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電流シンク/ソース能力を持つ
超低ノイズXFETリファレンス電圧
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
ピン配置
特長
低ノイズ (0.1 Hz～10.0 Hz): 2.5 V 出力で 3.5 µV p-p
外付けコンデンサが不要
低い温度係数
A グレード: 最大 10 ppm/°C
B グレード: 最大 3 ppm/°C
負荷レギュレーション: 15 ppm/mA
ライン・レギュレーション: 20 ppm/V
広い動作範囲
ADR430: 4.1 V～18 V
ADR431: 4.5 V～18 V
ADR433: 5.0 V～18 V
ADR434: 6.1 V～18 V
ADR435: 7.0 V～18 V
ADR439: 6.5 V～18 V
大きな出力ソースおよびシンク電流: +30 mA および−20 mA
広い温度範囲: −40°C～+125°C
TP 1
8
ADR43x
TP
COMP
TOP VIEW
6 VOUT
(Not to Scale)
5 TRIM
GND 4
VIN 2
7
NOTES
1. NC = NO CONNECT
2. TP = TEST PIN (DO NOT CONNECT)
04500-001
NC 3
図 1.8 ピン MSOP (RM-8)
TP 1
VIN 2
8
ADR43x
TP
COMP
TOP VIEW
6 VOUT
(Not to Scale)
GND 4
5 TRIM
7
NOTES
1. NC = NO CONNECT
2. TP = TEST PIN (DO NOT CONNECT)
アプリケーション
04500-041
NC 3
図 2.8 ピン SOIC_N (R-8)
高精度データ・アクイジション・システム
高分解能データ・コンバータ
医用計測機器
工業用プロセス制御システム
光制御回路
高精度機器
概要
ADR43x シリーズは、低ノイズ、高精度、低温度ドリフト性能を
持つ XFET® ファミリーのリファレンス電圧です。ADR43x では、
アナログ・デバイセズの特許取得済み温度ドリフト曲率補正技術
と XFET (eXtra implanted junction FET) 技術を採用して、電圧変化
温度特性の非直線性を小さくしています。
XFET リファレンスは、埋め込みツェナー・リファレンスに比べ
て小さい電流 (800 µA)と少ない電源電圧ヘッドルーム (2 V)で動作
します。埋め込みツェナー・リファレンスでは動作に 5 V 以上の
ヘッドルームが必要です。ADR43x XFET リファレンスは 5 V シス
テムに対応する唯一の低ノイズ・ソリューションです。
ADR43x ファミリーは、最大 30 mA の出力電流ソース能力と最大
20 mA のシンク能力を持っています。さらに、トリム端子を備え
ているため、性能を低下させることなく±0.5％の範囲で出力電圧
を調整できます。
ADR43x は、8 ピン MSOP パッケージおよび 8 ピン・ナローSOIC
パッケージを採用し、いずれのバージョンも－40°C～＋125°C の
拡張工業用温度範囲で仕様が規定されています。
Rev. I
表 1.セレクション・ガイド
Model
Output
Voltage (V)
Accuracy (mV)
Temperature
Coefficient
(ppm/°C)
ADR430A
ADR430B
ADR431A
ADR431B
ADR433A
ADR433B
ADR434A
ADR434B
ADR435A
ADR435B
ADR439A
ADR439B
2.048
2.048
2.500
2.500
3.000
3.000
4.096
4.096
5.000
5.000
4.500
4.500
±3
±1
±3
±1
±4
±1.5
±5
±1.5
±6
±2
±5.5
±2
10
3
10
3
10
3
10
3
10
3
10
3
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に
関して、あるいは利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、
アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様
は、予告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。
※日本語データシートは REVISION が古い場合があります。最新の内容については、英語版をご参照ください。
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本
社／〒105-6891 東京都港区海岸 1-16-1 ニューピア竹芝サウスタワービル
電話 03（5402）8200
大阪営業所／〒532-0003 大阪府大阪市淀川区宮原 3-5-36 新大阪トラストタワー
電話 06（6350）6868
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
目次
特長......................................................................................................... 1
リファレンス電圧の基本接続........................................................ 16
アプリケーション ................................................................................. 1
ノイズ性能 ....................................................................................... 16
ピン配置................................................................................................. 1
高周波ノイズ ................................................................................... 16
概要......................................................................................................... 1
ターンオン時間 ............................................................................... 17
改訂履歴................................................................................................. 3
アプリケーション情報 ....................................................................... 18
仕様......................................................................................................... 4
出力の調整 ....................................................................................... 18
ADR430 電気的特性.......................................................................... 4
光ネットワーク制御回路でのコンバータのリファレンス電圧. 18
ADR431 電気的特性.......................................................................... 5
高電圧フローティング電流源........................................................ 18
ADR433 電気的特性.......................................................................... 6
ケルビン接続 ................................................................................... 18
ADR434 電気的特性.......................................................................... 7
両極性リファレンス電圧................................................................ 19
ADR435 電気的特性.......................................................................... 8
プログラマブルな電流源................................................................ 19
ADR439 電気的特性.......................................................................... 9
プログラマブルなDACリファレンス電圧.................................... 20
絶対最大定格 ....................................................................................... 10
データ・コンバータ用の高精度リファレンス電圧 .................... 20
熱抵抗............................................................................................... 10
ESDの注意 ....................................................................................... 10
代表的な性能特性 ............................................................................... 11
出力レギュレータの高精度ブースト............................................ 21
外形寸法 ............................................................................................... 22
動作原理............................................................................................... 16
Rev. I
－ 2/23 －
オーダー・ガイド ........................................................................... 23
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
改訂履歴
5/11—Rev. H to Rev. I
Added Endnote 1 in Table 2 .................................................................4
Added Endnote 1 in Table 3 .................................................................5
Added Endnote 1 in Table 4 .................................................................6
Added Endnote 1 in Table 5 .................................................................7
Added Endnote 1 in Table 6 .................................................................8
Added Endnote 1 in Table 7 .................................................................9
Deleted Negative Precision Reference Without Precision Resistors
Section................................................................................................17
Deleted Figure 36; Renumbered Sequentially ....................................18
2/11—Rev. G to Rev. H
Updated Outline Dimensions..............................................................21
Changes to Ordering Guide ................................................................22
7/10—Rev. F to Rev. G
Changes to Storage Temperature Range in Table 9...............................9
6/10—Rev. E to Rev. F
Updated Pin Name NC to COMP Throughout......................................1
Changes to Figure 1 and Figure 2.........................................................1
Changes to Figure 30 and High Frequency Noise Section..................15
Updated Outline Dimensions..............................................................21
12/07—Rev. C to Rev. D
Changes to Initial Accuracy and Ripple Rejection Ratio Parameters in
Table 2 through Table 7 ........................................................................3
Changes to Table 9................................................................................9
Changes to Theory of Operation Section ............................................15
Updated Outline Dimensions..............................................................20
8/06—Rev. B to Rev. C
Updated Format ...................................................................... Universal
Changes to Table 1................................................................................1
Changes to Table 3................................................................................4
Changes to Table 4................................................................................5
Changes to Table 7................................................................................8
Changes to Figure 26 ..........................................................................14
Changes to Figure 31 ..........................................................................16
Updated Outline Dimensions..............................................................20
Changes to Ordering Guide ................................................................21
9/04—Rev. A to Rev. B
Added New Grade .................................................................. Universal
Changes to Specifications .....................................................................3
Replaced Figure 3, Figure 4, Figure 5.................................................10
Updated Ordering Guide.....................................................................21
Changes to Ordering Guide ................................................................22
6/04—Rev. 0 to Rev. A
Changes to Format.................................................................. Universal
1/09—Rev. D to Rev. E
Added High Frequency Noise Section and Equation 3; Renumbered
Sequentially ........................................................................................15
Inserted Figure 31, Figure 32, and Figure 33; Renumbered Sequentially
............................................................................................................16
Changes to the Ordering Guide...........................................................20
12/03—Revision 0: Initial Version
Changes to the Ordering Guide ..........................................................22
Rev. I
－ 3/23 －
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
仕様
ADR430 電気的特性
特に指定がない限り、VIN = 4.1 V～18 V、IL = 0 mA、TA = 25°C。
表 2.
Parameter
Symbol
OUTPUT VOLTAGE
A Grade
B Grade
VO
INITIAL ACCURACY1
A Grade
VOERR
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
2.045
2.047
2.048
2.048
2.051
2.049
V
V
±3
±0.15
±1
±0.05
mV
%
mV
%
B Grade
TEMPERATURE COEFFICIENT
A Grade
B Grade
TCVO
LINE REGULATION
LOAD REGULATION
QUIESCENT CURRENT
IIN
No load, −40°C < TA < +125°C
560
VOLTAGE NOISE
eN p-p
0.1 Hz to 10.0 Hz
3.5
µV p-p
VOLTAGE NOISE DENSITY
eN
1 kHz
60
nV/√Hz
TURN-ON SETTLING TIME
tR
CL = 0 µF
10
µs
LONG-TERM STABILITY2
∆VO
1000 hours
40
ppm
OUTPUT VOLTAGE
HYSTERESIS
VO_HYS
20
ppm
−40°C < TA < +125°C
−40°C < TA < +125°C
2
1
10
3
ppm/°C
ppm/°C
∆VO/∆VIN
VIN = 4.1 V to 18 V, −40°C < TA < +125°C
5
20
ppm/V
∆VO/∆IL
∆VO/∆IL
IL = 0 mA to 10 mA, VIN = 5.0 V, −40°C < TA < +125°C
IL = −10 mA to 0 mA, VIN = 5.0 V, −40°C < TA < +125°C
15
15
ppm/mA
ppm/mA
800
µA
RIPPLE REJECTION RATIO
RRR
SHORT CIRCUIT TO GND
ISC
fIN = 1 kHz
SUPPLY VOLTAGE
OPERATING RANGE
VIN
4.1
SUPPLY VOLTAGE HEADROOM
VIN − VO
2
1
2
初期精度にはハンダ加熱効果から生ずるシフトを含みません。
長時間安定性仕様は非累積的です。後続の 1000 時間のドリフトは、最初の 1000 時間より大幅に小さくなります。
Rev. I
－ 4/23 －
–70
dB
40
mA
18
V
V
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
ADR431 電気的特性
特に指定がない限り、VIN = 4.5 V～18 V、IL = 0 mA、TA = 25°C。
表 3.
Parameter
Symbol
OUTPUT VOLTAGE
A Grade
B Grade
VO
INITIAL ACCURACY3
A Grade
VOERR
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
2.497
2.499
2.500
2.500
2.503
2.501
V
V
±3
±0.12
±1
±0.04
mV
%
mV
%
B Grade
TEMPERATURE COEFFICIENT
A Grade
B Grade
TCVO
LINE REGULATION
LOAD REGULATION
QUIESCENT CURRENT
IIN
No load, −40°C < TA < +125°C
580
VOLTAGE NOISE
eN p-p
0.1 Hz to 10.0 Hz
3.5
µV p-p
VOLTAGE NOISE DENSITY
eN
1 kHz
80
nV/√Hz
TURN-ON SETTLING TIME
tR
CL = 0 µF
10
µs
LONG-TERM STABILITY4
∆VO
1000 hours
40
ppm
OUTPUT VOLTAGE
HYSTERESIS
VO_HYS
20
ppm
−40°C < TA < +125°C
−40°C < TA < +125°C
2
1
10
3
ppm/°C
ppm/°C
∆VO/∆VIN
VIN = 4.5 V to 18 V, −40°C < TA < +125°C
5
20
ppm/V
∆VO/∆IL
∆VO/∆IL
IL = 0 mA to 10 mA, VIN = 5.0 V, −40°C < TA < +125°C
IL = −10 mA to 0 mA, VIN = 5.0 V, −40°C < TA < +125°C
15
15
ppm/mA
ppm/mA
800
µA
RIPPLE REJECTION RATIO
RRR
SHORT CIRCUIT TO GND
ISC
fIN = 1 kHz
SUPPLY VOLTAGE
OPERATING RANGE
VIN
4.5
SUPPLY VOLTAGE HEADROOM
VIN − VO
2
3
4
初期精度にはハンダ加熱効果から生ずるシフトを含みません。
長時間安定性仕様は非累積的です。後続の 1000 時間のドリフトは、最初の 1000 時間より大幅に小さくなります。
Rev. I
－ 5/23 －
−70
dB
40
mA
18
V
V
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
ADR433 電気的特性
特に指定がない限り、VIN = 5.0 V～18 V、IL = 0 mA、TA = 25°C。
表 4.
Parameter
Symbol
OUTPUT VOLTAGE
A Grade
B Grade
VO
INITIAL ACCURACY5
A Grade
VOERR
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
2.996
2.9985
3.000
3.000
3.004
3.0015
V
V
±4
±0.13
±1.5
±0.05
mV
%
mV
%
B Grade
TEMPERATURE COEFFICIENT
A Grade
B Grade
TCVO
LINE REGULATION
LOAD REGULATION
QUIESCENT CURRENT
IIN
No load, −40°C < TA < +125°C
590
VOLTAGE NOISE
eN p-p
0.1 Hz to 10.0 Hz
3.75
µV p-p
VOLTAGE NOISE DENSITY
eN
1 kHz
90
nV/√Hz
TURN-ON SETTLING TIME
tR
CL = 0 µF
10
µs
LONG-TERM STABILITY6
∆VO
1000 hours
40
ppm
OUTPUT VOLTAGE
HYSTERESIS
VO_HYS
20
ppm
−70
dB
40
mA
−40°C < TA < +125°C
−40°C < TA < +125°C
2
1
10
3
ppm/°C
ppm/°C
∆VO/∆VIN
VIN = 5 V to 18 V, −40°C < TA < +125°C
5
20
ppm/V
∆VO/∆IL
∆VO/∆IL
IL = 0 mA to 10 mA, VIN = 6 V, −40°C < TA < +125°C
IL = −10 mA to 0 mA, VIN = 6 V, −40°C < TA < +125°C
15
15
ppm/mA
ppm/mA
800
µA
RIPPLE REJECTION RATIO
RRR
SHORT CIRCUIT TO GND
ISC
fIN = 1 kHz
SUPPLY VOLTAGE
OPERATING RANGE
VIN
5.0
SUPPLY VOLTAGE HEADROOM
VIN − VO
2
5
6
初期精度にはハンダ加熱効果から生ずるシフトを含みません。
長時間安定性仕様は非累積的です。後続の 1000 時間のドリフトは、最初の 1000 時間より大幅に小さくなります。
Rev. I
－ 6/23 －
18
V
V
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
ADR434 電気的特性
特に指定がない限り、VIN = 6.1 V～18 V、IL = 0 mA、TA = 25°C。
表 5.
Parameter
Symbol
OUTPUT VOLTAGE
A Grade
B Grade
VO
INITIAL ACCURACY7
A Grade
VOERR
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
4.091
4.0945
4.096
4.096
4.101
4.0975
V
V
±5
±0.12
±1.5
±0.04
mV
%
mV
%
B Grade
TEMPERATURE COEFFICIENT
A Grade
B Grade
TCVO
LINE REGULATION
LOAD REGULATION
QUIESCENT CURRENT
IIN
No load, −40°C < TA < +125°C
595
VOLTAGE NOISE
eN p-p
0.1 Hz to 10.0 Hz
6.25
µV p-p
VOLTAGE NOISE DENSITY
eN
1 kHz
100
nV/√Hz
TURN-ON SETTLING TIME
tR
CL = 0 µF
10
µs
LONG-TERM STABILITY8
∆VO
1000 hours
40
ppm
OUTPUT VOLTAGE
HYSTERESIS
VO_HYS
20
ppm
−70
dB
40
mA
−40°C < TA < +125°C
−40°C < TA < +125°C
2
1
10
3
ppm/°C
ppm/°C
∆VO/∆VIN
VIN = 6.1 V to 18 V, −40°C < TA < +125°C
5
20
ppm/V
∆VO/∆IL
∆VO/∆IL
IL = 0 mA to 10 mA, VIN = 7 V, −40°C < TA < +125°C
IL = −10 mA to 0 mA, VIN = 7 V, −40°C < TA < +125°C
15
15
ppm/mA
ppm/mA
800
µA
RIPPLE REJECTION RATIO
RRR
SHORT CIRCUIT TO GND
ISC
fIN = 1 kHz
SUPPLY VOLTAGE
OPERATING RANGE
VIN
6.1
SUPPLY VOLTAGE HEADROOM
VIN − VO
2
7
8
初期精度にはハンダ加熱効果から生ずるシフトを含みません。
長時間安定性仕様は非累積的です。後続の 1000 時間のドリフトは、最初の 1000 時間より大幅に小さくなります。
Rev. I
－ 7/23 －
18
V
V
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
ADR435 電気的特性
特に指定がない限り、VIN = 7.0 V～18 V、IL = 0 mA、TA = 25°C。
表 6.
Parameter
Symbol
OUTPUT VOLTAGE
A Grade
B Grade
VO
INITIAL ACCURACY9
A Grade
VOERR
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
4.994
4.998
5.000
5.000
5.006
5.002
V
V
±6
±0.12
±2
±0.04
mV
%
mV
%
B Grade
TEMPERATURE COEFFICIENT
A Grade
B Grade
TCVO
LINE REGULATION
LOAD REGULATION
QUIESCENT CURRENT
IIN
No load, −40°C < TA < +125°C
620
VOLTAGE NOISE
eN p-p
0.1 Hz to 10 Hz
8
µV p-p
VOLTAGE NOISE DENSITY
eN
1 kHz
115
nV/√Hz
TURN-ON SETTLING TIME
tR
CL = 0 µF
10
µs
LONG-TERM STABILITY10
∆VO
1000 hours
40
ppm
OUTPUT VOLTAGE HYSTERESIS
VO_HYS
20
ppm
−70
dB
−40°C < TA < +125°C
−40°C < TA < +125°C
2
1
10
3
ppm/°C
ppm/°C
∆VO/∆VIN
VIN = 7 V to 18 V, −40°C < TA < +125°C
5
20
ppm/V
∆VO/∆IL
∆VO/∆IL
IL = 0 mA to 10 mA, VIN = 8 V, −40°C < TA < +125°C
IL = −10 mA to 0 mA, VIN = 8 V, −40°C < TA < +125°C
15
15
ppm/mA
ppm/mA
800
µA
RIPPLE REJECTION RATIO
RRR
SHORT CIRCUIT TO GND
ISC
SUPPLY VOLTAGE OPERATING
RANGE
VIN
7.0
SUPPLY VOLTAGE HEADROOM
VIN − VO
2
9
fIN = 1 kHz
40
初期精度にはハンダ加熱効果から生ずるシフトを含みません。
長時間安定性仕様は非累積的です。後続の 1000 時間のドリフトは、最初の 1000 時間より大幅に小さくなります。
10
Rev. I
－ 8/23 －
mA
18
V
V
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
ADR439 電気的特性
特に指定がない限り、VIN = 6.5 V～18 V、IL = 0 mV、TA = 25°C。
表 7.
Parameter
Symbol
OUTPUT VOLTAGE
A Grade
B Grade
VO
INITIAL ACCURACY11
A Grade
VOERR
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
4.4946
4.498
4.500
4.500
4.5054
4.502
V
V
±5.5
±0.12
±2
±0.04
mV
%
mV
%
B Grade
TEMPERATURE COEFFICIENT
A Grade
B Grade
TCVO
LINE REGULATION
LOAD REGULATION
QUIESCENT CURRENT
IIN
No load, −40°C < TA < +125°C
600
VOLTAGE NOISE
eN p-p
0.1 Hz to 10.0 Hz
7.5
µV p-p
VOLTAGE NOISE DENSITY
eN
1 kHz
110
nV/√Hz
TURN-ON SETTLING TIME
tR
CL = 0 µF
10
µs
LONG-TERM STABILITY12
∆VO
1000 hours
40
ppm
OUTPUT VOLTAGE HYSTERESIS
VO_HYS
20
ppm
−40°C < TA < +125°C
−40°C < TA < +125°C
2
1
10
3
ppm/°C
ppm/°C
∆VO/∆VIN
VIN = 6.5 V to 18 V, −40°C < TA < +125°C
5
20
ppm/V
∆VO/∆IL
∆VO/∆IL
IL = 0 mA to 10 mA, VIN = 6.5 V, −40°C < TA < +125°C
IL = −10 mA to 0 mA, VIN = 6.5 V, −40°C < TA < +125°C
15
15
ppm/mA
ppm/mA
800
µA
RIPPLE REJECTION RATIO
RRR
SHORT CIRCUIT TO GND
ISC
SUPPLY VOLTAGE OPERATING
RANGE
VIN
6.5
SUPPLY VOLTAGE HEADROOM
VIN − VO
2
11
12
fIN = 1 kHz
初期精度にはハンダ加熱効果から生ずるシフトを含みません。
長時間安定性仕様は非累積的です。後続の 1000 時間のドリフトは、最初の 1000 時間より大幅に小さくなります。
Rev. I
－ 9/23 －
−70
dB
40
mA
18
V
V
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
絶対最大定格
特に指定のない限り、TA = 25°C。
熱抵抗
表 8.
Parameter
Rating
Supply Voltage
Output Short-Circuit Duration to GND
Storage Temperature Range
Operating Temperature Range
Junction Temperature Range
Lead Temperature, Soldering (60 sec)
20 V
Indefinite
−65°C to +150°C
−40°C to +125°C
−65°C to +150°C
300°C
θJA はワーストケース条件で規定。すなわち表面実装パッケージの
場合、デバイスを回路ボードにハンダ付けした状態で規定。
表 9.熱抵抗
上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えるとデバイスに恒久
的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格の規
定のみを目的とするものであり、この仕様の動作のセクションに
記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものではありませ
ん。デバイスを長時間絶対最大定格状態に置くとデバイスの信頼
性に影響を与えます。
Rev. I
Package Type
θJA
θJC
Unit
8-Lead SOIC_N (R)
8-Lead MSOP (RM)
130
142
43
44
°C/W
°C/W
ESDの注意
－ 10/23 －
ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイスで
す。電荷を帯びたデバイスや回路ボードは、検知さ
れないまま放電することがあります。本製品は当社
独自の特許技術である ESD 保護回路を内蔵してはい
ますが、デバイスが高エネルギーの静電放電を被っ
た場合、損傷を生じる可能性があります。したがっ
て、性能劣化や機能低下を防止するため、ESD に対
する適切な予防措置を講じることをお勧めします。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
代表的な性能特性
特に指定がない限り、デフォルト状態: ±5 V、CL = 5 pF、G = 2、RG = RF = 1 kΩ、RL = 2 kΩ、VO = 2 V p-p、f = 1 MHz、TA = 25°C。
0.8
2.5009
SUPPLY CURRENT (mA)
OUTPUT VOLTAGE (V)
2.5007
2.5005
2.5003
2.5001
2.4999
0.7
+125°C
0.6
+25°C
–40°C
0.5
0.4
2.4997
–10
5
20
35
50
65
80
95
110
125
TEMPERATURE (°C)
0.3
4
8
10
12
14
16
INPUT VOLTAGE (V)
図 3.ADR431 出力電圧の温度特性
図 6.ADR435 入力電圧対電源電流
4.0980
700
4.0975
650
SUPPLY CURRENT (µA)
4.0970
4.0965
4.0960
4.0955
600
550
500
–25
–10
5
20
35
50
65
80
95
110
125
TEMPERATURE (C)
400
–40
04500-016
4.0950
–40
–25
–10
5
20
35
50
65
80
95
110
125
04500-019
450
18
04500-020
OUTPUT VOLTAGE (V)
6
04500-018
–25
04500-015
2.4995
–40
TEMPERATURE (°C)
図 4.ADR434 出力電圧の温度特性
図 7.ADR435 電源電流の温度特性
5.0025
0.60
+125°C
0.58
5.0020
SUPPLY CURRENT (mA)
OUTPUT VOLTAGE (V)
0.56
5.0015
5.0010
5.0005
5.0000
0.54
0.52
+25°C
0.50
0.48
0.46
–40°C
0.44
4.9995
–25
–10
5
20
35
50
65
80
95
TEMPERATURE (°C)
110
125
04500-017
0.42
4.9990
–40
図 5.ADR435 出力電圧の温度特性
Rev. I
0.40
6
8
10
12
14
16
INPUT VOLTAGE (V)
図 8.ADR431 入力電圧対電源電流
－ 11/23 －
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
2.5
610
DIFFERENTIAL VOLTAGE (V)
SUPPLY CURRENT (µA)
580
550
520
490
460
2.0
–40°C
1.5
+25°C
1.0
+125°C
0.5
–25
–10
5
20
35
50
65
80
95
110
125
TEMPERATURE (°C)
0
–10
04500-021
400
–40
–5
0
5
10
LOAD CURRENT (mA)
図 9.ADR431 電源電流の温度特性
04500-024
430
図 12.ADR431 負荷電流対最小入力/出力差動電圧
1.9
15
IL = 0mA to 10mA
NO LOAD
12
MINIMUM HEADROOM (V)
LOAD REGULATION (ppm/mA)
1.8
9
6
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
3
–10
5
20
35
50
65
80
95
110
125
TEMPERATURE (°C)
1.0
–40
–25
–10
5
20
35
50
65
80
95
110
125
04500-025
–25
04500-022
0
–40
10
04500-026
1.1
TEMPERATURE (°C)
図 13.ADR431 最小ヘッドルームの温度特性
図 10.ADR431 負荷レギュレーションの温度特性
2.5
15
DIFFERENTIAL VOLTAGE (V)
12
9
6
3
0
–40
–25
–10
5
20
35
50
65
80
95
110
125
TEMPERATURE (°C)
–40°C
1.5
+25°C
1.0
+125°C
0.5
–5
0
5
LOAD CURRENT (mA)
図 14.ADR435 負荷電流対最小入力/出力差動電圧
図 11.ADR435 負荷レギュレーションの温度特性
Rev. I
2.0
0
–10
04500-023
LOAD REGULATION (ppm/mA)
IL = 0mA to 10mA
－ 12/23 －
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
1.9
NO LOAD
CL = 0.01µF
NO INPUT CAPACITOR
MINIMUM HEADROOM (V)
1.7
VO = 1V/DIV
1.5
1.3
1.1
TIME = 4µs/DIV
–25
–10
5
20
35
50
65
80
95
110
125
TEMPERATURE (C)
04500-027
0.9
–40
04500-031
VIN = 2V/DIV
図 18.ADR431 ターンオン応答、0.01 µF 負荷コンデンサ
図 15.ADR435 最小ヘッドルームの温度特性
20
VIN = 7V TO 18V
LINE REGULATION (ppm/V)
16
VO = 1V/DIV
CIN = 0.01µF
NO LOAD
12
8
4
VIN = 2V/DIV
–25
–10
5
20
35
50
65
80
95
110
125
TEMPERATURE (C)
04500-028
–4
–40
TIME = 4µs/DIV
04500-032
0
図 19.ADR431 ターンオフ応答
図 16.ADR435 ライン・レギュレーションの温度特性
BYPASS CAPACITOR = 0µF
CIN = 0.01µF
NO LOAD
LINE
INTERRUPTION
VO = 1V/DIV
VIN = 500mV/DIV
VO = 50mV/DIV
04500-030
TIME = 100µs/DIV
TIME = 4µs/DIV
図 20.ADR431 ライン過渡応答
図 17.ADR431 ターンオン応答
Rev. I
－ 13/23 －
04500-033
VIN = 2V/DIV
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
BYPASS CAPACITOR = 0.1µF
LINE
INTERRUPTION
VIN = 500mV/DIV
VO = 50mV/DIV
TIME = 1s/DIV
図 21.ADR431 ライン過渡応答、0.1 µF バイパス・コンデンサ
04500-037
TIME = 100µs/DIV
04500-034
2µV/DIV
図 24.ADR435 電圧ノイズ (0.1 Hz～10.0 Hz)
1µV/DIV
50µV/DIV
図 22.ADR431 電圧ノイズ (0.1 Hz～10.0 Hz)
04500-038
TIME = 1s/DIV
04500-035
TIME = 1s/DIV
図 25.ADR435 電圧ノイズ (10 Hz～10 kHz)
14
NUMBER OF PARTS
12
10
8
6
4
50µV/DIV
0
–110 –90
04500-036
TIME = 1s/DIV
–50
–30
–10
10
30
50
DEVIATION (PPM)
図 23.ADR431 電圧ノイズ (10 Hz～10 kHz)
Rev. I
–70
図 26.ADR431 ヒステリシス
－ 14/23 －
70
90
110
04500-029
2
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
50
10
45
–10
RIPPLE REJECTION (dB)
OUTPUT IMPEDANCE ()
40
35
30
25
ADR435
20
15
ADR433
–30
–50
–70
–90
–110
10
ADR430
5
10k
FREQUENCY (Hz)
100k
10
1k
10k
FREQUENCY (Hz)
図 28.リップル除去比
図 27.出力インピーダンスの周波数特性
Rev. I
100
－ 15/23 －
100k
1M
04500-040
–150
1k
04500-039
0
100
–130
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
動作原理
固有リファレンス電圧は、約 0.5 V で約−120 ppm/°C の負温度係数
を持っています。このスロープはシリコンの誘電率として本来一
定で、バンド・ギャップ・リファレンスの補償で使用される温度
比例(PTAT)項と同じ方法で求めた補正項を加えることにより細か
く補償することができます。バンド・ギャップ・リファレンスに
比べた XFET リファレンスの主な利点は、固有温度係数が約 1/30
倍と小さいことです(したがって補正が小さい)。バンド・ギャッ
プ・リファレンス電圧の大部分のノイズは温度補償回路で発生す
るため、XFET ではノイズが小さくなります。
ADR43x ファミリーのリファレンス電圧は、4.1 V～18 V の範囲の
入力電圧で、10 mA の負荷電流を出力するように保証されていま
す。これらのデバイスをこれより大きい電流のアプリケーション
で使用する場合、次式を使って消費電力増加による温度効果を考
慮する必要があります。
TJ = PD × θJA + TA
リファレンス電圧の基本接続
一般に、リファレンス電圧では、VOUTとGNDとの間にバイパス・
コンデンサを接続することが必要です。図 30の回路に、ADR43x
ファミリーのリファレンス電圧の基本接続を示します。出力に0.1
µF以外のコンデンサを接続すると、ノイズ除去には役立ちますが、
回路安定性のために大きな出力コンデンサは必要ありません。
図 29 に、ADR43xシリーズの基本回路を示します。温度補正項は、
絶対温度に比例するようにデザインされた値を持つ電流源から提
供されます。一般式は、
TP
VIN
+
0.1µF
(1)
ここで、
G は分圧比の逆数であるゲイン。
∆VP は 2 個の JFET のピンチオフ電圧の差。
IPTAT は正温度係数補正電流。
VIN
I1
ADR43x
IPTAT
VOUT
R2
*
R1
*EXTRA CHANNEL IMPLANT
VOUT = G(ΔVP – R1 × IPTAT)
R3
TP
COMP
VOUT
TOP VIEW
6
3
(Not to Scale)
4
5 TRIM
7
0.1µF
GND
図 30.リファレンス電圧の基本接続
ノイズ性能
ADR43xリファレンス電圧から発生するノイズは一般に、0.1 Hz～
10.0 Hz帯域で 3.75 µV p-p以下です(ADR430、ADR431、ADR433
の場合)。図 22 に、ADR431 の 0.1 Hz～10.0 Hzでのノイズを示し
ます。このノイズは 3.5 µV p-pと小さいものです。ノイズの計測
は、コーナー周波数 0.1 Hzの 2 極ハイパス・フィルタとコーナー
周波数 10.0 Hzの 2 極ローパス・フィルタから構成されるバンドパ
ス・フィルタを使って行います。
高周波ノイズ
04500-002
ΔVP
NC
GND
8
ADR43x
NOTES:
1. NC = NO CONNECT
2. TP = TEST PIN (DO NOT CONNECT)
各 ADR43x デバイスでは、内部で R2 と R3 を調整することにより、
それぞれリファレンス出力で 2.048 V または 2.500 V を発生していま
す。
I1
1
2
10µF
VOUT = G (ΔVP – R1 × IPTAT)
(2)
ここで、
TJとTAは、それぞれジャンクション温度と周囲温度です。
PDはデバイスの電力消費電力。
θJAはデバイス・パッケージの熱抵抗。
04500-044
ADR43x シリーズのリファレンスは、 XFET (eXtra implanted
junction FET)と呼ばれるリファレンス電圧発生技術を採用してい
ます。この技術は、低電源電流、優れた熱ヒステリシスと低ノイ
ズ性能を持つリファレンス電圧を実現します。XFET リファレン
ス電圧のコアは 2 個の接合電界効果トランジスタ(JFET)から構成
され、一方はピンチオフ電圧を上げるためにチャンネルに高濃度
注入を行っています。2 個の JFET を同じドレイン電流で動作させ
ることにより、ピンチオフ電圧の差を増幅して使用して、非常に
安定なリファレンス電圧を発生することができます。
図 29.デバイス消費電力に関する簡略化した回路図
ADR43xファミリーのリファレンス電圧から発生する総合ノイズ
は、リファレンス・ノイズとオペアンプ・ノイズから構成されて
います。図 31 に、10 Hz～25 kHzの広帯域ノイズを示します。オペ
アンプの内部ノードはピン 7 に接続されているため、オペアンプを
過補償することにより、全体ノイズを削減することができます。
これは、クローズド・ループ構成を考慮することにより理解する
ことができ、オペアンプの実効出力インピーダンスは次のように
なります。
RO 
rO
1  AVO 
ここで、
RO は皮相出力インピーダンス。
rO はオペアンプの出力抵抗。
AVO は注目する周波数でのオープン・ループ・ゲイン。
β は帰還係数。
Rev. I
－ 16/23 －
(3)
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
ただし、ADCのリファレンス入力はダイナミックなスイッチング
容量負荷になりますが、これを駆動する場合にリファレンスの使
用が増えています。リファレンス電圧変化を 1/2 LSB以下に抑え
るために、マイクロ・ファラッド範囲の大きさのコンデンサが使
用されます。図 31 に、50 µFまでの容量値でのADR431 ノイズ・ス
ペクトルを示します。容量負荷がない場合、ノイズ・スペクトル
はほぼ 60 nV/√Hz～70 nV/√Hzで比較的平坦です。容量負荷を変え
ると、予測ノイズ・ピーキングが顕著になります。
ADR43x ファミリーのオペアンプでは従来型のRC 補償技術を採用
しています。IC 内ではモノリシック・コンデンサが数十pFに制限
されます。50 µFのような大きな外付け容量負荷では、オペアンプ
の過補償が必要です。内部補償ノードがピン 7 に接続されている
ため、外付け直列 RC 回路をピン 7 と出力(ピン 6)との間に接続
することができます(図 32 参照)。
TP
VIN
2
+
10µF
NC
GND
0.1µF
8
ADR43x
7
TP
COMP 82kΩ
VOUT
TOP VIEW
6
(Not to Scale)
4
5 TRIM
10nF
3
0.1µF
NOTES
1. NC = NO CONNECT
2. TP = TEST PIN (DO NOT CONNECT)
図 32.リファレンスの補償
82 kΩ の抵抗と 10 nF のコンデンサによりノイズ・ピーキングを
解消することができます (図 33 参照)。COMP ピンは未使用の場合、
未接続のままにする必要があります。
100
1000
CL = 10µF
RC 82kΩ AND 10nF
ADR431
NO COMPENSATION
NOISE DENSITY (nV/√Hz)
CL = 1µF
CL = 50µF
100
CL = 0µF
100
1k
10k
FREQUENCY (Hz)
100k
CL = 50µF
RC 82kΩ AND 10nF
10
10
04500-042
10
10
CL = 1µF
RC 82kΩ AND 10nF
100
1k
FREQUENCY (Hz)
10k
04500-043
CL = 10µF
NOISE DENSITY (nV/√Hz)
1
04500-003
式 3 は、皮相出力インピーダンスがほぼ追加ループ・ゲインだけ小
さくなることを示しています。したがって、周波数が高くなると、
追加ループ・ゲインが小さくなり、皮相出力インピーダンスが大
きくなります。周波数が高くなるとインピーダンスが大きくなる
受動素子はインダクタです。コンデンサをオペアンプ出力または
リファレンスに接続すると、ある周波数で共振する同調回路が形
成されるため、ゲイン・ピーキングが発生します。単極応答を持
つ未完成オペアンプ・モデルと出力に直列な純抵抗を使うと、こ
れを観測することができます。容量負荷を変えると、別の周波数
でピーキングが発生します。小さい容量負荷(<100 pF)を使用する大
部分の通常のオペアンプ・アプリケーションでは、通常この影響
は見られません。
図 33.補償回路ありの場合のノイズ
図 31.ノイズ対容量負荷
ターンオン時間
パワーアップ(コールド・スタート)時、出力電圧が規定の誤差範
囲内で最終値に到達するために要する時間は、ターンオン・セト
リング・タイムとして定義されます。一般に、これに関係する 2
つの要素は、アクティブ回路の安定時間とチップの熱勾配の安定
時間です。図 17 と図 18 に、ADR431 のターンオン・セトリン
グ・タイムを示します。
Rev. I
－ 17/23 －
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
アプリケーション情報
出力の調整
SOURCE FIBER
ADR43x の TRIM ピンを使うと、±0.5%の範囲で出力電圧を調節す
ることができます。この機能を使うと、リファレンス電圧を公称
値以外の電圧に設定してシステム誤差を調整することができます。
この機能は、誤差を調整する温度にあるシステム内でデバイスを
使う場合にも役立ちます。出力調整によるデバイスの温度性能へ
の影響は無視できます。温度係数の性能低下を回避するためには、
調整用ポテンショメータと 2 本の抵抗が温度係数の小さいタイプ
(100 ppm/°C 以下)である必要があります。
GIMBAL + SENSOR
DESTINATION
FIBER
LASER BEAM
ACTIVATOR
LEFT
ACTIVATOR
RIGHT
MEMS MIRROR
AMPL
PREAMP
AMPL
INPUT
ADR431
R1
470kΩ
ADC
GND
R2
10kΩ (ADR430)
15kΩ (ADR431)
ADR431
DSP
GND
RP
10kΩ
TRIM
DAC
図 35.光ルータ・回路
04500-004
ADR43x
ADR431
DAC
04500-005
OUTPUT
VO = ±0.5%
VOUT
高電圧フローティング電流源
図 34.出力の調整
光ネットワーク制御回路でのコンバータのリファ
レンス電圧
図 36 の回路は、自己発熱が小さいフローティング電流源を構成す
る際に使うことができます。この特別な構成は、Nチャンネル
JFETのブレークダウン電圧で決定される高電源電圧で動作するこ
とができます。
大容量では、図 35 のすべての光ルーター・ネットワーク(マイク
ロミラーのアレイ)が、通信速度を低下させる電気への変換なしに、
光信号をファイバからファイバへ転送します。独自の情報を伝送
する 1 つの波長を受けて任意の入力ファイバと出力ファイバに渡
せるように、マイクロ・マシンによる各小型ミラーが配置されて
います。システム内の高精度A/Dコンバータ(ADC)とD/Aコンバー
タ(DAC)から制御される 2 軸アクチュエータにより、ミラーが傾
けられます。ミラーの動作は微細であるため、重要なのはコンバ
ータ精度だけでなく、これらの制御コンバータのノイズも極めて
重要です。システム内の総合ノイズは、使用するコンバータ数倍
されます。このため、このアプリケーションの制御ループの安定
性を維持するために、極めて低いノイズを持つADR43xが必要に
なります。
+VS
SST111
VISHAY
2
VIN
VOUT 6
ADR43x
OP90
2N3904
GND
4
RL
2.1kΩ
–VS
04500-007
VIN
CONTROL
ELECTRONICS
図 36.高電圧フローティング電流源
ケルビン接続
PCボードのコストと面積が重要となる多くの携帯計装機器アプリ
ケーションでは、回路接続が細くなることがあります。リファレ
ンス電圧から種々の機能に負荷電流を供給する必要がある場合、
これらの細いラインにより大きな電圧降下が発生します。実際、
回路間接続は0.45 mΩ/平方(たとえば1オンスのCu)のライン抵抗比
を持ちます。フォース接続とセンス接続(ケルビン接続と呼ばれま
す)は、回路配線の電圧降下の影響をなくする便利な方法を提供し
ます。配線抵抗を流れる負荷電流は負荷で誤差を発生させます
(VERROR = R × IL)。ただし、図 37に示すケルビン接続を使うと、配
線抵抗をオペアンプのフォース・ループ内に取り込むことにより
この問題を解決することができます。
オペアンプが負荷電圧を検出するため、オペアンプ・ループ制御
により、出力での配線誤差を補償させて、負荷で正しい電圧を発
生させます。
Rev. I
－ 18/23 －
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
VIN
プログラマブルな電流源
RLW
2
VOUT
SENSE
VIN
ADR43x
A1
OP191
+
VOUT 6
デジタル・ポテンショメータ、Howland 電流ポンプ、ADR435 を
組み合わせると、次のようにプログラマブルな電流を持つリファ
レンス電源を構成することができます。
RLW
VOUT
FORCE
 R2 A  R2 B

R1
IL  

R2 B


RL
04500-008
GND
4
図 37.ケルビン接続の利点


 V
 W


(4)
かつ
両極性リファレンス電圧
両極性リファレンスは、オペアンプと一対の抵抗を使って容易に
実現することができます。ADR43x の高精度を損なわないために、
抵抗偏差とすべての部品の温度係数を一致させることが不可欠で
す。
VIN
1µF
VOUT 6
VIN
+5V
R1
10kΩ
ADR435
U1
GND
R2
10kΩ
+10V
TRIM 5
V+
4
OP1177
–5V
R3
5kΩ
04500-009
U2
V–
–10V
D
 VREF
2N
(5)
ここで、
D は入力コードに等価な 10 進値を表します。
N はビット数です。
さらにR1'とR2'は、それぞれR1 と(R2A + R2B)に一致する必要があ
ります。理論的にはR2Bを必要なだけ小さくして、A2 内部での出
力電流駆動能力に必要な電流を得ることができます。この例では、
OP2177 が 10 mAの最大出力電流を供給することができます。電流
ポンプは正帰還と負帰還を使用するため、コンデンサC1 とC2 は
負帰還を防止して発振が起こらないようにするために必要です。
デジタル・ポテンショメータの入力VAとVBが図 40 に示すように
両極性リファレンス電圧に接続される場合には、この回路は双方
向電流も許容します。
2
0.1µF
VW 
C1
10pF
図 38.ADR435 を使用した+5 V と−5 V のリファレンス電圧
R1'
50kΩ
VDD
+2.5V
R2'
1kΩ
2
VIN
2
VIN
U1
GND
4
ADR435
VOUT 6
ADR435
VDD
TRIM 5
U1
R1
5.6kΩ
GND
VOUT 6
V+
U2
AD5232
V+
B
R2
5.6kΩ
W
OP2177
V+
U2
V–
VSS
04500-010
–10V
R1
50kΩ
R2B
10Ω
VSS
R2A
1kΩ
+
VL
–
IL
IL
図 40.プログラマブルな電流源
図 39.ADR435 を使用した+2.5 V と-2.5 V のリファレンス電圧
Rev. I
A2
V–
A1
V–
OP1177
–2.5V
OP2177
A
4
TRIM 5
VDD
C2
10pF
－ 19/23 －
04500-011
+10V
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
プログラマブルなDACリファレンス電圧
データ・コンバータ用の高精度リファレンス電圧
クワッド12ビット電圧出力AD7398のようなマルチチャンネル
DACでは、内蔵DACの1つとADR43xリファレンス電圧を残りの
DACに対する共通のプログラマブルなVREFX として使うことがで
きます。図 41にこの回路構成を示します。
ADR43x ファミリーは、ADC および DAC と組み合わせて使用す
る最適な多くの機能を持っています。ADR43x は極めて小さいノ
イズ、厳しい温度係数、高精度特性を持つため、携帯電話基地局
アプリケーションのような低ノイズ・アプリケーションに最適で
す。
ADR431 の使用に適するADCのもう 1 つの例は AD7701 です。図
42 に、このコンバータの高精度リファレンスとして使用した
ADR431 を示します。AD7701 は 16 ビットADCであり、化学、物
理学、または生物学のプロセスを表す信号のような、広いダイナ
ミック・レンジと低い周波数を持つ信号を測定するデジタル・フ
ィルタを内蔵しています。電荷平衡型(Σ-∆) ADC、キャリブレー
ション・マイクロコントローラ、スタティックRAM、クロック発
振器、シリアル通信ポートも内蔵しています。
VOUTA
R1 ± 0.1%
VREF
DAC A
VIN
VREFB
VOUTB
ADR43x
VOB = VREFX (DB)
DAC B
VREFC
VOUTC
DAC C
+5V
ANALOG
SUPPLY 0.1µF
10µF
AD7701
VOC = VREFX (DC)
AVDD
2
VIN
VREFD
VOUTD
VOUT 6
VOD = VREFX (DD)
04500-012
DAC D
0.1µF
AD7398
RANGES
SELECT
VREFXとVREFの関係は、デジタル・コードと R1とR2の比に依存し、
次式で与えられます。
VREFX
R2 
VREF  1 

R1 


1  D  R2 


 2 N R1 
(6)
CS
CAL
DATA READY
READ (TRANSMIT)
SCLK
SERIAL CLOCK
SDATA
SERIAL CLOCK
CLKIN
CLKOUT
SC1
ANALOG
INPUT
ANALOG
GROUND
AIN
AGND
SC2
DGND
0.1µF
0.1µF
AVSS
–5V
ANALOG
SUPPLY
0.1µF
MODE
DRDY
BP/UP
CALIBRATE
ここで、
D は入力コードに等価な 10 進値を表します。
N はビット数です。
VREF は外付けリファレンス電圧。
VREFX は DAC A～DAC D のリファレンス電圧。
0.1µF
DVSS
10µF
図 42.16 ビット ADC AD7701 用のリファレンス電圧
表 10.VREFX、R1、R2 の関係
R1, R2
Digital Code
VREF
R1 = R2
R1 = R2
R1 = R2
R1 = 3R2
R1 = 3R2
R1 = 3R2
0000 0000 0000
1000 0000 0000
1111 1111 1111
0000 0000 0000
1000 0000 0000
1111 1111 1111
2 VREF
1.3 VREF
VREF
4 VREF
1.6 VREF
VREF
Rev. I
VREF
ADR431
GND
4
図 41. プログラマブルな DAC リファレンス電圧
DVDD
SLEEP
－ 20/23 －
04500-013
R2
± 0.1%
VREFA
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
N1
電流能力を強化した高精度電圧出力を、図 43に示す回路を使って
実現することができます。この回路では、N1のターンオンを制御
してU2がVOとVREFを一致させるため、VINから負荷電流が供給さ
れるようになります。この構成では、VIN = 5 Vで50 mAの負荷を
実現することができます。MOSFETには中程度の発熱があり、大
型のデバイスで置き換えると電流を大きくすることができます。
さらに、ステップ入力を持つ重い容量負荷の場合、バッファを出
力に接続して過渡応答を強化する必要があります。
VIN
2
5V
VIN
U1
+
U2
TRIM 5
GND
V+
AD8601
–
V–
4
図 43.出力レギュレータの高精度ブースト
Rev. I
－ 21/23 －
VO
2N7002
ADR431
VOUT 6
RL
25Ω
04500-014
出力レギュレータの高精度ブースト
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
外形寸法
3.20
3.00
2.80
8
3.20
3.00
2.80
5.15
4.90
4.65
5
1
4
PIN 1
IDENTIFIER
0.65 BSC
0.95
0.85
0.75
15° MAX
1.10 MAX
6°
0°
0.40
0.25
0.80
0.55
0.40
0.23
0.09
10-07-2009-B
0.15
0.05
COPLANARITY
0.10
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-187-AA
図 44.8 ピン・ミニ・スモール・アウトライン・パッケージ[MSOP]
(RM-8)
寸法: mm
5.00 (0.1968)
4.80 (0.1890)
1
5
4
1.27 (0.0500)
BSC
0.25 (0.0098)
0.10 (0.0040)
COPLANARITY
0.10
SEATING
PLANE
6.20 (0.2441)
5.80 (0.2284)
1.75 (0.0688)
1.35 (0.0532)
0.51 (0.0201)
0.31 (0.0122)
0.50 (0.0196)
0.25 (0.0099)
45°
8°
0°
0.25 (0.0098)
0.17 (0.0067)
1.27 (0.0500)
0.40 (0.0157)
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-012-AA
CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS
(IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FOR
REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN.
図 45.8 ピン標準スモール・アウトライン・パッケージ[SOIC_N]
ナロー・ボディ
(R-8)
寸法: mm (インチ)
Rev. I
－ 22/23 －
012407-A
8
4.00 (0.1574)
3.80 (0.1497)
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
オーダー・ガイド
Model 1, 2
ADR430ARZ
ADR430ARZ-REEL7
ADR430ARMZ
ADR430ARMZ-REEL7
ADR430BRZ
ADR430BRZ-REEL7
ADR431ARZ
ADR431ARZ-REEL7
ADR431ARMZ
ADR431ARMZ-REEL7
ADR431BR
ADR431BR-REEL7
ADR431BRMZ
ADR431BRMZ-R7
ADR431BRZ
ADR431BRZ-REEL7
ADR433ARZ
ADR433ARZ-REEL7
ADR433ARMZ
ADR433ARMZ-REEL7
ADR433BRZ
ADR433BRZ-REEL7
ADR434ARZ
ADR434ARZ-REEL7
ADR434ARMZ
ADR434ARMZ-REEL7
ADR434BRZ
ADR434BRZ-REEL7
ADR435ARZ
ADR435ARZ-REEL7
ADR435ARMZ
ADR435ARMZ-REEL7
ADR435BRMZ
ADR435BRMZ-R7
ADR435BRZ
ADR435BRZ-REEL7
ADR439ARZ-REEL7
ADR439ARMZ-REEL7
ADR439BRZ-REEL7
Output
Voltage (V)
2.048
2.048
2.048
2.048
2.048
2.048
2.500
2.500
2.500
2.500
2.500
2.500
2.500
2.500
2.500
2.500
3.000
3.000
3.000
3.000
3.000
3.000
4.096
4.096
4.096
4.096
4.096
4.096
5.000
5.000
5.000
5.000
5.000
5.000
5.000
5.000
4.500
4.500
4.500
Initial
Accuracy, ±
(mV)
(%)
3
0.15
3
0.15
3
0.15
3
0.15
1
0.05
1
0.05
3
0.12
3
0.12
3
0.12
3
0.12
1
0.04
1
0.04
1
0.04
1
0.04
1
0.04
1
0.04
4
0.13
4
0.13
4
0.13
4
0.13
1.5
0.05
1.5
0.05
5
0.12
5
0.12
5
0.12
5
0.12
1.5
0.04
1.5
0.04
6
0.12
6
0.12
6
0.12
6
0.12
2
0.04
2
0.04
2
0.04
2
0.04
5.5
0.12
5.5
0.12
2
0.04
Temperature
Coefficient
Package (ppm/°C)
10
10
10
10
3
3
10
10
10
10
3
3
3
3
3
3
10
10
10
10
3
3
10
10
10
10
3
3
10
10
10
10
3
3
3
3
10
10
3
Temperature
Range
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
–40°C to +125°C
–40°C to +125°C
–40°C to +125°C
–40°C to +125°C
–40°C to +125°C
–40°C to +125°C
–40°C to +125°C
–40°C to +125°C
–40°C to +125°C
–40°C to +125°C
–40°C to +125°C
Package
Description
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead MSOP
8-Lead MSOP
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead MSOP
8-Lead MSOP
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead MSOP
8-Lead MSOP
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead MSOP
8-Lead MSOP
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead MSOP
8-Lead MSOP
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead MSOP
8-Lead MSOP
8-Lead MSOP
8-Lead MSOP
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead MSOP
8-Lead SOIC_N
Package
Option
R-8
R-8
RM-8
RM-8
R-8
R-8
R-8
R-8
RM-8
RM-8
R-8
R-8
RM-8
RM-8
R-8
R-8
R-8
R-8
RM-8
RM-8
R-8
R-8
R-8
R-8
RM-8
RM-8
R-8
R-8
R-8
R-8
RM-8
RM-8
RM-8
RM-8
R-8
R-8
R-8
RM-8
R-8
Ordering
Quantity
98
1,000
50
1,000
98
1,000
98
1,000
50
1,000
98
1,000
50
1,000
98
1,000
98
1,000
50
1,000
98
1,000
98
1,000
50
1,000
98
1,000
98
1,000
50
1,000
50
1,000
98
1,000
1,000
1,000
1,000
Branding
R10
R10
R12
R12
R13
R13
R14
R14
R16
R16
R18
R18
R19
R19
R1C
1
Z = RoHS 準拠製品。
2
ADR431BRMZ、ADR431BRMZ-R7、ADR435BRMZ、ADR435BRMZ-R7 の各モデルは現在リリース準備中です。詳細については営業にお尋ねください。
Rev. I
－ 23/23 －