1) exp( kT eV II

光電子デバイス
半導体の物理（2）
浮田
2.1 エネルギー準位
・ 電子準位間遷移：hν=1～10eV
・ 振動準位間遷移：hν=0.01～0.1eV
・ 回転準位間遷移：hν=0.001～0.01eV
・
・ 箱の中の電子のエネルギー準位
位相：2l/λ=n
波 数 ： k n = πn 時だけ安定に存在
運動量も飛び飛びの値
→pn=hkn（h はプランクの定数）
運動エネルギーも量子化される
→En=Pn2/2m（m 電子の質量）
．
・ 原子のエネルギー準位
教科書(4.1)～(4.5)式
ボーアの振動数条件
λn , m =
光の吸収と放出
原子固有の波長
宏生
2.2 半導体の pn 接合
・ 価電子帯
・ 伝導帯
hc
En − Em
・ 分子のエネルギー準位
・
・
・
・
バンドギャップ
n 形半導体
p 形半導体
pn 接合の整流性
eV
⎡
⎤
I = I 0 ⎢exp( D ) − 1⎥
kT
⎣
⎦
・ 文献(1) 神保康晴：
『光エレクトロニク
ス』，オーム社， ISBN4-274-13085-1
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