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アプリケーションノート - shindengen electric mfg.co.,lt

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アプリケーションノート - shindengen electric mfg.co.,lt
スタンバイ対応
部分共振電源用I Cモジュール
MR4000 シリ ーズ
アプリ ケーショ ンノ ート
Application Note
Version 1.4
M R 4000 Seri es
A p p l i cati on N ote
使用上の注意
このたびは、弊社製品をご使用いただき誠にありがとうございます｡
当 IC をご使用の際は、お客様の安全を確保するため下記の警告ならびに注意を必ず守ってご使用ください｡
警
告
注
意
警
告
!
誤った取り扱いをしたときに死亡や重大な人身事故および大きな物的損害に結びつく危険性のあるもの。
!
誤った取り扱いをしたときに軽傷に結びつく恐れ、または軽微な物損事故に結びつく恐れのあるもの。
!
当社は、品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、半導体製品はある確率で故障が発生したり、誤動作する場合があり
ます。当社製品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を生じさせない冗長設計、延焼防止設計、
誤動作防止設計等の安全設計を、お客様の責任において実施してくださいますようお願い致します。
!
本資料に記載されている当社半導体製品は、特別に高い品質・信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かし
たり、人体に危害を及ぼす恐れのある機器あるいはシステムに用いられることを目的として設計、製造されたものではありませ
ん。下記の特別用途、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず当社へご連絡の上、確認を得てください。
特別用途
輸送機器（車載、船舶等）、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療機器 等
特定用途
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継器、生命維持のための装置 等
IC 製品に関しては、特別用途・特定用途に限らず、連続運転を前提として長期製品寿命を期待される機器、装置にご使
用される場合に関しては当社へお問い合わせ下さい。
注
意
!
修理や改造は、重大な事故につながりますので、絶対にやめてください｡
《感電、破壊、火災、誤動作等の危険があります｡》
!
異常時は出力端子に過大電圧が発生したり、電圧低下となる場合があります｡ 異常時の、負荷の誤動作や破壊等を想定し
た保護対策（過電圧保護、過電流保護等の保護対策）を最終機器に組み込んでください。
!
入力端子、出力端子の極性を確認し誤接続の無いことを確認してから通電してください。
《保護素子が切れたり、発煙・発火の原因になります｡》
!
決められた入力電圧を必ず守っていただくとともに、入力ラインに必ず保護素子を挿入してください｡
《異常時には発煙・発火の危険があります｡》
!
使用中に故障または、異常が発生した時は、すぐに入力を遮断して電源を停止させてください｡また、直ちに弊社にご相談くださ
い｡
●本資料に記載されている内容は、製品改良などのためお断りなしに変更することがありますのでご了承ください｡
●御使用頂く際には、仕様書の取り交わしをお願いいたします。
●ここに記載されたすべての資料は正確かつ信頼し得るものでありますが、これらの資料の使用によって起因する損害または特許権その他権利の
侵害に関しては、当社は一切その責任を負いません｡
●本資料によって第三者または当社の特許権その他権利の実施に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。
●本資料の一部または全部を当社に無断で転載または複製することを堅くお断りいたします｡
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
-2-
MR4000 Series
Application Note
１：概要
目次
…
4
…
19
1.1：はじめに
…
4
5.1：MR4500 参考仕様
…
19
1.2：特徴
…
4
5.2：MR4510 参考仕様
…
22
1.3：用途
…
4
5.3：MR4520 参考仕様
…
25
1.4：絶対最大定格、参考出力容量
…
4
5.4：MR4530 参考仕様
…
28
1.5：外形寸法図、等価回路図
…
5
5.5：MR4710 参考仕様
…
31
1.6：基本回路例
…
5
5.6：MR4720 参考仕様
…
34
２：ブロック図
５：参考仕様集
…
6
5.7：MR4010 参考仕様
…
37
2.1：ブロック図
…
6
5.8：MR4020 参考仕様
…
40
2.2：端子機能説明
…
6
5.9：MR4030 参考仕様
…
43
…
7
5.10：MR4040 参考仕様
…
46
3.1：起動回路
…
7
…
49
3.2：オントリガ回路
…
8
6.1：設計に関する補足事項
…
51
3.3：部分共振
…
8
6.2：ノイズ対策
…
58
3.4：スタンバイモード制御方式
…
9
6.3：実装に関する補足資料
…
60
3.5：出力電圧制御方式
…
10
6.4：波形測定に関する注意事項
…
61
3.6：ソフトドライブ回路
…
10
6.5：パターン設計の注意事項
…
62
3.7：負荷短絡対策回路
…
11
6.6：応用回路例
…
64
3.8：Collector 端子
…
11
6.7：トラブル対策一覧
…
67
3.9：過熱保護回路
…
11
6.8：用語集
…
69
3.10：過電圧保護回路
…
11
3.11：リーディングエッジブランク
…
11
3.12：誤動作防止回路
…
12
3.13：過電流保護回路
…
12
…
13
4.1：設計フローチャート
…
13
4.2：メイントランス参考設計条件
…
13
4.3：メイントランス参考設計計算式
…
14
4.4：周辺部品定数の設計
…
16
4.5：垂下回路の定数決定
…
17
4.6：放熱設計
…
18
３：動作説明
４：設計方法
６：設計補足資料
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
-3-
MR4000 Series
Application Note
１ ： 概要
1.1：はじめに
MR4000 シリーズは、微小負荷時のバーストモード切り替え機能を備えた IC モジュールです。
本 IC モジュールは、100V 系、200V 系およびワールドワイド入力電源に最適化されたスイッチング素子とコントロール IC により構成された部分共
振モジュールで、以下に示す特徴を備えた電源を実現します。
1.2：特徴
1
2
3
4
5
6
7
8
… 部分共振動作により高効率、低ノイズ化を実現。
… 900V 耐圧の第 2 世代高速 IGBT を使用し、ワールドワイド入力電源の設計が容易（MR40XX シリーズ）
… バーストモードにより微小負荷時における消費電力を削減可能。
… 起動回路内蔵により起動抵抗が不要。
… ソフトドライブ回路により低ノイズ化を実現。
… 過電流保護機能（ton 制限、1 次電流制限）、過電圧保護、サーマルシャットダウン機能を搭載。
… 少ない外付部品で電源回路を構成できます。
… フルモールドパッケージを採用しているので、絶縁設計に有利。
1.3：用途
テレビ、ディスプレイ、プリンタ、VTR、DVD、STB、エアコン、冷蔵庫、その他の電化製品および各種 OA 機器など。
1.4：絶対最大定格、参考出力容量
主 SW 素子
型 名
最大出力容量 Po［W］
耐圧
［V］
入力電圧範囲
AC90～132V
AC180～276V
AC90～276V
MR4500
12（20）
―
―
MR4510
25（40）
―
―
50（80）
―
―
MR4520
MR4530
500
MOSFET
MR4710
700
MR4720
MR4010
MR4020
MR4030
MR4040
第 2 世代
高速 IGBT
900
80（100）
―
―
―
25（40）
12（20）
―
50（80）
25（40）
―
65
45
―
105
70
―
135
90
―
180
120
最大出力容量および入力電圧範囲は設計条件によって異なります｡
カッコ内の出力容量は Peak 値です。
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
-4-
１ ： 概要
1.5：外形寸法図、等価回路図
4.50±0.20
+0.2
φ3.2 -0.1
2.70±0.20
19.49 ±0.50
16.89 ±0.50
9
15.00 ±0.50
捺印エリ ア
Marking area
等価回路図
Equivalent Circuit
Drain
(Collector) Vin
6.70 ±0.20
15.0 ±0.2
2.6 ±0.2
10.0±0.2
7
MR40XXシリ ーズ
Q1
Q1
F/B
3
GND
4
Vcc
5
Source/OCL
(Emitter/OCL)
7.05±0.50
±0.30
3.88
2
(4.1)
1.94±0.30
±0.30
4.20
±0.50
1.2
±0.2
+0.20
0.50 -0.10
0.97±0.25
+0.20
Z/C
IC1
2.70±0.20
0.50-0.10
1
1.94
①②③④⑤⑥⑦⑧⑨
端子番号
Terminal number
1.6：基本回路例
Vin
Vout
9
7
5
4
MR4000
2
1
3
スタンバイ回路
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
-5-
MR4000 Series
Application Note
２ ： ブロッ ク図
2.1：ブロック図
Drain
Vin (Collector)
Vcc
4
ラッ チ解除
comp
7
9
起動回路用
UVLO
comp
UVLO
comp
起動回路
過電圧保護
comp
VUL
VCC(start)
/VCC(stop)
VCC(startup off)
/VCC(startup on)
MR40XXシリ ーズ
Q1
R
Q
VOVP
S
過熱保護
回路
ゼロ電流
検出回路
Z/C 1
ソフト
ド ライブ
回路
リ スタート
タイマ
S
S
R
オンデッ ド
タイマ
Q1
Q
過電流検出用
comp
スタンバイ
回路
Vref
VTH(OCL)
IF/B
F/B 2
L.E.B.
バースト 電流
リミ ット 用
comp
ON幅
タイマ
VTH(burst OCL)
3
5
Source/OCL
(Emitter/OCL)
GND
2.2：端子機能説明
端子番号
記 号
1
Z/C
ゼロ電流検出端子
2
F/B
フィードバック端子
3
GND
GND 端子
4
Vcc
Vcc （IC 用電源）端子
Source/OCL
5
Emitter/OCL
記
MR45XX シリーズ
主スイッチ素子のソース
および OCL（電流検出）端子
MR47XX シリーズ
主スイッチ素子のエミッタ
および OCL（電流検出）端子
MR40XX シリーズ
6
7
―
Vin
Vin（起動用）端子
8
9
事
―
Drain
Collector
MR45XX シリーズ
MR47XX シリーズ
MR40XX シリーズ
主スイッチ素子のドレイン端子
主スイッチ素子のコレクタ端子
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
-6-
MR4000 Series
Application Note
３ ： 動作説明
3.1：起動回路
【 従来起動回路】
従来からの起動抵抗による起動回路では、電源起動後も電
流が流れ続けるため無駄な電力が消費され、効率低下（特に
スタンバイ時）の原因となります。
【図 3.1 起動回路の比較（従来起動回路）】
起動電流
IC
MR4000 シリーズ起動回路は、電源起動時に入力電圧から起
動電流を供給し、電源起動後に起動電流を遮断する機能を
もっています。
定常動作時も
起動電流が流れ損失となる｡
起動回路は、VCC 端子電圧が VCC(start)=VCC(startup off)に達す
るまで IC 内部の定電流源より Istartup の電流を、IC 内部消費
電流と VCC 端子－GND 間に外部接続されるコンデンサへの
充電電流として供給します。
これにより入力電圧依存の小さい安定した起動を得ることがで
きます。
VCC 端子電圧が VCC(startup off)=VCC(start)に達すると、起動回
路は切り離され、起動電流が流れなくなると同時に発振を始め
ます。
以降はコントロール巻線から、IC 消費電流が供給されます。
【図 3.1 起動回路の比較（MR4000 起動回路）】
瞬時停電時や、負荷短絡時に VCC 端子電圧が VCC(stop)にな
ると発振が停止し、さらに VCC(startup on)まで低下すると再度起
動回路が動作を開始し、VCC 端子電圧は上昇をはじめます｡
【図 3.2】
【 MR4000起動回路】
起動後、 起動電流off
起動抵抗不要。
7
Vcc端子
4
Vcc(startup off)/Vcc(startup on)
コント ロール巻線
上記機能を搭載したことにより効率向上（特にスタンバイ動作
時）、起動抵抗の削減（部品点数減）を実現しています。
VCC(startup off)
= VCC(Start)
Vin端子
図 3.1：起動回路の比較
【Vin】
VCC(stop)
VCC(startup on)
【V CC】
【V DS(VCE)】
【V OUT】
瞬時停電
負荷短絡
図 3.2：起動回路動作シーケンス
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
-7-
３ ： 動作説明
3.2：オントリガ回路
約0.3V
MR4000 シリーズは電流臨界動作方式を採用しており、メイン
トランス 2 次側へのエネルギーの吐き出しを検出し主スイッチン
グ素子のオンを行っています。
【V Z/C】
エネルギーの放出タイミングをコントロール巻線のネガティブエッ
ジで検出し、主スイッチング素子をオンすることで電流臨界動作
を行っています｡
【図 3.3（約 0.3V 点）】
【I D(IC)】
また、オントリガ検出電圧（約 0.3V 点）に対して、50mV のヒス
テリシスをもたせることにより耐ノイズ性を高めています｡
【2次整流ダイオード電流
】
【V DS(VCE)】
【コントロール巻線電圧
】
図 3.3：オントリガ動作シーケンス
3.3：部分共振
LP
電流臨界動作型のスイッチング電源（RCC）で主スイッチング素
子の Drain(Collector)－GND 端子間に右図のように共振コン
デンサを付加した回路において、2 次側電流が 0A になったとき
にメイントランスの 1 次インダクタンス LP と共振コンデンサ Cq に
よる共振周波数での減衰振動が始まります。
Cq
共振
コンデンサ
9
5
Source/OCL
(Emitter/OCL)
端子
このときの共振コンデンサ Cq の放電電流は 1 次巻線を通り入
力側へエネルギーを返すように流れます｡
Z/C 端子に接続される右図 CR 時定数を調整することにより、
減衰振動電圧の谷点で主スイッチング素子をターンオンさせるこ
とができます。
これにより、ターンオンロスを低減することが可能です｡
Drain(Collector)端子
1
Z/C端子
R
3
GND端子
C
CとRの時定数で
オンタイミ ングを遅らせる
ターンオンディ レイ期間
また、部分共振を使った回路では、主スイッチング素子のオフ期
間に共振コンデンサ Cq に蓄えられているエネルギーを入力側へ
帰還することで、ターンオン時の損失を減らすことができます。
こ の た め 、 大き な コ ン デ ン サ を主スイ ッチ ン グ 素子の
Drain(Collector)－GND 間に入れることができるので、低ノイズ
化が可能になります｡
【 VDS(VCE)】
LPとCqによる共振周波数
での減衰振動が始まる
【 ID(IC)】
部分共振は簡単な回路構成で効率向上やノイズ低減を図る
には有効な回路です。
【 2次整流ダイオード 電流】
図 3.4：部分共振動作
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
-8-
３ ： 動作説明
3.4：スタンバイモード制御方式（特許申請中）
MR4000 シリーズは、1 つの電源で通常動作とスタンバイモード
の 2 つの出力電圧制御方法を切り換える機能をもっています。
本 IC のスタンバイモードはバースト方式を採用しております。バ
ースト方式は、軽負荷時に間欠動作を行なう事で発振回数を
減らし、スイッチングロスを低減します。
微小負荷時にスタンバイの入力電力を削減するには、バースト
方式が有効です。
Drain(Collector)端子
9
Z/C端子
1
Source/OCL
(Emitter/OCL)端子 F/B端子
5
2
3
Vth(OCL)から
Vth(burst OCL)
へ切り換え
本 IC は IC 制御を停止せずに間欠動作を行なう事で出力リッ
プルが小さいバーストモードを実現しております。
すなわち、IC の Z/C 端子を外部信号により VZ/C(burst)以下に
クランプすることで、スタンバイモード制御に切り換えることができ
ます。スタンバイモードの解除、つまり通常モードへの復帰は
Z/C 端子の電圧クランプを解除し、VZ/C(burst)以上の電圧を印
加することで行います。
出力電圧誤差
検出帰還信号
スタンバイ信号
（ 外部信号）
図 3.5：スタンバイモードの制御
通常動作時は、F/B 端子の電圧変化に対してリニアに主スイッ
チング素子のオン幅が制御されますが、スタンバイモード動作時
は、Source/OCL(Emitter/OCL)端子の電流検出しきい値が
通常モードの Vth(OCL)からスタンバイモードの Vth(burst OCL)に切
り換り、ドレイン（コレクタ）電流が制限されます。
このときドレイン（コレクタ）電流は電流検出しきい値によりピーク
電流が固定されバーストモードになります。
VF/B(burst stop) VF/B(burst start)
【V F/B】
スタンバイモードは F/B 端子電圧が VF/B(burst start)以上で発振
し、VF/B(burst stop)以下で発振停止する制御となります。
スタンバイモードの出力電圧制御は、発振毎サイクルのドレイン
（コレクタ）電流ピーク値が固定なので、発振している区間と発
振停止している区間の Duty を可変することにより定電圧化を
行なっています。
【I D(IC)】
【V OUTリップル】
図 3.6：スタンバイモード制御シーケンス
スタンバイモード
開始
約0.3V
VZ/C(burst)
スタンバイモード
解除
【 VZ/C】
【 ID(IC)】
【 IOUT】
スタンバイモード
通常動作
図 3.7：スタンバイ信号受け取りシーケンス
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
-9-
３ ： 動作説明
3.5：出力電圧制御方式（通常動作）
5Vref
MR4000 シリーズは、F/B 端子電圧に比例したオン幅で出力
電圧を制御しています。
IF/B
F/B 端子電圧が 1.5V でオン幅が ton(min) となり、4.5V で
ton(max)となるようにリニアに制御されます。F/B 端子からは IF/B
を流出しており、F/B－GND 端子間に外部接続されるフォトカ
プラトランジスタのインピーダンスが、2 次側出力検出回路から
の制御信号により変化することで、主スイッチング素子のオン幅
を制御し定電圧化しています。
F/B
端子
フォトカプラの
インピーダンス可変により
出力電圧制御
2
出力電圧誤差
検出帰還信号
垂下抵抗
オン幅 t on ［μs］
また、外付けに F/B 端子－GND 間に抵抗を接続し、F/B 端
子電圧の最大値を設定することで最大オン幅を制限し、電源
垂下を決定します。
ton
(max)
ton
(min)
1.5
4.5
フィードバック電圧
VF/B［V］
図 3.8：出力電圧の制御
3.6：ソフトドライブ回路（特許申請中）
ド レイン（ コレクタ） 電流
にあわせたゲート 電圧供給
MR4000 シリーズは 2 系統のドライブ回路より主スイッチング素
子のゲートドライブ電圧を供給しています｡
この回路は、ドライブ電圧の立ち上がるタイミングで、１系統目
のドライブ回路より主スイッチング素子のしきい値を越える電圧
を供給し、最適なタイミングで主スイッチング素子をオンさせます。
次に 2 系統目のドライブ回路で【図 3.9】のようにソフトにドライブ
電圧を供給します。
【 VGS(VGE)】
ド レイン（ コレクタ） 電流が
小さい時でもゲート チャージ電荷
は変わらない
このように、ドライブ電圧をソフトに供給することにより、ドライブ
損失の低減、ゲートチャージ電流および共振コンデンサのオン
時放電電流によるノイズ低減を実現しています。
急峻なゲート チャージ
を低減
【 IG】
軽負荷時の
無効電荷削減
共振コンデンサの
放電電流が大きい
共振コンデンサ
放電電流のダンピング
【 ID(IC)】
【 従来ド ライブ回路】
【 MR4000ド ライブ回路】
図 3.9：ドライブ回路の比較
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 10 -
３ ： 動作説明
3.7：負荷短絡対策回路
MR4000 シリーズは過負荷時に垂下動作となり出力電圧が下がると、コントロール巻線電圧もそれに比例して下がります。
コントロール巻線電圧が VZ/C(burst)を下回ると、動作モードがスタンバイモードに切り換り Source/OCL(Emitter/OCL)端子のしきい値が Vth(OCL)
→Vth(burst OCL)になるため、ドレイン（コレクタ）電流が約 1/10 に制限されます。
従って、負荷短絡時の MR4000 シリーズへのストレスおよび 2 次側ダイオード、負荷回路への短絡電流を抑えることができます。
VZ/C(burst)
【V Z/C】
VZ/Cが
VZ/C(burst)
以下になると
IDP(ICP)が制限される
【I D(IC)】
負荷短絡
【V OUT】
【V CC】
図 3.10：負荷短絡対策回路
3.8：Collector 端子（MR40XX シリーズ）
主スイッチング素子のコレクタ端子です。（7 番端子）
VCE(max)＜900V となるようにトランスの設計および共振コンデンサを設定します。
なお、部分共振動作では入力条件により Collector 端子が逆バイアスされる期間があります。
本 IC は主スイッチング素子に第 2 世代高速 IGBT を使用しており、この素子は MOSFET と違いボディーダイオード構造を持たないため、
Collector－Emitter/OCL 端子間に高速ダイオードを外付けする必要があります。（図 3.12 参照）
3.9：過熱保護回路（TSD）
MR4000 シリーズには過熱保護回路（サーマルシャットダウン）が搭載されています。
内蔵 IC が 150℃(TYP)になるとラッチし、発振動作を停止します。
ラッチ解除は VCC 端子電圧を VUL（ラッチ解除電圧）以下に一旦下げることで行います。
3.10：過電圧保護回路（OVP）
MR4000 シリーズには過電圧保護回路（OVP）が搭載されています。
コントロール巻線電圧が VOVP を越えることでラッチし、間接的に 2 次側出力の過電圧保護を行っています。
ラッチ解除は過熱保護回路と同様です。
3.11：リーディングエッジブランク（LEB）
MR4000 シリーズには主スイッチング素子がオンしてから一定時間、ドレイン電流検出回路からのトリガ信号を受け付けない期間を設定し、ノイズ
マージンを上げる機能「リーディングエッジブランク」を搭載しています。
これにより、主スイッチング素子がオンする瞬間のゲートドライブ電流や、共振コンデンサの放電電流による誤検出を防ぎます。
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 11 -
３ ： 動作説明
3.12：誤動作防止回路（特許申請中）
オントリガ禁止期間
tondead
約0.3V
MR4000 シリーズは電流臨界動作を行うので、垂下設定
が最適化されていればメイントランスが飽和することはあり
ません｡
【V Z/C】
ただし、起動・負荷短絡時には、出力電圧が設定電圧よ
り極端に小さくなるので、出力電圧に比例したコントロール
巻線電圧も非常に小さい値となり、オフ時のリンギング電
圧によりオントリガタイミングを誤検出し、電流臨界点より
はやくオンしてしまう可能性があります｡
そこで、MR4000 シリーズには、起動・負荷短絡時のオント
リガ誤動作防止回路を内蔵しています｡
この機能は、IC 内部主スイッチング素子がオフしてからオン
トリガを禁止する期間 tondead を設けることで、オフ時のリン
ギング電圧による誤検出を防止します｡
これにより、起動・負荷短絡時においてもトランスの 2 次
電流の 0A 点を検出し、主スイッチング素子をオンさせトラ
ンスの磁気飽和を抑えることができます｡
【I C(ID)】
【
拡大
2次整流
】
ダイオード
【V Z/C】
【I D(IC)】
【2次整流ダイオード
】
【V DS(VCE)】
【V OUT】
図 3.11：誤動作防止回路
3.13：過電流保護回路
主スイッチング素子のソース（エミッタ）および
ソ ー ス （ エ ミ ッ タ ） 電 流 検 出 端 子 で 、
Source/OCL(Emitter/OCL)－GND 間に電流検出抵抗
を接続します。
定常時 Vth(OCL)のしきい値で、パルス・バイ・パルス動作に
より主スイッチング素子の電流制限を行います。
スタンバイ時はしきい値が Vth(burst OCL)に切り換り、バース
ト発振によるトランスからの発振音を低減します。
高速ダイオード
（ MR40XXシリ ーズのみ）
共振
コンデンサ
9
Drain
(Collector)端子
5
Source/OCL
(Emitter/OCL)端子
電流検出抵抗
図 3.12：電流検出抵抗
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- 12 -
MR4000 Series
Application Note
４ ： 設計方法
本項の設計方法は、電気的な設計方法の一例です。
絶縁材料、絶縁構成、構造などについては、必要に応じ公的機関の定める安全基準に沿って設計してください。
4.1：設計フローチャート
仕様の決定
メ イント ランスの設計
主要回路部品の決定
再
検
討
放熱設計
【 4.2： メ イント ランス参考設計条件】
P.13
【 4.3： メ イント ランス参考設計計算式】
P.14
【 4.4： 周辺部品定数の設計】
P.16
【 4.5： 垂下回路の定数決定】
P.17
【 4.6： 放熱設計】
P.18
試作
動作確認
問題あり
問題なし
完成
4.2：メイントランス参考設計条件
参考値はあくまで目安です。負荷条件などにより調整してください。
参考値
記号
単位
最低入力電圧
VAC(min)
V
―
定格出力電圧
Vo
V
―
定格出力電流
Io
A
―
最大出力電流
Io(max)
A
効率
最低発振周波数
オンデューティ比
MR45XX
シリーズ
MR40XX
シリーズ
―
η
f(min)
MR47XX
シリーズ
0.80～0.85
kHz
D
30k～50kHz
25k～40kHz
25k～50kHz
0.40～0.55
0.28～0.55
0.50～0.70
コントロール巻線電圧
VNC
V
15～17V
トランスコア実効断面積
Ae
mm2
―
磁束密度変化
ΔB
mT
250～320mT
巻線電流密度
α
A/mm2
4～6A/mm2
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- 13 -
４ ： 設計方法
4.3：メイントランス参考設計計算式
1
最低直流入力電圧
VDC(min)  1.2  VAC(min)
[V]
2
最大直流入力電圧
VDC(max)  2 VAC(max)
[V]
3
発振周期
T(max) 
4
最大オン期間
ton(max)1 
5
最大オフ期間
toff(max) 
6
共振期間
tq
1
[s]
f(min)
D
[s]
f(min)
N S1 VDC(min)  ton(max)1
 tq
N P  (VO1 VF1)
2π LP  C q

2
（ 共振周期 
[s]
1
）
2
[s]
7
最大負荷電力
PO(max)  VO  I O(max)
[W]
8
最大出力電力（目安）
PL  1.3  PO(max)
[W]
9
ドレイン（コレクタ）
ピーク電流
I DP(I CP) 
10
一次巻線インダクタンス
LP 
11
一次巻線数
NP 
12
コアギャップ
lg  4π 10
2  PL
η VDC(min)  D
VDC(min)  ton(max)1
I DP(I CP)
VDC(min)  ton(max)1 10 9
ΔB  A e
10
 Ae  N P 2
LP
[A]
[H]
[Turn]
[mm]
ギャップ lg はセンターギャップの値とします｡
ここで lg が 1[mm]以上になった場合は、トランスコアサイズ、発振周波数などを見直して再設計してください｡
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- 14 -
４ ： 設計方法
(VO1  VF1 )  N P  ( 1 - ton(max)1 - tq )
f(min)

VDC(min)  ton(max)1
13
制御系出力巻線数
14
非制御系出力巻線数
N S2  N S1  VO2 VF2
VO1 VF1
[Turn]
15
コントロール巻線数
N C  N S1  VNC VFNC
VO1 VF1
[Turn]
N S1
[Turn]
出力巻線数には各出力の二次側ダイオード順方向電圧 VF を加味してください｡
VFNC はコントロール巻線電圧整流ダイオード順方向電圧です。
また、コントロール巻線電圧 VNC(min)の設計時の参考値は 15～17V です｡
VNC(min)の値が小さすぎると、起動特性が低下し、起動しにくくなる場合があります｡
また、VNC(min)の値が大きすぎると、過電圧ラッチ停止電圧 VOP にかかりやすくなります。
設計の際には、VNC(min)の値が適正かを実機にてご確認ください｡
16
一次巻線サイズ
ANP 
17
二次巻線サイズ
A NS 
2  D  PO
α  3 ηVDC(min)  ton(max)1  f(min)
2  1  D  (tq  f(min) )  I O
α  3  (toff(max)  tq )  f(min)
[mm2]
[mm2]
NC 巻線は取り扱いなどの理由から、ANC=0.2[mmφ]を推奨します。
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- 15 -
４ ： 設計方法
4.4：周辺部品定数の設計
MR4000 シリーズの周辺部品の定数設定方法は以下の通りです。
部 品 名
MR45XX
シリーズ
定数決定の目安
MR47XX
シリーズ
1200p
～3300pF
MR40XX
シリーズ
C112
共振周波数を決定するコンデンサです。
ノイズ・効率等から決定してください。
820pF
～2200pF
C113
電源電圧整流用コンデンサです。
小さいと起動時間欠しやすくなり、大きいと起動時間が長くなります。
47～100μF
C114
部分共振調整用コンデンサです。
R115 とあわせて共振谷点でオンするよう調整してください。
10p～330pF
C115
2 番端子のノイズ対策です。ゲインフェーズ調整にも効果があります。
大きくしすぎると周波数応答性が悪くなります。
R113
C108 の電流制限用ダンパ抵抗です。
ノイズ、効率などから決定してください。
R114
過電流検出抵抗です。垂下点を決定します。
R115
Z/C 端子電流制限抵抗です。
20kΩ程度
R116
Z/C 端子電流制限抵抗です。
10kΩ程度
R117
垂下特性から調整を行ってください。
R114 で決定した垂下点より若干高めに設定します。
R151
入力電圧による垂下補正用の抵抗です。
垂下特性から調整を行ってください。
不要
50kΩ程度
D111
高速タイプで 900V,1A クラスのダイオードを選んでください。
不要
高速タイプ
900V,1A クラス
DZ151
入力電圧による垂下補正用のツェナダイオードです。
不要
～330pF
4700pF
100p～2200pF
0～数Ω
【4.5：垂下回路の定数決定】
を参照してください｡
数十 kΩ
【4.5】項を
参照してください｡
L101
R101
C103
F101
T101
L201
Vin
C101
D201
C104
C106
D101
C204
C201
VO
R266
C105
C112
R114
C262
D111
R113
9
7
5
C115
PH111
PH111
C113
R201
D112
4
IC111
2
R261
R116 R115
1
R202
R262
C261
3
PH141
D151
Q241
DZ151
IC261
R117
SW241
R248
D141
R265
R151
R241
PH141
R247
R263
C114
図 4.1：MR4000 シリーズ参考電源回路例
R151、D151、DZ151 はワールドワイド入力仕様時垂下補正用の追加部品です。
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- 16 -
４ ： 設計方法
4.5：垂下回路の定数決定
MR4000 シリーズの標準電源で推奨している垂下回路の定数決定方法を以下に示します。
4.5.1：MR45XX シリーズにおける垂下回路の定数決定
MR45XX シリーズの標準回路で推奨している垂下回路の定数決定方法を以下に示します。
①過電流検出抵抗 R114 を以下の式を用いて算出します。
R114 
Vth(OCL)
I DP (I CP)
［Ω］
5
MR4000
3
Vth(OCL)
リミット電流しきい値
IDP(ICP)
最大出力電力時の
ドレイン（コレクタ）電流ピーク値
2
D112
4
R117
R114
C115
②実機において R117 を調整します。
R114 で決定した垂下点より若干高めに設定してください。
数十 kΩ程度になります。
PH111
図 4.2：MR45XX シリーズ垂下回路
4.5.2：MR40XX シリーズにおける垂下回路の定数決定
MR40XX シリーズの標準回路で推奨している垂下回路の定数決定方法を以下に示します。
①過電流検出抵抗 R114 を以下の式を用いて算出します。
R114 
Vth(OCL)
I DP (I CP)
［Ω］
5
3
Vth(OCL)
リミット電流しきい値
IDP(ICP)
最大出力電力時の
ドレイン（コレクタ）電流ピーク値
DZ151
R117
R151 D151
C115
PH111
③入力電圧による垂下補正用ツェナダイオード DZ151 を選びます。
ツェナ電圧は次式で求められます。
補正開始電圧は 150V とします。
NC
NP
2
D112
4
R114
②実機において R117 を調整します。
R114 で決定した垂下点より若干高めに設定してください。
数十 kΩ程度になります。
ツェナ電圧  1.3 150 
MR4000
図 4.3：MR40XX シリーズ垂下回路
［V］
④実機において入力電圧による垂下補正用抵抗 R151 を調整します。
50kΩ程度になります。
⑤C115 は 2200pF 程度に設定してください。
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- 17 -
４ ： 設計方法
4.6：放熱設計
MR4000 シリーズは Tj(max)=150℃です。
MR4000 シリーズを動作させると電力損失に伴う温度上昇がありますので、どのような放熱板が必要なのかを検討しなければなりません。
また、この Tj(max)を超えないよう設計することが絶対条件になりますが、MR4000 シリーズには過熱保護(TSD=TYP 150℃)機能があるためこれ
を考慮しなければなりません。
従って、どの程度 Tj をディレーティングさせて設計するかどうかは信頼性を高める重要な項目になります。
4.6.1：接合部温度と電力損失
MR シリーズを動作させた時の電力損失は、内部 MOSFET の電力損失が大半を占めます。
また、電力損失のほとんどがオン損失とみなせば下式のように表すことができます。
PD =VDS ×ID
電力損失 PD による温度上昇をΔTj とすると…
ΔTj +Ta ≦Tj(max)
が成り立ち、TSD(=TYP150℃)を考慮して TSD(min)=120℃とすると…
ΔTj+Ta≦TSD(min)
を満足するように PD が制限されます。
4.6.2：接合部温度と熱抵抗
熱抵抗θja を使って Tj を算出する場合、次の関係から求めることができます。
記 号
Tj =( PD ×θja) +Ta
接合部・周囲間熱抵抗
θja は接合部･周囲間熱抵抗を表し以下の関係があります。
接合部・ケース間熱抵抗
θja =θjc +θcf +θfa
ケース・フィン間熱抵抗（接触熱抵抗）
フィン・周囲間熱抵抗(放熱板熱抵抗)
θja
θjc
θcf
θfa
単位
℃
/W
℃
/W
℃
/W
℃
/W
4.6.3：放熱設計における注意事項
サーマルシャットダウン（TSD）は、MR4000 シリーズの異常発熱時の保護機能として 150℃(TYP)でラッチ停止動作を行うよう設定されていま
す。従って、熱設計に際しては十分な温度ディレーティングを考慮して回路設計を行ってください。
当社では、ケース温度が 100℃以下となる熱設計を推奨しています。
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- 18 -
MR4000 Series
Application Note
５ ： 参考仕様集
MR4000 シリーズの参考仕様です。MR4000 シリーズを使用した電源回路の設計にお使いください｡
ただし、本仕様はあくまで参考値です。最新の仕様につきましては、当社担当営業部門までご相談ください｡
5.1：MR4500 参考仕様
5.1.1：MR4500 絶対最大定格（Ta=25℃）
項目
保存温度
接合部温度
記号
条件
規格値
単位
Tstg
‐
-30～150
℃
Tj
MOSFET 接合部温度
-20～150
℃
熱抵抗
θjc
ジャンクション‐ケース間
8.33
℃/W
最大消費電力
PD
フィン付（ケース温度 Tc=100℃）
6
W
締め付けトルク
TOR
0.5
N･m
絶縁耐圧
Vdis
2
kV
500
V
1
A
DC:⑨端子流入電流
1
A
Peak:⑨端子流入電流
2.5
A
500
V
-0.3
V
ドレイン･ソース間電圧
VDS
ソース･ドレイン間電流
ISD
ドレイン電流
ID
‐
一括端子･ケース間 AC1 分間
電圧印加端子:⑨,GND:①②③⑤⑦
16V 印加端子:④
電流印加端子:⑤,GND:⑨
ショート端子:①②③④⑤⑦
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
Vin 端子最大印加電圧
Vin
Vin 端子逆バイアス電圧
―
VCC 端子最大印加電圧
VCC
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
22
V
VCC 端子逆バイアス電圧
―
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
-0.3
V
Z/C 検出端子最大流入電流
IZ/C
±5
mA
F/B 端子最大流入電流
IF/B
±5
mA
電流印加端子:①,GND:②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:②,GND:①③⑤
16V 印加端子:④
推奨動作条件の範囲を超えて使用すると信頼性に悪影響を及ぼす場合があります｡
本仕様に記載されていない項目・使用条件・論理の組み合わせでの使用は保証していません。
記載されている以外の条件で使用する場合は必ず事前に当社担当営業部門までご相談ください。
5.1.2：MR4500 推奨動作条件（Ta=25℃）
項目
記号
動作温度
TOP
ドレイン･ソース間電圧
VDS
Vin 端子印加電圧
Vin
VCC 端子印加電圧
VCC
Z/C 検出端子入力電流
IZ/C
F/B 検出端子入力電流
IF/B
規格値
条件
MOSFET 接合部動作温度
電圧印加端子:⑨,GND:①②③⑤⑦
16V 印加端子:④
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
電流印加端子:①,GND:②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:②,GND:①③⑤
16V 印加端子:④
単位
min
typ
max
-20
-
125
℃
-
-
450
V
95
-
250
V
11
-
18
V
-4.5
-
4.5
mA
-4.5
-
4.5
mA
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- 19 -
５ ： 参考仕様集
5.1.3：MR4500 電気的特性（Ta=25℃）
項目
記号
規格値
条件
単位
min
typ
max
500
-
-
V
-
-
100
μA
-
5.4
6.9
Ω
-
1
1.5
V
-
13.6
15.3
V
6.7
7.7
8.5
V
5.8
6.7
-
V
11.8
13.6
15.3
V
6.3
7.1
7.7
V
19.5
20.7
21.5
V
-
2.9
4.5
mA
-
1.8
3.2
mA
-35
-10
-2
mA
0.2
0.3
0.45
V
-
7.5
-
V
-
-1.9
-
V
0
1.2
3
μs
24
30
37
μs
170
185
200
μA
MOSFET 部
ドレイン降伏電圧
VDSX
ドレイン遮断電流
IDSX
ドレイン･ソース間オン抵抗
ソース･ドレイン間耐圧
RDS(ON)
VSDX
電流印加端子:⑨(1mA)
16V 印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
電圧印加端子:⑨(500V)
16V 印加端子:④, GND:①②③⑤⑦
電流印加端子:⑨(0.5A)
16V 印加端子:④
5V パルス印加端子:①, GND:③⑤⑦
電流印加端子:⑨(-0.5A)
16V 印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
Control IC 部：Vcc 端子
発振開始電圧
Vcc(start)
発振停止電圧
Vcc(stop)
ラッチ解除電圧
VUL
起動回路 OFF 電圧
Vcc(startup off)
起動回路 ON 電圧
Vcc(startup on)
過電圧ラッチ電圧
VOVP
VCC 電流（動作時）
Icc(active)
VCC 電流（バースト動作時）
Icc(burst)
VCC 電流（起動時）
ICC(startup)
ターンオン端子:⑨
電圧増加端子:④,GND:①③⑤
ターンオン端子:⑨
電圧減少端子:④,GND:①③⑤
④端子減少開始電圧:22V, GND:③⑤
電圧増加端子:④,ICC:極性反転
100V 印加端子:⑦, GND:①③⑤
④端子減少開始電圧:16V
ICC:極性反転 100V 印加端子:⑦
GND:①③⑤
電圧増加端子:④, GND:①③⑤
16V 印加端子:④, 2.4V 印加端子:②
5V パルス印加端子:①, GND:③⑤
16V 印加端子:④, 100V 印加端子:⑦
GND:①②③⑤
16V 印加端子:④, 100V 印加端子:⑦
GND:①③④⑤
Control IC 部：Z/C 端子
ゼロ検出電圧
VZ/C
クランプ電圧（high）
VCL(H)
クランプ電圧（low）
VCL(L)
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
電圧増加端子:①,GND:③
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
+1mA 流入端子:①,GND:③⑤
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
-1mA 流入端子:①,GND:③⑤
Control IC 部：F/B 端子
ON 幅 min
Ton(min)
ON 幅 max
Ton(max)
F/B 定電流源
IF/B
16V 印加端子:④, 1.5V 印加端子:②
GND:③⑤
16V 印加端子:④, 4.5V 印加端子:②
GND:③⑤
16V 印加端子:④,②端子流出電流
GND:①③⑤⑦
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- 20 -
５ ： 参考仕様集
項目
記号
規格値
条件
単位
min
typ
max
0.5
0.55
0.62
V
-
0.55
-
μs
3.5
4.2
4.5
V
-
1.7
1.9
V
0.5
0.75
1
V
25
45
70
mV
100
300
500
μs
0.5
2.8
4.2
μs
-
150
-
℃
Control IC 部：電流検出
リミット電流しきい値
リーディングエッジブランク
Vth(OCL)
TLEB
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:①
端子検出抵抗:⑤, GND:③⑦
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:①
端子検出抵抗:⑤, GND:③⑦
Control IC 部：バースト
バースト検出電圧
VZ/C(burst)
発振開始電圧
VF/B(burst start)
発振停止電圧
VF/B(burst stop)
バーストモード時電流リミット
Vth(burst OCL)
16V 印加端子:④,電圧減少端子:①
GND:③⑤
16V 印加端子:④,電圧減少端子:②
GND:①③⑤
16V 印加端子:④,電圧増加端子:②
GND:①③⑤
16V 印加端子:④,端子検出抵抗:⑤
GND:①③⑦
Control IC 部：その他
リスタートタイマ
Trestart
起動時オントリガデッドタイム
Tondead
サーマルシャットダウン
TSD
16V 印加端子:④,⑨端子波形
GND:③⑤
16V 印加端子:④, 電圧増加端子:②
5V パルス印加端子:①,⑨端子波形
GND:③⑤
16V 印加端子:④, GND:③⑤
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- 21 -
５ ： 参考仕様集
5.2：MR4510 参考仕様
5.2.1：MR4510 絶対最大定格（Ta=25℃）
項目
保存温度
記号
Tstg
条件
規格値
単位
‐
-30～150
℃
Tj
MOSFET 接合部温度
-20～150
℃
θjc
ジャンクション‐ケース間
6.3
℃/W
最大消費電力
PD
フィン付（ケース温度 Tc=100℃）
締め付けトルク
TOR
絶縁耐圧
Vdis
接合部温度
熱抵抗
8
W
0.5
N･m
2
kV
500
V
2.5
A
DC:⑨端子流入電流
2.5
A
Peak:⑨端子流入電流
5
A
500
V
-0.3
V
‐
一括端子･ケース間,AC1 分間
電圧印加端子:⑨,GND:①②③⑤⑦
16V 印加端子:④
電流印加端子:⑤,GND:⑨
ショート端子:①②③④⑤⑦
ドレイン･ソース間電圧
VDS
ソース･ドレイン間電流
ISD
ドレイン電流
ID
Vin 端子最大印加電圧
Vin
Vin 端子逆バイアス電圧
―
VCC 端子最大印加電圧
VCC
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
22
V
VCC 端子逆バイアス電圧
―
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
-0.3
V
±5
mA
±5
mA
Z/C 検出端子最大流入電流
IZ/C
F/B 端子最大流入電流
IF/B
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:①,GND:②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:②,GND:①③⑤
16V 印加端子:④
推奨動作条件の範囲を超えて使用すると信頼性に悪影響を及ぼす場合があります｡
本仕様に記載されていない項目・使用条件・論理の組み合わせでの使用は保証していません。
記載されている以外の条件で使用する場合は必ず事前に当社担当営業部門までご相談ください。
5.2.2：MR4510 推奨動作条件（Ta=25℃）
項目
記号
動作温度
TOP
ドレイン･ソース間電圧
VDS
Vin 端子印加電圧
Vin
VCC 端子印加電圧
VCC
Z/C 検出端子入力電流
IZ/C
F/B 検出端子入力電流
IF/B
規格値
条件
MOSFET 接合部動作温度
電圧印加端子:⑨,GND:①②③⑤⑦
16V 印加端子:④
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
電流印加端子:①,GND:②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:②,GND:①③⑤
16V 印加端子:④
単位
min
typ
max
-20
-
125
℃
-
-
450
V
95
-
250
V
11
-
18
V
-4.5
-
4.5
mA
-4.5
-
4.5
mA
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 22 -
５ ： 参考仕様集
5.2.3：MR4510 電気的特性（Ta=25℃）
項目
記号
規格値
条件
単位
min
typ
max
500
-
-
V
-
-
100
μA
-
2.6
3.2
Ω
-
1
1.5
V
-
13.6
15.3
V
6.7
7.7
8.5
V
5.8
6.7
-
V
11.8
13.6
15.3
V
6.3
7.1
7.7
V
19.5
20.7
21.5
V
-
3.2
4.8
mA
-
1.8
3.2
mA
-35
-10
-2
mA
0.2
0.3
0.45
V
-
7.5
-
V
-
-1.9
-
V
0
1.5
3.5
μs
24
30
37
μs
170
185
200
μA
MOSFET 部
ドレイン降伏電圧
VDSX
ドレイン遮断電流
IDSX
ドレイン･ソース間オン抵抗
ソース･ドレイン間耐圧
RDS(ON)
VSDX
電流印加端子:⑨(1mA)
16V 印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
電圧印加端子:⑨(500V)
16V 印加端子:④, GND:①②③⑤⑦
電流印加端子:⑨(1.25A)
16V 印加端子:④
5V パルス印加端子:①, GND:③⑤⑦
電流印加端子:⑨(-1.25A)
16V 印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
Control IC 部：Vcc 端子
発振開始電圧
Vcc(start)
発振停止電圧
Vcc(stop)
ラッチ解除電圧
VUL
起動回路 OFF 電圧
Vcc(startup off)
起動回路 ON 電圧
Vcc(startup on)
過電圧ラッチ電圧
VOVP
VCC 電流（動作時）
Icc(active)
VCC 電流（バースト動作時）
Icc(burst)
VCC 電流（起動時）
ICC(startup)
ターンオン端子:⑨
電圧増加端子:④,GND:①③⑤
ターンオン端子:⑨
電圧減少端子:④,GND:①③⑤
④端子減少開始電圧:22V, GND:③⑤
電圧増加端子:④,ICC:極性反転
100V 印加端子:⑦, GND:①③⑤
④端子減少開始電圧:16V
ICC:極性反転 100V 印加端子:⑦
GND:①③⑤
電圧増加端子:④, GND:①③⑤
16V 印加端子:④, 2.4V 印加端子:②
5V パルス印加端子:①, GND:③⑤
16V 印加端子:④, 100V 印加端子:⑦
GND:①②③⑤
16V 印加端子:④, 100V 印加端子:⑦
GND:①③④⑤
Control IC 部：Z/C 端子
ゼロ検出電圧
VZ/C
クランプ電圧（high）
VCL(H)
クランプ電圧（low）
VCL(L)
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
電圧増加端子:①,GND:③
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
+1mA 流入端子:①,GND:③⑤
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
-1mA 流入端子:①,GND:③⑤
Control IC 部：F/B 端子
ON 幅 min
Ton(min)
ON 幅 max
Ton(max)
F/B 定電流源
IF/B
16V 印加端子:④, 1.5V 印加端子:②
GND:③⑤
16V 印加端子:④, 4.5V 印加端子:②
GND:③⑤
16V 印加端子:④,②端子流出電流
GND:①③⑤⑦
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 23 -
５ ： 参考仕様集
項目
記号
規格値
条件
単位
min
typ
max
0.5
0.55
0.62
V
-
0.55
-
μs
3.5
4.2
4.5
V
-
1.7
1.9
V
0.5
0.75
1
V
25
45
70
mV
100
300
500
μs
0.5
2.8
4.2
μs
-
150
-
℃
Control IC 部：電流検出
リミット電流しきい値
リーディングエッジブランク
Vth(OCL)
TLEB
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:①
端子検出抵抗:⑤, GND:③⑦
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:①
端子検出抵抗:⑤, GND:③⑦
Control IC 部：バースト
バースト検出電圧
VZ/C(burst)
発振開始電圧
VF/B(burst start)
発振停止電圧
VF/B(burst stop)
バーストモード時電流リミット
Vth(burst OCL)
16V 印加端子:④,電圧減少端子:①
GND:③⑤
16V 印加端子:④,電圧減少端子:②
GND:①③⑤
16V 印加端子:④,電圧増加端子:②
GND:①③⑤
16V 印加端子:④,端子検出抵抗:⑤
GND:①③⑦
Control IC 部：その他
リスタートタイマ
Trestart
起動時オントリガディレイタイム
Tondead
サーマルシャットダウン
TSD
16V 印加端子:④,⑨端子波形
GND:③⑤
16V 印加端子:④, 電圧増加端子:②
5V パルス印加端子:①,⑨端子波形
GND:③⑤
16V 印加端子:④, GND:③⑤
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 24 -
５ ： 参考仕様集
5.3：MR4520 参考仕様
5.3.1：MR4520 絶対最大定格（Ta=25℃）
項目
保存温度
記号
Tstg
条件
規格値
単位
‐
-30～150
℃
Tj
MOSFET 接合部温度
-20～150
℃
θjc
ジャンクション‐ケース間
5
℃/W
最大消費電力
PD
フィン付（ケース温度 Tc=100℃）
締め付けトルク
TOR
絶縁耐圧
Vdis
接合部温度
熱抵抗
10
W
0.5
N･m
2
kV
500
V
5
A
DC:⑨端子流入電流
5
A
Peak:⑨端子流入電流
10
A
500
V
-0.3
V
‐
一括端子･ケース間,AC1 分間
電圧印加端子:⑨,GND:①②③⑤⑦
16V 印加端子:④
電流印加端子:⑤,GND:⑨
ショート端子:①②③④⑤⑦
ドレイン･ソース間電圧
VDS
ソース･ドレイン間電流
ISD
ドレイン電流
ID
Vin 端子最大印加電圧
Vin
Vin 端子逆バイアス電圧
―
VCC 端子最大印加電圧
VCC
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
22
V
VCC 端子逆バイアス電圧
―
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
-0.3
V
±5
mA
±5
mA
Z/C 検出端子最大流入電流
IZ/C
F/B 端子最大流入電流
IF/B
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:①,GND:②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:②,GND:①③⑤
16V 印加端子:④
推奨動作条件の範囲を超えて使用すると信頼性に悪影響を及ぼす場合があります｡
本仕様に記載されていない項目・使用条件・論理の組み合わせでの使用は保証していません。
記載されている以外の条件で使用する場合は必ず事前に当社担当営業部門までご相談ください。
5.3.2：MR4520 推奨動作条件（Ta=25℃）
項目
記号
動作温度
TOP
ドレイン･ソース間電圧
VDS
Vin 端子印加電圧
Vin
VCC 端子印加電圧
VCC
Z/C 検出端子入力電流
IZ/C
F/B 検出端子入力電流
IF/B
規格値
条件
MOSFET 接合部動作温度
電圧印加端子:⑨,GND:①②③⑤⑦
16V 印加端子:④
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
電流印加端子:①,GND:②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:②,GND:①③⑤
16V 印加端子:④
単位
min
typ
max
-20
-
125
℃
-
-
450
V
95
-
250
V
11
-
18
V
-4.5
-
4.5
mA
-4.5
-
4.5
mA
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 25 -
５ ： 参考仕様集
5.3.3：MR4520 電気的特性（Ta=25℃）
項目
記号
規格値
条件
単位
min
typ
max
500
-
-
V
-
-
100
μA
-
1.3
1.6
Ω
-
1
1.5
V
-
13.6
15.3
V
6.7
7.7
8.5
V
5.8
6.7
-
V
11.8
13.6
15.3
V
6.3
7.1
7.7
V
19.5
20.7
21.5
V
-
3.5
5.1
mA
-
1.8
3.2
mA
-35
-10
-2
mA
0.2
0.3
0.45
V
-
7.5
-
V
-
-1.9
-
V
0
1.9
4
μs
24
30
37
μs
170
185
200
μA
MOSFET 部
ドレイン降伏電圧
VDSX
ドレイン遮断電流
IDSX
ドレイン･ソース間オン抵抗
ソース･ドレイン間耐圧
RDS(ON)
VSDX
電流印加端子:⑨(1mA)
16V 印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
電圧印加端子:⑨(500V)
16V 印加端子:④, GND:①②③⑤⑦
電流印加端子:⑨(2.5A)
16V 印加端子:④
5V パルス印加端子:①, GND:③⑤⑦
電流印加端子:⑨(-2.5A)
16V 印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
Control IC 部：Vcc 端子
発振開始電圧
Vcc(start)
発振停止電圧
Vcc(stop)
ラッチ解除電圧
VUL
起動回路 OFF 電圧
Vcc(startup off)
起動回路 ON 電圧
Vcc(startup on)
過電圧ラッチ電圧
VOVP
VCC 電流（動作時）
Icc(active)
VCC 電流（バースト動作時）
Icc(burst)
VCC 電流（起動時）
ICC(startup)
ターンオン端子:⑨
電圧増加端子:④,GND:①③⑤
ターンオン端子:⑨
電圧減少端子:④,GND:①③⑤
④端子減少開始電圧:22V, GND:③⑤
電圧増加端子:④,ICC:極性反転
100V 印加端子:⑦, GND:①③⑤
④端子減少開始電圧:16V
ICC:極性反転 100V 印加端子:⑦
GND:①③⑤
電圧増加端子:④, GND:①③⑤
16V 印加端子:④, 2.4V 印加端子:②
5V パルス印加端子:①, GND:③⑤
16V 印加端子:④, 100V 印加端子:⑦
GND:①②③⑤
16V 印加端子:④, 100V 印加端子:⑦
GND:①③④⑤
Control IC 部：Z/C 端子
ゼロ検出電圧
VZ/C
クランプ電圧（high）
VCL(H)
クランプ電圧（low）
VCL(L)
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
電圧増加端子:①,GND:③
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
+1mA 流入端子:①,GND:③⑤
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
-1mA 流入端子:①,GND:③⑤
Control IC 部：F/B 端子
ON 幅 min
Ton(min)
ON 幅 max
Ton(max)
F/B 定電流源
IF/B
16V 印加端子:④, 1.5V 印加端子:②
GND:③⑤
16V 印加端子:④, 4.5V 印加端子:②
GND:③⑤
16V 印加端子:④,②端子流出電流
GND:①③⑤⑦
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 26 -
５ ： 参考仕様集
項目
記号
規格値
条件
単位
min
typ
max
0.5
0.55
0.62
V
-
0.5
-
μs
3.5
4.2
4.5
V
-
1.7
1.9
V
0.5
0.75
1
V
25
45
70
mV
100
300
500
μs
0.5
2.8
4.2
μs
-
150
-
℃
Control IC 部：電流検出
リミット電流しきい値
リーディングエッジブランク
Vth(OCL)
TLEB
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:①
端子検出抵抗:⑤, GND:③⑦
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:①
端子検出抵抗:⑤, GND:③⑦
Control IC 部：バースト
バースト検出電圧
VZ/C(burst)
発振開始電圧
VF/B(burst start)
発振停止電圧
VF/B(burst stop)
バーストモード時電流リミット
Vth(burst OCL)
16V 印加端子:④,電圧減少端子:①
GND:③⑤
16V 印加端子:④,電圧減少端子:②
GND:①③⑤
16V 印加端子:④,電圧増加端子:②
GND:①③⑤
16V 印加端子:④,端子検出抵抗:⑤
GND:①③⑦
Control IC 部：その他
リスタートタイマ
Trestart
起動時オントリガディレイタイム
Tondead
サーマルシャットダウン
TSD
16V 印加端子:④,⑨端子波形
GND:③⑤
16V 印加端子:④, 電圧増加端子:②
5V パルス印加端子:①,⑨端子波形
GND:③⑤
16V 印加端子:④, GND:③⑤
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 27 -
５ ： 参考仕様集
5.4：MR4530 参考仕様
5.4.1：MR4530 絶対最大定格（Ta=25℃）
項目
保存温度
記号
Tstg
条件
規格値
単位
‐
-30～150
℃
Tj
MOSFET 接合部温度
-20～150
℃
θjc
ジャンクション‐ケース間
5
℃/W
最大消費電力
PD
フィン付（ケース温度 Tc=100℃）
締め付けトルク
TOR
絶縁耐圧
Vdis
接合部温度
熱抵抗
10
W
0.5
N･m
2
kV
500
V
10
A
DC:⑨端子流入電流
10
A
Peak:⑨端子流入電流
20
A
500
V
-0.3
V
‐
一括端子･ケース間,AC1 分間
電圧印加端子:⑨,GND:①②③⑤⑦
16V 印加端子:④
電流印加端子:⑤,GND:⑨
ショート端子:①②③④⑤⑦
ドレイン･ソース間電圧
VDS
ソース･ドレイン間電流
ISD
ドレイン電流
ID
Vin 端子最大印加電圧
Vin
Vin 端子逆バイアス電圧
―
VCC 端子最大印加電圧
VCC
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
22
V
VCC 端子逆バイアス電圧
―
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
-0.3
V
±5
mA
±5
mA
Z/C 検出端子最大流入電流
IZ/C
F/B 端子最大流入電流
IF/B
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:①,GND:②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:②,GND:①③⑤
16V 印加端子:④
推奨動作条件の範囲を超えて使用すると信頼性に悪影響を及ぼす場合があります｡
本仕様に記載されていない項目・使用条件・論理の組み合わせでの使用は保証していません。
記載されている以外の条件で使用する場合は必ず事前に当社担当営業部門までご相談ください。
5.4.2：MR4530 推奨動作条件（Ta=25℃）
項目
記号
動作温度
TOP
ドレイン･ソース間電圧
VDS
Vin 端子印加電圧
Vin
VCC 端子印加電圧
VCC
Z/C 検出端子入力電流
IZ/C
F/B 検出端子入力電流
IF/B
規格値
条件
MOSFET 接合部動作温度
電圧印加端子:⑨,GND:①②③⑤⑦
16V 印加端子:④
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
電流印加端子:①,GND:②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:②,GND:①③⑤
16V 印加端子:④
単位
min
typ
max
-20
-
125
℃
-
-
450
V
95
-
250
V
11
-
18
V
-4.5
-
4.5
mA
-4.5
-
4.5
mA
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 28 -
５ ： 参考仕様集
5.4.3：MR4530 電気的特性（Ta=25℃）
項目
記号
規格値
条件
単位
min
typ
max
500
-
-
V
-
-
100
μA
-
0.85
1.0
Ω
-
1
1.5
V
-
13.6
15.3
V
6.7
7.7
8.5
V
5.8
6.7
-
V
11.8
13.6
15.3
V
6.3
7.1
7.7
V
19.5
20.7
21.5
V
-
3.5
5.1
mA
-
1.8
3.2
mA
-35
-10
-2
mA
0.2
0.3
0.45
V
-
7.5
-
V
-
-1.9
-
V
0
2.2
4
μs
24
30
37
μs
170
185
200
μA
MOSFET 部
ドレイン降伏電圧
VDSX
ドレイン遮断電流
IDSX
ドレイン･ソース間オン抵抗
ソース･ドレイン間耐圧
RDS(ON)
VSDX
電流印加端子:⑨(1mA)
16V 印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
電圧印加端子:⑨(500V)
16V 印加端子:④, GND:①②③⑤⑦
電流印加端子:⑨(5A)
16V 印加端子:④
5V パルス印加端子:①, GND:③⑤⑦
電流印加端子:⑨(-5A)
16V 印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
Control IC 部：Vcc 端子
発振開始電圧
Vcc(start)
発振停止電圧
Vcc(stop)
ラッチ解除電圧
VUL
起動回路 OFF 電圧
Vcc(startup off)
起動回路 ON 電圧
Vcc(startup on)
過電圧ラッチ電圧
VOVP
VCC 電流（動作時）
Icc(active)
VCC 電流（バースト動作時）
Icc(burst)
VCC 電流（起動時）
ICC(startup)
ターンオン端子:⑨
電圧増加端子:④,GND:①③⑤
ターンオン端子:⑨
電圧減少端子:④,GND:①③⑤
④端子減少開始電圧:22V, GND:③⑤
電圧増加端子:④,ICC:極性反転
100V 印加端子:⑦, GND:①③⑤
④端子減少開始電圧:16V
ICC:極性反転 100V 印加端子:⑦
GND:①③⑤
電圧増加端子:④, GND:①③⑤
16V 印加端子:④, 2.4V 印加端子:②
5V パルス印加端子:①, GND:③⑤
16V 印加端子:④, 100V 印加端子:⑦
GND:①②③⑤
16V 印加端子:④, 100V 印加端子:⑦
GND:①③④⑤
Control IC 部：Z/C 端子
ゼロ検出電圧
VZ/C
クランプ電圧（high）
VCL(H)
クランプ電圧（low）
VCL(L)
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
電圧増加端子:①,GND:③
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
+1mA 流入端子:①,GND:③⑤
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
-1mA 流入端子:①,GND:③⑤
Control IC 部：F/B 端子
ON 幅 min
Ton(min)
ON 幅 max
Ton(max)
F/B 定電流源
IF/B
16V 印加端子:④, 1.5V 印加端子:②
GND:③⑤
16V 印加端子:④, 4.5V 印加端子:②
GND:③⑤
16V 印加端子:④,②端子流出電流
GND:①③⑤⑦
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 29 -
５ ： 参考仕様集
項目
記号
規格値
条件
単位
min
typ
max
0.5
0.55
0.62
V
-
0.45
-
μs
3.5
4.2
4.5
V
-
1.7
1.9
V
0.5
0.75
1
V
25
45
70
mV
100
300
500
μs
0.5
2.8
4.2
μs
-
150
-
℃
Control IC 部：電流検出
リミット電流しきい値
リーディングエッジブランク
Vth(OCL)
TLEB
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:①
端子検出抵抗:⑤, GND:③⑦
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:①
端子検出抵抗:⑤, GND:③⑦
Control IC 部：バースト
バースト検出電圧
VZ/C(burst)
発振開始電圧
VF/B(burst start)
発振停止電圧
VF/B(burst stop)
バーストモード時電流リミット
Vth(burst OCL)
16V 印加端子:④,電圧減少端子:①
GND:③⑤
16V 印加端子:④,電圧減少端子:②
GND:①③⑤
16V 印加端子:④,電圧増加端子:②
GND:①③⑤
16V 印加端子:④,端子検出抵抗:⑤
GND:①③⑦
Control IC 部：その他
リスタートタイマ
Trestart
起動時オントリガディレイタイム
Tondead
サーマルシャットダウン
TSD
16V 印加端子:④,⑨端子波形
GND:③⑤
16V 印加端子:④, 電圧増加端子:②
5V パルス印加端子:①,⑨端子波形
GND:③⑤
16V 印加端子:④, GND:③⑤
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 30 -
５ ： 参考仕様集
5.5：MR4710 参考仕様
5.5.1：MR4710 絶対最大定格（Ta=25℃）
項目
保存温度
記号
Tstg
条件
規格値
単位
‐
-30～150
℃
Tj
MOSFET 接合部温度
-20～150
℃
θjc
ジャンクション‐ケース間
5
℃/W
最大消費電力
PD
フィン付（ケース温度 Tc=100℃）
締め付けトルク
TOR
絶縁耐圧
Vdis
接合部温度
熱抵抗
10
W
0.5
N･m
2
kV
700
V
2
A
DC:⑨端子流入電流
2
A
Peak:⑨端子流入電流
4
A
500
V
-0.3
V
‐
一括端子･ケース間,AC1 分間
電圧印加端子:⑨,GND:①②③⑤⑦
16V 印加端子:④
電流印加端子:⑤,GND:⑨
ショート端子:①②③④⑤⑦
ドレイン･ソース間電圧
VDS
ソース･ドレイン間電流
ISD
ドレイン電流
ID
Vin 端子最大印加電圧
Vin
Vin 端子逆バイアス電圧
―
VCC 端子最大印加電圧
VCC
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
22
V
VCC 端子逆バイアス電圧
―
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
-0.3
V
±5
mA
±5
mA
Z/C 検出端子最大流入電流
IZ/C
F/B 端子最大流入電流
IF/B
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:①,GND:②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:②,GND:①③⑤
16V 印加端子:④
推奨動作条件の範囲を超えて使用すると信頼性に悪影響を及ぼす場合があります｡
本仕様に記載されていない項目・使用条件・論理の組み合わせでの使用は保証していません。
記載されている以外の条件で使用する場合は必ず事前に当社担当営業部門までご相談ください。
5.5.2：MR4710 推奨動作条件（Ta=25℃）
項目
記号
動作温度
TOP
ドレイン･ソース間電圧
VDS
Vin 端子印加電圧
Vin
VCC 端子印加電圧
VCC
Z/C 検出端子入力電流
IZ/C
F/B 検出端子入力電流
IF/B
規格値
条件
MOSFET 接合部動作温度
電圧印加端子:⑨,GND:①②③⑤⑦
16V 印加端子:④
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
電流印加端子:①,GND:②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:②,GND:①③⑤
16V 印加端子:④
単位
min
typ
max
-20
-
125
℃
-
-
630
V
95
-
420
V
11
-
18
V
-4.5
-
4.5
mA
-4.5
-
4.5
mA
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 31 -
５ ： 参考仕様集
5.5.3：MR4710 電気的特性（Ta=25℃）
項目
記号
規格値
条件
単位
min
typ
max
700
-
-
V
-
-
100
μA
-
4.5
6.4
Ω
-
1
1.5
V
-
13.6
15.3
V
6.7
7.7
8.5
V
5.8
6.7
-
V
11.8
13.6
15.3
V
6.3
7.1
7.7
V
19.5
20.7
21.5
V
-
3.2
4.8
mA
-
1.8
3.2
mA
-35
-10
-2
mA
0.2
0.3
0.45
V
-
7.5
-
V
-
-1.9
-
V
0
1.5
3.5
μs
24
30
37
μs
170
185
200
μA
MOSFET 部
ドレイン降伏電圧
VDSX
ドレイン遮断電流
IDSX
ドレイン･ソース間オン抵抗
ソース･ドレイン間耐圧
RDS(ON)
VSDX
電流印加端子:⑨(1mA)
16V 印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
電圧印加端子:⑨(700V)
16V 印加端子:④, GND:①②③⑤⑦
電流印加端子:⑨(1A)
16V 印加端子:④
5V パルス印加端子:①, GND:③⑤⑦
電流印加端子:⑨(-1A)
16V 印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
Control IC 部：Vcc 端子
発振開始電圧
Vcc(start)
発振停止電圧
Vcc(stop)
ラッチ解除電圧
VUL
起動回路 OFF 電圧
Vcc(startup off)
起動回路 ON 電圧
Vcc(startup on)
過電圧ラッチ電圧
VOVP
VCC 電流（動作時）
Icc(active)
VCC 電流（バースト動作時）
Icc(burst)
VCC 電流（起動時）
ICC(startup)
ターンオン端子:⑨
電圧増加端子:④,GND:①③⑤
ターンオン端子:⑨
電圧減少端子:④,GND:①③⑤
④端子減少開始電圧:22V, GND:③⑤
電圧増加端子:④,ICC:極性反転
100V 印加端子:⑦, GND:①③⑤
④端子減少開始電圧:16V
ICC:極性反転 100V 印加端子:⑦
GND:①③⑤
電圧増加端子:④, GND:①③⑤
16V 印加端子:④, 2.4V 印加端子:②
5V パルス印加端子:①, GND:③⑤
16V 印加端子:④, 100V 印加端子:⑦
GND:①②③⑤
16V 印加端子:④, 100V 印加端子:⑦
GND:①③④⑤
Control IC 部：Z/C 端子
ゼロ検出電圧
VZ/C
クランプ電圧（high）
VCL(H)
クランプ電圧（low）
VCL(L)
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
電圧増加端子:①,GND:③
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
+1mA 流入端子:①,GND:③⑤
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
-1mA 流入端子:①,GND:③⑤
Control IC 部：F/B 端子
ON 幅 min
Ton(min)
ON 幅 max
Ton(max)
F/B 定電流源
IF/B
16V 印加端子:④, 1.5V 印加端子:②
GND:③⑤
16V 印加端子:④, 4.5V 印加端子:②
GND:③⑤
16V 印加端子:④,②端子流出電流
GND:①③⑤⑦
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 32 -
５ ： 参考仕様集
項目
記号
規格値
条件
単位
min
typ
max
0.5
0.55
0.62
V
-
0.55
-
μs
3.5
4.2
4.5
V
-
1.7
1.9
V
0.5
0.75
1
V
25
45
70
mV
100
300
500
μs
0.5
2.8
4.2
μs
-
150
-
℃
Control IC 部：電流検出
リミット電流しきい値
リーディングエッジブランク
Vth(OCL)
TLEB
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:①
端子検出抵抗:⑤, GND:③⑦
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:①
端子検出抵抗:⑤, GND:③⑦
Control IC 部：バースト
バースト検出電圧
VZ/C(burst)
発振開始電圧
VF/B(burst start)
発振停止電圧
VF/B(burst stop)
バーストモード時電流リミット
Vth(burst OCL)
16V 印加端子:④,電圧減少端子:①
GND:③⑤
16V 印加端子:④,電圧減少端子:②
GND:①③⑤
16V 印加端子:④,電圧増加端子:②
GND:①③⑤
16V 印加端子:④,端子検出抵抗:⑤
GND:①③⑦
Control IC 部：その他
リスタートタイマ
Trestart
起動時オントリガディレイタイム
Tondead
サーマルシャットダウン
TSD
16V 印加端子:④,⑨端子波形
GND:③⑤
16V 印加端子:④, 電圧増加端子:②
5V パルス印加端子:①,⑨端子波形
GND:③⑤
16V 印加端子:④, GND:③⑤
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 33 -
５ ： 参考仕様集
5.6：MR4720 参考仕様
5.6.1：MR4720 絶対最大定格（Ta=25℃）
項目
保存温度
記号
Tstg
条件
規格値
単位
‐
-30～150
℃
Tj
MOSFET 接合部温度
-20～150
℃
θjc
ジャンクション‐ケース間
5
℃/W
最大消費電力
PD
フィン付（ケース温度 Tc=100℃）
締め付けトルク
TOR
絶縁耐圧
Vdis
接合部温度
熱抵抗
10
W
0.5
N･m
2
kV
700
V
4
A
DC:⑨端子流入電流
4
A
Peak:⑨端子流入電流
8
A
500
V
-0.3
V
‐
一括端子･ケース間,AC1 分間
電圧印加端子:⑨,GND:①②③⑤⑦
16V 印加端子:④
電流印加端子:⑤,GND:⑨
ショート端子:①②③④⑤⑦
ドレイン･ソース間電圧
VDS
ソース･ドレイン間電流
ISD
ドレイン電流
ID
Vin 端子最大印加電圧
Vin
Vin 端子逆バイアス電圧
―
VCC 端子最大印加電圧
VCC
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
22
V
VCC 端子逆バイアス電圧
―
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
-0.3
V
±5
mA
±5
mA
Z/C 検出端子最大流入電流
IZ/C
F/B 端子最大流入電流
IF/B
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:①,GND:②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:②,GND:①③⑤
16V 印加端子:④
推奨動作条件の範囲を超えて使用すると信頼性に悪影響を及ぼす場合があります｡
本仕様に記載されていない項目・使用条件・論理の組み合わせでの使用は保証していません。
記載されている以外の条件で使用する場合は必ず事前に当社担当営業部門までご相談ください。
5.6.2：MR4720 推奨動作条件（Ta=25℃）
項目
記号
動作温度
TOP
ドレイン･ソース間電圧
VDS
Vin 端子印加電圧
Vin
VCC 端子印加電圧
VCC
Z/C 検出端子入力電流
IZ/C
F/B 検出端子入力電流
IF/B
規格値
条件
MOSFET 接合部動作温度
電圧印加端子:⑨,GND:①②③⑤⑦
16V 印加端子:④
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
電流印加端子:①,GND:②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:②,GND:①③⑤
16V 印加端子:④
単位
min
typ
max
-20
-
125
℃
-
-
630
V
95
-
420
V
11
-
18
V
-4.5
-
4.5
mA
-4.5
-
4.5
mA
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 34 -
５ ： 参考仕様集
5.6.3：MR4720 電気的特性（Ta=25℃）
項目
記号
規格値
条件
単位
min
typ
max
700
-
-
V
-
-
100
μA
-
2.4
3.2
Ω
-
1
1.5
V
-
13.6
15.3
V
6.7
7.7
8.5
V
5.8
6.7
-
V
11.8
13.6
15.3
V
6.3
7.1
7.7
V
19.5
20.7
21.5
V
-
3.5
5.1
mA
-
1.8
3.2
mA
-35
-10
-2
mA
0.2
0.3
0.45
V
-
7.5
-
V
-
-1.9
-
V
0
1.9
4
μs
24
30
37
μs
170
185
200
μA
MOSFET 部
ドレイン降伏電圧
VDSX
ドレイン遮断電流
IDSX
ドレイン･ソース間オン抵抗
ソース･ドレイン間耐圧
RDS(ON)
VSDX
電流印加端子:⑨(1mA)
16V 印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
電圧印加端子:⑨(700V)
16V 印加端子:④, GND:①②③⑤⑦
電流印加端子:⑨(2A)
16V 印加端子:④
5V パルス印加端子:①, GND:③⑤⑦
電流印加端子:⑨(-2A)
16V 印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
Control IC 部：Vcc 端子
発振開始電圧
Vcc(start)
発振停止電圧
Vcc(stop)
ラッチ解除電圧
VUL
起動回路 OFF 電圧
Vcc(startup off)
起動回路 ON 電圧
Vcc(startup on)
過電圧ラッチ電圧
VOVP
VCC 電流（動作時）
Icc(active)
VCC 電流（バースト動作時）
Icc(burst)
VCC 電流（起動時）
ICC(startup)
ターンオン端子:⑨
電圧増加端子:④,GND:①③⑤
ターンオン端子:⑨
電圧減少端子:④,GND:①③⑤
④端子減少開始電圧:22V, GND:③⑤
電圧増加端子:④,ICC:極性反転
100V 印加端子:⑦, GND:①③⑤
④端子減少開始電圧:16V
ICC:極性反転 100V 印加端子:⑦
GND:①③⑤
電圧増加端子:④, GND:①③⑤
16V 印加端子:④, 2.4V 印加端子:②
5V パルス印加端子:①, GND:③⑤
16V 印加端子:④, 100V 印加端子:⑦
GND:①②③⑤
16V 印加端子:④, 100V 印加端子:⑦
GND:①③④⑤
Control IC 部：Z/C 端子
ゼロ検出電圧
VZ/C
クランプ電圧（high）
VCL(H)
クランプ電圧（low）
VCL(L)
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
電圧増加端子:①,GND:③
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
+1mA 流入端子:①,GND:③⑤
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
-1mA 流入端子:①,GND:③⑤
Control IC 部：F/B 端子
ON 幅 min
Ton(min)
ON 幅 max
Ton(max)
F/B 定電流源
IF/B
16V 印加端子:④, 1.5V 印加端子:②
GND:③⑤
16V 印加端子:④, 4.5V 印加端子:②
GND:③⑤
16V 印加端子:④,②端子流出電流
GND:①③⑤⑦
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 35 -
５ ： 参考仕様集
項目
記号
規格値
条件
単位
min
typ
max
0.5
0.55
0.62
V
-
0.5
-
μs
3.5
4.2
4.5
V
-
1.7
1.9
V
0.5
0.75
1
V
25
45
70
mV
100
300
500
μs
0.5
2.8
4.2
μs
-
150
-
℃
Control IC 部：電流検出
リミット電流しきい値
リーディングエッジブランク
Vth(OCL)
TLEB
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:①
端子検出抵抗:⑤, GND:③⑦
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:①
端子検出抵抗:⑤, GND:③⑦
Control IC 部：バースト
バースト検出電圧
VZ/C(burst)
発振開始電圧
VF/B(burst start)
発振停止電圧
VF/B(burst stop)
バーストモード時電流リミット
Vth(burst OCL)
16V 印加端子:④,電圧減少端子:①
GND:③⑤
16V 印加端子:④,電圧減少端子:②
GND:①③⑤
16V 印加端子:④,電圧増加端子:②
GND:①③⑤
16V 印加端子:④,端子検出抵抗:⑤
GND:①③⑦
Control IC 部：その他
リスタートタイマ
Trestart
起動時オントリガディレイタイム
Tondead
サーマルシャットダウン
TSD
16V 印加端子:④,⑨端子波形
GND:③⑤
16V 印加端子:④, 電圧増加端子:②
5V パルス印加端子:①,⑨端子波形
GND:③⑤
16V 印加端子:④, GND:③⑤
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 36 -
５ ： 参考仕様集
5.7：MR4010 参考仕様
5.7.1：MR4010 絶対最大定格（Ta=25℃）
項目
保存温度
記号
条件
規格値
単位
‐
-30～150
℃
-20～150
℃
6.25
℃/W
Tstg
接合部温度
Tj
熱抵抗
IGBT 接合部温度
θjc
ジャンクション‐ケース間
最大消費電力
PD
フィン付（ケース温度 Tc=100℃）
締め付けトルク
TOR
絶縁耐圧
Vdis
コレクタ･エミッタ間電圧
VCE
エミッタ･コレクタ間電圧
VEC
8
W
0.5
N･m
2
kV
900
V
10
V
DC:⑨端子流入電流
1.2
A
Peak:⑨端子流入電流
2.4
A
500
V
-0.3
V
‐
一括端子･ケース間,AC1 分間
電圧印加端子:⑨,GND:①②③⑤⑦
16V 印加端子:④
電流印加端子:⑤,GND:⑨
ショート端子:①②③④⑤⑦
コレクタ電流
IC
Vin 端子最大印加電圧
Vin
Vin 端子逆バイアス電圧
―
VCC 端子最大印加電圧
VCC
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
22
V
VCC 端子逆バイアス電圧
―
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
-0.3
V
±5
mA
±5
mA
Z/C 検出端子最大流入電流
IZ/C
F/B 端子最大流入電流
IF/B
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:①,GND:②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:②,GND:①③⑤
16V 印加端子:④
推奨動作条件の範囲を超えて使用すると信頼性に悪影響を及ぼす場合があります｡
本仕様に記載されていない項目・使用条件・論理の組み合わせでの使用は保証していません。
記載されている以外の条件で使用する場合は必ず事前に当社担当営業部門までご相談ください。
5.7.2：MR4010 推奨動作条件（Ta=25℃）
項目
記号
動作温度
TOP
コレクタ･エミッタ間電圧
VCE
Vin 端子印加電圧
Vin
VCC 端子印加電圧
VCC
Z/C 検出端子入力電流
IZ/C
F/B 検出端子入力電流
IF/B
規格値
条件
IGBT 接合部動作温度
電圧印加端子:⑨,GND:①②③⑤⑦
16V 印加端子:④
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
電流印加端子:①,GND:②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:②,GND:①③⑤
16V 印加端子:④
単位
min
typ
max
-20
-
125
℃
-
-
810
V
95
-
420
V
11
-
18
V
-4.5
-
4.5
mA
-4.5
-
4.5
mA
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 37 -
５ ： 参考仕様集
5.7.3：MR4010 電気的特性（Ta=25℃）
項目
記号
規格値
条件
単位
min
typ
max
900
-
-
V
-
-
100
μA
-
8.0
10.0
V
1.0
-
-
V
-
13.6
15.3
V
6.7
7.7
8.5
V
5.8
6.7
-
V
11.8
13.6
15.3
V
6.3
7.1
7.7
V
19.5
20.7
21.5
V
-
3.0
4.6
mA
-
1.8
3.2
mA
-35
-10
-2
mA
0.2
0.3
0.45
V
-
7.5
-
V
-
-1.9
-
V
0
1.2
3
μs
24
30
37
μs
170
185
200
μA
IGBT 部
コレクタ降伏電圧
VCEX
コレクタ遮断電流
ICEX
コレクタ･エミッタ間飽和電圧
エミッタ･コレクタ間耐圧
VCE(sat)
VECX
電流印加端子:⑨(1mA)
16V 印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
電圧印加端子:⑨(900V)
16V 印加端子:④, GND:①②③⑤⑦
電流印加端子:⑨(1.2A)
16V 印加端子:④
5V パルス印加端子:①, GND:③⑤⑦
電流印加端子:⑨(-10mA)
16V 印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
Control IC 部：Vcc 端子
発振開始電圧
Vcc(start)
発振停止電圧
Vcc(stop)
ラッチ解除電圧
VUL
起動回路 OFF 電圧
Vcc(startup off)
起動回路 ON 電圧
Vcc(startup on)
過電圧ラッチ電圧
VOVP
VCC 電流（動作時）
Icc(active)
VCC 電流（バースト動作時）
Icc(burst)
VCC 電流（起動時）
ICC(startup)
ターンオン端子:⑨
電圧増加端子:④,GND:①③⑤
ターンオン端子:⑨
電圧減少端子:④,GND:①③⑤
④端子減少開始電圧:22V, GND:③⑤
電圧増加端子:④,ICC:極性反転
100V 印加端子:⑦, GND:①③⑤
④端子減少開始電圧:16V
ICC:極性反転 100V 印加端子:⑦
GND:①③⑤
電圧増加端子:④, GND:①③⑤
16V 印加端子:④, 2.4V 印加端子:②
5V パルス印加端子:①, GND:③⑤
16V 印加端子:④, 100V 印加端子:⑦
GND:①②③⑤
16V 印加端子:④, 100V 印加端子:⑦
GND:①③④⑤
Control IC 部：Z/C 端子
ゼロ検出電圧
VZ/C
クランプ電圧（high）
VCL(H)
クランプ電圧（low）
VCL(L)
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
電圧増加端子:①,GND:③
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
+1mA 流入端子:①,GND:③⑤
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
-1mA 流入端子:①,GND:③⑤
Control IC 部：F/B 端子
ON 幅 min
Ton(min)
ON 幅 max
Ton(max)
F/B 定電流源
IF/B
16V 印加端子:④, 1.5V 印加端子:②
GND:③⑤
16V 印加端子:④, 4.5V 印加端子:②
GND:③⑤
16V 印加端子:④,②端子流出電流
GND:①③⑤⑦
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 38 -
５ ： 参考仕様集
項目
記号
規格値
条件
単位
min
typ
max
0.5
0.55
0.62
V
-
0.55
-
μs
3.5
4.2
4.5
V
-
1.7
1.9
V
0.5
0.75
1
V
25
45
70
mV
100
300
500
μs
0.5
2.8
4.2
μs
-
150
-
℃
Control IC 部：電流検出
リミット電流しきい値
リーディングエッジブランク
Vth(OCL)
TLEB
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:①
端子検出抵抗:⑤, GND:③⑦
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:①
端子検出抵抗:⑤, GND:③⑦
Control IC 部：バースト
バースト検出電圧
VZ/C(burst)
発振開始電圧
VF/B(burst start)
発振停止電圧
VF/B(burst stop)
バーストモード時電流リミット
Vth(burst OCL)
16V 印加端子:④,電圧減少端子:①
GND:③⑤
16V 印加端子:④,電圧減少端子:②
GND:①③⑤
16V 印加端子:④,電圧増加端子:②
GND:①③⑤
16V 印加端子:④,端子検出抵抗:⑤
GND:①③⑦
Control IC 部：その他
リスタートタイマ
Trestart
起動時オントリガディレイタイム
Tondead
サーマルシャットダウン
TSD
16V 印加端子:④,⑨端子波形
GND:③⑤
16V 印加端子:④, 電圧増加端子:②
5V パルス印加端子:①,⑨端子波形
GND:③⑤
16V 印加端子:④, GND:③⑤
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 39 -
５ ： 参考仕様集
5.8：MR4020 参考仕様
5.8.1：MR4020 絶対最大定格（Ta=25℃）
項目
保存温度
記号
条件
規格値
単位
‐
-30～150
℃
-20～150
℃
6.25
℃/W
Tstg
接合部温度
Tj
熱抵抗
IGBT 接合部温度
θjc
ジャンクション‐ケース間
最大消費電力
PD
フィン付（ケース温度 Tc=100℃）
締め付けトルク
TOR
絶縁耐圧
Vdis
コレクタ･エミッタ間電圧
VCE
エミッタ･コレクタ間電圧
VEC
8
W
0.5
N･m
2
kV
900
V
10
V
DC:⑨端子流入電流
2.7
A
Peak:⑨端子流入電流
5.4
A
500
V
-0.3
V
‐
一括端子･ケース間,AC1 分間
電圧印加端子:⑨,GND:①②③⑤⑦
16V 印加端子:④
電流印加端子:⑤,GND:⑨
ショート端子:①②③④⑤⑦
コレクタ電流
IC
Vin 端子最大印加電圧
Vin
Vin 端子逆バイアス電圧
―
VCC 端子最大印加電圧
VCC
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
22
V
VCC 端子逆バイアス電圧
―
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
-0.3
V
±5
mA
±5
mA
Z/C 検出端子最大流入電流
IZ/C
F/B 端子最大流入電流
IF/B
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:①,GND:②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:②,GND:①③⑤
16V 印加端子:④
推奨動作条件の範囲を超えて使用すると信頼性に悪影響を及ぼす場合があります｡
本仕様に記載されていない項目・使用条件・論理の組み合わせでの使用は保証していません。
記載されている以外の条件で使用する場合は必ず事前に当社担当営業部門までご相談ください。
5.8.2：MR4020 推奨動作条件（Ta=25℃）
項目
記号
動作温度
TOP
コレクタ･エミッタ間電圧
VCE
Vin 端子印加電圧
Vin
VCC 端子印加電圧
VCC
Z/C 検出端子入力電流
IZ/C
F/B 検出端子入力電流
IF/B
規格値
条件
IGBT 接合部動作温度
電圧印加端子:⑨,GND:①②③⑤⑦
16V 印加端子:④
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
電流印加端子:①,GND:②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:②,GND:①③⑤
16V 印加端子:④
単位
min
typ
max
-20
-
125
℃
-
-
810
V
95
-
420
V
11
-
18
V
-4.5
-
4.5
mA
-4.5
-
4.5
mA
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 40 -
５ ： 参考仕様集
5.8.3：MR4020 電気的特性（Ta=25℃）
項目
記号
規格値
条件
単位
min
typ
max
900
-
-
V
-
-
100
μA
-
8.0
10.0
V
1.0
-
-
V
-
13.6
15.3
V
6.7
7.7
8.5
V
5.8
6.7
-
V
11.8
13.6
15.3
V
6.3
7.1
7.7
V
19.5
20.7
21.5
V
-
3.3
4.9
mA
-
1.8
3.2
mA
-35
-10
-2
mA
0.2
0.3
0.45
V
-
7.5
-
V
-
-1.9
-
V
0
1.2
3
μs
24
30
37
μs
170
185
200
μA
IGBT 部
コレクタ降伏電圧
VCEX
コレクタ遮断電流
ICEX
コレクタ･エミッタ間飽和電圧
エミッタ･コレクタ間耐圧
VCE(sat)
VECX
電流印加端子:⑨(1mA)
16V 印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
電圧印加端子:⑨(900V)
16V 印加端子:④, GND:①②③⑤⑦
電流印加端子:⑨(2.7A)
16V 印加端子:④
5V パルス印加端子:①, GND:③⑤⑦
電流印加端子:⑨(-10mA)
16V 印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
Control IC 部：Vcc 端子
発振開始電圧
Vcc(start)
発振停止電圧
Vcc(stop)
ラッチ解除電圧
VUL
起動回路 OFF 電圧
Vcc(startup off)
起動回路 ON 電圧
Vcc(startup on)
過電圧ラッチ電圧
VOVP
VCC 電流（動作時）
Icc(active)
VCC 電流（バースト動作時）
Icc(burst)
VCC 電流（起動時）
ICC(startup)
ターンオン端子:⑨
電圧増加端子:④,GND:①③⑤
ターンオン端子:⑨
電圧減少端子:④,GND:①③⑤
④端子減少開始電圧:22V, GND:③⑤
電圧増加端子:④,ICC:極性反転
100V 印加端子:⑦, GND:①③⑤
④端子減少開始電圧:16V
ICC:極性反転 100V 印加端子:⑦
GND:①③⑤
電圧増加端子:④, GND:①③⑤
16V 印加端子:④, 2.4V 印加端子:②
5V パルス印加端子:①, GND:③⑤
16V 印加端子:④, 100V 印加端子:⑦
GND:①②③⑤
16V 印加端子:④, 100V 印加端子:⑦
GND:①③④⑤
Control IC 部：Z/C 端子
ゼロ検出電圧
VZ/C
クランプ電圧（high）
VCL(H)
クランプ電圧（low）
VCL(L)
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
電圧増加端子:①,GND:③
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
+1mA 流入端子:①,GND:③⑤
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
-1mA 流入端子:①,GND:③⑤
Control IC 部：F/B 端子
ON 幅 min
Ton(min)
ON 幅 max
Ton(max)
F/B 定電流源
IF/B
16V 印加端子:④, 1.5V 印加端子:②
GND:③⑤
16V 印加端子:④, 4.5V 印加端子:②
GND:③⑤
16V 印加端子:④,②端子流出電流
GND:①③⑤⑦
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 41 -
５ ： 参考仕様集
項目
記号
規格値
条件
単位
min
typ
max
0.5
0.55
0.62
V
-
0.55
-
μs
3.5
4.2
4.5
V
-
1.7
1.9
V
0.5
0.75
1
V
25
45
70
mV
100
300
500
μs
0.5
2.8
4.2
μs
-
150
-
℃
Control IC 部：電流検出
リミット電流しきい値
リーディングエッジブランク
Vth(OCL)
TLEB
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:①
端子検出抵抗:⑤, GND:③⑦
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:①
端子検出抵抗:⑤, GND:③⑦
Control IC 部：バースト
バースト検出電圧
VZ/C(burst)
発振開始電圧
VF/B(burst start)
発振停止電圧
VF/B(burst stop)
バーストモード時電流リミット
Vth(burst OCL)
16V 印加端子:④,電圧減少端子:①
GND:③⑤
16V 印加端子:④,電圧減少端子:②
GND:①③⑤
16V 印加端子:④,電圧増加端子:②
GND:①③⑤
16V 印加端子:④,端子検出抵抗:⑤
GND:①③⑦
Control IC 部：その他
リスタートタイマ
Trestart
起動時オントリガディレイタイム
Tondead
サーマルシャットダウン
TSD
16V 印加端子:④,⑨端子波形
GND:③⑤
16V 印加端子:④, 電圧増加端子:②
5V パルス印加端子:①,⑨端子波形
GND:③⑤
16V 印加端子:④, GND:③⑤
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 42 -
５ ： 参考仕様集
5.9：MR4030 参考仕様
5.9.1：MR4030 絶対最大定格（Ta=25℃）
項目
保存温度
記号
条件
規格値
単位
‐
-30～150
℃
-20～150
℃
5
℃/W
Tstg
接合部温度
Tj
熱抵抗
IGBT 接合部温度
θjc
ジャンクション‐ケース間
最大消費電力
PD
フィン付（ケース温度 Tc=100℃）
締め付けトルク
TOR
絶縁耐圧
Vdis
コレクタ･エミッタ間電圧
VCE
エミッタ･コレクタ間電圧
VEC
10
W
0.5
N･m
2
kV
900
V
10
V
DC:⑨端子流入電流
4.2
A
Peak:⑨端子流入電流
8.4
A
500
V
-0.3
V
‐
一括端子･ケース間,AC1 分間
電圧印加端子:⑨,GND:①②③⑤⑦
16V 印加端子:④
電流印加端子:⑤,GND:⑨
ショート端子:①②③④⑤⑦
コレクタ電流
IC
Vin 端子最大印加電圧
Vin
Vin 端子逆バイアス電圧
―
VCC 端子最大印加電圧
VCC
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
22
V
VCC 端子逆バイアス電圧
―
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
-0.3
V
±5
mA
±5
mA
Z/C 検出端子最大流入電流
IZ/C
F/B 端子最大流入電流
IF/B
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:①,GND:②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:②,GND:①③⑤
16V 印加端子:④
推奨動作条件の範囲を超えて使用すると信頼性に悪影響を及ぼす場合があります｡
本仕様に記載されていない項目・使用条件・論理の組み合わせでの使用は保証していません。
記載されている以外の条件で使用する場合は必ず事前に当社担当営業部門までご相談ください。
5.9.2：MR4030 推奨動作条件（Ta=25℃）
項目
記号
動作温度
TOP
コレクタ･エミッタ間電圧
VCE
Vin 端子印加電圧
Vin
VCC 端子印加電圧
VCC
Z/C 検出端子入力電流
IZ/C
F/B 検出端子入力電流
IF/B
規格値
条件
IGBT 接合部動作温度
電圧印加端子:⑨,GND:①②③⑤⑦
16V 印加端子:④
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
電流印加端子:①,GND:②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:②,GND:①③⑤
16V 印加端子:④
単位
min
typ
max
-20
-
125
℃
-
-
810
V
95
-
420
V
11
-
18
V
-4.5
-
4.5
mA
-4.5
-
4.5
mA
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 43 -
５ ： 参考仕様集
5.9.3：MR4030 電気的特性（Ta=25℃）
項目
記号
規格値
条件
単位
min
typ
max
900
-
-
V
-
-
100
μA
-
8.0
10.0
V
1.0
-
-
V
-
13.6
15.3
V
6.7
7.7
8.5
V
5.8
6.7
-
V
11.8
13.6
15.3
V
6.3
7.1
7.7
V
19.5
20.7
21.5
V
-
3.5
5.1
mA
-
1.8
3.2
mA
-35
-10
-2
mA
0.2
0.3
0.45
V
-
7.5
-
V
-
-1.9
-
V
0
1.5
3.5
μs
24
30
37
μs
170
185
200
μA
IGBT 部
コレクタ降伏電圧
VCEX
コレクタ遮断電流
ICEX
コレクタ･エミッタ間飽和電圧
エミッタ･コレクタ間耐圧
VCE(sat)
VECX
電流印加端子:⑨(1mA)
16V 印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
電圧印加端子:⑨(900V)
16V 印加端子:④, GND:①②③⑤⑦
電流印加端子:⑨(4.2A)
16V 印加端子:④
5V パルス印加端子:①, GND:③⑤⑦
電流印加端子:⑨(-10mA)
16V 印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
Control IC 部：Vcc 端子
発振開始電圧
Vcc(start)
発振停止電圧
Vcc(stop)
ラッチ解除電圧
VUL
起動回路 OFF 電圧
Vcc(startup off)
起動回路 ON 電圧
Vcc(startup on)
過電圧ラッチ電圧
VOVP
VCC 電流（動作時）
Icc(active)
VCC 電流（バースト動作時）
Icc(burst)
VCC 電流（起動時）
ICC(startup)
ターンオン端子:⑨
電圧増加端子:④,GND:①③⑤
ターンオン端子:⑨
電圧減少端子:④,GND:①③⑤
④端子減少開始電圧:22V, GND:③⑤
電圧増加端子:④,ICC:極性反転
100V 印加端子:⑦, GND:①③⑤
④端子減少開始電圧:16V
ICC:極性反転 100V 印加端子:⑦
GND:①③⑤
電圧増加端子:④, GND:①③⑤
16V 印加端子:④, 2.4V 印加端子:②
5V パルス印加端子:①, GND:③⑤
16V 印加端子:④, 100V 印加端子:⑦
GND:①②③⑤
16V 印加端子:④, 100V 印加端子:⑦
GND:①③④⑤
Control IC 部：Z/C 端子
ゼロ検出電圧
VZ/C
クランプ電圧（high）
VCL(H)
クランプ電圧（low）
VCL(L)
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
電圧増加端子:①,GND:③
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
+1mA 流入端子:①,GND:③⑤
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
-1mA 流入端子:①,GND:③⑤
Control IC 部：F/B 端子
ON 幅 min
Ton(min)
ON 幅 max
Ton(max)
F/B 定電流源
IF/B
16V 印加端子:④, 1.5V 印加端子:②
GND:③⑤
16V 印加端子:④, 4.5V 印加端子:②
GND:③⑤
16V 印加端子:④,②端子流出電流
GND:①③⑤⑦
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 44 -
５ ： 参考仕様集
項目
記号
規格値
条件
単位
min
typ
max
0.5
0.55
0.62
V
-
0.5
-
μs
3.5
4.2
4.5
V
-
1.7
1.9
V
0.5
0.75
1
V
25
45
70
mV
100
300
500
μs
0.5
2.8
4.2
μs
-
150
-
℃
Control IC 部：電流検出
リミット電流しきい値
リーディングエッジブランク
Vth(OCL)
TLEB
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:①
端子検出抵抗:⑤, GND:③⑦
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:①
端子検出抵抗:⑤, GND:③⑦
Control IC 部：バースト
バースト検出電圧
VZ/C(burst)
発振開始電圧
VF/B(burst start)
発振停止電圧
VF/B(burst stop)
バーストモード時電流リミット
Vth(burst OCL)
16V 印加端子:④,電圧減少端子:①
GND:③⑤
16V 印加端子:④,電圧減少端子:②
GND:①③⑤
16V 印加端子:④,電圧増加端子:②
GND:①③⑤
16V 印加端子:④,端子検出抵抗:⑤
GND:①③⑦
Control IC 部：その他
リスタートタイマ
Trestart
起動時オントリガディレイタイム
Tondead
サーマルシャットダウン
TSD
16V 印加端子:④,⑨端子波形
GND:③⑤
16V 印加端子:④, 電圧増加端子:②
5V パルス印加端子:①,⑨端子波形
GND:③⑤
16V 印加端子:④, GND:③⑤
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 45 -
５ ： 参考仕様集
5.10：MR4040 参考仕様
5.10.1：MR4040 絶対最大定格（Ta=25℃）
項目
保存温度
記号
条件
規格値
単位
‐
-30～150
℃
-20～150
℃
5
℃/W
Tstg
接合部温度
Tj
熱抵抗
IGBT 接合部温度
θjc
ジャンクション‐ケース間
最大消費電力
PD
フィン付（ケース温度 Tc=100℃）
締め付けトルク
TOR
絶縁耐圧
Vdis
コレクタ･エミッタ間電圧
VCE
エミッタ･コレクタ間電圧
VEC
10
W
0.5
N･m
2
kV
900
V
10
V
DC:⑨端子流入電流
5.4
A
Peak:⑨端子流入電流
10.8
A
500
V
-0.3
V
‐
一括端子･ケース間,AC1 分間
電圧印加端子:⑨,GND:①②③⑤⑦
16V 印加端子:④
電流印加端子:⑤,GND:⑨
ショート端子:①②③④⑤⑦
コレクタ電流
IC
Vin 端子最大印加電圧
Vin
Vin 端子逆バイアス電圧
―
VCC 端子最大印加電圧
VCC
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
22
V
VCC 端子逆バイアス電圧
―
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
-0.3
V
±5
mA
±5
mA
Z/C 検出端子最大流入電流
IZ/C
F/B 端子最大流入電流
IF/B
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:①,GND:②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:②,GND:①③⑤
16V 印加端子:④
推奨動作条件の範囲を超えて使用すると信頼性に悪影響を及ぼす場合があります｡
本仕様に記載されていない項目・使用条件・論理の組み合わせでの使用は保証していません。
記載されている以外の条件で使用する場合は必ず事前に当社担当営業部門までご相談ください。
5.10.2：MR4040 推奨動作条件（Ta=25℃）
項目
記号
動作温度
TOP
コレクタ･エミッタ間電圧
VCE
Vin 端子印加電圧
Vin
VCC 端子印加電圧
VCC
Z/C 検出端子入力電流
IZ/C
F/B 検出端子入力電流
IF/B
規格値
条件
IGBT 接合部動作温度
電圧印加端子:⑨,GND:①②③⑤⑦
16V 印加端子:④
電圧印加端子:⑦,GND:①②③⑤
16V 印加端子:④
電圧印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
電流印加端子:①,GND:②③⑤
16V 印加端子:④
電流印加端子:②,GND:①③⑤
16V 印加端子:④
単位
min
typ
max
-20
-
125
℃
-
-
810
V
95
-
420
V
11
-
18
V
-4.5
-
4.5
mA
-4.5
-
4.5
mA
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 46 -
５ ： 参考仕様集
5.10.3：MR4040 電気的特性（Ta=25℃）
項目
記号
規格値
条件
単位
min
typ
max
900
-
-
V
-
-
100
μA
-
8.0
10.0
V
1.0
-
-
V
-
13.6
15.3
V
6.7
7.7
8.5
V
5.8
6.7
-
V
11.8
13.6
15.3
V
6.3
7.1
7.7
V
19.5
20.7
21.5
V
-
3.7
5.3
mA
-
1.8
3.2
mA
-35
-10
-2
mA
0.2
0.3
0.45
V
-
7.5
-
V
-
-1.9
-
V
0
1.5
3.5
μs
24
30
37
μs
170
185
200
μA
IGBT 部
コレクタ降伏電圧
VCEX
コレクタ遮断電流
ICEX
コレクタ･エミッタ間飽和電圧
エミッタ･コレクタ間耐圧
VCE(sat)
VECX
電流印加端子:⑨(1mA)
16V 印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
電圧印加端子:⑨(900V)
16V 印加端子:④, GND:①②③⑤⑦
電流印加端子:⑨(5.4A)
16V 印加端子:④
5V パルス印加端子:①, GND:③⑤⑦
電流印加端子:⑨(-10mA)
16V 印加端子:④,GND:①②③⑤⑦
Control IC 部：Vcc 端子
発振開始電圧
Vcc(start)
発振停止電圧
Vcc(stop)
ラッチ解除電圧
VUL
起動回路 OFF 電圧
Vcc(startup off)
起動回路 ON 電圧
Vcc(startup on)
過電圧ラッチ電圧
VOVP
VCC 電流（動作時）
Icc(active)
VCC 電流（バースト動作時）
Icc(burst)
VCC 電流（起動時）
ICC(startup)
ターンオン端子:⑨
電圧増加端子:④,GND:①③⑤
ターンオン端子:⑨
電圧減少端子:④,GND:①③⑤
④端子減少開始電圧:22V, GND:③⑤
電圧増加端子:④,ICC:極性反転
100V 印加端子:⑦, GND:①③⑤
④端子減少開始電圧:16V
ICC:極性反転 100V 印加端子:⑦
GND:①③⑤
電圧増加端子:④, GND:①③⑤
16V 印加端子:④, 2.4V 印加端子:②
5V パルス印加端子:①, GND:③⑤
16V 印加端子:④, 100V 印加端子:⑦
GND:①②③⑤
16V 印加端子:④, 100V 印加端子:⑦
GND:①③④⑤
Control IC 部：Z/C 端子
ゼロ検出電圧
VZ/C
クランプ電圧（high）
VCL(H)
クランプ電圧（low）
VCL(L)
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
電圧増加端子:①,GND:③
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
+1mA 流入端子:①,GND:③⑤
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:②
-1mA 流入端子:①,GND:③⑤
Control IC 部：F/B 端子
ON 幅 min
Ton(min)
ON 幅 max
Ton(max)
F/B 定電流源
IF/B
16V 印加端子:④, 1.5V 印加端子:②
GND:③⑤
16V 印加端子:④, 4.5V 印加端子:②
GND:③⑤
16V 印加端子:④,②端子流出電流
GND:①③⑤⑦
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 47 -
５ ： 参考仕様集
項目
記号
規格値
条件
単位
min
typ
max
0.5
0.55
0.62
V
-
0.45
-
μs
3.5
4.2
4.5
V
-
1.7
1.9
V
0.5
0.75
1
V
25
45
70
mV
100
300
500
μs
0.5
2.8
4.2
μs
-
150
-
℃
Control IC 部：電流検出
リミット電流しきい値
リーディングエッジブランク
Vth(OCL)
TLEB
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:①
端子検出抵抗:⑤, GND:③⑦
16V 印加端子:④, 5V 印加端子:①
端子検出抵抗:⑤, GND:③⑦
Control IC 部：バースト
バースト検出電圧
VZ/C(burst)
発振開始電圧
VF/B(burst start)
発振停止電圧
VF/B(burst stop)
バーストモード時電流リミット
Vth(burst OCL)
16V 印加端子:④,電圧減少端子:①
GND:③⑤
16V 印加端子:④,電圧減少端子:②
GND:①③⑤
16V 印加端子:④,電圧増加端子:②
GND:①③⑤
16V 印加端子:④,端子検出抵抗:⑤
GND:①③⑦
Control IC 部：その他
リスタートタイマ
Trestart
起動時オントリガディレイタイム
Tondead
サーマルシャットダウン
TSD
16V 印加端子:④,⑨端子波形
GND:③⑤
16V 印加端子:④, 電圧増加端子:②
5V パルス印加端子:①,⑨端子波形
GND:③⑤
16V 印加端子:④, GND:③⑤
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- 48 -
MR4000 Series
Application Note
６ ： 設計補足資料
ここでは、MR4000 シリーズ電源回路に関する様々な補足資料をまとめています。
MR4000 シリーズ電源回路を設計･評価する際にご活用ください。
設計補足資料 小目次
6.1：設計に関する補足事項
51
6.1.1：VCC のコントロール法
51
(1) ダンパー抵抗を大きくする
51
(2) NC 巻線の巻き方による方法
(3) ダミー抵抗を付加する方法
6.1.2：主スイッチング素子のターンオフ時のリンギング電圧
52
(1) トランスのリーケージインダクタンス
52
(2) クランプ回路
6.1.3：共振コンデンサについて
54
(1) 共振コンデンサの選定
54
(2) 共振コンデンサの容量について
6.1.4：Z/C 端子周辺の回路定数について
55
(1) 部分共振用コンデンサ C114
55
(2) 部分共振用抵抗 R115
(3) Z/C 端子電流制限抵抗 R116
6.1.5：VCC 端子のサージ耐量対策
56
6.1.6：位相補正について
57
(1) シャントレギュレータのカソードーREF 間に C,R を入れる
(2) 2 次側 LC フィルタ前段とシャントレギュレータ REF 間に C,R を入れる
(3) 2 次側 LC フィルタ後段からシャントレギュレータ REF へ C,R を入れる
57
(4) フォトカプラの電源供給側を LC フィルタ前段に入れる
6.2：ノイズ対策
58
6.2.1：トランスの再設計を行なう
58
6.2.2：Y コンを変更する
58
6.2.3：スナバ回路を使う
58
6.2.4：2 次ダイオードに並列にコンデンサを付加する
59
6.2.5：コンデンサ結合させる
59
6.2.6：その他の対策
59
6.3：実装に関する補足事項
60
6.3.1：グリス塗布
60
6.3.2：使用ネジ類
60
6.3.3：放熱フィン
60
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 49 -
５ ： 設計補足資料
6.4：波形測定に関する注意事項
61
6.4.1：AC ラインの絶縁
61
6.4.2：1 次側と 2 次側の同時測定
61
61
6.5：パターン設計の注意事項
62
6.5.1：1 次側のパターン設計
62
6.5.2：NC 巻線周辺のパターン設計
62
6.5.3：2 次側のパターン設計
62
6.5.4：GND 端子周辺のパターン設計
62
6.5.5：コンデンサの接続について
62
6.5.6：C114 のパターン
62
6.5.7：R116 のパターン
63
6.5.8：OCL 抵抗の配置
63
6.6：応用回路例
64
6.6.1：間接制御
64
6.6.2：低入力電圧時、発振停止回路
65
6.6.3：外部リモート操作による MR4000 シリーズの ON/OFF 回路
65
6.6.4：補助巻線を使った 2 次側検出による OVP ラッチ回路
66
6.7：トラブル対策一覧
67
6.8：用語集
69
6.8.1：電源動作
69
6.8.2：トランス設計
70
6.8.3：IC の機能
70
6.8.4：その他
72
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 50 -
６ ： 設計補足資料
6.1：設計に関する補足事項
6.1.1：VCC のコントロール法
VCC は制御 IC の制御電流が非常に小さいため、トランスのリーケージインダクタンスによるリンギング電圧の影響を大きく受けます。そのため、
MR4000 シリーズの VCC 電圧が設計値より上昇します。
VCC の電圧変動が大きくなり負荷条件によってはラッチ停止や VCC 不足が起こります。
トランスのリーケージインダクタンスによるリンギング電圧は DCR スナバ回路によって低減できますが、DCR スナバ回路以外にも方法があります
ので参考にしてください。
(1) ダンパー抵抗を大きくする
この抵抗大きくすることにより電圧変動が小さくなりますが、大きくしすぎると軽負荷時に
VCC が下がるため、VCC 低下により MR4000 シリーズが停止しないことを確認してください。
抵抗値の目安は数Ω～数十Ωで、実機にて調整する必要があります。
4
MR4000
また、場合によっては軽負荷時に効率が悪化する場合がありますので注意してください。
3
この抵抗を
大きく する
図 6.1：ダンパー抵抗
(2) NC 巻線の巻き方による方法
NC 巻線を 1 次巻線との結合を抑え、2 次巻線と
の結合を良くすることで NC 巻線に発生するリンギ
ング電圧を抑えます。
NC
NC
1次巻線-2
1次巻線-2
当社ではこれらの巻き方を推奨しています。
2次巻線
2次巻線
2次巻線
2次巻線
1次巻線-1
1次巻線-1
1次巻線と違う層に
重ならないように巻く
1次巻線の横に巻く
図 6.2：結合の良いトランスの巻き方
(3) ダミー抵抗を付加する方法
ダミー抵抗のみの対策では消費電力が大きく効率が悪化してしまう場合、この回路
を使うと若干改善します。
ツェナダイオードで決定される VCC 電圧以上になるとダミー抵抗が働き電圧上昇を
抑える動作をします。
ツェナダイオードは 16V 以上が適当です。
4
MR4000
3
抵抗とツェ ナダイオー
ド を追加
図 6.3：ダミー抵抗の付加
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 51 -
６ ： 設計補足資料
6.1.2：主スイッチング素子のターンオフ時のリンギング電圧
トランスのリーケージインダクタンスが大きい場合や、比較的大きな電流を出力する場合、主スイッチに大きな電圧サージ成分が発生します。
電圧サージ成分を減らす手段としては、リーケージインダクタンスを減らすことが最も効果的な手段ですが、クランプ回路でも電圧サージ成分を
減らすことが可能です。
電圧サージ成分を減らすことにより、主スイッチが保護されるほか、多出力電源の場合、出力のクロスレギュレーションを改善することができます。
(1) トランスのリーケージインダクタンス
主スイッチング素子のターンオフ時の電圧は、トランス 1 次巻線のリーケー
ジインダクタンスによって図 6.4 のようにリンギング電圧が重畳されます。
リーケージインダクタンス
によるリンギング電圧
主スイッチング素子にかかる電圧はこのリンギング電圧を考慮して設計す
る必要があります。
この 1 次巻線のリーケージインダクタンスは図 6.4 の方法で測定することが
出来ます。
フライバック電圧
入力コンデンサ電圧
【V DS(VCE)】
インダクタンス値
を測定
NP
NS1 Short
Short NC
NS2 Short
図 6.4：リーケージインダクタンス
(2)クランプ回路
負荷条件等のために主スイッチング素子の耐圧を超えてしまう、またはリーケージインダクタンスによるリンギング電圧により設計マージンが十分
でない場合耐圧を超えないようにクランプ回路が必要です。
クランプ回路には DCR スナバ回路が適当です。
次頁で DCR スナバ回路の設計方法を紹介します。
3
5
9
MR4000
図 6.5：DCR スナバ回路
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 52 -
６ ： 設計補足資料
DCR スナバの設計
以下の計算式により、DCR スナバ回路定数の目安を求めることができます。
リーケージインダクタンス Ll のエネルギーがすべてスナバ回路で消費されると考えると、以下の式が成り立ちます。

1
1
2
 L l  I DP (I CP ) 
 C S  1.2V NP  VNP
2
2

2
…（1）
リーケージインダクタンス Ll のエネルギー＝スナバコンデンサ CS のエネルギー R S  I S  1.2 VNP …（2）
1
スナバ抵抗 RS の電圧＝スナバコンデンサ CS の充電電圧 R S  I S 2   L l 2  I DP (I CP ) 2  f …（3）
2
スナバ抵抗 RS の消費電力＝リーケージインダクタンス Ll の電力 Ll は、１次インダクタンス LP の 2.5%、スナバコンデンサ CS の充電電圧を
VNP の 1.2 倍と仮定すると、
（1）式より、 C S  0.625  L P 
I DP (I CP ) 2
VNP 2
[F] となります。
（1）式、（3）式より、（4）式の関係が成り立ちます。 R S  I S
（2）式を変形し、（5）式となります。 I S  1.2 
（5）式を（4）式に代入すると、（6）式となります。
VNP
RS

（6）式に CS を代入し、RS を求めると、 R S  115.2 
RS での消費電力 PRS は、 PRS  R S  I S
2

1
2
2

 C S  1.2V NP  V NP

2
f
…（4）
…（5）
RS
1
2
1
72
 CS  f
…（6）
VNP 2
f  L P  I DP (I CP ) 2
[Ω]
[W]
これらの値は、Ll が 1 次インダクタンス LP の 2.5%、スナバコンデンサ CS の充電電圧が VNP の 1.2 倍と仮定した場合の計算値のため、実
機にて調整する必要があります。
Ll
IDP(ICP)
リーケージインダクタンス
1.2×VNP
VNP CS充電電圧
IDP(ICP) 主スイッチング素子のピーク電流
CS
スナバコンデンサ
LP
トランスの１次インダクタンス
VNP
１次インダクタンス LP に発生するフライバック電圧
RS
スナバ抵抗
IS
スナバ抵抗に流れる電流
f
電源の発振周波数
Vin
C106充電電
圧
【 ID(IC)】 【 VDS(VCE)】
C106
CS RS
VNP
Vin(DC)
※計算例
発振周波数 f=25kHz、LP=0.5mH、IDP=5A、VNP=200V の場合、
CS=0.2uF RS=14.7kΩ PRS=3.9W
DS
IS
3
5
9
MR4000
図 6.6：DCR スナバの設計
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 53 -
６ ： 設計補足資料
6.1.3：共振コンデンサについて
(1)共振コンデンサの選定
共振コンデンサに適した特性は、以下のことが求められます。
① 耐圧が主スイッチング素子の耐圧よりも十分に高い
② tanδが小さい
③ 耐熱温度が高い
マイカコンデンサやポリプロピレンコンデンサが理想的です。
低損失型のセラミックコンデンサでも十分に使用できますがご使用の際はメーカへご相談ください。
(2)共振コンデンサの容量について
共振コンデンサと 1 次巻線インダクタンスから決定される共振動作により低ノイズ化することができますが、コンデンサ容量の決定にあたり下
表のような傾向を示す効果と副作用がありますのでご参考ください。
項目
スタンバイ時の効率
小 ← コンデンサ容量 → 大
上がる
下がる
トランスの発熱
減
増
主スイッチ素子オフ時のリンギング電圧
増
減
ノイズ
動作周波数
増
減
速くなる
遅くなる
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 54 -
６ ： 設計補足資料
6.1.4：Z/C 端子周辺の回路定数について
D112
MR4000 4
3
1
R115
Z/C 端子(①Pin)周辺回路定数についてはいくつかの注意事項がありますので以下の
点に留意して設計してください。
C114
PH141
図 6.7：Z/C 端子周辺回路
(1) 部分共振用コンデンサ C114
C114 のコンデンサ容量は 100pF 前後に設定します。
Z/C 端子(①Pin)はノイズの影響を受けやすいためこの容量以上に設定します。
(2) 部分共振用抵抗 R115
R115 の決定にあたっては、以下のことに注意して設定してください。
①
谷点
VCC
Vin  N C
 5mA かつ
 5mA
R 115
R 115  N P
Z/C 端子(①Pin)の絶対最大定格は±5mA ですので、これ以上電流を流さないこ
とが絶対条件です。
(Vin は最大入力電圧印加時の入力コンデンサ電圧)
小
大
R115
②主スイッチング素子の部分共振が谷点になるように設定してください。
図 6.8：共振谷点の調整
(3) Z/C 端子電流制限抵抗 R116
(2)項の①、②を共に満足する設定が出来ない場合【図 6.9】のように R116 を追加し
てください。
R116 は 10kΩ程度としてください。
D112
MR4000 4
3
1
この時、R115 は主スイッチング素子の部分共振谷点の設定として使います。
設定方法は(2)項と同様です。
R115
R116
C114
PH141
図 6.9：R116 の追加
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 55 -
６ ： 設計補足資料
6.1.5：VCC 端子のサージ耐量対策
この対策は外来サージに対する耐量の向上に効果があります。
VCC 端子(④Pin) -GND 端子(③Pin)間にコンデンサを付加します。
コンデンサは周波数特性の良いものを使用し、できるだけ VCC 端子(④Pin) GND 端子(③Pin)に近いところに接続するよう注意してください。
4
MR4000
3
できるだけ端子に近いところ
に接続するのが良い。
図 6.10：VCC 端子-GND 端子間のコンデンサ
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 56 -
６ ： 設計補足資料
6.1.6：位相補正について
RCC 回路では、フォトカプラ・コンデンサ・コイルなどの位相遅れが原因でハンチングする事があります。
ハンチングが起こると、発振音が聞こえたり、出力電圧のリップルが通常よりもかなり大きくなります。
対策としては以下のような方法がありますので参考にしてください。
(1)
シャントレギュレータのカソードと REF 間に C,R を入れ
る。
(2)
2 次側 LC フィルタ前段とシャントレギュレータ REF 間に
C,R を入れる。
Output
(3)
2 次側 LC フィルタ後段からシャントレギュレータ REF へ
C,R を入れる。
Output
(4)
フォトカプラの電源供給側を LC フィルタの前段に入れ
る。
Output
Output
また、軽負荷時に間欠発振しやすい場合はフィードバックゲインを下げるのもひとつの方法です。
図 6.11 のように抵抗を入れてください。ただし、この抵抗は 2.2kΩ以下に設定します。
D112
MR4000 4
3
2
R117
C115
PH111
図 6.11：フィードバックゲインを下げる
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
- 57 -
６ ： 設計補足資料
6.2：ノイズ対策
MR4000 シリーズのノイズ低減方法を紹介します。
これらの対策法を組み合わせ、実機にて十分な検討をして下さい。
6.2.1：トランスの再設計を行う
トランス設計において、次の項目に留意して再設計すると改善できます。
主スイッチング素子の耐圧や動作周波数等には十分に気をつけてください。
①巻線結合をよくする。
これによりターンオフ時のリンギングが小さくなりノイズが低減します。
②オンデューティーを大きくする。
部分共振機能をできるだけ活かすことでターンオン時のサージ電流が減りノイズが低減します。
③動作周波数を下げる。
基本波や基本波の高調波によるノイズが低減します。
6.2.2：Y コンを変更する
Y コンのコンデンサ容量を変更してみるのはもちろんのことですが、
Y コンの位置や特定場所に付加することでノイズが低減します。
この効果は基板パターンで結果は様々ですので実機にて十分
な検討をして下さい。
①フィルター部の Y コンの場所を変更してみる。
②入力コンデンサのマイナス側からアースへ接続する。
③入力コンデンサのプラス側からアースへ接続する。
①
AC in
③
②
図 6.12：Y コンの検討
6.2.3：スナバ回路を使う
①DCR スナバを付加する。
ターンオフ時のリンギング電圧のピークが下がりますのでノイズが低減します。
②ダンピング抵抗を付加する。
共振コンデンサに直列に抵抗を付加します。
ターンオフ時のリンギング電圧の減衰が早くなりノイズが低減します。
③DCR スナバのダイオードに並列のコンデンサを付加する。
このダイオードはスイッチング動作をしていますのでここからのノイズを低減します。
①
③
②
②項と③項のコンデンサはマイカコンデンサやポリプロピレンコンデンサが理想的です。
低損失型のセラミックコンデンサでも十分に使用できますが、ご使用の際はメーカへご相談ください。
3
5
MR4000
9
図 6.13：スナバ回路
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- 58 -
６ ： 設計補足資料
6.2.4：2 次側ダイオードに並列にコンデンサを付加する
2 次側ダイオードはスイッチング動作をしています。
コンデンサを付加することでノイズを低減します。
実機検討において、どのダイオードが効果的か確認をして下さい。
また、このコンデンサに直列にダンピング抵抗を付加することも効果があります。
NS1
このコンデンサは、マイカコンデンサやポリプロピレンコンデンサが理想的です。
低損失型のセラミックコンデンサでも十分に使用できますが、ご使用の際はメーカへご相談ください。
NS2
図 6.14：2 次側にコンデンサ追加
6.2.5：コンデンサ結合させる
1 次側の GND と 2 次側の GND をコンデンサ結合させることも効果があります。
1 次‐2 次の漏洩電流量と安全規格には十分気を付けてください。
NP
NS1
NC
NS2
図 6.15：コンデンサ結合
6.2.6：その他の対策
① Drain(Collector)端子(⑨Pin)周辺にビーズコアを入れる
② 2 次側ダイオード周辺にビーズコアを入れる
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- 59 -
６ ： 設計補足資料
6.3：実装に関する補足資料
6.3.1：グリス塗布
放熱フィンを利用する場合、MR4000 シリーズと放熱フィンの間に適量のシリコングリスを薄く均一に塗布して実装すると、接触熱抵抗を下げ放
熱効果を高めることができます。
6.3.2：使用ネジ類
M3 の丸小ネジ、なべ小ネジ、バインド小ネジ、平小ネジのいずれかをご使用ください。
皿ネジ類は使用しないでください。
ネジをご使用になる際は、ネジ緩み防止のため、平座金とスプリングワッシャーも併用してください。
平座金は、小型丸 3ｍｍ平座金をご使用ください。3.5ｍｍ以上の平座金や表側がみがき丸の平座金は使用しないでください。
6.3.3：放熱フィン
放熱フィンは MR4000 シリーズ取り付け面に、凹凸、ねじれ、反り等のない平坦な物を使用し、デバイスに無理な応力が加わったり放熱効果を
妨げたりしないようにしてください。
また、取り付け穴に加工バリの無いことを確認してください。
放熱フィンの形状は、MR4000 シリーズのパッケージに対して、横方向に長いタイプが、放熱に有利です。
シリ コングリ ス
放熱板
平座金
ナッ ト
スプリ ングワッ シャ
ビス
MR4000
図 6.16：放熱フィンの取り付け
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- 60 -
６ ： 設計補足資料
6.4：波形測定に関する注意事項
6.4.1：AC ラインの絶縁
MR4000 シリーズとその周辺回路をオシロスコープ等で測定する際
は、感電および、漏電防止のため、被測定回路と測定器の AC ラ
インを絶縁して測定を行ってください。
電源ライン
スイッチング
電源
負荷
測定器
図 6.17：AC ラインの絶縁
6.4.2：1 次側と 2 次側の同時測定
MR4000 シリーズを使用した電源の場合、通常は AC 入力側（1 次側）と DC 出力側（2 次側）がトランスにより絶縁されていますので、1 次側
と 2 次側で、共通の測定器を利用することはやめてください。
電位の異なる GND が共通になり、電源の動作および測定結果に悪影響を与える可能性があります。
（NG 例：オシロスコープで、電圧プローブを使用し 1 次側と 2 次側の波形を同時に測定する）
1 次側と 2 次側を同時に見たい場合はどちらかを差動プローブを利用してください。
MR
同時測定NG
測定系GND
図 6.18：1 次側と 2 次側の同時測定
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６ ： 設計補足資料
6.5：パターン設計の注意事項
パターン設計においては、パターンの長さをできるだけ短くしループを小さくすることが基本です。
以下の点に注意して設計を行ってください。
6.5.1：1 次側のパターン設計
6.5.2：NC 巻線周辺のパターン設計
C106
D112
C112
4
R114
3
MR4000
5
9
3
MR4000
C113
図中のループには高速スイッチング電流が流れています。このル
ープ面積を小さくすることによりノイズ低減ができます。
トランス→D112→C113 のループを太く短く設計してください。
6.5.3：2 次側のパターン設計
6.5.4：GND 端子周辺のパターン設計
短く
D201
･･･悪い例･･･
C106
L201
C201
･･･良い例･･･
C106
R114
C202
R114
3
3
短く
できるだけ出力端子に
近づけてください
制御系回路
制御系回路
トランス→整流ダイオード→出力コンデンサのループを太く短く
設計してください。
また、出力チョークコイル後段のコンデンサは、できるだけ出力
端子に近づけてください。
GND 端子(③Pin)から C106 のマイナス側へは直接接続し他の
部品の接続はしないでください。
また、制御系回路端は R114 の内側（GND 端子寄り）に接続
しないでください。
6.5.5：コンデンサの接続について
6.5.6： C114 のパターン
･･･悪い例･･･
･･･良い例･･･
MR4000 4
3
C114
①Pin-③Pin間 D141
近く に接続
コンデンサのパッドを必ず通るようにしてください。
1
R115
PC141
Z/C 端子(①Pin)は、ノイズの影響を受けやすいので Z/C 端子
(①Pin)- GND 端子(③Pin)間に近くパターンを接続してくださ
い。
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- 62 -
６ ： 設計補足資料
6.5.7：R116 のパターン
このパターンを
短く する
6.5.8：OCL 抵抗の配置
MR4000
1
D141
4
3
9
R115
C112
R116
5
3
R114
C114
PH141
MR4000
③-⑤Pinに
近づける
①-③Pin間
近く に接続
R116 がある場合は図中のパターンを短くしてください。
電流検出用抵抗は、極力 OCL 端子(⑤Pin)と GND(③Pin)間
に近づけて配置してください。
OCL の検出レベルは低いため、電流検出ループの配線のイン
ダクタンス成分や抵抗成分の影響を受けやすくなっています。
R114 を③-⑤Pin に近づけることにより、ノイズによる誤動作を
防ぎ、検出精度を上げることができます。
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- 63 -
６ ： 設計補足資料
6.6：応用回路例
6.6.1：間接制御
出力電圧精度が必要なければ、フォトカプラを使わずに 1 次側で定電圧制御させることができます。
図 6.19 は 12V 出力のときの設計例です。
(1)回路構成
F/B 端子(②Pin)をコントロールするトランジスタと電流制限用抵抗、電圧を検出するツェナダイオードで構成されます。
軽負荷時の電圧上昇が問題となる場合は 2 次側にダミー抵抗を付加してください。
(2)回路動作
図中、間接制御追加部品枠内のツェナダイオードは、コントロール巻線の出力電圧を検出しています。
検出信号はトランジスタにより F/B 端子(②Pin)を直接コントロールします。
(3)問題点
トランスのリーケージによるリンギング電圧によって電圧精度が大きく変化します。
またこのことから軽負荷時には、出力電圧が上昇してしまいます。
図 6.19：間接制御
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- 64 -
６ ： 設計補足資料
6.6.2：低入力電圧時、発振停止回路
200V 系入力電源において 100V 系誤入力を防ぐ保護回路です。
入力電圧を検出し、100V 系入力時に MR4000 シリーズの発振を停止さ
せ 200V 系入力時に通常発振します。
C106
NP
(1)回路構成
IC111
入力電圧検出抵抗と F/B 端子(②Pin)を短絡させるトランジスタ Q1 と
9
C113
D112
Q1 を OFF させるトランジスタ Q2 および、Q2 の VBE ばらつきの影響と
4
温度特性を修正するツェナダイオードで構成されます。
NC
(2)回路動作
R1
2SC945
2
Vin=138V(100V 系 MAX 電圧)までは Q1 により MR4000 シリーズの
62kΩ
360kΩ
F/B 端子(②Pin)をショートさせるため MR は発振しません。
3
Q1
2SC945
360kΩ
Vin=170V(200V 系 MIN 電圧)になると Q2 が ON することで Q1 が
Q2
OFF しますので、MR4000 シリーズは発振を始めます。
8.2V
(3)問題点
39kΩ
スタンバイ時の効率が悪くなります。
0.033μ F 10kΩ
入力電圧検出回路の電流や、Q1、Q2 に流す電流分だけスタンバイ特
性は悪くなります。
図 6.20：低入力電圧時 発振停止回路
また、R1 の抵抗を 56kΩ以下にすると、起動が出来なくなる場合があり
ます。
(4)留意点
R1 の抵抗を 56kΩ以下にすると、起動が出来なくなる場合があります。
なお、その他の目的で MR4000 シリーズの Vcc 端子(④Pin)に抵抗などを接続する場合は、起動特性にご注意ください。
6.6.3：外部リモート操作による MR4000 シリーズの ON/OFF 回路
外部 ON/OFF 信号を入力することで MR4000 シリーズの発振停止ができます。
IC111
Hi：OFF
(1)回路構成
Lo：ON
2
4.7kΩ
F/B 端子(②Pin)を短絡するトランジスタと 1 次側外部 ON/OFF 信号で構成されます。
ON/OFF信号
また、外部信号が 2 次側からの場合はトランジスタをフォトカプラに変えることによっても
3
対応可能です。
(2)回路動作
GND
12kΩ
外部信号を受けてトランジスタを ON させ F/B 端子(②Pin)を短絡し、電源の動作を
停止させます。
図 6.21：MR4000 シリーズ ON/OFF 回路
また、外部信号が Low になるとトランジスタが OFF し、発振を再開します。
(3)問題点
外部リモート操作により電源が OFF しているときでも内蔵起動回路による Vcc の充放電を行っているので、それに相当する損失が発生し
ています。
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- 65 -
６ ： 設計補足資料
6.6.4：補助巻線を使った 2 次側検出による OVP ラッチ回路
R1
100Ω
PC1
PS2501
4
3
C113
35V
100μF
D1
D1NL20U
C1
0.047μF
D201
L201
+12V
Nc2
D112
Nc1
D1NL20U
Ns1
C201
C202
C205
ZD2
15V,B2
470Ω
GND
PC1
PS2501
図 6.22：補助巻線による OVP 回路
(1)回路構成
本回路は補助巻線 Nc2 と OVP 用フォトカプラ PC1、R1、C1、D1 および 2 次側出力検出用ツェナダイオード ZD2 で構成されます。
(2)回路動作
Nc2 巻線電圧を 22V (VCC(OVP)×1.1) 以上に設定します。
F/B オープンなどによって出力電圧がツェナ電圧を超えると、フォトカプラが ON します。
その結果 Nc2 巻線電圧が MR4000 シリーズの VCC 端子(④Pin)にかかり VCC＞20V となるため OVP ラッチ停止します。
(3)留意点
この回路は IC 耐圧の絶対最大定格である 21V を超えないことを確認する必要があります。
図中の部品定数を目安に十分検討してください。
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- 66 -
６ ： 設計補足資料
6.7：トラブル対策一覧
MR4000 シリーズを使った電源設計において、良くあるトラブルと考えられる原因、および対策法を一覧にしてみました。
症状
考えられる原因
対策方法
トランスの極性が間違っている
NP,NS,NC の巻線方向を確認する
垂下補正回路を調整する
垂下補正回路が不適切
オン幅設定(F/B 端子-GND 端子間抵抗）が小さい
定電流、定電力負荷になっている
定抵抗負荷にする
NC 巻数を調整する
1 起動しない
トランス巻線構造を見直す
過電圧ラッチがかかっている
ツェナダイオードと抵抗を組合せ VCC をクランプする
NC 巻線と整流ダイオードとの間に抵抗を入れる
2
MR4000 シリーズ
が破損する
Z/C 端子への入力が正しくされていない
Z/C 端子周辺回路を見直す
重負荷で起動している
MR4000 シリーズは軽負荷起動を推奨しています
Ton(max)がリミットにかかっている
トランス設計を見直す
NC 巻線数が少ない
NC 巻数を調整する
トランスが磁気飽和を起こしている
コアのΔB を見直す
F/B 端子-GND 端子間抵抗を調整する
垂下補正回路を調整する
垂下回路が不適切
F/B 端子-GND 端子間抵抗を調整する
スナバ回路を設ける
メインスイッチング素子の
耐圧を超えている
トランス設計を見直す
トランス巻線構造を見直す
3
制御系の
出力電圧が上昇する
フォトダイオードの電流不足
フォトダイオードの電流制限抵抗を調整する
4
非制御系の
出力電圧が上昇する
サージ電圧による出力コンデンサへの
ピーク充電
出力端にダミー抵抗やダンパ抵抗を入れる
トランス設計を見直す
出力電圧検出回路の定数不適正
出力電圧検出抵抗を見直す
F/B 端子-GND 端子間抵抗を調整する
5
希望の出力電圧
又は電流がとれない
垂下回路が不適切
OCL 抵抗を調整する
発振周波数を上げる
Ton(max)がリミットにかかっている
オン Duty を小さく設定する
放熱フィンがついていない、または小さい
スイッチング損失が大きい
MR4000 シリーズ
6
の発熱が大きい
7 軽負荷で間欠発振になる
放熱フィンをつける、または大きくする
発振周波数を下げる
共振コンデンサを小さくする
締め付けトルクが弱い
新電元推奨値で締める
シリコングリスを塗る
放熱フィンとの接触がよくない
放熱シートをはさむ
部分共振のタイミングが合っていない
部分共振のディレイタイミングを調整する
部分共振谷点が高い
オンデューティーを大きくする
発振周波数が高い
位相補正回路の不適正
発振周波数を下げる
シャントレギュレータ周辺の回路の調整
フォトカプラのダイオード側電流制限抵抗を大きくする
フィードバックゲインが高い
フォトカプラのトランジスタ側に直列に抵抗をいれる
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- 67 -
６ ： 設計補足資料
症状
8
定常動作で異常発振する
ハンチングしている
9 垂下動作が働かない
10
VDS（または VCE）が
耐圧を越える
考えられる原因
対策方法
2 次側 F/B を L の前段からとる
シャントレギュレータ周辺の回路調整
位相がずれている
フォトカプラ周辺回路の調整
垂下回路が不適切
OCL 抵抗を調整する
F/B 端子-GND 端子間抵抗を調整する
オン Duty が大きい
トランスのカップリングが悪い
オン Duty の再設計
トランス巻き線構造を見直す
巻き数比が不適切
トランス設計を見直す
共振コンデンサを調整する
スナバ回路を設ける
サージが大きい
パワークランパを入れる
共振コンデンサと直列に抵抗を入れる
11
12
スタンバイモードに
ならない
出力負荷を大きくすると
発振が停止する
フォトダイオードの電流不足
フォトダイオードの電流制限抵抗を調整する
Z/C 端子-GND 間のコンデンサを大きくする
Z/C 端子にノイズがのっている
基板パターンの改善
NC 巻数を調整する
トランス巻線構造を見直す
過電圧ラッチがかかっている
ツェナダイオードと抵抗を組合せ VCC をクランプする
VCC にダンパ抵抗を入れる
スタンバイモードで
13
トランスの発振音がする
含浸処理を強化（2 重含浸、接着剤）
適切な負荷にする
トランスの振動
Z/C 端子にノイズがのっている
負荷ショート時の
14
入力電力が大きい
15 垂下がばらつく
16 スタンバイ電力が大きい
Z/C 端子-GND 間のコンデンサを大きくする
ダイオードの電流定格を大きくする
二次側ダイオードの VF が大きい
ショットキダイオードを使う
トランスのカップリングが悪い
トランス巻線構造を見直す
F/B 端子-GND 端子間抵抗が動作している
OCL 端子抵抗だけで垂下がかかるようにする
共振コンデンサの tanδが大きい
tanδの小さいコンデンサを使う
共振コンデンサの容量が大きい
共振コンデンサを調整する（VDS、VCE の耐圧に注意）
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- 68 -
６ ： 設計補足資料
6.8：用語集
MR シリーズ アプリケーションノート、参考電源データ集および技術資料に掲載されている用語を簡単にまとめてあります。
用語は一般的な意味というより電源設計または IC 機能について専門的な使い方における意味であることをご了承ください。
6.8.1：電源動作
【共振コンデンサ】
部分共振を使った電源回路における、ダンパスナバ用のコンデンサを指します。
→ダンパスナバ
【クランパスナバ】
1 次巻線端にダイオード・コンデンサ・抵抗で構成するスナバ回路（DCR スナバ）や、パワーツェナを使ったスナバ回路のことです。
→スナバ回路
【ゲイン・フェーズ】
フィードバック制御系回路において重要なパラメータです。
ゲインは利得、フェーズは位相のことを指します。
【雑音端子ノイズ】
入力側へ帰還する伝導ノイズのことです。入力帰還ノイズとも呼びます。
【出力リップル電圧】
出力電圧は完全な直流ではなく、様々な周波数成分が重畳されています。
一般的なリップル電圧成分は商用周波数とスイッチング周波数によるものです。
【垂下特性】
過電流保護機能を働かせたときの出力特性のことです。
【垂下補正回路】
垂下機能をできるだけ入力電圧に依存しないように働かせる補正回路のことです。
【スナバ回路】
スイッチング素子のストレスを軽減する回路です。
スナバ回路にはクランパスナバとダンパスナバがあります。
【ダンパスナバ】
主スイッチング素子のドレインーソース間またはコレクターエミッタ間に抵抗とコンデンサで構成する CR スナバ回路。
部分共振を使った電源回路においては C を共振コンデンサ、R をダンパ抵抗と呼んでいます。
→スナバ回路
【電流臨界方式】
絶縁型フライバック方式において、2 次側ダイオードがオフすると主スイッチング素子がターンオンする電源制御方式のことを指します。
【入力帰還ノイズ】
入力側へ帰還する伝導ノイズのことです。雑音端子ノイズとも呼びます。
【バーストモード】
間欠発振動作によるスイッチング電源制御モードのことです。
MR シリーズでは、間欠発振中のドレイン電流ピーク値は IDP(burst limit)に制限され発振動作を行っています。
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６ ： 設計補足資料
【ハンチング】
フィードバック制御系のおいてゲイン・フェーズが適正でなく異常発振を起こすことを指し、乱調とも呼びます。
【フィードバック】
出力電圧を検出し、1 次側の制御回路へ信号を返すことをいいます。
このことにより定電圧制御しています。
【輻射ノイズ】
空間へ放射される妨害電界強度のことで、放射ノイズとも呼びます。
【部分共振動作】
スイッチング電源において、主スイッチング素子の損失であるターンオン時のスイッチング損失を減らす動作方式、
または回路技術でソフトスイッチング技術のひとつです。
【放射ノイズ】
空間へ放射される妨害電界強度のことで、輻射ノイズとも呼びます。
【リンギング電圧】
MR シリーズ アプリケーション群では、特にターンオフ直後の振動電圧を指しています。
6.8.2：トランス設計
【Duty】
発振周期に対するオン幅の割合のことで、「D」と表記する場合もあります。
【TON/T 比】
Duty と同じ。
【オンデューティ比】
Duty と同じ。
【コアギャップ】
トランスのコアのすき間。
フライバック方式電源ではこのすき間によりインダクタンス値を調整します。
【コントロール巻線】
MR シリーズの内部 IC への電源電圧供給および Z/C 信号を出力するための巻線のことです。
【磁気飽和】
トランスの最大磁束密度を超えることをいいます。
磁気飽和するとインダクタとしての働きがなくなりますので急峻な過大電流が流れ電源装置を破壊する可能性があります。
【磁束密度】
励磁電流によりコアに発生する単位面積あたりの磁束量のことです。
6.8.3：IC の機能
【LEB】
リーディングエッジブランクと同じ。
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- 70 -
６ ： 設計補足資料
【OCP】
過電流保護と同じ。
【OVP】
過電圧保護と同じ。
【TSD】
サーマルシャットダウンと同じ。
【Under Voltage Lock Out】
起動特性に数 V のヒステリシスを持たせるための機能のことで、これにより安定した起動特性が得られます。
UVLO と表記する場合もあります。
【UVLO】
Under Voltage Lock Out と同じ。
【オンデッドタイマ】
ターンオフ時のリンギング電圧による誤作動を防ぐために設けられた一定期間のターンオン禁止機能のことです。
【オントリガ】
MR シリーズでは、主スイッチング素子のオン信号として、コントロール巻線信号の立下りを Z/C 端子(②Pin)が検出しトリガ信号としていま
す。
【オントリガ禁止期間】
スイッチング動作においてターンオフ時に発生するリンギング電圧による誤動作を防ぐため、オン信号を受け付けないようにしている期間。
【過電圧保護】
Over Voltage Protection
出力電圧をあるレベルで制限をかけることで電源装置が破壊するのを防ぐ機能です。
OVP と表記する場合もあります。
【過電流保護】
Over Current Protection
出力電流をあるレベルで制限をかけることで電源装置が破壊するのを防ぐ機能です。
OCP と表記する場合もあります。
【サーマルシャットダウン】
Thermal Shut Down
IC のジャンクション温度に制限をかけることで IC が破壊するのを防ぐ機能です。
ある温度以上になるとラッチ停止させます。TSD、過熱保護とも呼ばれます。
→ラッチ停止
【ソフトドライブ】
スイッチング電源における主スイッチング素子の駆動方式のことです。
低ノイズや軽負荷時の効率アップに効果があります。当社が特許を申請しています。
【ネガティブエッジ】
矩形波における立下りの部分を指します。
【ラッチ停止】
保護機能が働いた後の IC 停止動作のひとつです。電源を再投入しないと再起動しない停止モードです。
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６ ： 設計補足資料
【リーディングエッジブランク】
Leading Edge Blank
ターンオン時のサージ電圧の誤作動を防ぐために設けられた一定期間のターンオフ禁止動作機能のことです。
LEB と表記する場合もあります。
【リスタートタイマ】
MR シリーズでは、スタンバイモードや起動等において一定時間トリガ信号がない場合に再発振をします。
この一定時間を決定しているタイマのことです。
6.8.4：その他
【超高速 IGBT】
当社が開発したスイッチング素子。スイッチング電源において十分なスピード特性を持ちます。
MR2900 シリーズ、MR40XX シリーズ、MR5000 シリーズの主スイッチング素子として搭載されています。
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MR4000 Series
Application Note
MRシリ ーズ アプリ ケーショ ン群について
MR シリーズを使った電源回路をより簡単に設計していただけるよう、様々なアプリケーションを用意いたしました。
また、今後もデータやノウハウを随時追加・更新していく予定です。
資料のご請求や最新版に関する情報は弊社営業窓口にお問い合わせください。
セレクションガイド
MR シリーズのラインナップ紹介、製品概要などを掲載しています。（MR4000 シリーズの掲載準備中）
アプリケーションノート
MR1000 シリーズ
MR1000 シリーズの動作説明、電源回路設計方法、設計補足資料などを掲載しています。
MR2000 シリーズ
MR2000 シリーズの動作説明、電源回路設計方法、設計補足資料などを掲載しています。
MR4000 シリーズ
MR4000 シリーズの動作説明、電源回路設計方法、設計補足資料などを掲載しています。
MR5000 シリーズ
MR4000 シリーズの動作説明、電源回路設計方法、設計補足資料などを掲載しています。
参考電源データ集
MR1000 シリーズ
MR1000 シリーズの参考電源データ、アブノーマルテスト表などを掲載しています。
MR2000 シリーズ
MR2000 シリーズの参考電源データ、アブノーマルテスト表などを掲載しています。
MR4000 シリーズ
準備中
MR5000 シリーズ
準備中
Shindengen Electric MFG.CO.,LTD
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