quad IO & Rapid4
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モード @ 200nA
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DataFlash® Product Line Evolution…
•
15年間の市場実績と 上位互換性
2002-2007
AT45DBxxxB
過去
• 最小型パッケージサイズ
• 2個のSRAM バッファー内蔵
• 豊富なコマンド・I/F
• シリアル EE エミュレーション
• ページ消去/ ページ書込み
2007-2013
AT45DBxxxD
~ 2013
2013+
AT45DBxxx E
現在: 2014 ~
• 柔軟なセクター保護
• バイト・プログラム機能
• 任意のセクターロックダウン
• Dual/Quad I/O
• 128バイト・セキュリティReg.
• 低消費電力モード
• 業界標準の製品 ID
• 1.65V & 2.3V 動作電圧
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Focused Products – High Temperature Operation
高温度動作保証
製品例
• 125°C
• 4Mbit Dataflash
AT45DB041E
• 4Mbit Serial Flash
AT25SF041
• 1Mbit Enhanced Serial Flash AT25DF011
• 105°C
• 16Mbit Dataflash
• Applications
• Lighting,
• Industrial,
• Automotive
AT45DQ161
CCFL Ballast, LED, HI-Discharge
PLC’s, Motor/Drives Control
(non-AECQ) Infotainment, Lighting
• Adesto Advantage
• Ultra Low Power, Wide VCC, Longevity, Proven Reliability
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29
DataFlash
補足資料
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Adesto’s Low Energy Focus_DataFlash
製品単体の
低消費電力
 製品単体の低消費電力
•
•
MCUの低消費
電力化
システム全体の
低消費電力化
Adesto®
Memory
Ultra Deep Power Downによるスタンバイ時の超低消費電力
(200nA)
低VCC電圧によるバッテリー長寿命 (1.65V~)
 MCUのメモリーアクセス時の低消費電力化
•
•
独自メモリーアーキテクチャーによるMCUの低消費電力化
MCUのリソース負担軽減：少ないソフトウェア数で高速処理
 パワー関連部品のBOMコスト・サイズの最小化
•
システムのスーパーキャップやバッテリーのサイズ及び
コストの低減
システム性能向上、低消費電力化やシ
ステム全体コスト低減への貢献
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Adesto Memory 独自の顧客価値_DataFlash
Standby Current/Power – Best In Class!
• 業界ベストのスタンバイ電流（Ultra Deep Power Down Mode）
• DataFlash: ~200nA
• Fusion: ~200nA
• Competition: ~2uA
Wide Operating VCC Range(1.65V-3.6V) – Best in Class!
• バッテリーと直接接続可能
• バッテリー消耗時でバッテリーVCC範囲をフルに使用可能
• 1.65V to 3.6Vの間、Read and Writeの連続動作可能
独自の特長 : MCU Overheadsの削減 – Only One !
• バイトWrite/erase、ページ Write/erase ；バイト単位でのデータ格納
• Dual R/W SRAM Buffers；性能向上やMCU overheadsの削減
• Active RDY/BSY Polling ；Pgm/Erase cycleの終了時にMCUへ通知⇒
MCU overheadsの削減可能。
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MCU Overheadsの削減_DataFlash
バイト単位動作
MCUのメモリー
状態確認
柔軟な
内部バッファー
消費電力の
コントロール
•
•
何故、MCUが4Kb Blocksで消去必要か？
Erase / Prog.動作がMCU resourcesを消費必要か？
•
何故、MCUが常時メモリー状態を確認必要か？
•
Adesto memoryはReady時にMCUへ通知
MCUはMemory ReadyまでStandby状態
•
何故、内部バッファーはWrite時だけ動作か？
Adesto memoryはRead及びWrite時で動作
• Write動作の低消費電力化とWrite回数向上に貢献
•
何故、メモリーのオン/オフに GPIO が必要か？
Adesto MemoryはS/Wコマンドでオフ可能
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DataFlash と Serial Flash 比較
お客様にとって大事なことは、部品単体コストでなく、システム全体コスト！
* E series
Feature
Data Flash
Serial Flash
SPI Interface
Yes
Yes
Low Pin Count
Yes
Yes
SOIC & UFDN Package Form Factor
Yes
Yes
Boot Code Storage
Yes
Yes
Data Storage & Data Logging Capabilities
Very Good
Very Limited
Additional HW SRAM Buffers
2 (1 KB/buffer)
N/A
SW Instructions Commands
55-57*
<35
Byte & Page Erase Capability
Yes
N/A
Cost
Lowest Overall
System Cost
Lowest Memory
Component Cost
(1byte/256byte size)
(<2Mb:1 SRAM Buffer)
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DataFlash: 価値提供
最小のシステム全体コスト
Data Flash
1KB SRAM Buffer内蔵
MCU
Serial Flash
MCU
DataFlash
最小のシステム全体コスト
1KB SRAM Buffer内蔵
Serial Flash
より高いシステム全体コスト
外付けで1KB SRAM Buffer/
EEPROM必要
1KB SRAM Buffer
EEPROM
Serial Flash
MCU
Serial Flash
より高いシステム全体 コスト
1KB SRAM Buffer
より高価なMCU（内部に1KB
SRAMの容量アップ必要）
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DataFlash: 価値提供
データ格納で高いシステム柔軟性
Data Flash
0.2KB/0.5KB
0.2KB/0.5KB
0.2KB/0.5KB
0.2KB/0.5KB
0.2KB/0.5KB
0.2KB/0.5KB
0.2KB/0.5KB
Serial Flash *
* E series
プログラム：バイト*・ページ、
消去：ページ （256B）
4 KB
データログ処理で高い柔軟性
 1 command: 1 byte Erase & Write
0.2KB/0.5KB
0.2KB/0.5KB
0.2KB/0.5KB
0.2KB/0.5KB
0.2KB/0.5KB
0.2KB/0.5KB
0.2KB/0.5KB
0.2KB/0.5KB
0.2KB/0.5KB
プログラム：ページ（256B）、
消去：ブロック（4KB）
4 KB
データログ処理で使い難い
 4Kbyte Erase & page Write
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DataFlash® E Series Value Proposition!
システムの
簡素化
•
•
•
2個のSRAMバッファー内蔵
ページ書込み・ページ消去とバイト書込み
メモリー容量 3% 増
システムの
高性能化
•
•
•
豊富なコマンドとコマンド主導アーキテクチャー
MCUのオーバーヘッドとソフトウェアのステップ数の削減
システム・リソース（MCU）の削減
バッテリーの
低容量化
•
•
•
大幅なパワーダウンモードとローパワー読込み
広範なVcc範囲でDC-DCの削減とバッテリー小容量化・長寿命化
MCUの低消費電力化
高い S/Wとデータ
のセキュリティ
•
•
•
個別のセクターロックダウン
個別のセクター保護
セクターロックダウンの凍結（フリーズ）
DataFlash®
システムの高性能化、高効率化、
低システムコスト化の実現
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DataFlashの優位性_続き
DataFlashの他の優位性

内蔵SRAMバッファーを利用し、コードやデータの高速書き込み

内蔵SRAMバッファーを利用し、書き込み回数の向上 : EEPROMより低消費電力で
書き込める(例として、同じ百万回として）

VCC 1.65V動作のため、簡単なパワーロス対応：38.4uF(計算値)外付けでデータ確保

Erase Program Suspend/Resume(2つのコマンド)：内部の書き込みや消去動作時でもデータ
読出し(Read While Write) ⇒ソフトウェア・ステップ数削減、MCU処理の軽減と
高速処理(マルチタスク処理)

ソフトウェアリセット(コマンド) ：パワーロス時に全ての書き込み・消去動作を終了させ、
パワーアップ時に元のデータ状態に復帰
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Summary of DataFlash
DataFlashの特徴がキーのアプリケーション要求を解決
要求
DataFlashソリューション
システム全体コスト低減
同じチップ上にFlash + SRAM 内蔵
MCUの内蔵SRAMの小容量化 (DataFlashのSRAM利用により)
広範囲VCC動作で、DC-DC / FETの節約
システムの高性能化
高度な内部アルゴリズムによりMCU処理の軽減
Quad I/O & 85MHzは、40MB/sコードとデータストリーミング
シームレスなコードとデータ
ストレージ能力
バイトプログラム/消去は、最適なデータログ処理化
Erase Program Suspend/Resume (2つのコマンド) で、書込み/消去
動作とデータ読出しのマルチタスク処理化
内部のSRAMバッファーは、効率的なコードシャドウ処理化
広範なVCC @ 1.65V to 3.6Vは、バッテリー長寿命化
低消費電力動作
超低消費電力パワーダウンは、バッテリー長寿命化
Power Fail時の高性能化
システムとデータ安全性
セクターロッキングメカニズムは、耐タンパー高性能化
独自のID特徴は、システムの暗号化
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Adesto Support…..
•
WEB SUPPORT
–
–
–
–
–
–
•
SAMPLES
–
•
Support Overview
http://www.adestotech.com/adesto-support
PCNs
http://www.adestotech.com/node/840
FAQ
http://www.adestotech.com/frequently-asked-questions
Request Support
http://www.adestotech.com/technical-support-request
Quality
http://www.adestotech.com/company/quality-assurance
FA Request http://www.adestotech.com/failure-analysis-request
Sample Request
http://www.adestotech.com/sample-ordering-information
EMAIL CONTACTS
[email protected]
– [email protected]
– [email protected]
–
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Back Up
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Adesto Products Quality
Adesto Cause
Q1’ 2014
1.0 PPM
Q2’ 2014
2.6
Q3’ 2014
2.3
Q4’2014
2.7
Total 2014
2.1
Adesto quality
 Design for quality
 Design for quality test
 Test for quality
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Adesto Technologies Corporation
世界的な業界誌、EETimes による有望ベンチャー企業として注目！
2010
2010
2012
Adesto named a finalist
for EETimes 2010 ACE Startup
of the Year
EETimes announces
the 2010 ‘Silicon 60’ list of
emerging startups
18 new companies join
EETimes list of emerging
startups
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DataFlash：価値提供
お客様のシステムの競争力を高める！
日本企業は、世界市場で世界の企業との競争で勝たないと将来がない！
Serial Flash
Data Flash
 部品単体のコストダウンと
他社システムとの類似化
 システム全体のコストダウンと
システムの高付加価値化（差別化）
 部分最適アプローチ
 全体最適アプローチ
 従来の日本企業の選択肢
・互換品がないと万一の時、
入手難を心配 ⇒ リスク回避
 これからの日本企業の選択肢
・ 世界で勝つための明確なシステム
優位を持つ ⇒ リスク管理
・ 自社（内部）志向
・ お客様志向
エンドユーザーは、どちらを選択するでしょうか？
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Industry Leading DataFlash and Serial Flash Business
•
Adestoは、Q3’2012にATMEL* 社のFLASH部門を戦略的な目的のために買収
•
買収は、CBRAM製品ロードマップとの相乗効果を高めること
* ATMELは世界で初めてSerial FLASHを開発・販売開始しました。
Tier 1 Customers and Channels
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Corporate Management and Background
Management
•
Narbeh Derhacobian - President, CEO
–
•
Ramtron, Fairchild, AMCC
Shane Hollmer – VP, Engineering
–
•
TI/National Semiconductor, TOWER Semiconductor
Michael Hollabaugh – VP, World Wide Sales
–
•
Cirrus Logic, Alliance Semiconductor, Deloitte &
Touche
Ishai Naveh - VP Marketing, Business Development,
Licensing
–
•
AMD, Spansion
Ron Shelton – CFO
–
•
SST, AMD, Virage Logic
Michael Van Buskirk – CTO
–
•
Strong Experience From Tier 1
Semiconductor Companies
AMD, SST, Monolithic Power Systems
Janet Wang – VP, Discrete Product Group
–
AMD, Transmeta, Broadcom
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DataFlash：価値提供
より大きいページサイズに、より多くの SW 機能
Serial Flash
256/512 Bytes
Data Flash
264/528 Bytes
256/512
- 8/16バイト増大（ページ当り）
- 3% Flash容量アップ
- SW がより多くの処理可能
例として、
- Metadata
- Flags
- ECC or CRC
- Indexing & Search
8/16
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The DataFlash Concept....
MCUのオーバー
ヘッドを軽減する
ことでシステムの
低消費電力化
• MCUが全ての処理を行う必要がない ⇒ 分散処理化
• システムリソース（MCU）を浪費しない
• メモリーは、通常、70%以上がスリープ状態 ⇒要効率化
メモリー単体でなく
システム全体で
低コスト化を促進
• 小規模で低コストの MCUを使用
より高速で、柔軟性
が高く、高効率の
システムを実現
• ソフトウェアのステップ数を削減＝メモリー容量削減
• 外付けSRAMを削減
• DC-DCを削減し、低容量バッテリー 化
• 開発期間が短く、リスクの低減
• より高速処理で、より低消費電力化
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Benchmark Results
コード効率とCPUオーバーヘッド
256バイトの Read Modify Write 動作時のコード例のベンチマーク
DATA FLASH – 64Mbit
AT45DB642D
CLK. Freq.
CPU Time
Resources Used
SERIAL FLASH – 64Mbit
AT25DF641
CPU Time
• External. SRAM
Page
Read Modify
Write
(256 bytes)
Note 1:
Setup:
1 MHz
10 MHz
10,250us
9,240us
ZERO BYTES
Resources Used
• External. SRAM
96,500us
4K BYTES
• CPU RAM/STACK
• CPU RAM/STACK
60 Bytes
56 Bytes
• Flash Code Size:
300 Bytes
35,100us
• Flash Code Size:
560 Bytes
Time to erase & prgm. 4096 bytes (1 block in Serial Flash) vs. 1056 bytes (1 page in DF)
AT91SAM9XE-EK, at91lib version 1.5
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Benchmark Results
プログラミング実行時間
DATA FLASH - 64Mbit
AT45DB642D
SERIAL FLASH - 64Mbit
AT25DF641
Measured
(μs)
Datasheet
(μs)
Measured
(μs)
Datasheet
(μs)
Block erase (new device)
22,800
45,000
23,200
50,000
Programming
smallest erase
section
Erase
8,020
17,000
38,560(1)
No Erase
1,280
3,000
15,360(1)
1 byte
8,020
23,500
256 bytes
8,020
24,400
1024 bytes
8,020
26,700
4096 bytes
32,100
Programming
Various Data
Packets
Block
Programming
8192 bytes
16,000
38,560
(uses Block Erase)
33,000
77,120
(uses Block Erase)
(uses Block Erase)
Note 1: Time to erase & prgm. 4096 bytes (1 block in Serial Flash) vs. 1056 bytes (1 page in DataFlash)
Setup: AT91SAM9XE-EK, at91lib version 1.5
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Adesto’s Low Energy Focus_DataFlash
メモリー
消費電力
• メモリーの低消費電力化
MCU
消費電力
• メモリーアクセス時のCPU の低消費電力化
システム全体
消費電力
Adesto®
Memory
• 他の部品の低消費電力化
システム性能向上や低消費電力化に
貢献できる！
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Adesto Target applications
現在使用中の製品
Adesto Solutions
Serial Flash &
EEPROM &SRAM
Data Flash
Serial Flash &
EEPROM
Data Flash
Serial Flash &
SRAM
Data Flash
EEPROM
Data Flash
Data Flash
NVSRAM
(SRAM+EEPROM)
Data Flash
SRAM+BB
(battery backup)
Data Flash
F-RAM
(serial I/O)
Data Flash
Advanced
Flash (Fusion)
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CBRAM
まとめ
•
Adesto Technologiesはデータやコード格納用のメモリー専門会社
•
独自の包括的なメモリー技術を所有し、広範なマーケット向けに
幅広い製品群と革新的なソリューションを提供
•
ハイブリッドなビジネスモデル（標準製品とIPランセンス）によ
り、マーケットで大きなビジネスを創出
イノベーションでお客様の成長を支援・実現！
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