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N イオン注入 4H-SiC の電気特性と結晶性の評価

SiCアプリケーションノート :SiCパワーデバイス

SiCパワーデバイスの開発動向

触媒作用を援用した化学ポリシング法による 4H

第20回 講演会

11 電子顕微鏡による貫通らせん転位の観察 図 1 大角度収束電子回折

Title 高耐圧SiC FET及びダイオードの電力変換回路への適用に 関する

予稿 818 KB - 大阪電気通信大学

2 0 1 4 - 京都大学 工学部・大学院工学研究科

2006 年度
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